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POLARIZAO DE UM TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR OU TJBS

Lucas Dorneles, Lucas Cancio, Micael Marcio, Paulo Beltran. E-mail: lucas.dornelesantunes@gmail.com, micaeltdb13@gmail.com, pdbeltran@gmail.com, Lucas_cancio2@hotmail.com Universidade Federal do Pampa - UNIPAMPA CEP 97546-550, Av. Tiaraj 810, Cidade de Alegrete Brasil

Resumo Este artigo tem o objetivo de projetar o circuito proposto em aula com um transistor. O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais, formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n". Palavras-Chave: Transistor , bipolar, material; Abstract - This paper aims to design the proposed class in a transistor circuit. The bipolar junction transistor is a three terminal semiconductor device formed by three layers consisting of: two layers of material such as "n" type and a "p" of two or material type "p" type and a "n ". Key words: Transistor, Bipolar, material.. I. INTRODUO O Transstor Bipolar de Juno, TJB (BJT), um dispositivo Semicondutor, composto por trs Regies de Semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas Junes p-n. A Juno p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tenso de Barreira (V0) de 0,6 V, que um parmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transstor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a Corrente produzida apenas por um nico tipo de Portador de Cargas (Electres ou Lacunas), no TJB (BJT) a Corrente produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas (Electres e Lacunas), da a origem do nome Bipolar.

Regio p. O Tipo pnp consiste em duas Regies p separadas por uma Regio n. As Figuras 2 e 3 representam os seus respectivos smbolos esquemticos. A explicao seguinte refere-se ao TJB (BJT) npn, que utilizado nesta Demonstrao.

Figura 2 - Smbolo esquemtico de um TJB, npn

Figura 3 - Smbolo esquemtico de um TJB, pnp O transstor consiste em duas junes pn, a juno emissor-base (JEB) e a juno coletor-base (JCB,

Figura 1 - Transstor de Juno Bipolar


Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regies n separadas por uma

habitualmente designadas simplesmente juno de emissor e juno de coletor. Dependendo da condio de polarizao (direta ou inversa) de cada uma das junes, obtm-se

diferentens modos de funcionamento do transstor (SEDRA, 2007), como se mostra na Tabela 1. Tabela 1 Modos de funcionamento dependendo da condio de polarizao Modo de Polarizao JEB Polarizao JCB funcionamento Corte Ativo Saturao Inversa Direta Direta Inversa Inversa Direta

* seta marca o terminal do emissor marca sentido da corrente * indica sentido da juno pn entre base e emissor*indica sentido da juno pn entre base e emissor.

O modo ativo aquele em que o transstor usado para funcionar como amplificador. Em aplicaes de comutao utilizam-se os modos de corte e de saturao. A figura 4 ilustra esses trs modos de funcionamento.

* constitudos por 3 regies de material semicondutor - dispostas em camadas - base tem espessura reduzida - colector e emissor so diferentes - dimenses e constituio so diferentes * funcionamento do TJB mais complexo do que considerar apenas 2 junes (como se fossem apenas 2 dodos isolados) porque a base muito estreita * 2 junes interagem ente si no so independentes Figura 4 - Curvas Caractersticas IC-VCE de um TJB npn.

POLARIZAO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE

II. . FUNDAMENTAO TERICA

Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado quando deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois pontos bem definidos: corte e saturao. Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares, pois muito instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de . Para este tipo de polarizao: IC=

I B VCE=

Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente:

0,5VCC.

Smbolo

A reta de carga uma linha que corta as curvas caractersticas do coletor e mostra cada um dos possveis pontos de operao de um transistor. A figura 4 ilustra o ponto quiescente (Q-point), localizado na reta que liga e Vcc.

TABELA I Valores parmetros referentes ao circuito. Parmetros Valores Vcc 25 V Vbe 0,6398 V Vceq 9,194 V Ibq 52,53 A Icq 10,8 mA Ie 10,69 mA Sendo utilizado o transistor TBJ PN2222A.

III. MATERIAIS UTILIZADOS Fonte de tenso fixa em 25 V. Protoboard. Resistores: e Transistor: TJB PN2222A. Multmetro. Cabos e ponteiras. Para comear o experimento, arrumamos os materiais a que foram utilizados e montamos o circuito abaixo, pedido no roteiro: A) Circuito com polarizao fixa utilizando o TJB PN2222A.

TABELA II Valores medidos referentes ao circuito. Parmetros Valores Vcc 24,5 V Icq 11,4 mA Vbe 0,63 V Vceq 7,2V 224,2 (calc.) Ibq 52,54 A Rb 461 k Rc 1,43 K

V. CONCLUSO Os transistores bipolar de juno so de grande importncia para vrios tipos de circuitos, na pratica existe varias formas de utilizar esses transistores, quando um transistor estiver polarizarizado corretamente sabemos que haver um fluxo de corrente, formados pelos cristais p ou n que iram difundir-se atravs das junes. Os valores obtidos na simulao foram prximos dos medidos em laboratrio, fazendo com que o experimento fosse coerente. A diferena entre os valores prticos e tericos deve-se impreciso dos instrumentos e erro humano de medio. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS [1] - R.L. Boylestad, L. Nashelsky, Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos, 8 Ed., Prentice Hall, 2004. [2] - A.M.V. Cipelli, O. Markus, W. Sandrini, Teoria e desenvolvimento de projetos de circuitos eletrnicos, So Paulo: Editora rica, 2001. [3]- Sedra smith, Microeletrnica, 5 ed. So Paulo Pearson Prentice Hall, 2007. [4]- Curso Eletrnica Bsica - Roteiro para aulas praticas/Plataforma moodle.