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Les diodes à

jonction PN

V
Electronique

Les diodes à jonction pn.


pn.

I. Les semi-conducteurs.

1. Les semi-conducteurs intrinsèques.


Les semi-conducteurs sont des matériaux dont la conductivité est intermédiaire entre
celle des conducteurs et celle des isolants. Cette conductivité des semi-conducteurs, à la
différence de celle des conducteurs et des isolants, dépend fortement de leur pureté, des
irrégularités de leur structure, de la température et d'autres quantités physiques et chimi-
que. Cette propriété représente leur avantage principal puisqu'elle permet la construction
de la plupart des composants électroniques ayant des caractéristiques très diversifiées.

7 Matériaux conducteurs Conductivité: 102 à 106 S/cm


7 Matériaux semi-conducteurs Conductivité: 10-6 à 102 S/cm
7 Matériaux isolants Conductivité: 10-16 à 10-8 S/cm

Beaucoup de semi-conducteurs, comme le germanium (Ge), le silicium (Si), l'arsé-


niure de gallium (GaAs) sont utilisés en électronique, mais le rôle du silicium est de loin
prédominant. Le silicium pur (intrinsèque) est un élément chimique de quatrième valence
(quatre électrons périphériques - groupe IV) qui a une structure cristalline.

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Electronique

CLASSIFICATION PERIODIQUE DES ELEMENTS


I A IIA IIIA IVA VA VI A VIIA VIII I B IIB IIIB IVB VB VI B VII B O

A la température de 0 K (-273°C) chaque atome de la grille cristalline est attaché à


quatre atomes voisins par la mise en commun de leurs électrons périphériques ( liaisons
covalentes), assurant la cohésion du cristal. Les électrons qui participent à ces liaisons
sont fortement liés aux atomes de silicium, aucune charge mobile susceptible d'assurer la
circulation d'un courant électrique n'existe. La conductivité du silicium est alors très
faible.
Cependant l'élévation de la température permet la libération dans la structure, de cer-
tains électrons périphériques, par apport d'énergie. De plus, la libération d'un électron pro-
voque l'apparition d'un trou dans la structure cristalline, soit la création d'une paire
électron-trou. Par exemple, à la température de 300 K (27°C), il y a 1,45 1010 paires élec-
tron-trou dans un centimètre cube de silicium. Ce phénomène est a l'origine de l'augmen-
tation de la conductivité du semi-conducteur.

Si Si
Electrons de valence Trou
Liaison de valence
Si Si Si Si Si Si

Noyaux Electron libre


Si Si

Liaisons covalentes dans un cristal de silicium Création d'une paire électron-trou

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Les diodes à jonction PN
2. Les semi-conducteurs extrinsèques.
Pour augmenter la conductivité des semi-conducteurs et les rendre utilisables, un cer-
tain nombre d'impuretés (atomes étrangers) sont introduits dans la structure cristalline. Le
processus d'introduction d'impuretés (par diffusion, épitaxie ou implantation ionique) s'ap-
pelle dopage, et donne naissance aux semi-conducteurs dopés (ou extrinsèques).
L'ordre de grandeur pour le dopage est d'un atome d'impureté pour 106 à 109 atomes
de semi-conducteur, soit une densité d'impureté de l'ordre de 1019 à 1022 m-3.
Ainsi la conductivité du semi-conducteur dopé est déterminée par la nature et la con-
centration en atomes d'impuretés. Ces atomes d'impuretés sont des éléments chimiques de
troisième valence (trois électrons périphériques - groupe III: B, Bore; In, Indium) ou de
cinquième valence (cinq électrons périphériques - groupe V: P, Phosphore; As, Arsenic;
Sb, Antimoine).

7 L'introduction d'un atome de cinquième valence (atome donneur), dans le cristal


du silicium, provoque la libération d'un électron. L'atome de l'impureté, pour sa part, de-
vient un ion positif fixe. Le semi-conducteur ainsi dopé est de type N (à porteurs majori-
taires négatifs).
7 L'introduction d'un atome de troisième valence (atome accepteur), dans le cristal
du silicium, provoque la création d'un trou, puisque sa liaison avec les quatre atomes de
silicium est incomplète. L'atome de l'impureté, pour sa part, devient un ion négatif fixe. Le
semi-conducteur ainsi dopé est de type P (à porteurs majoritaires positifs).

Si Si Trou

Si P Si Si B Si

Electron libre
Si Si

Structure du silicium dopé par un atome Structure du silicium dopé par un atome
donneur: semi-conducteur de type N. accepteur: semi-conducteur de type P.

II. La jonction PN.

La jonction PN est à la base de la plupart des applications des semi-conducteurs. Elle


est créée par la mise en contact d'un semi-conducteur de type P et d'un semi-conducteur
de type N. Dans la zone de contact, les électrons libres du segment N pénètrent dans le
segment P et se recombinent avec les trous. De même, les trous du segments P pénètrent
dans le segment N et se recombinent avec les électrons. Ce phénomène est appelé
diffusion.

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Les diodes à jonction PN
Il en résulte, au niveau de la transition des segments, l'apparition d'une zone exempte
de charges mobiles, où seuls demeurent les atomes d'impuretés fixes (ions accepteurs dans
le segment P, ions donneurs dans le segment N) et les atomes de semi-conducteur neutres.
Les charges constituées par les ions fixes sont à l'origine d'un champ électrique E dans la
zone de transition, et par la même d'une différence de potentiel Vo (appelée barrière de
potentiel) aux bornes de cette zone. Le champ électrique E tend à maintenir les porteurs
majoritaires dans leurs régions respectives et s'oppose ainsi à la cause qui lui donne nais-
sance, ce qui conduit à un état d'équilibre.

Electron Zone de
Trou Vo
libre transition
Courant de saturation Is
+ + + + + + + dû aux porteurs minoritaires
E
+ + + + + + + Porteur
minoritaire
Courant d'équilibre dû
P + + + + + + N (trou) P N
aux porteurs majoritaires

Ions d'accepteur Ions de donneur Mouvement des porteurs à travers


Coupe transversale d'une jonction PN la jonction PN

Cependant, le champ électrique E n'interdit pas le passage des porteurs minoritaires


présents dans les segments de type P et N (courant de "saturation" Is). Ce mouvement est
toutefois équilibré par les porteurs majoritaires qui possèdent l'énergie Wo = eVo néces-
saire au franchissement de la barrière de potentiel.

Expression et ordre de grandeur de la barrière de potentiel:

Vo = kT ln NAND
q ni²

k (constante de Boltzman) = 1,38 10-23 J/K


q (charge d'un électron) = 1,6 10-19 C
T: température en Kelvin
NA: concentration en atome accepteur
ND: concentration en atome donneur
ni: concentration en paire électron-trou intrinsèque

Exemple: Jonction PN silicium à 300 K (27°C)


ni = 1,45 1010 cm-3
NA = 7 1017 cm-3
ND = 8 1013 cm-3

Vo = kT ln NAND = 0,681 v
q ni²

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Les diodes à jonction PN

ì La valeur de la barrière de potentiel est très dépendante de la température. La


concentration intrinsèque n i augmente très rapidement avec la température (elle double
tous les 7°C pour le silicium et tous les 10°C pour le germanium). C'est cette dépendance
qui prédomine, déterminant un coefficient de température négatif pour Vo, de l'ordre de
-2,2 mV/K.

-
Calculez la valeur de la barrière de potentiel pour une jonction PN
germanium à 300 K.
ni = 2,4 1013 cm-3
NA = 7 1017 cm-3
ND = 8 1013 cm-3

III. La diode à jonction PN, principes généraux.

1. Présentation.
La diode à jonction PN est un composant formé par la succession suivante de maté-
riaux: métal, semi-conducteur de type P, semi-conducteur de type N, métal. L'électrode
métallique en contact avec le semi-conducteur de type P s'appelle anode (A), celle au con-
tact du semi-conducteur de type N, cathode (K).

Symboles normalisés
Couche métallique ID
de contact Vo A K

+ + VD
ID Région Région ID
A K A K
neutre + + neutre

P + + N VD
ID
A K
VD

VD

2. Polarisation de la diode.
Puisque la diode possède deux électrodes, deux possibilités de polarisation existent.

7 Diode polarisée en direct.

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Les diodes à jonction PN
Une diode est polarisée en direct lorsque la tension VD (imposée par un circuit exté-
rieur) appliquée entre l'anode et la cathode est positive (VD=VAK). Cette tension provoque
une diminution de la barrière de potentiel de la jonction PN, favorisant une circulation des
porteurs majoritaires à travers la jonction: un courant ID positif apparaît entre l'anode et la
cathode, dépendant de la valeur de la tension VD. La diode est dite passante.
Par convention, la tension et le courant de diode sont qualifiés de tension et courant
direct (d) ou forward (F).

Polarisation d'une diode en direct Convention d'orientation


R A A
A
Id IF
ID>0

E V D>0 Vd VF

E>0 K K
K
0v

7 Diode polarisée en inverse.


Une diode est polarisée en inverse lorsque la tension VD (imposée par un circuit exté-
rieur) appliquée entre l'anode et la cathode est négative. Cette tension provoque une aug-
mentation de la barrière de potentiel de la jonction PN. La diffusion des porteurs
majoritaires à travers la jonction diminue très fortement. Seule la circulation des porteurs
minoritaires existe: le courant ID entre l'anode et la cathode devient négatif et est presque
indépendant de la valeur de la tension VD. La diode est dite bloquée.
La valeur théorique du courant de diode ID est -Is (Is: courant de "saturation" de l'or-
dre de 10-12 A). En pratique, la valeur de I D est plus importante (-10-9 A à -10-6 A) à
cause d'un courant de fuite dû à l'irrégularité surfacique de la jonction.
En conclusion, dans ce mode de fonctionnement, la tension V D et le courant I D de
diode sont négatifs. C'est pourquoi, leurs grandeurs opposées sont de préférence utilisées.
Par convention, elles s'appellent Vi ou VR et Ii ou IR (i=inverse et R=Reverse).

Polarisation d'une diode en inverse Convention d'orientation


R A A
A
ID<0
E V i>0 VR>0
V D<0
K K
E>0
K I i>0 IR>0
0v

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Les diodes à jonction PN
3. Caractéristique de la diode.
La caractéristique théorique de la diode (polarisée en direct ou en inverse) peut être
approchée par une seule équation:
IF

ID = IsCaractéristique
[Exp(V en direct
D/Ut) - 1]
IF = f(VF) à T = 300 K
Is: courant de "saturation" de la jonc-
tion PN

Ut = kT/q # 25 mV à 300 K

-
Calculez l'expression Exp(VD/Ut) pour une température de 300 K et pour
une tension VD égale à 0,1 Volt puis à -0,1 Volt.
Déduisez-en les expressions simplifiées de l'équation liant I D à V D lors-
que la diode est polarisée en direct; lorsque la diode est polarisée en inverse.

La caractéristique réelle de la diode (surtout pour les diodes au silicium et à l'arsé-


niure de gallium) s'écarte de cette simple équation, parce qu'elle ne tient pas compte des
résistances des régions neutres et du courant de fuite surfacique
Vo = du cristal.
0,62 Volt
La simulation analogique (par exemple, à l'aide du simulateur PSPICE) remédie à cet
inconvénient en proposant un modèle mathématique plus approfondi pour décrire le com-
IR
portement de la diode. Ainsi les résultats de la simulation se rapprochent plus des résultats
expérimentaux attendus.
Exemple: Caractéristique obtenue par simulation, d'une diode silicium 1N4148.
Caractéristique en inverse
IR = f(VR) à T = 300 K

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Les diodes à jonction PN
15mA

10mA

5mA

IF0A0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V


I(D1)
Caractéristique en direct VF
à T1, T2 et T3
1.0nA

0.8nA

0.6nA

0.4nA

0.2nA

0A
0V 5V 10V 15V 20V
-I(D1)
VR

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Les diodes à jonction PN

ì Influence de la température:
IR La température ne peut qu'influencer la caractéristique d'une diode à jonction, par la
nature même des matériaux utilisés pour la réaliser: semi-conducteur de type P et de type
N. L'équation théorique de la caractéristique de la diode montre la grande dépendance de
celle-ci vis à vis de la température. Le courant de "saturation" Is double tous les 7°C pour
Caractéristique en inverse
le silicium et tous les 10°C pour le germanium, provoquant une diminution de la tension
à T1, T2 et T3
VD de l'ordre de 2 mV/K pour un courant ID donné.

-
Analysez les résultats de simulation pour différentes températures de
jonction:
T1 = 300 K (27°C)
T2 = 363 K (90°C)
T3 = 398 K (125°C)

15mA

T3 T2 T1

10mA

5mA

0A
0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V
I(D1)
VF C1 = 533.646m, 5.0000m
C2 = 717.159m, 5.0000m
dif= -183.513m, 0.000

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Les diodes à jonction PN
10nA

T3

8nA

6nA

4nA

2nA

T2
T1
-0nA
0V 5V 10V 15V 20V
-I(D1)
VR C1 = 12.000, 9.0433n
C2 = 12.000, 315.158p
dif= 0.000, 8.7281n

4. Modélisation de la diode.
Un modèle est une représentation simplifiée d'une chose complexe. Les modèles sont
utilisés pour faciliter l'analyse des phénomènes, des processus, des systèmes et des
éléments.

La diode, par exemple, est un élément non linéaire (elle est décrite par une équation
non linéaire). L'analyse d'un circuit électrique comportant des diodes est difficile, parce
que le système d'équations décrivant le circuit est non linéaire. Pour faciliter cette analyse,
les diodes sont remplacées par des modèles linéaires.

Les modèles linéaires des composants et des circuits électriques sont composés exclu-
sivement d'éléments linéaires: générateurs de tension ou de courant idéaux, courts-cir-
cuits, circuits ouverts, résistances, capacités et inductances linéaires.

Chaque simplification se fait au détriment de la précision. Selon la complexité du cir-


cuit et la précision des analyses souhaitée, des modèles plus au moins complexes sont
employés.

Il y a aussi différents modèles selon le but poursuivi:


v Pour analyser un circuit électrique qui fonctionne en régime continu (statique) ou
en régime larges signaux (avec des signaux analogiques de grande amplitude), des modè-
les statiques ou modèles larges signaux des composants sont utilisés.

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Les diodes à jonction PN
v Pour analyser le comportement de ce circuit par rapport à des signaux analogi-
ques de petite amplitude, des modèles dynamiques ou des modèles petits signaux des com-
posants sont usités.
v Pour analyser le même circuit en hautes fréquences, des modèles dynamiques
hautes fréquences sont utilisés.
Chaque modèle ne comporte que des éléments pertinents pour le régime considéré. Et
les éléments pertinents sont différents pour les différents régimes.

Les modèles des composants et des circuits électriques peuvent être représentés sous
forme graphique, sous forme analytique ou sous forme de schémas équivalents.

4.1. Les modèles statiques de la diode.


Il existe trois modèles différents de la diode en régime statique, selon le degré de sim-
plification et/ou de précision souhaité.

7 Le modèle idéal.
Ce modèle est le plus simple, mais également le moins précis. Il est utilisé pour des
estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes.

v Forme analytique.
En direct, la diode est considérée comme un court-circuit: VD = 0 pour ID ≥ 0
En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert: ID = 0 pour VD ≤ 0

v Forme graphique.
La caractéristique directe de la diode réelle est remplacée par une ligne verticale et la
caractéristique inverse par une ligne horizontale.

ID A A
Caractéristique ID ID
idéalisée de la diode Diode Diode
polarisée VD VD polarisée
en directe en inverse

0 K K
VD

7 Le modèle à seuil.
Ce modèle prend en compte la valeur de la barrière de potentiel Vo (Vo est compris
entre 0,6v et 0,7v pour une diode silicium) comme tension de seuil de conduction de la
diode.
v Forme analytique.
La forme analytique de ce modèle est exprimée par les équations:
VD = Vo pour ID ≥ 0

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Les diodes à jonction PN

ID = 0 pour VD ≤ Vo
v Forme graphique.
La forme graphique de ce modèle et les schémas équivalents sont caractérisées par la
présence de la tension de seuil Vo.

ID A A
Caractéristique ID ID
à seuil de la diode Diode Diode
polarisée VD Vo VD polarisée
en directe en inverse

0 K K
Vo VD

7 Le modèle linéarisé.
Ce modèle est le plus précis, mais également le plus complexe. Il représente une très
bonne approximation linéaire de la caractéristique d'une diode réelle.

v Forme analytique.
La forme analytique de ce modèle est exprimée par les équations:
VD = Vo + rD.ID pour ID ≥ 0
ID = 0 pour VD ≤ Vo

IF La résistance statique rD de la diode est déterminée par la pente moyenne de la partie


utilisée de la caractéristique directe de la diode:
rD = ∆ VD/∆
∆ ID

v Forme graphique.

Caractéristique A A
linéarisée ID ID ID
de la diode Diode Diode
∆ID polarisée VD Vo VD polarisée
en directe en inverse
∆VD rD

0
Caractéristique Vo VD
en direct K K
IF = f(VF) à T = 300 K

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Les diodes à jonction PN

-
Déterminez le modèle linéarisé de la diode 1N4148 valable pour des cou-
rants ID supérieurs à 5 mA (à T = 300K).
ID
4.2. Les modèles dynamiques de la diode: régime linéaire (ou petits signaux)
Le fonctionnement en régime linéaire de la diode est obtenu lorsqu'un courant id im-
posé à travers la diode provoque une variation vd à ses bornes de même forme.

Polarisation d'une diode en direct Fonctionnement en régime dynamique


R R
400Ω A 400Ω A
ID ID

Eo VD Eo+e VD
1N4148 1N4148
Eo=5v Eo=5v
K K
0v 0v
Point de repos: I D = I Do ID = IDo + id
VD = VD o VD = VDo + vd

-
Déterminez l'équation de la droite de charge de la diode liant ID à VD et
déduisez-en graphiquement la valeur du point de repos (IDo, VDo).
Un générateur e délivrant un signal sinusoïdal basse fréquence d'ampli-
tude 1v est associé à Eo. Déterminez graphiquement l'amplitude des varia-
VD tions id et vd, validez-les aux vues des résultats obtenus sous Pspice.
Déduisez-en la valeur de la résistance dynamique rd liant id à vd et dessinez
le schéma équivalent de la diode en régime dynamique basse fréquence.

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Les diodes à jonction PN
15mA

10mA

5mA

0A
0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V
I(D1)
VF

13mA

12mA

11mA (55.784n,10.443m)

10mA

9mA
VD0

8mA
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms
I(D1)
Time C1 = 3.2270m, 12.803m
C2 = 2.7272m, 8.0820m
dif= 499.741u, 4.7213m

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Les diodes à jonction PN
880mV

860mV

840mV

(1.1571u,823.607m)

820mV

800mV

780mV

760mV
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms
V(VF)
Time C1 = 3.2260m, 866.557m
C2 = 2.7257m, 778.689m
dif= 500.355u, 87.869m

7 Modèle de la diode en régime dynamique et haute fréquence (HF).


La structure d'une diode à jonction PN ainsi que la conduction de celle-ci entraînent
la création de capacités parasites entre l'anode et la cathode. L'influence de ces capacités
devient de plus en plus importante au fur et à mesure que la fréquence du signal dynami-
que appliqué à la diode augmente (1/Cω à 0 lorsque ω à ∞).

Selon la polarisation de la diode, directe ou inverse, les capacités parasites qui sont à
prendre en compte sont différentes.

ì Diode polarisée en inverse.


La jonction PN est alors caractérisée par deux charges opposées et immobiles. La
diode est équivalente à un condensateur à électrodes plates, dont la capacité est nommée
capacité de transition CT ou capacité de barrière.

15
Les diodes à jonction PN

Vo

+ + ID CT
ID Région Région
A neutre + + neutre K A K

P + + N VD

VD

La valeur de cette capacité C T dépend


des dimensions de la jonction, de la tempé-
rature, de la concentration en atomes do-
peurs et de la tension V D appliquée à la
diode. A partir de la connaissance d'un
point particulier de la courbe (CT0 à VD0),
la totalité de celle-ci peut être déterminée
par l'équation:
CT = CT0 [(Vo-VD0)/(Vo -VD)]½
Ses valeurs typiques se situent entre
1 pF et 300 pF. C'est un paramètre impor-
tant de la diode, qui est donné dans les ca-
talogues constructeurs, pour une certaine
tension V D (zéro ou négative) et pour une

-
Soit une diode à jonction PN définie par les caractéristiques suivantes à
la température de 25°C: Vo = 0,6v CT0 = 25 pF à VD0 = 0v
Calculez la valeur de la capacité de transition CT à VD = -5v.
Remarque: Cette capacité de transition est normalement considérée comme une ca-
ractéristique dégradante de la diode réelle par rapport à la diode idéale, sauf pour les dio-
des VARICAP (étudiées ultérieurement) qui exploitent au contraire cette caractéristique.

ì Diode polarisée en direct.


En direct, l'influence de la capacité de transition devient négligeable devant une autre
capacité parasite créée par la circulation des porteurs majoritaires. Cette capacité, appelée
capacité de diffusion Cd, est proportionnelle au courant de la diode ID. Elle peut atteindre
plusieurs centaines de nF et limite le fonctionnement de la diode en régime dynamique
(ou de commutation) vers les fréquences hautes.

ì Conclusion.
En hautes fréquences, les schémas équivalents petits signaux de la diode, en inverse et
en direct, doivent être complétés par une capacité parasite entre l'anode et la cathode.

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Les diodes à jonction PN

Diode polarisée en inverse Diode polarisée en direct


A A id
id
C=CT vd rd C=Cd vd

K K

5. La diode en commutation.
Les capacités parasites de la diode à jonction PN non seulement limitent le fonction-
nement en régime dynamique petits signaux de la diode, mais elles limitent également le
fonctionnement en régime de commutation, puisque la tension aux bornes d'une capacité
ne peut varier brusquement.

Diode fonctionnant en commutation


e(t)
R i
A E1

0 t
e vD

-E2
K
0v

En considérant la diode idéale, le courant i à travers le circuit serait nul dés que la
tension de commande serait négative (diode bloquée) et serait égal à E1/R dés que la ten-
sion de commande serait positive (diode passante).

En réalité, l'établissement du courant n'est pas instantané lors du passage de la tension


de commande de -E2 à E1, à cause de la capacité de transition C T qui impose une cons-
tante de temps au circuit égal à RCT.
De même, l'extinction du courant lors du passage de la tension de commande de E1 à
-E2 n'est pas instantanée. En effet la capacité de diffusion Cd (Cd >> CT) impose la con-
duction de la diode tant qu'elle n'est pas déchargée. De ce fait le courant i à travers le cir-
cuit devient négatif et égal à -E2/R, pendant un temps ts (appelé temps de stockage).
Ensuite, le courant tend vers zéro sous l'influence de la capacité de transition CT.

17
Les diodes à jonction PN
Pratiquement, la valeur du temps de stockage ts est bien supérieur à tous les autres
temps de commutation de la diode et limite l'emploi de la diode en commutation vers les
fréquences hautes.

e(t)
E1

0 t

-E2

i(t)
E1/R Diode idéale

0 t

i(t)
E1/R Diode réelle
ts
0 t

-E2/R

i(t) Diode réelle


Pour caractériser l'aptitude des diodes
à commuter rapidement, les constructeurs trr
indiquent dans leur documentation la va-
leur du temps de recouvrement inverse trr, t
0 irr
mesuré avec un montage particulier (E1,
-E2 et R) et limité par l'obtention d'un cou- ts
rant inverse irr de l'ordre de 1mA à travers
le circuit. -E2/R

6. Les limitations technologiques de la diode.

18
Les diodes à jonction PN
Ces limitations indiquées pour chaque type de diode dans les documentations cons-
tructeurs caractérisent les grandeurs (courant, tension et puissance) à ne pas dépasser sous
peine de destruction du composant, dans les conditions suivantes:
v valeurs maximales en régime continu (VRm, IRm, VFm, IFm...)
v valeurs de pointe répétitives (VRRm, IRRm, VFRm, IFRm...)
v valeurs de pointe non répétitives (VRSm, IRSm, VFSm, IFSm...). Elles représentent
les valeurs extrêmes que peut supporter la diode pendant un temps spécifié (1 µs, 10ms ou
1 s).

IF
IFSm
(qq 10A)

IFRm

IFm
VRSm
VRRm
VRm
VR 0 VF
(qq 100v) VFSm (1v)
VFRm
VFm

IR

Le document constructeur suivant explicite les différents paramètres utilisés dans les
documentations techniques.

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Les diodes à jonction PN
IV. Spécifications techniques des diodes de commutation.

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