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ELE004

2007-2008

TD 8
***exercice trait en classe

Le phnomne photoconductif, le seuil de photoconductivit. Effet de la temprature sur un photoconducteur extrinsque. Etude de la photodiode, expression du courant, caractristique. Photodiode utilise en rcepteur ou en gnrateur. Charge adapte. Application aux cellules solaires. La diode lectroluminescente. Les htrojonctions S.C ternaires. La diode laser.

exercice 8.1 On rappelle la valeur des constantes universelles suivantes : h = 6,63.10-34 J.s, c = 3.108 m.s-1, e = 1,6.10-19 C, k = 1,38.10-23 J.K-1. 1. Rappeler la relation liant la longueur donde la hauteur de la bande interdite dans une photodiode. 2. Quel est lintrt de raliser un compos ternaire base de Ga, As, Al en ce qui concerne la ralisation de photodiode ? 3. On dsire raliser une photodiode partir de Alx Ga1-x As dont la longueur donde soit gale 0,780 m. Calculer la proportion x datomes daluminium sachant que la hauteur de la bande interdite est donne par : Eg(Alx Ga1-x As) = 1,425 + 1,155.x + 0,37.x2 e.V). exercice 8.2 On donne la caractristique suivante dune photodiode claire : (en

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1. Quel est le schma lectrique quivalent la photodiode lorsquelle est polarise en A ? en B? 2. Quelle est lutilisation de la diode en A ? en B ?

exercice 8.3 Le dispositif suivant sert mesurer la sensibilit dune photodiode. La sensibilit S est le rapport entre le courant traversant la photodiode claire et la puissance lumineuse reue par
V la photodiode. On rappelle qu 300 K, I = I s eVT 1 P. e et VT = 0,025 V.

LED E0

P0 Fibre optique

Pin

Photodiode

E1

1. Sur la figure prcdente, dessiner le branchement correct des gnrateurs E0 et E1 (E0 et E1 sont positif). 2. Prciser le sens des courants rels dans les deux diodes. 3. On a relev exprimentalement les courbes du courant I traversant la photodiode en fonction de E1 pour diffrentes puissances lumineuses Pin.

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La relation I = f(Pin) est-elle linaire ? En dduire la sensibilit que lon exprimera en mA / mW. 4. La photodiode prsente un courant dobscurit de 5 nA. Dterminer le courant de courtcircuit et le potentiel photovoltaque de cette diode lorsque la puissance lumineuse reue est de 1 mW.

***exercice 8.4 On se propose dtudier le systme donn par le schma avec les lments suivants : R1 = 10 k, R2 = 140 k, E = 15 V. E

R2

R1

EC

Photodiode D1

1. Rappeler la dfinition du seuil de photoconductivit dune photodiode. 2. On considre diffrents semi-conducteurs dont on rappelle les hauteurs de bandes interdites exprimes en e.V :

Ge 0,67

GaInAs 0,75

Si 1,11

AsGa 1,4

GaP 2,26

Quel(s) seraient les matriaux appropris pour raliser une photodiode devant dtecter une radiation lumineuse de longueur donde gale 1,55 m (h = 6,63.10-34 J.s) ? 3. Le constructeur donne les caractristiques suivantes pour la diode NDL5407P : courant dobscurit = (typique 0,1 nA, maximum 5 nA), rendement quantique = (typique 80 %, minimum 65 %) et sensibilit S minimum mesure pour une longueur donde de 1,55 m = Conservatoire National des Arts et Metiers

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0,68 A/W (S typique = 0,94 A / W). Quelles seraient, avec une puissance reue de 20 W, les valeurs du potentiel photovoltaque typique et minimal 300 K (on rappelle que
V V I = I s e T 1 P. e ) ?

4. Quel doit tre le branchement de la photodiode afin que celle-ci soit utilise en capteur de lumire ? Dessiner le schma symbolique de la diode sur le schma du montage. 5. La diode tant ainsi polarise, quelle serait la puissance lumineuse minimale dtecter si lon se fixe un rapport minimal de 10 entre le courant dclairement et le courant dobscurit ? 6. Quel est le schma quivalent de cette photodiode claire ? Donner la valeur de cet lment si la puissance reue est de 20 W.

exercice 8.5 On sintresse au premier tage dun amplificateur photodiode dont le schma est le suivant :

E = 15 V R2 = 140 k

C1 I EC

R1 = 10 k C2 U Vsortie

Photodiode

1. Dessiner le schma incluant la photodiode. 2. Redessiner le schma utile pour la polarisation. Dterminer lexpression de la droite de charge et la tracer sur le rseau de caractristiques suivant. Prciser les coordonnes du point de repos pour un clairement Ec gal 400 lux.

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3. Un dispositif extrieur permet de faire varier sinusodalement lclairement reu par la photodiode autour du point de repos dfini prcdemment Ec(t) = Ec + ec(t). Lamplitude des variations sera suffisamment faible pour que le fonctionnement reste dans la partie linaire des caractristiques. Pour ce rgime de fonctionnement et compte tenu des orientations choisies, la photodiode peut tre dcrite par la relation : i = b.ec + g.u avec b = 0,15 A / lux et g = 0,33 A / V. Justifier, laide de la caractristique, ces deux valeurs. 4. Donner le modle quivalent en petits signaux de la photodiode et comparer ce modle au modle thorique. 5. Dessiner le schma quivalent du montage en petits signaux, les condensateurs prsentant une impdance trs faible devant les autres lments du montage. Donner le schma quivalent de Thvenin en sortie. En dduire la tension de sortie si Ec = 400 + 20.sin(.t).

exercice 8.6 On se propose de raliser un photocoupleur infra rouge utilisant lmission une diode LED AsGa, la rception une photodiode AsGa ainsi quun transistor au silicium. La transmission de linformation lumineuse est effectue au moyen dune fibre optique et de deux systmes de focalisation. Le relais est assimilable une rsistance de 2 k, son courant minimal de fermeture est de 2,5 mA. Ce courant de fermeture est obtenu lorsque le courant IB atteint la valeur de 25 A. Dans ces conditions, le potentiel aux bornes de R est de 5,7 V.

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ELE004 Emetteur +3V Diode LED lentille R1 R = 86 k lentille IB Angle solide d Rcepteur

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Surface dS

+ 12 V Photodiode IC

relais

Etude du rcepteur 1. Quel est le sens de branchement de la diode de rception ? 2. Que se passe-t-il en labsence dclairement ? 3. Dcrire lvolution du circuit lorsque lclairement augmente. 4. Au moyen de la caractristique de la diode BPW 50, calculer lclairement nergtique E0 (exprim en mW / cm2) requis pour la fermeture du relais. 5. Sachant que la lumire reue ( la longueur donde de 930 nm) arrive sur une surface de 25 mm2, en dduire la puissance nergtique ncessaire la fermeture du relais.

Etude de lmetteur 1. Donner le sens de branchement de la diode LED. 2. Sachant que la diode met dans un cne dangle moiti = 10 et que 55 % de la puissance lumineuse est perdue dans le systme optique, dterminer lintensit lumineuse (exprime en mW / stradian) que doit dlivrer la LED pour fermer le relais. On rappelle que langle solide d exprim en stradian (Sr) dun cne de demi-angle au sommet a pour expression : d = 2..(1 - cos()). d 3. En dduire le courant dans la diode LED. 4. En dduire la valeur de R1. 5. Quelle serait, dans ces conditions, la temprature maximale ambiante supporte par la diode LED ?

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exercice 8.7 On considre la relation dmontre dans le cours : I =


e . P avec I = courant dans la h.

photodiode, P = puissance lumineuse reue par la photodiode et = rendement quantique cest--dire = nombre de paires lectrons trous cres / nombre de photons incidents. 1. Calculer lintensit de court-circuit dune photodiode de longueur donde 0,8 m recevant une nergie de 10-5 J.s-1 si = 0,5. 2. On considre maintenant une photodiode avalanche polarise en inverse par une tension V = VB - VB.2,5.10-4. On rappelle que le coefficient de multiplication davalanche

M=

V 1 VB

. Calculer le nouveau courant.

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ELE004 exercice 8.8 1. On donne la caractristique suivante dune photodiode :

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Dterminer lintensit de court-circuit Icc, le potentiel photovoltaque Vp et le courant dobscurit Is. Quelle serait la rsistance R qui, mise en parallle sur cette diode illumine, absorberait le maximum de puissance ? 2. On veut utiliser des diodes solaires au silicium dont les caractristiques seront supposes identiques celles de la question prcdente, pour raliser un panneau solaire capable de fournir une puissance de 10 W sous une d.d.p de 6 V. Calculer le nombre de diodes en srie et en parallle ncessaires. 3. Sachant que la densit de puissance solaire (clairement) est de 135 mW / cm2 et que le volume utile dune cellule solaire est de 16 mm x 12 mm x 22 mm (paisseur x longueur x largeur), en dduire le rendement = (puissance maximum en sortie par cm2 / clairement solaire).

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ELE004 Rponses 8.1

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1,2410 . 6 1. = [m]. Eg[en e.V ]


2. On peut ajuster en jouant sur les proportions des lments. 3. x = 0,137.

Rponses 8.2 1. A : gnrateur de courant, B : gnrateur de tension. 2. A : photodiode, B : cellule photovoltaque.

Rponses 8.3 1. et 2. LED : polarisation directe, photodiode : polarisation inverse. 3. I = f(Pin) est linaire quand Pin nest pas trop leve. S = 0,6 mA / mW. 4. Icc = -0,6 mA, Vph = 0,292 V.

Rponses 8.4 1. Valeur la plus leve de correspondant lnergie dun photon h. qui fait passer un lectron de la bande de valence la bande de conduction. 2. Ge, GaInAs. 3. Vph typique = 0,3 V, Vph min = 0,2 V. 4. photodiode = polarisation en inverse. 5. Pl min = 73,5 nW. 6. Cest un gnrateur de courant avec I typique = 18,8 A.

Rponses 8.5 1. Photodiode monte en inverse. 2. Droite de charge : I = 3. b =

E U . Point de repos : (62 A, 5.6 V). R1 + R2

I 92,5 32,5 I 5 = = = 0,33 A / V. = 0,15 A / lux. g = E c 600 200 U 15 1 . g

4. Schma rel : un gnrateur de courant en parallle avec 5. Eth = b.ec.R1, Rth = R1. vs(t) = -30.10-3.sin(.t).

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ELE004 Rponses 8.6 Rcepteur : 1. Photodiode = polarisation inverse.

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2. Le courant inverse de la diode est gal Is (courant dobscurit qq nA) => IB = 0 => le relais est ouvert. 3. Ec augmente => I inverse augmente jusqu' ce que IB atteigne 25 A. => fermeture du relais. 4. E0 = 2 mW / cm2. 5. Puissance nergtique = 0,5 mW. Emetteur : 1. diode LED = polarisation en directe. 2. Intensit lumineuse = 11,5 mW / sr. 3. I diode = 50 mA. 4. R1 = 34 . 5. Tmax = 75 C.

Rponses 8.7 1. Icc = 3,2 A. 2. Icc = 3,2 mA.

Rponses 8.8 1. Icc = -25 mA, Vph = 0,25 V, Is = 1,13 A. R = rd = 9 . 2. 30 diodes en srie dans 76 branches en parallle. 2280 diodes au total. 3. = 1,2 %.

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