SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos: - Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila. - Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. - Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio. - Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.

Tipos de semiconductores:
Semiconductores intrnsecos: Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia.

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material.

 Semiconductor tipo N: Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones. Semiconductor tipo P: Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.

APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES:

APLICACIONES EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS:

Se han desarrollado muchos dispositivos electrnicos utilizando las propiedades de transporte de los semiconductores; el uso de semiconductores en la industria electrnica ha aumentado de forma importante. As, veremos algunas de las ms importantes: Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad depende de la temperatura para medir dicha temperatura. Tambin se usan en otros dispositivos, como en alarmas contra incendio. Transductores de presin: al aplicar presin a un semiconductor, los tomos son forzados a acercarse, el gap de energa se estrecha y la conductividad aumenta. Midiendo la conductividad, se puede conocer la presin que acta sobre ese material. Rectificadores (dispositivos de unin tipo p-n): se producen uniendo un semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una unin tipo p-n. Los electrones se concentran en la unin tipo n y los huecos en la unin p. El desequilibrio electrnico resultante crea un voltaje a travs de la unin. Transistores de unin bipolar: un transistor se puede usar como interruptor o como amplificador. El transistor de unin bipolar (BJT), se suele utilizar en unidades de procesamiento central de computadoras por su rpida respuesta a la conmutacin. Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para almacenar informacin en la memoria de los ordenadores. El transistor de efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de unin bipolar.

APLICACIONES PARA DIODOS DE UNION P-N. Diodos rectificadores: Uno de los usos ms importantes de estos diodos de unin p-n es convertir corriente alterna en corriente continua, lo que se conoce como rectificacin. Al aplicar una seal de corriente alterna a un diodo de unin p-n, este conducir slo cuando la regin p tenga aplicado un voltaje positivo con respecto a la regin n, por lo que se produce una rectificacin de media onda. Esta seal se suaviza con otros dispositivos y circuitos electrnicos, para dar una corriente continua estable.

Diodos de avalancha: Tambin se les llama diodos zener; son rectificadores de Si. En la polarizacin inversa se produce una pequea fuga de corriente, debido al movimiento de electrones y huecos trmicamente activados. Al hacerse demasiado grande la polarizacin inversa, cualquier portador que llegue a fugarse se acelerara lo suficiente para excitar a portadores de carga, causando una corriente elevada en direccin inversa. Debido a este fenmeno se pueden disear dispositivos limitadores de voltaje. Al dopar adecuadamente la unin p-n, se puede seleccionar el voltaje de avalancha o de ruptura. Al aumentar mucho el voltaje, por encima del de ruptura, fluir una corriente elevada a travs de la unin, as se evita que pase por el resto del circuito; por eso se utilizan para proteger circuitos contra voltajes accidentales.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR. Un transistor de unin bipolar es un apilamiento de materiales semiconductores en secuencia n-p-n-p-n-p. En el transistor se pueden distinguir tres zonas: Emisor: emite portadores de carga, como es de tipo n, emite electrones. Base: controla el flujo de los portadores de carga, es de tipo p. Esta se hace muy delgada (del orden de 10 -3 cm de espesor) y se dopa, de forma que solo una pequea fraccin de los portadores que viene del emisor se combinar con los portadores mayoritarios de la base con carga opuesta. Colector: recoge los portadores de carga provenientes del emisor; la zona del colector es del tipo n, recoge electrones.

FABRICACION DE SEMICONDUCTORES
Fabricacin de dispositivos semiconductores se ha extendido desde Texas y California en la dcada de 1960 para el resto del mundo, como Europa, Oriente Medio y Asia. Es una empresa global de hoy. Los principales fabricantes de semiconductores suelen tener instalaciones en todo el mundo. Intel, el mayor fabricante del mundo, cuenta con instalaciones en Europa y Asia, as como los de Estados Unidos Otros de los mejores fabricantes incluyen Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, STMicroelectronics, Analog Devices, Integrated Device Technology, Atmel, Freescale Semiconductor, Samsung, Texas

Instruments, IBM, GlobalFoundries, Toshiba, NEC Electronics, Infineon, Renesas, Fujitsu, NXP Semiconductors, Micron Technology, Hynix y SMIC. Obleas Una oblea tpica est hecho de silicio muy puro que se cultiva en lingotes cilndricos monocristalinos hasta 300 mm de dimetro utilizando el proceso Czochralski. Estos lingotes son luego cortados en obleas de aproximadamente 0,75 mm de espesor y pulido para obtener una su perficie muy regular y plana. Una vez que las obleas son preparados, muchos pasos de proceso son necesarios para producir el circuito integrado semiconductor deseado. En general, los pasos se pueden agrupar en dos partes principales:

Front-end de procesamiento en lnea Back-end de procesamiento en lnea

Tratamiento En fabricacin de dispositivos semiconductores, las diversas etapas de procesamiento se dividen en cuatro categoras generales: deposicin, eliminacin, patrones, y la modificacin de las propie dades elctricas.

La deposicin es cualquier proceso que crece, abrigos, o transfiera de otro modo un material sobre la oblea. Las tecnologas disponibles consisten de deposicin fsica de vapor, deposicin qumica de vapor, deposicin electroqumica, epitaxia de haces moleculares y, ms recientemente, la deposicin de capa atmica entre otros. Procesos de eliminacin son ninguno que eliminar el material de la oblea a granel o selectiva y consisten principalmente en procesos de grabado, ya sea grabado hmedo o grabado en seco. Planarizacin qumicomecnica es tambin un proceso de eliminacin utilizado entre los niveles. Patrones cubre la serie de procesos que dan forma a o alterar la forma existente de los materiales depositados y se denomina generalmente como la litografa. Por ejemplo, en la litografa convencional, la oblea se recubre con una sustancia qumica llamada una resina fotosensible. La resina fotosensible se expone por un paso a paso, una mquina que se centra, alinea, y se mueve la mscara, dejando al descubierto porciones selectas de la oblea a la luz de longitud de onda corta. Las regiones expuestas se eliminan por lavado por una solucin de revelador. Despus del grabado u otro procesamiento, la resina fotosensible restante se elimina por incineracin de plasma. Modificacin de las propiedades elctricas ha consistido histricamente de dopaje fuentes transistores y desages originalmente por hornos de difusin y ms tarde por la implantacin de iones. Estos procesos de dopaje son seguidos por horno de recocido o en dispositivos avanzados, por recocido trmico rpido, que sirven para activar los dopantes implantados. Modificacin de las propiedades elctricas ahora tambin se extiende a la reduccin de la constante en los materiales aislantes de baja k a travs de la exposicin a la luz ultravioleta en el procesamiento de UV dielctrica.

Los microprocesadores modernos tienen hasta once niveles de metales producidos en ms de 300 etapas de tratamiento secuenciado.