Ordenamiento de bytes: Los bytes de una palabra pueden enumerarse de izquierda a derecha o de derecha a izquierda.

Esto puede parecer irrelevante pero tiene grandes implicaciones. Es importante entender que en ambos sistemas, un numero entero de 32 bits se representa con los bits que hacen al nmero en si en los bits ms hacia la derecha (de orden inferior) de la palabra y ceros en los restantes bits hacia la izquierda. Si las computadoras solo almacenaran enteros no habra problemas pero muchas aplicaciones necesitan de una mezcla de enteros, cadena de caracteres y otro tipo de datos. Por ejemplo, en el caso de una cadena de caracteres: Al almacenar una se agrega uno o mas bytes 0 para que la mquina entienda que ah se termina la cadena. Hasta ah todo bien, el problema ocurre cuando se quiere mandar una cadena desde una mquina Big Endian (Ordena de izquierda a derecha) a una Little Endian (Inverso), donde la mquina receptora en lugar de recibir los bytes 0 al final de la cadena, los recibe al comienzo. Cdigos correctores de errores: La memoria de una computadora puede cometer errores debido a distintas causas. Para que esto no suceda, se utilizan cdigos de deteccin y correccin de errores. Para usar estos cdigos se agregan bits extras a cada palabra de memoria en una forma especial. Cuando se lee una palabra de memoria se verifican los bits adicionales para ver si ha ocurrido un error. Supongamos una palabra de memoria de m bits de datos a los que se le agregan r bits de control, siendo n la longitud total (n = r + m). Para referirse a la palabra de longitud total se usa el trmino palabra cdigo. Dadas dos palabras cdigos cualquiera, es posible determinar en cuantos bits difieren. El nmero de bits en el que difieren dos palabras cdigos se llama distancia de Hamming. Esto significa que si dos palabras estn separadas entre s por una distancia de hamming de d bits, se necesitarn d bits de control para convertir un cdigo en otro. Capacidad: Es la cantidad de informacin que se puede almacenar.

Formas de acceder a las posiciones de memoria: Introducir o leer informacin en una posicin de memoria se denomina acceso. No es necesario leer y escribir simultneamente todas las posiciones de una memoria, por esto existen distintas formas de acceso a una posicin de memoria. *Acceso Aleatorio (RAM), permanencia de la informacin: Escritura/lectura Pasiva, operacin de escritura: Pasivas, ROM Pasivas programables, PROM Pasivas reprogramables, EPROM *Memorias de acceso en serie: LIFO FIFO *Asociativas Memorias de acceso aleatorio (RAM = Random Access Memory) Aleatoriamente se puede seleccionar cualquier posicin de la memoria para escribir o leer, por lo que el tiempo de acceso es el mismo a cualquier posicin de la memoria sin depender de su ubicacin o situacin. La memoria se organiza en n bits, y la seleccin de la posicin donde se encuentra la informacin a la que se desea acceder se realiza mediante b bits en paralelo denominados bits de direccin. El nmero total de posiciones que se podra seleccionar entonces es m=2 a la b. Los bits almacenado se presentan en los terminales de entrada I subcero hasta I sub n-1. Para escribir una palabra en el registro, este debe direccionarse, la palabra debe presentarse en entrada y se deben activar los terminales WE y CS. En el proceso de lectura, la memoria lleva a los terminales de salida O subcero hasta O sub n-1, la palabra almacenada en el registro direccionado. Es decir, se presenta la direccin, habilitamos el CS y ponemos la entrada de WE en 1. Entonces WE=1 lee y WE=0 escribe.

Estructura de una RAM semiconductora: La estructura usa el conmutador controlado por lgica, cuando el nivel lgico de la lnea de control es 1, el conmutador se cierra y se establece la conexin, cuando el nivel lgico de la lnea es 0, el conmutador se abre. Los bits se almacenan en flip-flops elementales, es decir formados por dos inversores acoplados. Los bits de direccin A1 y A0 se aplican al decodificador. Cuando tenemos A1=1 y A0=0 la salida de la puerta 2 est en 1 lgico, mientras que todas las otras compuertas lgicas AND estn en 0, es decir solo se habilita la lectura o escritura de la palabra 2. O sea, la entrada de direccin A1 A0 = 10 direcciona a la palab ra 2 y slo la palabra 2. Memorias en paralelo: Puede pasar que el nmero de palabras de una pastilla o el nmero de bits por palabra no es el adecuado. Este problema se soluciona colocando las pastillas en paralelo. Para incrementar el nmero de bits por palabra, pero no el nmero de palabras, se conectan los bits de direccin de una pastilla con los de la otra pastilla, lo mismo con los terminales CS y WE. Tambin se puede incrementar el nmero de palabras. Igual que antes, se conectan los bits de direcciones, el WE y el CS, solo que esta vez, se conectaran tambin todos los bits de Entrada y salida, y el CS estara negado entre las 2 pastillas, actuando as como si fuera otro bit de direccin mas. Memorias Pasivas: Son aquellas en las que existe una gran diferencia entre el tiempo de lectura y escritura. Se clasifican en: Memorias totalmente pasivas, ROM: Son aquellas que nunca pueden ser escritas por quin las utiliza, solo las graba el fabricante. Memorias Pasivas Programables, PROM: Similares a las anteriores con la excepcin de que el usuario puede escribirlas una vez. Memorias Pasivas Reprogramables, EPROM: El usuario puede mediante un procedimiento especial modificar su contenido.

Memorias de acceso en serie: En estas memorias el tiempo para leer o escribir depende de la situacin fsica del interior de la memoria. Se clasifican en: Registros de desplazamiento: En este tipo, la orden externa de desplazamiento est constituida por los impulsos de un generador. Registros de desplazamiento estticos: Los impulsos pueden anularse por tiempo indefinido, la informacin queda almacenada en las diferentes posiciones de memoria a las que fue llevada por el ltimo impulso aplicado. Memorias FIFO Memorias LIFO Memorias asociativas: Estn caracterizadas porque se les suministra informacin para observar si la contiene en alguna de sus posiciones. Su almacenamiento puede estar organizado de dos formas fundamentales: Dividido en dos partes: Parte de la informacin que se compara con la que se ingresa, y la parte que da la respuesta cuando existe una coincidencia entre el primer campo y la info de entrada. Toda la informacin contenida en cada posicin de la memoria se compara con la informacin de entrada: La memoria da solamente como respuesta un bit cuyo estado indica si existe alguna info en el interior de la memoria que es idntica a la ingresada. Modos de direccionamiento: Son la forma en la que se indica como se debe tratar la direccin de un operando. Se transfiere la direccin procesada de la instruccin al registro de seleccin de la memoria para obtener la informacin deseada. El proceso que debe sufrir est especificado por el cdigo de operacin o por la configuracin binaria de una parte de la instruccin.