Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser

de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo metal-oxido semiconductor (MO FET)! on dispositi"os controlados por tensin con una alta impedancia de entrada! #m$os dispositi"os se utili%an en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como conmutador! us caracter&sticas el'ctricas son similares aun(ue su tecnolog&a y estructura f&sica son totalmente diferentes! )enta*as del FET:

+! .! 1! 3! 5! 7! -!

on dispositi"os controlados por tensin con una impedancia de entrada muy ele"ada (+,- a +,+./)! Los FET generan un ni"el de ruido menor (ue los 0JT! Los FET son m2s esta$les con la temperatura (ue los 0JT! Los FET son m2s f2ciles de fa$ricar (ue los 0JT pues precisan menos pasos y permiten integrar m2s dispositi"os en un 4+! Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para "alores pe(ue6os de tensin drena*e-fuente! La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utili%acin como elementos de almacenamiento! Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes!

8es"enta*as (ue limitan la utili%acin de los FET:

+! Los FET presentan una respuesta en frecuencia po$re de$ido a la alta capacidad de entrada! .! Los FET presentan una linealidad muy po$re9 y en general son menos lineales (ue los 0JT! 1! Los FET se pueden da6ar de$ido a la electricidad est2tica!

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. 2

El JFET de canal n esta constituido por una $arra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a am$os lados! Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain)9 fuente (source) y puerta (gate)!

(a) JFET canal :! ($) &m$olo de JFET canal :! (c) &m$olo canal ;< La polari%acion de un JFET exige (ue las uniones p-n est'n in"ersamente polari%adas! En un JFET de canal n9 o :JFET9 la tensin de drenador de$e ser mayor (ue la de la fuente para (ue exista un flu*o de corriente a tra"'s de canal! #dem2s9 la puerta de$e tener una tensin m2s negati"a (ue la fuente para (ue la unin p-n se encuentre polari%ado in"ersamente! #m$as polari%aciones se indican en la siguiente figura:

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

Los FET son dispositi"os controlados por tensin y poseen: Su respuesta : #lta impedancia! 4orrecto

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

;ara polari%ar un FET se exige

Su respuesta : La =niones p-n esten in"ersamente polari%adas 4orrecto

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. 3

Las cur"as de caracter&sticas el'ctricas de un JFET son muy similares a las cur"as de los transistores $ipolares! in em$argo9 los JFET son dispositi"os controlados por tensin a diferencia de los $ipolares (ue son dispositi"os controlados por corriente! ;or ello9 en el JFET inter"ienen como par2metros: >8 (intensidad drain o drenador a source o fuente)9 )? (tensin gate o puerta a source o fuente) y )8 (tensin drain o drenador a source o fuente)! e definen cuatro regiones $2sicas de operacin: corte9 lineal9 saturacin y ruptura! # continuacin se reali%a una descripcin $re"e de cada una de estas regiones para el caso de un :JFET! @ Regin de corte En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula (>8A,)! En este caso9 la tensin entre puerta y fuente es suficientemente negati"a (ue las %onas de in"ersin $lo(uean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente! En las Bo*as t'cnicas se denomina a esta tensin como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por )? (off) o )p! ;or e*emplo9 el 0F.35# tiene una )? (off)A-.)! Regin lineal En esta regin9 el JFET se comporta como una resistencia no lineal (ue es utili%ada en mucBas aplicaciones donde se precise una resistencia "aria$le controlada por tensin! o Regin de saturacin En esta regin9 de similares caracter&sticas (ue un 0JT en la regin lineal9 el JFET tiene unas caracter&sticas lineales (ue son utili%adas en amplificacin! e comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensin )? cuya >8 es pr2cticamente independiente de la tensin )8 !

Regin de ruptura =na tensin alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por a"alancBa a tra"'s de la unin de puerta! Las especificaciones de los fa$ricantes indican la tensin de ruptura entre drena*e y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuenteC esta tensin se designa por 0)8 y su "alor esta comprendido entra ., y 5, )! Las tensiones de polari%acion nunca de$en superar estos "alores para e"itar (ue el dispositi"o se deteriore! ;or ultimo9 comentar las diferencias existentes

entre un :JFET y ;JFET! Las ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son "alidas para el ;JFET considerando el con"enio de signos indicados en la ta$la

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

La diferencia entre los FET y los 0JT est2 Su respuesta : Due los FET son controlados por tensin y los 0JT por corriente 4orrecto

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. 4

Los transistores MO FET o Metal-Oxido- emiconductor (MO ) son dispositi"os de efecto de campo (ue utili%an un campo el'ctrico para crear una canal de conduccin! on dispositi"os mas importantes (ue los JFET ya (ue la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnolog&a MO ! Existen dos tipos de transistores MO : MO FET de canal : o :MO y MO FET de canal ; o ;MO ! # su "e%9 estos transistores pueden ser de acumulacin ( enhancement) o deplexion (deplexion)C en la actualidad los segundos est2n pr2cticamente en desuso y a(u& Enicamente ser2n descritos los MO de acumulacin tam$i'n conocidos como de enri(uecimiento! La figura indica los diferentes s&m$olos utili%ados para descri$ir los transistores MO !

En la figura se descri$e la estructura f&sica de un MO FET de canal : con sus cuatro terminales: puerta9 drenador fuente y su$stratoC normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente! La puerta9 cuya dimensin es FGL9 esta separado del su$strato por un diel'ctrico ( i,.) formando una estructura similar a las placas de un condensador! #l aplicar una tensin positi"a en la puerta se induce cargas negati"as (capa de in"ersin) en la superficie del su$strato y se crea un camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente! La tensin m&nima para crear esa capa de in"ersin se denomina tensin um$ral o tensin de threshold ()T) y es un par2metro caracter&stico del transistor! i la ) ? H)T9 la corriente de drenador-fuente es nulaC "alores t&picos de esta tensin son de de ,!5 ) a 1 )!

Los transistores JFET y MO FET tienen una estructura f&sica muy diferente pero sus ecuaciones anal&ticas son muy similares! ;or ello9 en los transistores MO se definen las mismas regiones de operacin: corte9 lineal9 saturacin y ruptura!

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

Los transistores MO tienen las siguientes regiones de operacin! Su respuesta : 4orte9 lineal9 saturacin y ruptura 4orrecto

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. 5

Otros FET9 )MO : Los MO FET tienen una des"enta*a frente a los 0JT9 el mane*o de potencias! :ormalmente un MO FET puede mane*ar potencias inferiores a + Fatts! ;ara superar este incon"eniente o insuficiencia de los MO FET9 se reali%a un cam$io en la forma de construccin del MO FET! ;ara ello9 se construye de tal forma (ue el canal ninducido tenga un crecimiento (Operacin en modo incremental) y este aBora en formado en direccin "ertical! Estos dispositi"os se conocen como )MO ! #dem2s su apariencia de un corte en I)J en la $ase del semiconductor es la caracter&stica (ue se destaca para la memori%acin del nom$re del dispositi"o!

Las caracter&sticas m2s importantes del )MO 9 son:

;oseen ni"eles reducidos de resistencia en el canal y mayores "alores nominales9 de corriente y de potencia! ;oseen un coeficiente positi"o de temperatura (ue contrarrestar2 la posi$ilidad de una a"alancBa t'rmica! Tiempos de conmutacin m2s r2pidos por lo ni"eles reducidos de almacenamiento de carga! 4MO : 4MO 9 acrnimo de 4omplementary Metal Oxide emiconductor (semiconductor complementario de xido met2lico)! Es un dispositi"o semiconductor formado por dos transistores de efecto de campo de xido met2lico (MO FET)9 uno del tipo n (:MO ) y otro del tipo p (;MO )9 integrados en un Enico cBip de silicio! =tili%ados por lo general para fa$ricar memoria K#M y aplicaciones de conmutacin9 estos dispositi"os se caracteri%an por una alta "elocidad de acceso y un $a*o consumo de electricidad! ;ueden resultar da6ados f2cilmente por la electricidad est2tica!

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

=no de los dispositi"os m2s utili%ados Boy9 son los 4MO 9 una de sus de$ilidades es: Su respuesta : ;ueden ser da6ados por corrientes est2ticas! 4orrecto

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. 6

;olari%aciones de los FET: 4onfiguracin de polari%acin fi*a! Los circuitos $2sicos (ue se utili%an para polari%ar los 0JT se pueden emplear para los MO FET! EL JFET tiene el incon"eniente de (ue la tensin ) ? de$e ser negati"a en un :JFET (positi"a en un ;JFET) (ue exige unos circuitos de polari%acion caracter&sticos para este tipo de dispositi"os! e presentan uno de los circuitos mas utili%ados: polari%acion simple fi*a9 se utili%a una fuente de tensin externa para generar una )? H,!

4onfiguracin de auto polari%acin: La configuracin de autopolari%acin9 la ca&da de tensin en la resistencia K de$ida a >8 permite generar una )? H,! ;olari%acin mediante di"isor de "olta*e! Tal como lo Bicimos para el 0JT9 la polari%acin del JFET se puede reali%ar por di"isor de

"olta*e! u construccin $2sica es exactamente la misma9 pero el an2lisis en 84 es muy diferente! ;uesto (ue9 la corriente de la compuerta (> ?) es de cero amperios mientras (ue para el 0JT la corriente de la $ase (> 0) afecta los ni"eles de 84 de la corriente y del "olta*e tanto para el circuito de entrada como el de salida! ;ues > 0 proporciona$a la relacin entre el circuito de entrada y el de salida mientras (ue el )? Bar2 lo mismo para el JFET!

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

La configuracin de autopolari%acin9 la ca&da de tensin en la resistencia K de$ida a >8 permite generar una: )? Su respuesta : Menor (ue cero 4orrecto

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. 7

MOSFET e ti!o ec"e#ental! #un cuando existen grandes similitudes entre las cur"as de transferencia de los JFET y de los MO FET y (ue permiten reali%ar un an2lisis muy parecido en el dominio de 849 los MO FET de tipo decremental permiten tra$a*ar con puntos de operacin con "alores )? positi"os y ni"eles de >8 (ue exceden el "alor de >8 ! :os (ueda la pregunta: LMasta donde de$er2 extenderse la cur"a de transferencia Bacia l a regin de "alores positi"os de )? y Bacia "alores de >8 mayores de >8 N Este inter"alo estar2 $ien definido en los par2metros del MO FET!

MOSFET e ti!o inc"e#ental! Las caracter&sticas de transferencia del JFET difieren a las encontradas en el MO FET de tipo incremental! ;or lo tanto9 la solucin gr2fica es diferente para los dos casos ya "istos! 8e$emos tener en cuenta (ue para un MO FET de tipo incremental de canal-n9 la corriente de drena*e (>8) es cero para a(uellos ni"eles de "olta*e compuerta O fuente menores al ni"el de um$ral )? (TM)! $e e% &o#'ina a%! 4onociendo la forma de reali%ar un an2lisis en 84 tanto para los 0JT como para los FET9 es la oportunidad de anali%ar redes con los dos tipos de transistores presentes en la misma! ;ara esto9 se re(uiere de reali%ar un primer proceso so$re el dispositi"o (ue proporcionar2 un "olta*e o un ni"el de corriente en una terminal! Luego9 ya se podr2n calcular otras cantidades y dedicarse a las incgnitas restantes! El reto est2 en la locali%acin de la entrada del pro$lema para luego utili%ar sus resultados y aplicar los conocimientos ya "istos! e Ba tra$a*ado constantemente con los diferentes *uegos de ecuaciones por lo (ue no es necesario desarrollar nue"os m'todos de an2lisis! 4uando se re(uiere dise6ar se de$en tener en cuenta las condiciones (ue inter"ienen en el proceso completo: 2rea de aplicacin9 ni"el de amplificacin deseado9 potencia de se6al y las condiciones de operacin! ;ara ello9 se de$e inicialmente esta$lecer las condiciones 84 seleccionadas!

4onocidos los "alores para )8 e >8 es posi$le determinar el "alor para ) ? D a partir de una gr2fica de la cur"a de transferencia y luego podr2 encontrarse K mediante )? A ->8K ! ;ero siconocemos )889 es posi$le determinar K8 a partir de K8 A ()88 O )8)P>8! Luego se de$e conseguir los "alores comerciales m2s cercanos para K 8 y K ! Los "alores de las tolerancias no son pro$lema alguno para el real proceso del dise6o!

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

Los MO FET de tipo decremental permiten tra$a*ar con puntos de operacin con

"alores: )? negati"os y ni"eles de >8 (ue exceden el "alor de >8 Su respuesta : Falso 4orrecto

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. 8

(i%!o%itivo% )N)N: El diodo de cuatro capas o diodo BocQley es un dispositi"o compuesto por cuatro capas semiconductores npnp9 cuya estructura y s&m$olo se descri$en en la figuras siguientes! Esencialmente es un dispositi"o interruptor! #l aplicar un tensin positi"a entre 2nodo y c2todo se puede o$ser"ar (ue la unin J+ y J1 esta polari%ada en directa9 y la unin J. polari%ada en in"ersa! En estas condiciones Enicamente circula una corriente muy $a*a (desprecia$le) y el dispositi"o se encuentra cortado! #umentando esta tensin positi"a se llega a una tensin )0O de ruptura o a"alancBa donde la corriente crece de forma a$rupta y la ca&da de tensin decrece de la misma manera! En este momento9 el diodo Ba conmutado desde el estado de $lo(ueo a conduccin!

=na manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura f&sica en dos mitades ! La mitad i%(uierda es un transistor :;: y la mitad derecBa ;:;9 resultando el circuito mostrado en la figura (ue normalmente es referido como candado!

Las caracter&sticas el'ctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la grafica! e pueden identificar dos %onas y cuatro regiones de operacin: +!- *ona i"ecta () R ,) +!a) Regin de corte! El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy $a*as! En esta regin se puede modelar como una resistencia KOFF de "alor: )0O P >0O! +!$) Regin de resistencia negativa! 4uando la tensin entre 2nodo y c2todo es suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un incremento muy ele"ado en corriente comport2ndose el diodo como si fuera una resistencia negati"a de$ido a la realimentacin positi"a de su estructura! +!c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin9 la ca&da de tensin entre 2nodo y c2todo esta comprendida entre ,!5) y +!5 )9 pr2cticamente independiente de la corriente! e mantendr2 en este estado siempre (ue la tensin y corriente alcancen unos "alores m&nimos conocidos como ni"eles de mantenimiento definidos por )M e >M! .!- *ona inve"%a () H,) .!a) Regin de ruptura! El diodo puede soportar una tensin m2xima in"ersa )K M (ue superado ese "alor entra en conduccin de$ido a fenmenos de ruptura por a"alancBa!

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductores npnp, en sus caractersticas elctricas se identifican dos zonas y cuatro regiones. En la zona Inversa (V !", la regi#n identificada es la$ Su respuesta :

Kegin de ruptura 4orrecto

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. +

El S,(A& es un dispositi"o $ilateral de disparo de alta tensin y corriente! Es $2sicamente un diodo de cuatro capas con unas caracter&sticas el'ctricas sim'tricas! En la figura se descri$e su estructura f&sica9 el s&m$olo de este dispositi"o y sus caracter&sticas el'ctricas sim'tricas! El >8#4 se utili%a en a(uellas aplicaciones (ue se necesitan una tensin de disparo )0O cuyos "alores est2n comprendidos entre +., ) y .-, ) (t&picos)!

El S-S o Silicon Bidirectional Switch es un dispositi"o de $a*a potencia sim'trico para aplicaciones de disparo m2s "ers2til (ue el >8#4! Tiene adem2s un terminal adicional (gate o ?) (ue permite modificar sus caracter&sticas de disparo con pe(ue6os pulsos de corriente (decenas de S#)! u reducido coste9 alta "elocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos "alores de corriente Bace (ue este dispositi"o sea muy Etil en mucBas aplicaciones! EL 0 no es solamente un "ersin me*orada del diodo de cuatro capas9 sino (ue es fa$ricado como un circuito integrado constituido por transistores9 diodos y resistencias! La figura muestra su s&m$olo9 su estructura a ni"el circuital y sus caracter&sticas >-)!

El M0 3TT+ de Motorola es un e*emplo t&pico de un 0 sim'trico! us par2metros caracter&sticos de acuerdo a la grafica de la figura c son: ) AU )9 > A+-5 S#9 >MA,!m# y )FA+!3 ) El disparo de este dispositi"o se puede reali%ar $ien superando la tensin ) o $ien aplicando una corriente de puerta >?FA+,,S#!

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

i re(uiero una tensin de disparo superior a .., )oltios9 de$o utili%ar: Su respuesta : >8#4 >ncorrecto

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

i re(uiero una tensin de disparo superior a .., )oltios9 de$o utili%ar: Su respuesta : 0 cOKKE4TO

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. ./

S&$: El 4K o Silicon Controled Rectifier es un dispositi"o triterminal (# o 2nodo9 4 o c2todo y ? o gate o puerta de control) muy similar al diodo de cuatro capas descrito en la anterior seccin pero (ue posee una entrada adicional (?) (ue permite disparar el dispositi"o antes de alcan%ar la )0O! En la figura se muestra el s&m$olo del 4K y su modelo a ni"el transistor! En el modelo a ni"el de transistor se o$ser"a claramente (ue al introducir una corriente por la l&nea ? se produce la conduccin de los transistores9 es decir9 el disparo del dispositi"o sin ser necesario alcan%ar la )0O!

La siguiente figura permite "er claramente como las caracter&sticas del 4K "ar&an con la corriente de su puerta cuyos "alores son del orden de miliamperios o inferiores!

Act 8: Leccin evaluativa No. 2 Texto No. ..

%ar&metros caractersticos de los S'(. ) Tiempo de conduccin (Turn-on Time) . *iempo de duraci#n mnima de la tensi#n de disparo para pasar el S'( de +lo,ueo a conducci#n. Este tiempo tiene dos componentes$ *-./td0tr, siendo td el tiempo de retraso ( delay time" y tr el tiempo de su+ida (rise time". %or e1emplo, el 2.3!4! tiene el *-./td0tr/56s0!.26s/5.26s. ) Tiempo de corte (Turn-off Time) . *iempo ,ue el S'( puede permanecer por de+a1o de las condiciones de mantenimiento. El 2.3!4! tiene un * -77/t, de 8!6s. ) Mxima corriente de conduccin. 9&:ima corriente eficaz ,ue puede circular por el S'( durante el estado de conducci#n. %ara el 2.3!4!, la I * (rms"/!.;<. ) Velocidad crtica de elevacin. Variaciones muy r&pidas de tensi#n entre el &nodo y c&todo en un S'( pueden originar un disparo indeseado. %ara evitar este pro+lema, la variaci#n de tensi#n &nodo=c&todo no de+e superar un valor conocido como velocidad critica de elevaci#n (dv>dt"? si se supera este valor adem&s de producir el disparo puede llegar a deteriorar el dispositivo. El 2.3!4! tiene un dv>dt/5!V>6s. < veces transitorios en las lneas de alimentaci#n pueden originar pro+lemas de comportamiento del S'( al ser superado su velocidad crtica de elevaci#n. @os circuitos de protecci#n contra transitorios de corriente y transitorios de tensi#n evitan este indeseado disparo. A&sicamente son filtros +asados en (' o inducciones ,ue eliminan esas seBales espureas. E:isten cuatro maneras de poner a un tiristor en estado de conducci#n$ a" Activacin o disparo por puerta. El mtodo m&s comCn para disparar un tiristor es la aplicaci#n de una corriente en su puerta. @os niveles de tensi#n y corriente de disparo en la puerta de+en tener un rango de valores comprendidos dentro de una zona de disparo de seguridad. Si se so+repasa ese limite puede no dispararse el tiristor o puede deteriorarse el dispositivo? por e1emplo, para el 2.3!4! la m&:ima potencia eficaz ,ue puede soportar la puerta es %D(av"/!,!8 E. <dem&s, el disparo de+e tener una duraci#n dependiente del tiristor con valores tpicos de 86seg para ,ue resulte eficaz. El tiempo de cone:i#n o de activaci#n es el tiempo ,ue tarda en conducir el tiristor desde ,ue se ha producido el disparo. @os valores tpicos de tiristores comerciales est&n alrededor de 8 a 5 6seg, aun,ue para aplicaciones especiales como son los moduladores de impulsos de radar se fa+rican tiristores con valores por de+a1o de 8!!nseg. +" Activacin o disparo por luz. Fn haz luminoso dirigido hacia una de las uniones del tiristor provoca su disparo. Son los dispositivos conocidos como foto=S'( o @<S'( y sus derivados (foto=*(I<', opto=*(I<', etc". El S%=8!8 de SunpoGer es un e1emplo tpico de un @<S'( de 2 < ,ue precisa de una radicaci#n luminosa efectiva de 2H mE>cm 2 con una longitud de onda de ;3! nm para su activaci#n. c" Activacin por tensin de ruptura . Fn aumento de la tensi#n &nodo=c&todo puede provocar fen#menos de ruptura ,ue activa el tiristor. Esta tensi#n de ruptura directa (VA-" solamente se utiliza como mtodo para disparar los diodos de cuatro capas. d" isparo por aumento de dv!dt. Fn r&pido aumento de la tensi#n directa de &nodo c&todo puede producir una corriente transitoria de puerta ,ue active el

tiristor. Deneralmente se elimina este pro+lema utilizando circuitos de protecci#n +asados en (, ' o @ (figuras a y +". Valores tpicos de dv>dt est&n comprendidos entre 3 V>6seg a 3!! V>6seg. E:isten numerosos circuitos de disparo de tiristores ,ue pueden ser clasificados en tres tipos +&sicos en funci#n del tipo de seBal de disparo$ I', impulso o fase de alterna. @os circuitos de disparo en I' est&n +asados en un interruptor mec&nico o electr#nico (a" ,ue incluyen circuitos de protecci#n para evitar danos al tiristor. Estas seBales tam+in pueden ser generadas desde un ordenador o cual,uier circuito de control digital (+". @os circuitos de disparo por impulso est&n +asados generalmente en un transformador de acoplo ,ue transmite el pulso de disparo (c".

E:iste una gran variedad de aplicaciones de potencia +asadas en los tiristores como elementos de control. Su propiedad de conmutaci#n de corte a conducci#n y viceversa resulta muy Ctil cuando se desea controlar la transferencia de potencia a una carga. @as aplicaciones mas comunes de uso domestico son los reguladores de luz, control de velocidad de motores, etc e (uiere entregar una determina energ&a de la red el'ctrica a una carga (V L) y9 para ello9 se utili%a un tiristor (en este caso un 4K) como dispositi"o de control y un circuito de disparo (ue controla ese tiristor! Este circuito de disparo introduce un desfase W respecto al inicio de la onda sinusoidalC a W se le denomina ngulo de desfase o de disparo y a X-W ngulo de conduccin! e identifican tres %onas del funcionamiento del tiristor: +) / Y Z 0 W! El 4K esta $lo(ueado! En estas condiciones no circula ninguna corriente por la carga (>LA,) y la )#[ A )m senZ! .) W Y Z 0 X! En el instante ZAW el circuito de disparo aplica un pulso (ue Bace entrar el 4K a conduccin! #parece una corriente por la carga de "alor >LA ) m senZ PVL9

si se desprecia la ca&da de tensin en el K () #[\,))! En esas condiciones9 ) A)L<)#[]) ! 1) X Y Z 0 2X! En el instante ZAX el 4K conmuta a corte de forma natural! En el semiperiodo negati"o el 4K se mantiene a corte por(ue la tensin del 2nodo es inferior a la del c2todo! La corriente es nula (>LA,) y la )#[ A )m senZ! Este transformador permite el aislamiento el'ctrico entre el tiristor y el circuito de control y precisa menor potencia de disparo! in em$argo9 son m2s "oluminosos de$ido al tama6o del transformador y suelen ser sustituidos por opto-acopladores luminosos! ;or ultimo9 los circuitos de disparo en alterna est2n dise6ados para sincroni%ar la fase entre el suministro en alterna y el disparo (ue permita la regulacin en potencia (d)! 8e$ido a la importancia de este ultimo tipo de disparo9 se "a a dedicar un apartado completo a su estudio!

Act 8: Leccin evaluativa No. 2

En =JT se definen dos puntos cr&ticos: punto de pico o pea!-point ();9 >;) y punto de "alle o valle"-point ())9 >))9 am$os "erifican la condicin de: Su respuesta : d)EPd>EA, 4orrecto

ELECTRONICA BASICA
=sted se Ba autentificado como ;edro Li$ardo olar ( alir)

1%te e%t2 a3u4

4ampus ^ .,+3+T ^ 4uestionarios ^ #ct T: Dui% . ^ >ntento +

Act +: 5ui6 2
)a"a continua"7 8avaSc"i!t e'e e%ta" 9a'ilita o

+ ;untos: --P1 La figura nos muestra un JFET con polari%acin

eleccione una respuesta! a! ;olari%acin fi*a $! ;olari%acin por corriente de $ase c! ;olari%acin por di"isin de tensin d! ;olari%acin por tensin de $ase!
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. ;untos: --P1 Los MO FET de tipo decremental se caracteri%an por: eleccione al menos una respuesta! a! Tra$a*ar con "alores de )gs positi"os $! )alores de corriente para >d superiors a >dss c! Tra$a*ar con "alores de )gs exclusi"amente menores a ,) d! )alores de corriente exactamente iguales a >dss
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1 ;untos: --P1 La figura nos muestra un MO FET :! Due funcin tienen los diodosN NNNN

eleccione una respuesta! a! ;roteccin contra excesi"o corriente en g $! ;roteccin contra excesi"o "olta*e de salida en $ c! ;roteccin contra excesi"o "olta*e tanto en g y s d! ;roteccin contra excesi"o "olta*e de entrada
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3 ;untos: --P1 Las ecuaciones anal&ticas de los JFET y los MO FET son muy diferentes por(ue sus estructuras f&sica son muy diferentes eleccione una respuesta! a! i la #firmacin es Falsa9 pero la Ka%n es una proposicin "erdadera $! i la #firmacin y la Ka%n son )erdaderas y la Ka%n es una explicacin 4OKKE4T# de la afirmacin c! i la #firmacin y la Ka%n son "erdaderas9 pero la Ka%n :O es una explicacin 4OKKE4T# de la #firmacin! d! i la #firmacin es )erdadera9 pero la Ka%n es una proposicin F#L #!
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5 ;untos: --P1
Las diferencias $2sicas entre los transistores 0JT y JFET son:

eleccione una respuesta! a! El 0JT puede ser de tipo npn y el transistor JFET es de canal ; $! El 0JT es un dispositi"o controlado por corriente y el JFET es controlado por "olta*e! c! El 0JT es un dispositi"o $ipolar y el JFET es un dispositi"o unipolar d! El 0JT puede ser de tipo pnp y el transistor JFET es de canal :
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7 ;untos: --P1
La cur"a caracter&stica del FET define con precisin como funciona este dispositi"o! En ella distinguimos tres regiones o %onas importantes una de ellas es la Vona de aturacin9 en esta %ona a diferencia de los transistores $ipolares el FET:

eleccione una respuesta! a! )aria la tensin entre drenador y surtidor "aria la >8 permaneciendo constante )? ! $! La intensidad de 8renador es nula! c! e comporta como una resistencia cuyo "alor depende de la tensin )? ! d! #mplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin )? !

Enviar

;untos: --P1 La figura nos muestra el s&m$olo de

eleccione una respuesta! a! :MO FET $! :-JET c! ;-JET d! ;MO FET

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U ;untos: --P1 La ta$la nos muestra las polari%aciones recomendadas en un :MO 9 4ual polari%acin se de$e cam$iarN NMOS )? H , )8 R, >8 R, )T R , eleccione una respuesta! a! ;olari%acin >8 $! ;olari%acin )8 c! ;olari%acin )? d! ;olari%acin )T
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T ;untos: --P1

La ta$la nos muestra las polari%aciones recomendadas en un ;MO 9 4ual polari%acin se de$e cam$iarN )MOS )? R , )8 H, >8 H, )T H , eleccione una respuesta! a! ;olari%acin >8 $! ;olari%acin )T c! ;olari%acin )? d! ;olari%acin )8
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+, ;untos: --P1 Los FET_s se caracteri%an por ser dispositi"os: eleccione una respuesta! a! La corriente de entrada es del orden de los m# $! La relacin entre las cantidades de entrada y salida son lineales c! 4ontrolados por tensin y una impedancia de entrada muy ele"ada d! 4ontrolados por corriente y una impedancia de entrada muy ele"ada
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Tie#!o "e%tante

=sted se Ba autentificado como ;edro Li$ardo olar ( alir) .,+3+T

Act +: 5ui6 2 $evi%in el intento .

4omen%ado el: domingo9 1 de mayo de .,,T9 .+:+T 4ompletado el: domingo9 1 de mayo de .,,T9 .+:3T Tiempo empleado: 1, minutos . segundos 4omentario - 0ueno

'ontinuar

+ La figura nos muestra un JFET con polari%acin

eleccione una respuesta! a! ;olari%acin fi*a $! ;olari%acin por corriente de $ase c! ;olari%acin por di"isin de tensin 4orrecto d! ;olari%acin por tensin de $ase! . Los MO FET de tipo decremental se caracteri%an por: eleccione al menos una respuesta! a! Tra$a*ar con "alores de )gs positi"os $! )alores de corriente para >d superiors a >dss c! Tra$a*ar con "alores de )gs exclusi"amente menores a ,) i pero existe otra caracteristica i pero existe otra caracteristica

d! )alores de corriente exactamente iguales a >dss 1 La figura nos muestra un MO FET :! Due funcin tienen los diodosN NNNN eleccione una respuesta! a! ;roteccin contra excesi"o corriente en g $! ;roteccin contra excesi"o "olta*e de salida en $ c! ;roteccin contra excesi"o "olta*e tanto en g y s >ncorrecto d! ;roteccin contra excesi"o "olta*e de entrada 3 Las ecuaciones anal&ticas de los JFET y los MO FET son muy diferentes por(ue sus estructuras f&sica son muy diferentes eleccione una respuesta! a! i la #firmacin es Falsa9 pero la Ka%n es una proposicin "erdadera 4orrecto $! i la #firmacin y la Ka%n son )erdaderas y la Ka%n es una explicacin 4OKKE4T# de la afirmacin c! i la #firmacin y la Ka%n son "erdaderas9 pero la Ka%n :O es una explicacin 4OKKE4T# de la #firmacin! d! i la #firmacin es )erdadera9 pero la Ka%n es una proposicin F#L #! 5
Las diferencias $2sicas entre los transistores 0JT y JFET son:

eleccione una respuesta! a! El 0JT puede ser de tipo npn y el transistor JFET es de canal ; $! El 0JT es un dispositi"o controlado por corriente y el JFET es >ncorrecto controlado por "olta*e! c! El 0JT es un dispositi"o $ipolar y el JFET es un dispositi"o unipolar d! El 0JT puede ser de tipo pnp y el transistor JFET es de canal : 7
La cur"a caracter&stica del FET define con precisin como funciona este dispositi"o! En ella distinguimos tres regiones o %onas importantes una de ellas es la Vona de aturacin9 en esta %ona a diferencia de los transistores $ipolares el FET:

eleccione una respuesta! a! )aria la tensin entre drenador y surtidor "aria la >8 permaneciendo constante )? ! $! La intensidad de 8renador es nula! c! e comporta como una resistencia cuyo "alor depende de la tensin )? !

d! #mplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la 4orrecto tensin )? ! La figura nos muestra el s&m$olo de

eleccione una respuesta! a! :MO FET 4orrecto $! :-JET c! ;-JET d! ;MO FET U La ta$la nos muestra las polari%aciones recomendadas en un :MO 9 4ual polari%acin se de$e cam$iarN NMOS )? H , )8 R, >8 R, )T R , eleccione una respuesta! a! ;olari%acin >8 $! ;olari%acin )8 >ncorrecto c! ;olari%acin )? d! ;olari%acin )T T La ta$la nos muestra las polari%aciones recomendadas en un ;MO 9 4ual polari%acin se de$e cam$iarN )MOS

)? R , )8 H, >8 H, )T H , eleccione una respuesta! a! ;olari%acin >8 $! ;olari%acin )T c! ;olari%acin )? d! ;olari%acin )8 >ncorrecto +, Los FET_s se caracteri%an por ser dispositi"os: eleccione una respuesta! a! La corriente de entrada es del orden de los m# $! La relacin entre las cantidades de entrada y salida son lineales c! 4ontrolados por tensin y una impedancia de entrada muy ele"ada 4orrecto d! 4ontrolados por corriente y una impedancia de entrada muy ele"ada