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13 - PROPRIETES ELECTRI QUES D'UN SEMICONDUCTEUR


PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN
SEMICONDUCTEUR
I BUT
Les semiconducteurs sont des matriaux dont la conductivit, intermdiaire entre celles des
isolants et celles des conducteurs, varie de plusieurs ordres de grandeurs sous l'effet de la temprature,
de l'clairement, de dopage. Lobjet de cette tude est de caractriser les proprits lectriques dun
matriau semiconducteur et leur variation haute temprature. Cette tude passe donc par une
caractrisation lectrique classique : la conductivit et leffet Hall. Il sera alors possible de dterminer
quelques paramtres cls des chantillons tels que la mobilit et la concentration de porteurs. Il sera
ensuite possible de dterminer le coefficient K
H
, paramtres essentiels pour une application capteurs
magntiques bas sur leffet Hall.
II RAPPEL THEORIQUE
II.1 STRUCTURE DE BANDES
Un solide cristallin est constitu par la rptition priodique dun motif lmentaire, les atomes sont
ainsi situs aux nuds dun rseau rgulier priodique. Les noyaux et les lectrons sont en interaction
coulombienne. Dans une description des proprits lectroniques dun solide cristallin, on prend en
compte linteraction de chaque lectron avec le potentiel spatialement priodique cr par le rseau
dions, en ngligeant les interactions des lectrons entre eux. Dans ce modle, les tats i accessibles
chaque lectron ont des nergies E
i
qui se regroupent en bandes. Les intervalles dnergies sur lesquels
nexiste aucune nergie lectronique sont appels bandes
interdites (voir figure ci-dessous). Dans un semiconducteur
temprature nulle, toutes les liaisons covalentes du cristal sont
satisfaites : les lectrons remplissent entirement les bandes
dnergies accessibles les plus basses. La bande dnergie
remplie la plus leve est nomme bande de valence, lnergie
du haut de la bande de valence sera note E
v
. La bande vide la
plus basse est la bande de conduction, lnergie du bas de la
bande de conduction sera note E
c
. La bande interdite qui spare ces deux bandes est appele "gap",
lnergie du gap est E
g
=E
c
-E
v
. Le gap Eg des semiconducteurs stend de 0 quelques eV selon les
matriaux. Par exemple : germanium Ge : E
g
( 300K)= 0.67 eV ;
silicum Si : E
g
( 300K)= 1.12 eV
II.2 SEMICONDUCTEUR INTRINSEQUE
Un semiconducteur intrinsqueest un semiconducteur pur, cest--dire dans lequel il y a trs
peu dimpurets, typiquement moins de 10
10
cm
-3
(la concentration datomes dans un cristal est de
lordre de 10
22
cm
-3
) et par consquent les lectrons de la bande de conduction proviennent uniquement
de la bande de valence. A T=0K, toutes les liaisons covalentes dun cristal de Si par exemple sont
satisfaites. Quand on augmente la temprature, des lectrons sont dtachs de certaines liaisons et
peuvent se dplacer dans le cristal (en particulier sous leffet dun champ lectrique, ce qui cre un
courant). Donc quand la temprature crot, des lectrons du haut de la bande de valence peuvent tre
excits thermiquement dans des tats du bas de la bande de conduction (ionisation intrinsque): des
tats de la bande de conduction sont alors peupls par des lectrons. Les tats de la bande de valence
laisss vacants sont appel des trous (un trou est dfini comme lensemble des lectrons dune bande
pleine moins un lectron, par consquent sous laction de champs lectriques ou magntiques, les trous
ragissent comme des porteurs de charge mobiles possdant une charge positive +e). Si on appelle n la
densit dlectrons et p la densit de trous, on a dans un semiconducteur intrinsque n=p.
Variation en temprature de la densit de porteurs:
n(T) = p(T) = N
0
exp(-Eg/2k
B
T) , o N
0
est une fonction lentement variable de T puisque N
0
est
proportionnel T
3/2
. La variation en temprature de n(T) est donc domin par le facteur exponentiel:
n(T) ~ exp(-Eg/2k
B
T). A T = 300 K, on trouve typiquement dans le Silicium une densit dlectrons
dans la bande de conduction de lordre de 10
10
cm
-3

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13 - PROPRIETES ELECTRI QUES D'UN SEMICONDUCTEUR
Densit des tats lectroniques
accessibles dans un semiconducteur
II.3 SEMICONDUCTEUR EXTRINSEQUE
On rend le semiconducteur plus conducteur en lui incorporent une trs petite proportion des
lments trangers - un semiconducteur dans lequel on a introduit volontairement des impurets (avec
une concentration d'atomes typiquement de 10
15
10
18
cm
-3
)

est appel semiconducteur extrinsque
ou semiconducteur dop.
Selon la valence des lments trangers ajouts on peut obtenir un matriau avec l'excs
d'lectrons, il est dit "semiconducteur de type n" ou un matriau avec le dfaut d'lectrons (l'excs de
trous), il est dit "semiconducteur de type p".
Par exemple on obtient du Silicium de type n en ajoutant des lments pentavalents (P, As,
Sb ou tout lment de la colonne V du tableau priodique). Les atomes pentavalents qui se
substituent aux atomes ttravalents de silicium dans le rseau cristallin possdent un lectron en
surnombre par rapport aux liaisons covalentes; cet lectron supplmentaire peut tre facilement libr
(par l'agitation thermique par exemple) de l'atome pentavalent qui est appel atome donneur
(d'lectron): il devient un porteur libre ngatif et la conductivit correspondante est dite "par excs
d'lectrons" ou la conductivit de "type n".
On obtient du Silicium de type p en remplaant une
certaine proportion d'atomes de silicium par des atomes
trivalents (B, Al, Ga, In ou tout lment de la colonne III du
tableau priodique), auxquels il manque un lectron par rapport
a la structure ttravalente du silicium. Ces atomes, dits
accepteurs, captent facilement un lectron du rseau. L'lectron
capt laisse subsister un "trou positif " dans le rseau, trou qui
se trouvera combl, au bout d'un certain temps, par un lectron
du voisinage. Un trou peut donc migrer d'atome en atome dans
le rseau. La conductivit est alors par "dfaut d'lectrons" ou
de "type p".
Dans un semiconducteur intrinsque ioniser un lectron
participant une liaison covalente Si-Si consiste le faire
passer de la bande de valence dans la bande de conduction.
Dans un semiconducteur extrinsque, ioniser llectron de latome de P (donneur), qui ne participe pas
une liaison covalente P-Si, est nettement plus facile et lnergie ncessaire pour le dtacher et
lamener dans la bande de conduction est infrieure Eg. On peut par consquent considrer qu
latome P est associ un niveau dnergie E
D
discret, appel niveau donneur, situ dans le gap juste
en-dessous de la bande de conduction. E
d
=Eg-E
D
est lnergie dionisation de latome P, lionisation
sera dautant plus facile que E
D
est proche du bas de la bande de conduction. A basse temprature, ce
niveau est occup par un lectron, mais si on augmente la temprature, cet lectron passe dans la
bande de conduction et le niveau est alors vide. Idem pour un accepteur.
Par exemple : Phosphore introduit dans Ge : E
d
=12 meV ;
Phosphore introduit dans Si : E
d
=44 meV
Les impurets accepteuses fournissent des trous supplmentaires au systme. Ce sont
par exemple des atomes de Bore en substitution alatoire dans un cristal de Silicium. Cet
atome de B a trois lectrons de valence, et pour raliser une liaison B-Si, un lectron doit tre
pris dans une liaison Si-Si voisine. Llectron provenant de la
liaison Si-Si tait dans la bande de valence o il laisse un trou.
Comme dans le cas des donneurs, on peut par consquent
considrer qu latome B est associ un niveau dnergie E
A

discret, appel niveau accepteur, situ dans le gap juste au-
dessus de la bande de valence. E
a
=Eg-E
A
est lnergie dionisation
de latome B. A basse temprature, ce niveau est occup par un
trou, mais si on augmente la temprature, ce trou passe dans la
bande de valence et le niveau est alors vide.
Par exemple : Bore introduit dans Ge : E
a
=10 meV ;
Bore introduit dans Si : E
a
=46 meV
Atome donneur (Phosphore) et accepteur
(Bore) dans un rseau de Si (chaque point
noir reprsente un lectron)
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II.4 VARIATION EN TEMPERATURE
Soit un semiconducteur de type n, dop avec des donneurs en concentration N
D
. La figure ci-
dessous montre la variation de la densit n dlectrons dans la bande de conduction en fonction de 1/T.
A basse temprature la plupart des donneurs ne sont pas ioniss et la concentration n reste trs faible.
Quand la temprature crot, les donneurs sionisent: cest le rgime dionisation extrinsque dans
lequel n = n
0
exp((E
c
-E
D
)/2k
B
T), o n
0
est une fonction lentement variable de T puisque n
0
est
proportionnel T
3/4
, le facteur exponentiel dominant la variation en temprature n ~ exp((E
c
-
E
D
)/2k
B
T). Dans ce rgime, le nombre dlectrons provenant de lionisation extrinsque est bien plus
grand que le nombre dlectrons n
i
provenant de
lionisation intrinsque. Pour des tempratures plus
leves, mais telles que lionisation intrinsque reste un
processus peu efficace, on aura ionis tous les donneurs et
n
i
<< N
D
, donc n est pratiquement constant: n ~ N
D
, cest
le rgime de saturation extrinsque. En gnral, on est
dans le rgime de saturation extrinsque temprature
ambiante. Si on continue augmenter la temprature, il
arrive un moment o lionisation intrinsque nest plus
ngligeable et il est mme possible de se trouver trs
haute temprature dans la situation n = n
i
>> N
D
. Dans ce rgime intrinsque, on retrouve que n varie
comme exp(-E
g
/2k
B
T) .
II.5 CONDUCTIVITE
UN SEUL TYPE DE PORTEURS
Soit de porteurs de charge q (lectrons ou trous) de masse m, soumis au champ lectrique E.
On considrera quil ny a dans le cristal quun seul type de porteurs (cest le cas dans les
semiconducteurs extrinsques), dont la densit est note n . Dans le solide, ces porteurs sont galement
soumis des forces alatoires dues aux interactions avec diverses imperfections du milieu (vibrations
thermiques du rseau, prsence dimpurets,....). On reprsentera simplement leffet moyen de ces
interactions par une force de frottement de la forme mv/ o v est la vitesse moyenne des porteurs et
le temps de collision moyen caractristique du matriau temprature donne.
En rgime stationnaire la relation fondamentale de la dynamique conduit : E
m
q
v

t
=
On appelle la mobilit des porteurs dans le matriau telle que |v|=|E| d'o :
m
qt
=
(en gnral, la mobilit est plus petite pour les trous que pour les lectrons, car la masse des
trous est suprieure la masse des lectrons)
La densit de courant est alors E v qn j
o

o = = o :
= o qn
o
est la conductivit du matriau.
Attention : On notera quelle est indpendante du signe de la charge q donc les mesures
de conductivit (rsistivit) ne permettent pas de distinguer les conducteurs de
type n de ceux du type p
La rsistivit du matriau est :
o
o
1
o
=
DEUX TYPES DE PORTEURS
On considre maintenant deux types de porteurs (1) et (2) de charges, densits et mobilits
respectives q
1
, n
1
,
1
et q
2
, n
2
,
2
(par exemple deux types dlectrons ou bien des lectrons et des
trous). Dans tous les cas | q
1
|=| q
2
| = e, charge de llectron. Les courants dus aux deux types de
porteurs sajoutent :
j = j
1
+ j
2
On en dduit alors que : ) n n ( e
2 2 1 1
+ = o
Par exemple dans un semiconducteur intrinsque, on a deux types de porteurs: des lectrons
de mobilit
e
et des trous de mobilit
h
, en nombre gal n
1
=n
2
= n, donc : o = en(
e
+
h
).
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13 - PROPRIETES ELECTRI QUES D'UN SEMICONDUCTEUR
II.4 EFFET HALL
UN SEUL TYPE DE PORTEURS
L'effet Hall est un phnomne qui se manifeste dans un
solide (mtal ou semiconducteur) quand il est parcouru par un
courant continu I et soumis un champ magntique
perpendiculaire B. Cet effet est d a la dviation par le champ B,
du flux d'lectrons participant au courant I : c'est la forte
accumulation d'lectrons d'un ct du solide, donc de "trous" sur la face oppose, qui cre la diffrence
de potentiel qu'on appelle "tension de Hall". Cette tension a une valeur stable car la concentration
d'lectrons (et "trous") cre un champ lectrostatique a effet antagoniste de l'action de l'induction
magntique.
Sur un lectron donn en mouvement, l'induction magntique B induit une force :

y x B
B ev B v e F

= . =
Du fait de la concentration en lectrons, on a un champ
lectrostatique E
y
qui va agir sur l'lectron donn selon :

y y E

l
V
e E e F


= =
Lorsque les deux forces s'quilibrent on a une valeur stable
du champ lectrostatique Ey, donc une diffrence de potentiel V constante. On l'appellera V
H
: tension
de Hall.
On crira : B ev
V
e
x
H
= +

do: B v V
x H
=

Soit :
S
I
K j K v
H x H x
= = j
x
c'est densit de courant dans la direction O
x
,
Dfinissant la valeur K
H
qui caractrisera le corps tudi et que l'on appellera sa constante de Hall.
On a alors : B
S
I
K V
H H
= Soit d
IB
V S
IB
V
K
H H
H
= =


La constante de Hall
H
H
H
I
V
B
d
K = est une donne du corps tudi, lie la densit des
porteurs de charge n.
On peut dmontrer que :
ne
r
K
H
= ou le paramtre r dpend de modes de diffusion de
porteurs dans le matriau. Dans un semiconducteur dop (cas du T.P.) on peut l'assimiler r=1.
Les grandeurs V
H
, I, B et d sont assez aisment mesurables. On peut donc dterminer
exprimentalement la constante K
H
et en dduire le nombre de porteurs de charge n par unit de
volume par la relation :
IB
d V
e n
1
K
H
H
=

= (e=1.601x10
-19
C)
Attention : l'effet Hall permet de mesurer la densit des porteurs de charge et, par consquent,
de dterminez le type du semiconducteur. En effet, les mesures d'effet Hall
permettent, grce a la dtermination du sens de la tension de Hall par rapport aux
sens de I et de B de distinguer entre les semiconducteurs du type n et du type p.
DEUX TYPES DE PORTEURS
On considre maintenant deux types de porteurs (1) et (2) de charges, densits et mobilits
respectives q
1
, n
1
,
1
et q
2
, n
2
,
2
(par exemple deux types dlectrons ou bien des lectrons et des
trous). On obtient pour la tension de Hall U
H
la formule suivante:


d
IB
) n n ( e
n q n q
U
2
2 2 1 1
2
2
2 2 2
2
1 1 1
H

+
+
=

et d sont les dimensions
d'une section droite du solide.
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13 - PROPRIETES ELECTRI QUES D'UN SEMICONDUCTEUR
Dans le cas particulier dun semiconducteur intrinsque, n
1
= n
2
= n et les lectrons et les trous sont de
charges opposes, cette formule devient:

ned
IB
) (
U
2
h e
2
e
2
h
H
+

=
o'u
e
et
h
sont les mobilits respectives des lectrons et des trous. On voit que ce sont les porteurs
qui ont la plus grande mobilit (en gnral, ce sont les lectrons) qui lemportent dans leffet Hall. Si

e
=
h
, leffet Hall disparat !
III DISPOSITIF EXPERIMENTAL
III.1 MATRIEL UTILISE
Un chantillon monocristallin de germanium de type n, de longueur = 0,0200 0,0005 m et de
section S=10
-5
m
2
( d=10
-3
10
-5
m) monts sur les carte imprimes.
Un lectro-aimant constitu de 2 bobines et de 2 pices mobiles qui constituent l'entrefer. La
largeur de l'entrefer est fixe 1 cm.
Une alimentation en continue pour l'alimenter de l'lectro-aimant et un alimentation 12V en
alternative pour l'appareil "effet Hall"
Un commutateur en croix pour inverser la polarit aux bornes de l'lectroaimant
Un Appareil de base pour ltude de leffet Hall
Un voltmtre numrique pour mesurer la tension.
Une sonde de Hall et un tesla mtre pour l'talonnage du de l'lectroaimant.
III.2 APPAREIL DE BASE POUR LETUDE DE LEFFET HALL
FACE AVANT :
1- potentiomtre de rglage du courant I
H

2- afficheur : courant I
H
/temprature
3- filetage pour le support
4- indicateurs LED de mode de travail
5- douille de sortie V
H

6- place pour la sonde de Hall
7- slecteur d'affichage I
H
/Temprature
8- potentiomtre de la compensation de V
H

9- prise pour les platines amovibles avec Ge
10- douille de sortie V
cond

FACE ARRIERE :
11 douille d'entre 12V d'alimentation
12 interrupteur de chauffage
13 interfaces RS 232
Gomtrie de contacts sur la platine d'chantillon (voir ci-contre).

Reprer sur la sur l'appareil les contacts de courant A et B en configuration
d'effet Hall et les deux contacts servant mesurer la tension de Hall C et D.
Attention : dans la configuration de la plaquette la tension de conductivit
(V
AB
) sera mesure avec la rsistance de contacts.

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13 - PROPRIETES ELECTRI QUES D'UN SEMICONDUCTEUR
IV MANIPULATIONS
IV.1 ETALONNAGE DE L'ELECTROAIMANT
Afin de connatre le champ magntique B en fonction du courant I
B
qui circule dans les
bobines, on se propose de faire l'talonnage de l'lectroaimant avec la sonde de Hall disponible.
Connecter l'alimentation de l'lectroaimant par l'intermdiaire d'un commutateur en croix. Les
bobines sont branches en parallles.
On utilise pour la mesure de l'induction magntique B, un Teslamtre, appareil qui est bas sur
la mesure de la tension de Hall donne par une sonde talonne. Cet appareil donne
directement sur sa face avant, la valeur de l'induction B en milliTesla qui existe au voisinage
de la sonde. Placer la sonde de hall perpendiculaire au champ dans l'entrefer.
Attention : Avant une mesure utiliser le rglage ZERO pour la mise zro du Teslamtre,
en l'absence de champ magntique agissant sur la sonde.
Pour diffrentes valeurs du courant dalimentation I
B
des bobines (on prendra par exemple une
valeur de I
B
tous les 0,5 A jusqu' I
B
=2.5A) mesurer l'induction magntique B au centre de
l'lectroaimant.
Tracer la courbe d'talonnage de l'lectroaimant : B(I
B
)
IV.2 ETUDE DE Ge TYPE n
IV.2.1 DETERMINANTION DE LA RESISTIVITE
Cette mesure est ralise en l'absence de champ magntique
Placer l'chantillon de type n dans l'appareil "effet Hall"
Raliser les branchements ncessaires au niveau de l'appareil "effet Hall" :
- brancher le voltmtre
- brancher l'alimentation 12 V :
montage en srie avec un rhostat R voir la figure ci-contre
- faire vrifier le montage.
Faire passer un courant I
H
, de quelques milliampres. Mesurer la tension V
AB
. Faire plusieurs
mesures pour diffrentes valeurs de I
H
( ; 10 mA ; 15 mA, ) de faon prciser les
mesures. Ne jamais dpasser I
H
30 mA.
Dterminer la rsistivit de matriau tudi.
IV.2.2 DETERMINANTION DE LA CONSTANTE DE HALL
La tension ohmique mesurer en l'absence de champ magntique est lie la forte rsistivit de
l'chantillon. Dans le cas d'une asymtrie de contacts C et D elle produit V
H
(B=0) 0, dite une tension
rsiduelle V
r
. Cette tension s'ajoute a la tension de Hall V
H
pour former la tension mesure V
m
= V
r
+
V
H
.

- Raliser les branchements ncessaires pour alimenter
l'lectroaimant voir la figure ci-contre,
- faire le vrifier

a) TENSION RESIDUELLE COMPENSEE
On suppose la tension V
r
indpendante de B (pas d'effet de la magntorsistance).
Placer l'chantillon dans l'entrefer de l'lectroaimant
Basculer le commutateur en croix en position "B+"
Pour un I
H
donn et en l'absence de champ magntique, compenser la tension rsiduelle V
r
en
agissant sur le potentiomtre de compensation "U
H
Comp"
Mesurer V
H
en fonction de B jusqu'a B
max

Tracer la courbe V
H
=f(B). Est-elle conforme la thorie ?
En dduire K
H



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b) TENSION RESIDUELLE QUELCONQUE
Basculer le commutateur en croix en position "B+"
Travailler un B
o
fixe que l'on connat grce a la courbe d'talonnage obtenue prcdemment
pour une mme largueur d'entrefer.
Pour un I
H
donn mesurer la tension V
m
(la position quelconque du potentiomtre "UH
Comp"). Attention au signe de V
m
!
Arrter l'alimentation de l'lectroaimant (I
B
=0) et basculer le commutateur en position "B-"
Etablir le champ B
o
et mesurer la tension V
m
.
Calculer la tension de Hall : V
m
(B+) = V
r
+ V
H
et V
m
(B-) = V
r
- V
H
do :
V
H
= [V
m
(B+)- V
m
(B-)]/2
En dduire K
H

IV.2.3 INFLUENCE DE LA TEMPERATURE
Enclencher le chauffage, attendre jusqu' la stabilisation de la temprature T
max
(environ
160C si ncessaire, ajuster la valeur de courant en agissant sur la rsistance R).
Dterminer la rsistivit de matriau tudi (voir la manipulation IV.2.1)
Refaire la manipulation IV.2.2.b
IV.3 CALCUL DU NOMBRE DE PORTEURS ET DE LA MOBILITE
A partir des rsultats prcdents, calculer le nombre de porteurs et la mobilit et tracer les
courbes n
H
(T) , K
H
(T) et (T)



PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN
SEMICONDUCTEUR
- PROJET-

Depuis plusieurs annes, le Laboratoire L2C a particip au dveloppement dun capteur
magntique effet Hall, base de semiconducteurs III-V qui est utilis comme capteur de puissance
dans le compteur lectrique Centron fabriqu par la socit ITRON. A ce titre le L2C present cette
activit au Salon International des Energies Renouvelables Energaa ( voir : http://www.energaia-
expo.com). Votre mission, si vous lacceptez, consiste proposer une maquette permetant de presenter
de faon simple et educatif leffet Hall, lapplication capteurs magntiques bas sur leffet Hall et,
comme une des application pratiques, le capteur de puissance dans le compteur lectrique.
Vous raliserez ce travail dans le but de developper une maquette definitive pour une
prsentation publique. Donnez preuve de votre imagination ! Dans cette partie vous tes autonomes
mais nhesitez pas a venir voir votre enseignant. Il vous conseillera et vous orientera il sera vivement
interesse par vos propositions !