CORPORACIN UNIVERSITARIA DE LA COSTA, CUC DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS FACULTAD DE INGENIERA

Identificacin de conductores no lineales: el diodo Jos olea, Martn Orozco, Pablo Suarez
Profesor armando yance 11/04/2012 Laboratorio de Fsica de Campos, Corporacin Universitaria de la Costa, Barranquilla.

Resumen Para determinar si un conductor Obedece la ley de ohm (conductor lineal o no lineal) se analizan los comportamientos y las medidas fsicas de un resistor y un diodo. Para todo esto utilizamos una fuente de poder, un voltmetro y un ampermetro. Luego de armar los circuitos y hacer las mediciones se pueden relacionar los datos de voltaje e intensidad y graficarlos. Se analizan las grficas, se determina que tipo de conductores son y que relacin tiene la resistencia con las grficas. Palabras claves Ley de ohm, conductor lineal, conductor no lineal, fuente de poder, intensidad de corriente, resistencia. Abstract To determine if a driver obeys Ohm's law (linear or nonlinear driver) analyzes the behavior and physical measurements of a resistor and a diode. For this we use a power source, a voltmeter and an ammeter. After assembling the circuits and make measurements can relate the voltage and current data and graphing. We analyze the graphs; determine what kind of drivers are and what relationship does the resistance to the graphs. Key words Ohm's Law, conductor linear, nonlinear driver, power supply, current, resistance 1. Introduccin Ya centrndose en la experiencia llevada a cabo en el laboratorio, se pretende obtener las curvas caractersticas de elementos elctricos lineales y no lineales y por medio de estas, utilizar mtodos grficos para determinar el valor de la resistencia el objetivo principal de esta experiencia es conocer los conductores lineales no lineales, principalmente el Diodo 2. Fundamentos tericos. Ley de ohm: La ley de Ohm relaciona el valor de la resistencia de un conductor con la intensidad de corriente que lo atraviesa y con la diferencia de potencial entre sus extremos. Postulando as que el flujo de corriente en amperios que circula por un circuito elctrico cerrado, es directamente proporcional a la tensin o voltaje aplicado, e inversamente proporcional a la resistencia en ohm de la carga que tiene conectada, siempre y cuando la 1 temperatura se mantenga constante.

I=V/R
Conductores elctricos: Un conductor elctrico es un material que en el momento en el cual se pone en contacto con un cuerpo cargado elctricamente, trasmite la electricidad a todos los 1 puntos de su superficie. Conductores lineales: los conductores lineales son aquellos que obedecen la ley de ohm, 1 tambin se puede llamar conductor hmico.

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Grafica conductor lineal

Conductores no lineales: son aquellos que no cumplen con la ley de ohm (Diodo)

Grafica conductor no lineal

Diodo: Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una 3 lmina como nodo, y un ctodo.

Tipos de diodo Diodos termoinicos y de estado gaseoso: Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin conocida como tubo de vaco), que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vaco. Los primeros modelos eran muy parecidos a 3 la lmpara incandescente. Diodo semiconductor: Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que

CORPORACIN UNIVERSITARIA DE LA COSTA, CUC DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS FACULTAD DE INGENIERA contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales 3 del diodo se unen a cada regin.

Tipos de diodos semiconductores Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de una parte 3 de carbn. Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el 3 cual limita el voltaje. Dopaje de materiales En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P. Materiales tipo N Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del 4 semiconductor original). Ej: dopaje silicio por fosforo

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Dopaje tipo N

Materiales tipo P Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo 4 que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Ej: dopaje silicio por Boro

Dopaje tipo P Voltaje de ruptura Cuando el valor del voltaje inverso aumenta a un valor determinado, llega un momento en el que el diodo conduce rpidamente y esta corriente puede destruir al diodo en poco tiempo, al valor de este voltaje 2 inverso se le conoce como voltaje de ruptura. 3. Desarrollo experimental

Primero se hace el montaje experimental para determinar el voltaje y la intesidad de corriente en el circuito con un conductor lineal. La comprobacin experimental de la ley de ohm: una fuente de poder cuya tensin de salida pueda graduarse, una resistencia que har las veces de conductor, un voltmetro, un ampermetro y cables de conexin

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Instrumentos de laboratorio

Luego se hace el Montaje experimental para determinar el voltaje y la intensidad de corriente en el circuito con un conductor no lineal.

Instrumentos de laboratorio

4. Clculos y anlisis de resultados A) calcular R () para cada pareja voltaje-corriente. Determine el promedio R
Voltaje Resistor(V) Voltaje diodo(V) I(A)Diod o directo Rcalc ()

0.445 1.482 2.455 3.359 4.330 5.340 6.41

0.553 0.609 0.635 0.653 0.666 0.677 0.684

0.001 0.003 0.005 0.007 0.009 0.011 0.013

445 494 491 479.8 481.1 485.4 493.0 7 491.3 494.1

7.37 8.40

0.692 0.698

0.015 0.017

CORPORACIN UNIVERSITARIA DE LA COSTA, CUC DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS FACULTAD DE INGENIERA 9.40 0.703 0.019 494.7

Promedio de R Rcalc = 484.947

B) graficar I vs V para la corriente y el voltaje en la resistencia. 10 8 I(A) 6 4 2 0 0 0.005 0.01 V(v) 0.015 0.02

Grafica1: lnea caracterstica de un conductor lineal C) graficar I vs V para la corriente y el voltaje en el diodo. Linealizar la curva y determinar la ecuacin de la grafica. 0.8 0.6 I(A) 0.4 0.2 0 0 0.01 V(v) 0.02 y = 0.0512ln(x) + 0.9069

Grafica 2: curva caracterstica de conductor no lineal Ecuacin de la grafica Y= 0.0512ln(x) + 0.9069 Anlisis: Para el elemento no lineal del circuito, se cumple que la corriente y el voltaje estn relacionados mediante la curva caracterstica I = f (V), por ejemplo, la correspondiente al diodo semiconductor.

CORPORACIN UNIVERSITARIA DE LA COSTA, CUC DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS FACULTAD DE INGENIERA 5. Conclusin: A travs de esta experiencia se comprob que la resistencia es un conductor lineal u hmico ya que obedece la ley de Ohm por lo que su resistencia permanece constante, ya que cuando el voltaje disminuye, la intensidad de corriente tambin lo hace, Adems tambin se corrobor de acuerdo a las medidas que el diodo no es un conductor lineal si no que es un semiconductor que permite el paso de la corriente en un solo sentido (conductor no lineal), por tanto no obedece la ley de Ohm, por el voltaje se mantiene constante, mientras que la intensidad de corriente disminuye. Ms si se emplea la relacin de R= V/I para hallar la resistencia.

6. Bibliografa 1. SERWAY, Raymond. Fsica. Tomo II. 4 edicin. Ed. Mc Graw Hill. Mxico. 2002. Pg. 773 2. fundamentos de electricidad vol. 4

http://books.google.com.co/books?id=wVeegKmP20C&pg=PA292&dq=voltaje+de+rupturas&hl=es&sa=X&ei=zBFT4qJEZObtwf3p_j5Bw&ved=0CGgQ6AEwCQ#v=onepage&q=voltaje%20de%20ruptura s&f=false

3) http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo 4) http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)