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TRAVAUX PRATIQUES LICENCE PHYTEM EFFET HALL DANS LES SEMICONDUCTEURS E. Deleporte, Y.

Dumeige Ecole Normale Sup erieure de Cachan

22 Novembre 2002

INTRODUCTION La physique des semiconducteurs est ` a lorigine dinventions qui ont un impact consid erable dans de tr` es nombreux domaines tels que linformatique, les t el ecommunications, la m edecine..... Elle a, en particulier, men e ` a la d ecouverte en 1947 dun composant essentiel: le transistor, sur lequel repose le d eveloppement fantastique de lindustrie electronique. Les premiers transistors etaient en Germanium, mais il est vite apparu que leurs performances pouvaient etre fortement am elior ees en utilisant du silicium. Avec ce mat eriau, et en mettant en oeuvre des technologies permettant de r eduire les dimensions des composants individuels, on sait par exemple maintenant fabriquer des circuits int egr es comportant une centaine de millions de transistors sur une surface denviron deux cents mm2 . Tout ce d eveloppement industriel na pu exister que parce que la physique avait permis de comprendre les propri et es sp eciques des semiconducteurs. Les physiciens des semiconducteurs ont b en eci e des progr` es de la chimie des semiconducteurs: les semiconducteurs sont actuellement les solides les plus purs et les mieux contr ol es que lon sache elaborer et cest cette puret e qui permet dobtenir des propri et es reproductibles. La d ecouverte de leet Hall en 1879 marque une date importante dans lhistoire de la physique des semiconducteurs. Quand un champ magn etique est appliqu e` a un conducteur parcouru par un courant perpendiculairement au courant, il appara t une force electromotrice dans une direction perpendiculaire au courant et au champ magn etique. La grandeur de la force electromotrice permet de mesurer le nombre de porteurs de charges mobiles qui transportent le courant electrique. Les mesures eectu ees au d ebut du si` ecle ont montr e lexistence dun nombre petit ou tr` es petit de charges mobiles variant dun echantillon ` a lautre (103 ` a 107 par atome). Le signe de la f.e.m. de Hall permet dautre part de d eterminer le signe de la charge transport ee par les porteurs. Or pour certains cristaux, on observe un signe positif pour la charge. Ceci conduisait ` a lid ee que ces charges etaient des cations. Cependant les mobilit es observ ees etaient tr` es grandes, bien sup erieures aux mobilit es des ions dans les electrolytes liquides. Elles correspondaient ` a celles que lon observait dans des cristaux apparemment identiques mais o` u le signe n egatif des charges mobiles indiquait la nature electronique des porteurs. Il y avait donc un paradoxe ` a expliquer. En 1926, la d ecouverte du th eor` eme de Bloch permet de pr eciser la structure electronique des semiconducteurs (structure de bandes) et de compren1

dre les grandes mobilit es observ ees pour les electrons dans un cristal. Et en 1931, Wilson jette les bases de la th erie moderne des semiconducteurs comme isolants ` a faible bande interdite et introduit la notion de trous. Signalons une date importante dans lhistoire r ecente de la physique fondamentale concernant leet Hall: la d ecouverte de leet Hall quantique en 1982 (par le Prix Nobel Von Klitzing dans des echantillons ` a tr` es grande 6 2 mobilit e: 10 cm /V.s, suivie un an plus tard par la d ecouverte de leet Hall quantique fractionnaire. I) SEMICONDUCTEUR INTRINSEQUE ET SEMICONDUCTEUR EXTRINSEQUE. 1) Structure de bandes Un solide cristallin est constitu e par la r ep etition p eriodique dun motif el ementaire, les atomes sont ainsi situ es aux noeuds dun r eseau r egulier p eriodique. Les noyaux et les electrons sont en interaction coulombienne. Dans une description des propri et es electroniques dun solide cristallin, on prend en compte linteraction de chaque electron avec le potentiel spatialement p eriodique cr e e par le r eseau dions, en n egligeant les interactions des electrons entre eux. Dans ce mod` ele, les etats accessibles ` a chaque electron ont des energies E qui se regroupent en bandes. Les intervalles d energies sur lesquels nexiste aucune energie electronique sont appel es bandes interdites (voir gure 1).

Figure 1 : Densit e des etats electroniques accessibles ` a chaque electron.

Dans un semiconducteur ` a temp erature nulle, toutes les liaisons covalentes du cristal sont satisfaites : les electrons remplissent enti` erement les bandes d energies accessibles les plus basses. La bande d energie remplie la plus elev ee est nomm ee bande de valence, l energie du haut de la bande de valence sera not ee Ev . La bande vide la plus basse est la bande de conduction, l energie du bas de la bande de conduction sera not ee Ec . La bande interdite qui s epare ces deux bandes est appel ee gap, l energie du gap est Eg = Ec Ev . Exemples : Le gap Eg des semiconducteurs s etend de 0 ` a quelques eV (< 5eV ) selon les mat eriaux. Si : 1.12 eV Ge : 0.67 eV GaAs : 1.43 eV (ces valeurs de l energie du gap sont donn ees ` a 300K). 2) Semiconducteur intrins` eque Un semiconducteur intrins` eque est un semiconducteur pur, cest-` a-dire 10 dans lequel il y a tr` es peu dimpuret es , typiquement moins de 10 cm3 alors que la concentration datomes dans un cristal de Si par exemple est de lordre de 1022 cm3 (noter que le germanium est le plus pur des mat eriaux que lon sache fabriquer ` a lheure actuelle). A T=0K, toutes les liaisons covalentes dun cristal de Si par exemple sont satisfaites. Quand on augmente la temp erature, des electrons sont d etach es de certaines liaisons et peuvent se d eplacer dans le cristal (en particulier sous leet dun champ electrique, ce qui cr ee un courant). Donc quand la temp erature cro t, des electrons du haut de la bande de valence peuvent etre excit es thermiquement dans des etats du bas de la bande de conduction (ionisation intrins` eque): des etats de la bande de conduction sont alors peupl es par des electrons. Les etats de la bande de valence laiss es vacants sont appel es trous. Dune mani` ere plus pr` ecise, le trou est d eni comme lensemble des electrons dune bande pleine moins un electron. Sous laction de champs electriques ou magn etiques, les trous r eagissent comme des porteurs de charge mobiles poss edant une charge positive +e. Dans un semiconducteur intrins` eque, la contribution des impuret es pr esentes dans le cristal aux propri et es electroniques est n egligeable : les electrons de la bande de conduction proviennent uniquement de la bande de valence et 3

laissent des trous derri` ere eux. Si on appelle n la densit e d electrons et p la densit e de trous, on a dans un semiconducteur intrins` eque n=p. Variation en temp erature de la densit e de porteurs : Eg /2kB T n(T ) = p(T ) = N0 e , o` u N0 est une fonction lentement variable de T puisque N0 est proportionnel ` a T 3/2 . La variation en temp erature de Eg /2kB T n(T) est donc domin e par le facteur exponentiel: n(T ) e . A T = 300 K , on trouve typiquement dans le Silicium une densit e d electrons dans la bande de conduction de lordre de 1010 cm3 , cest petit compar e ` a la densit e d electrons libres dans les m etaux (typiquement 1023 cm3 )! 3) Semiconducteur extrins` eque On vient de voir que lionisation intrins` eque produit seulement de lordre de 1010 cm3 electrons dans la bande de conduction et 1010 cm3 trous dans la bande de valence ` a 300K. Cest donc un processus tr` es inecace qui ne peut mener qu` a des courants electriques ridiculement petits et inutilisables. Par contre, si on introduit volontairement des impuret es capables de fournir des electrons ou des trous suppl ementaires au syst` eme, on pourra augmenter appr eciablement et cont oler les densit es de porteurs capables de transporter un courant electrique dans un semiconducteur donn e. Un semiconducteur dans lequel on a introduit volontairement des inpuret es est appel e semiconducteur extrins` eque ou semiconducteur dop e. Un semiconducteur de type n est un semiconducteur dop e avec des impuret es dites donneuses, en faible concentration par rapport aux autres atomes du cristal: typiquement 1015 ` a 1018 cm3 . Les impuret es donneuses fournissent des electrons suppl ementaires au syst` eme. Ce sont par exemple des atomes de Phosphore (ou Arsenic, ou tout el ement de la colonne V du tableau p eriodique) en substitution al eatoire dans un cristal de Silicium. Le Si a 4 electrons de valence alors que le P en a 5. 4 des electrons du P vont se combiner avec un electron de chacun des 4 atomes de Si voisins pour former quatre liaisons covalentes (voir gure 2). Ces 4 electrons participent ` a la bande de valence ` a la place des 4 electrons de latome de Si qui a et e enlev e. Le cinqui` eme electron du P ne participe pas ` a une liaison covalente et est moins solidement li e. A partir dune certaine temp erature, cet atome sionise et ce cinqui` eme electron peut alors se d eplacer dans le cristal.

Figure 2 : Atome de Phosphore dans un r eseau de Si (chaque point noir repr esente un electron). Revenons au vocabulaire de la structure electronique en bandes, on a vu dans un semiconducteur intrins` eque que ioniser un electron participant ` a une liaison covalente Si-Si consiste ` a le faire passer de la bande de valence dans la bande de conduction. Dans un semiconducteur extrins` eque, ioniser l electron de latome de P, qui ne participe pas ` a une liaison covalente P-Si, est nettement plus facile et l energie n ecessaire pour le d etacher et lamener dans la bande de conduction est inf erieure ` a Eg . On peut par cons equent consid erer qu` a latome P est associ e un niveau d energie ED discret, appel e niveau donneur, situ e dans le gap juste en-dessous de la bande de conduction (voir gure 3). Eg ED est l energie dionisation de latome P, lionisation sera dautant plus facile que ED est proche du bas de la bande de conduction. A basse temp erature, ce niveau est occup e par un electron, mais si on augmente la temp erature, cet electron passe dans la bande de conduction et le niveau est alors vide. Ordres de grandeur de Eg ED pour le Phosphore introduit dans le Ge : 12 meV, introduit dans le Si : 44 meV.

Figure 3 : Densit e des etats electroniques accessibles dans un semiconducteur dop e avec des donneurs (type n) ou des accepteurs (type p). Un semiconducteur de type p est un semiconducteur dop e avec des impuret es dites accepteuses, en faible concentration par rapport aux autres atomes du cristal: typiquement 1015 ` a 1018 cm3 . Les impuret es accepteuses fournissent des trous suppl ementaires au syst` eme. Ce sont par exemple des atomes de Bore (ou Aluminium, ou Gallium, ou tout el ement de la colonne III du tableau p eriodique) en substitution al eatoire dans un cristal de Silicium. Cet atome de B a trois electrons de valence, et pour r ealiser une liaison B-Si, un electron doit etre pris dans une liaison Si-Si voisine: cest pourquoi ces impuret es sont appel` ees des accepteurs. L electron provenant de la liaison Si-Si etait dans la bande de valence o` u il laisse par cons equent un trou. Comme dans le cas des donneurs, On peut par cons equent consid erer qu` a latome B est associ e un niveau d energie EV discret, appel e niveau accepteur, situ e dans le gap juste au-dessus de la bande de valence (voir sch ema). A basse temp erature, ce niveau est occup e par un trou, mais si on augmente la temp erature, ce trou passe dans la bande de valence et le niveau est alors vide. Ordres de grandeur de EV Eg pour le Bore introduit dans le Ge: 10 meV, introduit dans le Si: 46 meV.

Variation en temp erature de la densit e de porteurs

Figure 4: Variation de Log (n) en fonction de 1/T dans un semiconducteur de type n. Pla cons-nous dans le cas dun semiconducteur de type n, dop e avec des donneurs en concentration ND . La gure 4 montre la variation de Log (n), o` u n est la densit e d electrons dans la bande de conduction en fonction de 1/T . A basse temp erature, n est petit. La plupart des donneurs ne sont pas ionis es. Quand la temp erature cro t, les donneurs sionisent: cest le r egime (Ec ED )/2kB T ) dionisation extrins` eque dans lequel n = n0 e , o` u n0 est une fonction lentement variable de T puisque n0 est proportionnel ` a T 3/4 , le facteur exponentiel dominant la varaition en temp erature n e(Ec ED )/2kB T ) . Dans ce r egime, le nombre d electrons provenant de lionisation extrins` eque est bien plus grand que le nombre d electrons ni provenant de lionisation extrins` eque. Pour des temp eratures plus elev ees, mais telles que lionisation intrins` eque reste un processus peu ecace, on aura ionis e tous les donneurs et ni ND , donc n est pratiquement constant: n ND , cest le r egime de saturation extrins` eque. En g en eral, on est dans le r egime de saturation extrins` eque ` a temp erature ambiante. Si on continue ` a augmenter la temp erature, il arrive un moment o` u lionisation intris` eque nest plus n egligeable et il est m eme possible de se trouver ` a tr` es haute temp erature dans la situation n = ni ND . dans ce r egime intrins` eque, on retrouve que n varie comme eEg /2kB T .

II) PROPRIETES DE TRANSPORT 1) Un seul type de porteurs. On se propose d etudier le mouvement de porteurs de charge e ( electrons ou trous) et de masse m, en pr esence dun champ electrique E et magn etique B statiques. On consid erera quil ny a dans le cristal quun seul type de porteurs (cest le cas dans les semiconducteurs extrins` eques), dont la densit e est not ee n . Dans le solide, ces porteurs sont egalement soumis ` a des forces al eatoires dues aux interactions avec diverses imperfections du milieu (vibrations thermiques du r eseau, pr esence dimpuret es,....). On repr esentera simplement leet moyen de ces interactions par une force de frottement de la forme mv o` u v est la vitesse moyenne des porteurs et le temps de collision moyen caract eristique du mat eriau ` a temp erature donn ee. a) En labsence de champ magn etique En r egime stationnaire en labsence de champ magn etique, la relation fondamentale de la dynamique conduit ` a v= q E m (1)

On appelle la mobilit e des porteurs dans le mat eriau telle que |v| = |E| = e >0 m (2)

La densit e de courant est alors j = nq v = 0 E o` u 0 = ne est la conductivit e du mat eriau. On notera quelle est ind ependante du signe de la charge q. La r esistivit e du mat eriau est 0 = 1/0 . - Ordres de grandeurs de la mobilit e` a temp erature ambiante (300K) 2 en cm /V.s. Si : 1350 pour les electrons, 480 pour les trous Ge : 3600 pour les electrons, 1800 pour les trous GaAs : 8000 pour les electrons, 300 pour les trous Remarque : En g en eral, la mobilit e est plus petite pour les trous que pour les electrons, car la masse des trous est sup erieure ` a la masse des electrons. 8

- Ordres de grandeur de la r esistivit e .

Figure 5: R esistivit e ` a temp erature ambiante (300K) en fonction de la concentration en donneurs (pour les semiconducteurs de type n) ou en accepteurs (pour les semiconducteurs de type p). b) En pr esence de champ magn etique: eet Hall et magn etor esistance Le mat eriau est soumis en plus ` a un champ B statique suivant laxe z. En r egime permanent et en supposant que tous les porteurs ont la m eme vitesse, la relation fondamentale de la dynamique s ecrit : q (E + v B) mv =0 (3)

j , on obtient E en fonction de j. En rempla cant v = nq E= mj j 2 nq nq B (4)

Cette equation conduit alors ` a lexpression du tenseur de r esistivit e [] tel que E = []j. 9

[] =

(5)

1 o` u = 0 = est la r esistivit e longitudinale et = 0 q B est e 0 la r esistivit e transverse. On en d eduit alors, en inversant la matrice [] lexpression du tenseur de conductivit e [ ] tel que j = [ ]E.

0 0

[ ] = avec 0 1 + (B )2 q = B e

(6)

(7) (8)

Dans la g eom etrie de Hall (gure 6), on consid` ere un barreau rectangulaire allong e et mince de longueur L et de petite section a, b (dimensions b < a L , voir sch ema), de sorte quon impose ` a la densit e de courant d etre le long de 0x (on impose donc jy = 0 et jz = 0). Une di erence de potentiel U constante est appliqu ee le long du barreau.

Figure 6: Sch ema du barreau rectangulaire de semiconducteur ) R esistivit e longitudinale 1 x = . La r esistivit e longitudiDe l equation E = []j, on tire que E jx 0 nale est ind ependante de B dans ce mod` ele, la conduction nest pas modi ee par la pr esence du champ magn etique pour un seul type de porteurs, 10

dans le mod` ele simple d equation de transport que nous avons pris. Or exp erimentalement, on trouve que la r esistivit e longitudinale augmente avec B: cest la magn etor esistance. Ce mod` ele simple ne permet de lexpliquer, cette carence est due en partie ` a lhypoth` ese que tous les electrons ont le m eme temps de relaxation , ind ependant de la vitesse des electrons. Pour l etude de la magn etor esistance., voir le paragraphe suivant o` u lon consid` ere la pr esence de deux types de porteurs dans le semiconducteur. ) Eet Hall De l equation E = []j et en utilisant le fait que jy = 0, on tire facilement que Ey = jx . On constate donc que, bien que le courant soit purement longitudinal, il appara t un champ electrique transverse Ey appel e champ de Hall. q jx Ey = B. (9) e 0 Appelons I le courant qui traverse le barreau allong e: I = jx .a.b. Donc BI Ey = nqab . On mesurera donc suivant laxe Oy une di erence de potentiel UH = Ey a, dite de Hall IB UH = (10) nqb Remarque : On peut retrouver le r esultat pr ec edent par un raisonnement simple (voir gure 7). Le barreau est parcouru par un courant longitudinal I Ox, donc la vitesse moyenne des porteurs est d enie par I j = ab ex = nq v. Lorsque le barreau est plac e dans un champ magn etique B Oz , chaque porteur est soumis ` a la force de Lorentz F = q v B. Cette force tend ` a d evier les porteurs qui saccumulent sur la face lat erale ( 0y ) du barreau: il se cr ee donc un champ electrique EHall parallle ` a Oy . En r egime permament, les trajectoires des porteurs sont parallles ` a Ox et les forces se compensent exactement : q v B + q EHall = 0. Et on retrouve ainsi lexpression donn ee ci-dessus pour Ey . Le champ electrique Ey qui compense la force de Lorentz est d u aux charges qui se sont accumul ees sur les faces C et D lorsquon a mis le champ magn etique en place.

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Figure 7: Forces qui sexercent sur les porteurs de charge La mesure de UH permet donc de mesurer la densit e n de porteurs et leur signe. On notera que plus la concentration des porteurs est elev ee, plus leet Hall est petit. Leet Hall existe aussi dans les m etaux mais y est dicilement mesurable car n est trop elev ee. Par contre dans les semiconducteurs, o` un est plus faible, UH est facilement mesurable. Leet Hall est la m ethode employ ee par les fabricants pour mesurer la densit e des porteurs dans un semiconducteur extrins` eque. En eet, on rappelle que lexpression simple de UH dans ce paragraphe nest valable que si un seul type de porteurs contribue ` a la conductivit e, or on rencontre ce cas dans les semiconducteurs extrins` eques (voir paragraphe 2) pour deux types de porteurs). Connaissant n, la mesure de 0 = ne permet de d eterminer la mobilit e de ces porteurs. 2) Deux types de porteurs On consid` ere maintenant dans le m eme barreau (m eme g eom etrie que pr ec edemment) deux types de porteurs (1) et (2) de charges, densit es et mobilit es respectives q1 , n1 , 1 et q2 , n2 , 2 (par exemple deux types d electrons ou bien des electrons et des trous). Dans tous les cas |q1 | = |q2 | = e, charge de l electron. Les courants dus aux deux types de porteurs sajoutent : j = j1 + j2 . On en d eduit alors que [ ] = [1 ] + [2 ] (11)

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a) En labsence de champ magn etique. = e(n1 1 + n2 2 ) Dans un semiconducteur intrins` eque, on a deux types de porteurs: des electrons de mobilit e e et des trous de mobilit e t , en nombre egal n1 = n2 = n, donc = en(e + t ). b) En pr esence de champ magn etique: eet Hall et magn etor esistance. Attention, les calculs qui vont suivre ne sont pas diciles mais tr` es lourds. On sappuyera alors sur le fait que en g en eral, 1 B et 2 B sont petits devant 1 et on se contentera de calculs au second ordre en B. On exprimera donc [ ] de fa con ` a faire appara tre 1 B et 2 B (utiliser la formule (6)) :

2 2 01 (1 1 ) + 02 (1 2 )

01 1 + 02 2
2 2 01 (1 1 ) + 02 (1 2 )

0 0 01 + 02

(01 1 + 02 2 ) 0

(12)

o` u 1 = qe1 1 B et 2 = qe2 2 B sont petits devant 1. Pour obtenir le tenseur de r esistivit e [], il sut dinverser le tenseur de conductivit e [ ]. En utilisant le fait que xx = yy et xy = yx , on trouve facilement que xx xx = (13) 2 (xx ) + (xy )2 yx yx = (14) 2 (xx ) + (xy )2 ) R esistance longitudinale : magn etor esistance x Comme pr ec edemment, la r esistivit e longitudinale est E = xx . jx D evelopp e au second ordre, cela donne apr` es quelques lignes de calcul : xx = 1 01 02 [1 + (1 2 )2 ] 2 01 + 02 (01 + 02 ) (15)

En explicitant 01 = en1 1 et 02 = en2 2 , on obtient la formule suivante :


xx

n1 1 n2 2 (q1 1 q2 2 )2 B 2 1 [1 + ] e(n1 1 + n2 2 ) e2 (n1 1 + n2 2 )2 13

(16)

Si les porteurs sont de m eme signe (q1 = q2 ) et de m eme mobilit e ( 1 = 2 ), on se retrouve dans le cas du paragraphe pr ec edent o` u on navait consid er e quun seul type de porteurs, et on trouve que la conductivit e longitudinale, et donc la r esistivit e longitudinale, ne d ependent pas du champ magn etique. Dans tous les autres cas, xx d epend de B, cest le ph enom` ene de la magn etor esistance : lexistence dune variation de la r esistance avec le champ magn etique est un r esultat g en eral d` es que lon na pas aaire ` a un seul type de porteurs avec un seul temps de relaxation. Dans le cas dun seul type de porteurs avec une distribution du temps de relaxation, on doit g en eraliser le traitement ci-dessus en utilisant l equation de Boltzmann. Dans le domaine de validit e de la formule (16), on voit que la magn etor esistance est toujours positive (la r esistance cro t avec le champ magn etique). On voit egalement que la magn etor esistance est un tr` es petit eet dans le cadre de nos hypoth` eses. ) Eet Hall De la m eme mani` ere que pr ec edemment, en utilisant la condition jy = 0, il appara t un champ electrique transverse Ey appel e champ de Hall : Ey = yx jx . Au second ordre, on trouve que Ey = 01 1 + 02 2 jx (01 + 02 )2 (17)

En explicitant 01 = en1 1 et 02 = en2 2 et en exprimant le courant qui traverse le barreau I = jx ab, on obtient pour la di erence de potentiel de Hall UH la formule suivante: UH =
2 q 1 n 1 2 1 + q2 n2 2 IB e2 (n1 1 + n2 2 )2 b

(18)

Dans le cas particulier dun semiconducteur intrins` eque, n1 = n2 = n et les electrons et les trous sont de charges oppos ees, les formules (16) et (18) deviennent: xx = en(t + e )(1 t e B 2 ) (19) UH =
2 2 t e IB (t + e )2 neb

(20)

o` u t et e sont les mobilit es respectives des electrons et des trous. On voit que ce sont les porteurs qui ont la plus grande mobilit e (en g en eral, ce sont les 14

electrons) qui lemportent dans leet Hall . Si e = t , leet Hall dispara t (mais la magn etor esistance demeure).

3) Inuence de la temp erature a) R esistivit e longitudinale - Dans un semiconducteur intrins` eque = en(e + t ) en labsence de champ magn etique. Quand la temp erature augmente, la mobilit e des porteurs diminue: la mobilit e est une fonction lentement variable de T, typiquement en 1/T avec = 3/2 lorsque le processus dominant est la diusion des porteurs par les phonons (cest le cas lorsque T 200K , cest-` a-dire aux alentours de la temp erature ambiante). En revanche, le nombre de porteurs varie en Eg /2kB T e . Par cons equent, cest le terme exponentiel qui va piloter la variation en temp erature de la conductivit e. On trouve donc que la r esistivit e va Eg /2kB T ) varier en e dans un semiconducteur intrins` eque : diminue lorsque la temp erature augmente puisque le nombre d electrons dans la bande de conduction et de trous dans la bande de valence augmente. La mesure de fournit donc une m ethode pour d eterminer l energie de gap dun semiconducteur intrins` eque. Notons que la forte variation de en fonction de la temp erature dans un semiconducteur est exploit ee en pratique: les thermistances (constitu ees dun morceau de semiconducteur d energie de gap connue) sont des capteurs qui mesurent la temp erature. - Dans un semiconducteur extrins` eque : Pour des temp eratures correspondant au r egime intrins` eque, on fait le Eg /2kB T m eme raisonnenment que pr ec edemment : varie en e . Pour des temp eratures correspondant au r egime de saturation extrinsque, on a un seul type de porteurs: = 1/ = 1/(ne): n reste constant mais la mobilit e diminue lorsque T augmente, va donc augmenter l eg` erement. Pour des temp eratures correspondant au r egime dionisation extrins` eque, (EC ED )/2kB T on a aussi un seul type de porteurs, = ne avec n variant en e et etant une fonction lentement variable de T. Mais, contrairement au r egime intrins` eque, on ne peut pas d eduire directement l energie dionisation EC ED de la mesure de en fonction de la temp erature. En eet, EC ED

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est petit et on ne peut plus n egliger la variation de la mobilit e des porteurs face ` a lexponentielle. b) Eet Hall - Dans le cas dun semiconducteur intrins` eque : UH =
2 2 t e IB (t + e )2 neb

(21)

o` u n est la densit e d electrons ( egale ` a celle de trous), e (t ) est la mobilit e des electrons (trous). n augmente quand la temp erature augmente, donc UH va diminuer en valeur absolue. Mais pour d eterminer pr ecis ement la variation en temp erature de UH , il faut examiner la variation en temp erature des mobilit es d electrons e et de trous t . - Dans le cas dun semiconducteur extrins` eque de type p : ` a temp erature ambiante, on est en g en eral dans le r egime de saturation extrins` eque et on a un seul type de porteurs: des trous de densit e nt , IB UH = nt qb > 0. Quand la temp erature augmente, on passe peu ` a peu dans le r egime intrins` eque et le nombre d electrons se met ` a augmenter: UH devient UH =
2 n t 2 IB t ne e e(ne e + nt t )2 b

(22)

o` u ne (nt ) est la densit e d electrons (trous), e (t ) est la mobilit e des electrons (trous). Puisque t < e en g en eral, UH va se mettre ` a diminuer. UH restera > 0 tant que les trous sont en concentration plus forte que les electrons. Il existe une temp erature pour laquelle UH sannule et change de signe. En eet ` a tr` es haute temp erature, les concentrations d electrons et de trous sont elev ees et pratiquement egales. Comme les electrons ont une mobilit e plus elev ee que les trous, ce sont eux qui vont dominer les propri et es de transport et UH devient < 0. - Dans le cas dun semiconducteur extrins` eque est de type n : ` a temp erature ambiante, on est en g en eral dans le r egime de saturation extrins` eque et on a un seul type de porteurs: des electrons de densit e ne , IB erature augmente, on passe peu ` a peu dans UH = ne qb < 0. Quand la temp le r egime intrins` eque: le nombre d electrons augmente, le nombre de trous 16

augmente aussi (mais il restera toujours inf erieur au nombre d electrons),on utilise la formule (22). Puisque t < e en g en eral, UH va rester n egatif mais va d ecro tre en valeur absolue.

III) MANIPULATIONS La mesure de la r esistivit e dun barreau de semiconducteur et la mesure de leet Hall associ ees permettent dobtenir la densit e de porteurs et leur mobilit e. 1) Description du dispositif exp erimental On dispose de trois echantillons de Germanium: un non dop e, un dop e n, un dop e p, de dimensions L = 20 mm, a = 10 mm, b = 1 mm.

Figure 8: Sch ema du montage de la plaquette. La gure 8 pr esente un sch ema qui facilite la compr ehension du montage de la plaquette. Pour reconna tre les fonctionnalit es de la plaquette, consulter la notice. L echantillon est aliment e entre A et B, sous une tension de 15V. On fera attention ` a ce que le courant circulant entre A et B ne d epasse pas 50mA. 17

Une r egulation de courant situ ee entre B et B fournit un courant constant I ` a travers l echantillon: 2mA < I < 30mA, attention de ne pas d epasser I = 4 mA avec la plaquette non dop ee. La borne B permet de mesurer la di erence de potentiel longitudinale U aux bornes de l echantillon. On mesure la tension de Hall UH entre C et D. Comme il est dicile de placer les deux contacts C et D exactement lun en face de lautre, la di erence de potentiel VC VD comporte une partie de chute ohmique. On annulera celle-ci au pr ealable en labsence de champ magn etique en agissant sur le potentiom` etre de compensation. On place l echantillon dans lentrefer dun electroaimant qui peut produire un champ magn etique B de plusieurs centaines de mT, avec B perpendiculaire aux grandes faces de l echantillon. Les bobines de l electroaimant sont travers ee par un courant I0 (alimentation des bobines: 5V, 5A). On proc edera ` a la calibration B (I0 ) ` alaide dune sonde ` a eet Hall. Pour les mesures de U et UH en fonction de la temp erature, on aura besoin de chauer l echantillon. Une r esistance chauante est accol ee ` a l echantillon. Elle doit etre aliment ee sous une tension < 15V , ne pas d epasser 3A. La temp erature de l echantillon est donn ee par un thermocouple de type K, dont une soudure est coll ee ` a l echantillon, lautre soudure est ` a la temp erature ambiante. Sa sensibilt e est de 10mV /K . La temp erature monte de fa con r eguli` ere. En jouant sur la tension dalimentation, cette mont ee peut etre rendue plus ou moins rapide :donc on utilisera une alimentation variable de fa con ` a pouvoir moduler la vitesse de chaue. Les mesures de U et UH sont prises au vol ` a la mont ee en temp erature (on pourrait aussi les prendre apr` es arr et du chauage, lors du refroidissement de l echantillon, mais cest plus dicile). Attention de ne pas d epasser la temp erature de 425K. 2) Etude de la plaquette non dop ee : gap Eg du Germanium. Mesurer la r esistance de l echantillon et en d eduire la r esistivit e du mat eriau ` a la temp erature ambiante. Mesurer la r esistivit e de l echantillon en fonction de la temp erature et en d eduire la valeur de l energie du gap Eg . 3) Propri et es de transport ` a temp erature ambiante des plaquettes dop ees. a) Plaquette dop ee n. 18

Mesurer la r esistivit e de l echantillon de type n. Puis placer cet echantillon dans le champ magn etique et mesurer la tension de Hall (ne pas oublier au pr ealable dannuler VC VD en labsence de champ magn etique en agissant sur le potentiom` etre de compensation). D eduire du signe de la tension de Hall la nature des porteurs libres ainsi que leur concentration. En combinant les mesures deet Hall et de r esistivit e, d eterminer la mobilit e des porteurs. b) Plaquette dop ee p. - V erier que la tension de Hall sinverse lorsquon passe dun echantillon de type n ` a un echantillon de type p. - Pour un champ magn etique donn e, mesurer la tension de Hall UH et la tension longitudinale U en fonction du courant I traversant l echantillon. V erier que lon obtient bien des droites. D eduire de ces mesures la r esistivit e de l echantillon, la concentration des porteurs libres ainsi que leur mobilit e. - Pour un courant I donn e, mesurer la tension longitudinale U et la tension de Hall UH en fonction du champ magn etique B . V erier que UH est bien lin eaire en fonction de B. Montrer le ph enom` ene de magn etor esistance. 4) Inuence de la temp erature. On travaillera ici avec la plaquette dop ee p. - Pour un champ magn etique B donn e et un courant I donn e, mesurer la tension de Hall UH et la tension longitudinale U en fonction de la temp erature. Commenter la courbe (T ) ainsi obtenue. Sur la courbe UH (T ), montrer linversion de signe de la tension de Hall. Expliquer cette inversion de signe. Remarques : - Y a-t-il une inversion de signe de UH pour l echantillon de type n? - Ni avec l echantillon de type p, ni avec celui de type n, on ne se trouve dans la r egion compl` etement intrins` eque pour le domaine de temp erature accessible dans cette exp erience. Il nest donc pas possible de remonter ` a la valeur du gap par ces mesures. - Les points etant pris ` a la vol ee, le potentiom` etre de compensation na pas pu etre r egl e pour chaque temp erature. Quelles cons equences cela peut-il avoir sur les r esultats? 19

BIBLIOGRAPHIE : - Physique de Semiconducteurs, Bernard Sapoval et Claudine Hermann, collection Ellipses (Ecole Polytechnique). - Introduction ` a la physique des solides, Emanuel Mooser, Presses polytechniques et universitaires romandes. - Physique de l etat solide (second cycle, ecoles ding enieurs), Charles Kittel, Dunod

LISTE DE MATERIEL - Sonde ` a eet Hall (ENSC 504) - Alimentation de courant pour la r esistance chauante, 3A max (ENSC 206) - Alimentation de courant pour les bobines, 5A max (ENSC 205.1) - 4 multimetres - Un tranformateur avec des bobines ` a 250 spires (Leybold 562-13) + 2 pi` eces polaires. - Alimentation de courant ITT AX 321 (ENSC 198.1)

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