NANOFABRICACIN

Revista Nano Ciencia y Tecnologa

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Orion NanoFab: una Visin y sus Aplicaciones

Bipin Singh

C
USA.

on el avance de la investigacin cientfica, la nanofabricacin est siendo llevada hasta sus lmites. Los instrumentos que usan haz de iones focalizados (FIB) son usados frecuentemente para un prototipado rpido. Estos instrumentos que utilizan partculas cargadas ofrecen la ms alta flexibilidad y rendimiento
Bipin Singh PhD. Carl Zeiss NTS, LLC,

para el prototipado de dispositivos personalizados en investigacin y desarrollo, as como tambin para aplicaciones industriales. Un nuevo competidor en el campo de la nanofabricacin es el ORION NanoFab, un instrumento de iones focalizados basado en iones inertes, fabricado por Carl Zeiss. Como el Galio, los iones de Helio y Nen pueden ser usados para nanofabricacin, sin embargo a diferencia del Galio, las estructuras hechas con Helio y Nen pueden estar

por debajo de algunos nanmetros. Adicionalmente el haz de iones de Helio puede ser usado para generar imgenes de alta resolucin de las muestras en el mismo instrumento. En este artculo se mostrar una visin de las aplicaciones brindadas por este instrumento.

Principios de Operacin
ORION NanoFab es un instrumento de tercera generacin basado en una fuente de iones de campo de gas (GFIS) fabricado por Carl Zeiss, que ofrece una 2014 Vol 2 No 1 nano 27

Revista Nano Ciencia y Tecnologa seleccin de haces de iones focalizados. Una punta de metal afilada y enfriada criognicamente que est polarizada positivamente con respecto a un contraelectrodo a tierra, es expuesta a muy bajas cantidades de Helio o Nen en vaco [1]. Para modificar el tip metlico in situ tal que slo tres tomos permanezcan al final de la punta, se utiliz un mtodo patentado. Estos tres tomos se denominan the trimer. Bajo la accin de un alto voltaje positivo, the trimer emite tres chorros de iones de Helio o Nen, uno de los cuales es alineado y enfocado por la ptica de la columna y convertido en un haz de iones focalizados de Helio o Nen. Este haz es luego barrido sobre la superficie de la muestra, para la posterior obtencin de imgenes o fabricacin de estructuras y dispositivos.

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Figura 1
Una representacin esquemtica del concepto de haces multi-in en ORION NanoFab.

Iones multihaz del ORION NanoFab

El ORION NanoFab es la nica herramienta de su tipo con una avanzada tecnologa GFIS y una columna de haz dual que puede generar haces de iones focalizados de Helio o de Nen (uno a la vez), en la misma columna GFIS. Adicionalmente una columna FIB de iones de Galio puede ser integrada al ORION NanoFab, lo que lo convierte en la primera herramienta multiiones de Helio, Nen y capacidades FIB de Galio disponible comercialmente (ver figura 1). perforar hoyos en membranas delgadas o modificar superficies o materiales. Sin embargo, el proceso de realizar estructuras con electrones de alta energa consume tiempo y es difcil de controlar. La litografa por haz de electrones (EBL) consiste en exponer la fotoproteccin con un haz de electrones y luego, dependiendo de la naturaleza de la fotoproteccin (positiva o negativa), retener o disolver la regin expuesta durante el proceso de desarrollo [2]. Este mtodo es usado en muchas aplicaciones tales como: la escritura de estructuras en mscaras para litografa, fabricacin de discos duros y prototipado de gran variedad de dispositivos para tareas de investigacin y desarrollo. Otro camino por el cual el haz de electrones puede ser usado para nanofabricacin es cuando se utiliza en conjunto con un sistema de inyeccin de gas. En un sistema de inyeccin de gas, un gas precursor es introducido en el microscopio electrnico de barrido y el haz de electrones es escaneado sobre la muestra. Dependiendo del gas precursor utilizado, materiales conductores o aislantes pueden ser selectivamente depositados en las reas que son

Ventajas de los iones sobre los electrones para nanofabricacin

Exiten una gran variedad de mtodos que pueden ser utilizados para fabricar dispositivos y prototipos a nanoescala. Los sistemas basados en haces de electrones son usados para nanofabricacin siguiendo dos mtodos: (i) litografa con haz de electrones o (ii) deposicin inducida por el haz de electrones que corresponde a un ataque en presencia de gases reactivos precursores. Debido a su baja masa, los electrones no pueden ser usados para realizar sputtering directo de los materiales, aunque a muy altos voltajes (varios cientos de Kilovoltios), el haz de electrones ganar suficiente energa para

expuestas al haz de electrones. Si se usa un precursor -por ejemplo Difluoruro de Xenn-, los substratos pueden ser atacados agresivamente, seleccionando solamente las reas que son expuestas al haz de electrones [3]. Cuando consideramos iones, hay algunas ventajas nicas para nano fabricacin. Con electrones solamente se puede manipular su energa y corriente. Sin embargo, en una maquina como ORION NanoFab, adicionalmente a la energa y la corriente, el tipo de ion a utilizar tambin puede ser elegido para adecuarlo al trabajo que va a ser realizado. Las ventajas especficas de iones livianos como el Helio sern descritas en la prxima seccin, pero

El ORION NanoFab es la nica herramienta de su tipo con una avanzada tecnologa GFIS y una columna de haz dual que puede generar haces de iones focalizados de Helio o de Nen (uno a la vez), en la misma columna GFIS.

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Revista Nano Ciencia y Tecnologa bastara con decir aqu, que al poder elegir el tipo de ion que utilizaremos, se puede realizar una remocin masiva de material con iones de Galio y hacer un desbaste muy fino utilizando iones de Helio. Este mtodo de nano fabricacin es tambin conocido como desbaste con haz de iones y el fenmeno subyacente es denominado sputtering. La litografia de patrones con FIB de Galio no puede competir con la litografia con haz de electrones en trminos de tamao de las estructuras. Sin embargo, cuando se usan iones de Helio o Nen para exponer el fotoprotector, es posible obtener un patrn al mismo tamao de escala que el logrado cuando se usa litografa con haz de electrones [4-5]. De hecho, los iones de Helio y Nen son tipos de iones superiores cuando se realiza litografa. Puntos y lneas menores a 10 nm pueden ser hechos rutinariamente con litografa de iones de Helio y Nen. En procesos litogrficos que requieren estructuras menores de 10 nm, la litografa con haz de electrones sufre un significativo efecto de proximidad el cual est ausente en la litografa con iones de Helio y Nen. Esto significa que cuando se fabrican estructuras anidadas, el ancho de las estructuras en el centro y en la periferia de la regin de inters ser la misma, con lo que el usuario puede entonces enfocarse en el diseo y fabricacin de las nanoestructuras en lugar de elaborar los ajustes de ingeniera para eliminar el efecto de proximidad.
Tabla 1

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Comparacin de las interacciones de los iones incidentes en muestras de aluminio y oro. Los datos provienen de la simulacin SRIM de 10.000 iones incidentes en direccin normal.

Haz Incidente 30 keV He 30 keV Ne 30 keV Ga

Muestra de Aluminio Sputter Yield 0.06 1.78 3.90

Muestra de Oro Sputter Yield 0.153 4.39 17.4

Figura 2

Las capacidades de desbaste del ORION NanoFab como lo indica esta microfotografa de corte de postes de alumino.

Ventajas de la nanofabricacin con Helio Nen

Sobre la Nanofabricacin con iones de Galio

El FIB de Galio es la herramienta escogida para aplicaciones de prototipado rpido. Los FIB de Galio son utilizados rutinariamente para realizar cortes en muestras para anlisis de falla en chips semiconductores, preparacin de muestras para microscopa electrnica de transmisin TEM, reparacin de mscaras, modificacin de chips integrados, etc. Si bien, la mayora de estas estructuras son mayores a 30 nm, el haz de iones de Galio no est disponible para nanofabricacin

de estructuras menores a 30 nm. Aunque el tamao del haz puede ser de 2 nm, las estructuras ms pequeas hechas con iones de Galio estn raramente por debajo de los 30 nm debido a la interaccin con la muestra que es desbastada. De otra parte, los iones de Nen son ms livianos que los iones de Galio y remueven material a una escala ms pequea. Junto con los iones de Helio -que son incluso ms livianos-, pueden ser usados para hacer nanoestructuras muy finas. El tamao de las estructuras que se logran fabricar con iones de Helio y Nen puede rutinariamente alcanzar tamaos menores a 10 nm. El software de computador (SRIM) puede ser usado para entender los efectos de dispersin del haz de iones en las muestras. La tabla 1 compara el rendimiento de

sputter del Galio, Nen y Helio a 30 Kv con lo cual se tiene una informacin de la taza de desbaste con los tres tipos de iones utilizados. Mientras los iones de Helio no pueden ser utilizados para el desbaste de volmenes muy grandes, los iones de Nen son bastante efectivos para remover grandes cantidades de material. La figura 2 muestra la imagen de postes de aluminio que fueron cortados usando un haz de iones focalizados de Nen. Cuando se usa con un sistema de inyeccin de gas (GIS), los iones de Helio y Nen depositan estructuras ms finas que las obtenidas cuando se utilizan iones de Galio. Los metales depositados son de ms alta calidad y no tienen ninguna contaminacin con Galio lo que se traduce en depsitos aislantes de mayor calidad y alta resistencia. 2014 Vol 2 No 1 nano 29

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www.revistanano.org y un significativo rendimiento de pulverizacin provee buen rendimiento y fidelidad en el patrn en un rango de dispositivos desde algunas decenas de micrmetro hasta algunas decenas de nanmetros. Sin embargo, existen algunos inconvenientes notables en el maquinado con FIB de Galio. Uno es el bajo lmite de tamao posible, ya que agujeros y lneas son generalmente limitadas a 30 o 40 nm de amplitud y un ngulo de pared lateral bastante inclinada lo que significa que la relacin de aspecto del agujero es algo limitada. Otra cuestin es la implantacin de Galio. As por ejemplo, los dispositivos fotnicos que frecuentemente consisten de patrones formados en delgadas capas de metal sobre sustratos pticos, la contaminacin con iones de metal puede alterar la respuesta dielctrica del dispositivo en formas indeseadas. Para dispositivos elctricos la implantacin de iones de Galio puede crear vas resistivas no deseadas. Finalmente para materiales que contienen elementos del grupo III (Al, Ga as como los semiconductores del IIIV), la cantidad adicional de Galio implantada por el haz causa cambios qumicos e incluso separacin de fases en esos componentes.

Capacidades de imagen en ORION nanoFab

Adicionalmente a las capacidades de nanofabricacin, ORION NanoFab tambin ofrece imgenes de alta resolucin. Las capacidades de imagen de la plataforma ORION han sido valoradas por la comunidad cientfica en ms de 100 publicaciones. Hay tres atributos de la imagen con ORION NanoFab que deberan ser enfatizados: Las imgenes de muestras aislantes ORION NanoFab sobresale en la obtencin de imgenes de muestras aislantes sin recubrimientos ya que a diferencia de un microscopio electrnico de barrido, las muestras acumulan slo cargas positivas las cuales son neutralizadas por un flujo de electrones incorporado en el ORION NanoFab. sto significa que no se necesita recubrir las muestras con material conductor para obtener imgenes con resolucin manomtrica. Gran profundidad de campo Las imgenes generadas por ORION NanoFab tienen 5 a 10 veces ms profundidad de campo comparadas con un FESEM. Si se requiere una muestra tridimensional, el sistema permite obtener imgenes con gran foco y detalle en todos los puntos bajos y altos. Alta resolucin en las imgenes de superficie Las imgenes generadas por ORION NanoFab tienen resolucin Submanomtrica, lo cual lleva a que las imgenes capturadas sean finamente detalladas como producto de la interaccin fsica del haz de iones de Helio y la muestra, en la que se producen electrones secundarios desde los 5 nm desde la parte superior. Adicionalmente, estos electrones secundarios son solamente del tipo SE2. Esto permite obtener con el ORION NanoFab detalles a una alta resolucin con gran sensibilidad superficial.

Las imgenes generadas por ORION NanoFab tienen 5 a 10 veces ms profundidad de campo, comparadas con un FE SEM. Si se requiere una muestra tridimensional, el sistema permite obtener imgenes con gran foco y detalle en todos los puntos bajos y altos. Maquinado sub-10nm con mltiple haces de iones para aplicaciones de alta precisin y rendimiento
La escritura directa del maquinado con haces de iones focalizados, representa el mtodo ms rpido y ms flexible para fabricar nanodispositivos para prototipado o aplicaciones de investigacin. Una mayor cantidad de materiales pueden ser procesados directamente mediante sputtering con haz de iones sin la excesiva selectividad del tipo material que puede encontrarse con el ataque qumico. No requiere enmascarado ya que desde los paquetes de diseo del patrn se puede dirigir el haz fcilmente en patrones complejos con un alto grado de control sobre la estrategia de escaneo. El uso de un FIB combinado con una columna de imagen tambin permite una inmediata inspeccin y pasos de refinamiento en el patrn, asegurando la fidelidad deseada. Esta tecnologa ha encontrado por lo tanto una amplia difusin en campos como la fotnica, nano fluidos, preparacin de muestras TEM, modificacin de circuitos integrados, y MEMS.

Solucin ORION NanoFab

ORION NanoFab combina hasta tres haces de iones en un instrumento Helio y Nen desde la columna GFIS y una columna de alta resolucin separada FIB con iones de Galio. Con esta solucin, volmenes grandes pueden ser removidos con Galio a altas velocidades, mientras el Nen y el Helio pueden ser usados para patrones con dimensiones ms pequeas. Por ejemplo el maquinado con iones de Helio ha sido demostrado para lograr nanofabricacin en dimensiones cercanas a los 5 nm, con paredes laterales casi verticales en pelculas de oro. La contaminacin metlica es eliminada cuando se usan haces de iones con gases inertes para el desbaste. Para completar el set de herramientas para el diseo de los dispositivos, las

El cambio
El haz de iones mas comnmente usado para aplicaciones de maquinado es el FIB de Galio, basado en una fuente de iones de metal lquido (LMIS). Grandes corrientes de haz

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Revista Nano Ciencia y Tecnologa estrategias de maquinado de alta complejidad pueden ser realizadas con un motor de nano-patterning y visualizacin (NPVE). Esta combinacin de hardware y software permite una gran variedad de formas de escritura de haz, escaneos de rutina y factores de dosificacin de iones para ser incorporados en recetas definidas por el usuario. Una rpida definicin del dispositivo puede ser realizada desde diseos importados desde CAD, mapas de bits, o simplemente construyendo un modelo en pantalla a partir de elementos fundamentales. Como un ejemplo ilustrativo del maquinado sobre multiples escalas de tamao, mostramos aqu un ejemplo de dispositivo plasmnico de doble corbatn inspirado en el trabajo de Zhang y su Grupo. El dispositivo consiste en cuatro tringulos equilaterales estampados dentro de una pelcula de plata con un espesor de 17 nm para litografa con haz de electrones. Estos elementos se enfrentan uno a uno dando una forma semejante a dos corbatines cruzados. Las dimensiones de los dispositivos son crticas para determinar la longitud de onda resonante, as notamos que los requerimientos son que el tringulo tenga una longitud de lado cercano a los 85 nm, un radio de curvatura de 10 nm en los vrtices y una brecha entre los puntos del tringulo cercano a 30 nm (las brechas son variadas para alterar la respuesta plasmnica del dispositivo). Se requieren mtodos litogrficos para formar objetos tan pequeos, ya que el tradicional mtodo con iones de Galio no tiene la precisin de maquinado requerida. Con la solucin ORION NanoFab, estos dispositivos pueden ser fabricados por escritura directa, obviando la necesidad de procesos de litografa y con dimensiones crticas que pueden ser reducidas considerablemente. Una aproximacin de tres pasos fue usada para fabricar una estructura de doble corbatn en una pelcula de oro de 100 nm de espesor sobre vidrio. En un primer paso, una ventana cuadrada de 1 m es abierta dentro de la pelcula dejando en el centro una isla cuadrada de 200 nm de ancho, ver figura 3. El FIB de iones de Galio fue usado en este paso ya que tiene un rendimiento de pulverizacin de 120x ms alto que el Helio y 4x mas alto que el Nen a la energa de haz aplicada ( 30 Kv como se predijo con la simulacin TRIM). El FIB tambin es capaz de entregar corrientes de haz ms altas. En el segundo paso, un maquinado basado en Nen produce aberturas dentro de la isla formando una cruz (ver figura 4). Este mtodo evita contaminacin de Galio en la zona crtica en torno al corbatn, aunque an proporciona ventajas en la velocidad sobre fresado de helio de 30x. El ngulo de la pared lateral confeccionada es de 82, aunque podra ser mejorado con recorte por helio como se ha reportado en el trabajo de Scipioni et al. donde se producen ngulos de la pared lateral de 88. Finalmente, el fresado de iones de helio se utiliza para separar los cuatro elementos triangulares - vase la figura 5. Una vista de arriba hacia abajo del dispositivo completo se muestra en la figura 6.

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Figura 3

Una isla de 200 nm creada con el FIB de Galio. Imagen de iones de Helio.

Figura 4

Maquinado de la isla con el haz de Nen para formar los brazos del doble corbatn. Imagen con iones de Helio.

Figura 5

Maquinado final con iones de Helio para separar los cuatro elementos.

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Figura 6

Imagen HIM con vista de arriba hacia abajo del dispositivo final.

Figura 7

Imagen HIM resaltada en los bordes corbatn. La lnea corresponde a 10 nm.

del doble

La figura 7 muestra el centro de la estructura del corbatn. La imagen ha sido filtrada para resaltar los bordes, lo cual es requerido para propsitos de medida. Se hace visible una pequea cantidad de material residual en la brecha. La distancia entre los vrtices del tringulo es de 10 nm (como aparece indicado en la lnea recta sobre la imagen) y el radio de curvatura de los vrtices es cercano a los 5 nm (crculo en la imagen).

En conclusin, ORION NanoFab cubre un amplio rango de aplicaciones de microfabricacin a nanofabricacin utilizando haces de iones de Galio, Nen y Helio integrados en un solo instrumento. Con el haz de Nen se obtiene una alta velocidad y capacidad para maquinado de nanoestructuras, el haz de Helio para fabricar estructuras sub-10 nm y el FIB de galio para eliminar la abundancia del material.

Referencias
[1] N. P. Economou, J. A. Notte and W. B. Thompson, Scanning 33, 1(2011). [2] Nanofabrication Using Focused Ion and Electron Beams, edited by I. V. Utke et al., Oxford University Press, 2012. [3] I. Utke, P. Hoffman and J. Melngailis, Journal of VacuumScience and Technology B 26, 1197(2008). [4] D. Maas et al., Proceedings of SPIE 7638, 763814 (2010). [5] D. Winston et al., Nano Letters 11, 4343(2011).

ORION NanoFab

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