Predavanje I

II semestar (2+1+1) Nastavnik: Prof. dr Dragan Panti, kabinet 337 dragan.pantic@elfak.ni.ac.rs

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

Otpornici

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

Kondenzatori

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

Kalemovi

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

Transformatori

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

Diode

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

Tranzistori
NPN

PNP

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

Integrisana kola

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

10

Ostale komponente

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

11

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

12

Elektroenergetika

Osnovi elektronike Metrologija elektrinih veliina Osnovi elektronike Metrologija elektrinih veliina Poluprovodnike komponente

EEN
Elektronske komponente i mikrosistemi

EKM

Elektronske komponente
Fond: 2+2+1 ifra: OEZ2O04 Kredita: 6

Osnovi elektronike Elektronika i mikroprocesorska tehnika Signali i sistemi Elektrina i elektronska merenja

EMT
Raunarstvo i informatika

RI
Telekomunikacije

Digitalna elektronika

Osnovi elektronike Elektrina kola i signali

T
Upravljanje sistemima

Osnovi elektronike Metrologija elektrinih veliina

US
3/8/2014 Elektronske komponente - Uvod

13

Osnovne informacije o predmetu

Preduslovi

Prisustvo nastavi i vebama (raunskim i laboratorijskim) Elektronske komponente, Stojan Risti Predavanja Vebe Electronic Devices, Tomas Floyd, Pearson Education International
Elektronske komponente - Uvod 14

Literatura

3/8/2014

 Nastavni

plan predmeta

Pasivne komponente
Komponente sa izvodima i komponente za povrinsko montiranje (SMD). Komponente sa izvodima. Komponente za povrinsko montiranje. Kuita. Lemljenje komponenata. tampane ploe. Jednoslojne tampane ploe. Vieslojne tampane ploe. tampane ploe za povrinsku montau.

Pasivne komponente
Otpornici. Nenamotani otpornici stalne otpornosti. Namotani otpornici stalne otpornosti, Otpornici promenljive otpornosti. Otpornici sa nelinearnom promenom otpornosti. Pasivne komponente

Pasivne komponente
Kondenzatori. Kondenzatori stalne kapacitivnosti. Kondenzatori promenljive kapacitivnosti. Varikap diode.

Pasivne komponente
Kalemovi. Kalemovi bez jezgra. Kalemovi sa jezgrom. Transformatori i prigunice. Konstrukcija i proraun. Tipovi magnetnih jezgara. Mreni transformatori. Feritni transformatori. Prigunice.

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

15

 Nastavni

plan predmeta

Osnovne osobine poluprovodnika

Provodnici, izolatori, poluprovodnici. Elementarni poluprovodnici. Provodnost poluprovodnika. Osnovi PN spoja. Vrste i kretanje naelektrisanja kroz poluprovodnik. Proboj PN spoja.

Diode
Struktura diode. Direktna i inverzna polarizacija diode. Strujno-naponska karakteristika. Probojne karakteristike dode. Elektrini model diode. Tipovi dioda. Primena u elektrinim kolima.

Bipolarni tranzistor
Osnovna struktura i princip rada. Strujno-naponske karakteristike. Pojaanje tranzistora. Reimi rada bipolarnog tranzistora. Osnovni elektrini model bipolarnog tranzistora. Bipolarni tranzistor kao prekida i pojaava. Jednostavni primeri primene tranzistora.

MOS tranzistor
Osnovna struktura i princip rada. Vrste: n-kanalnog i p-kanalnog MOS tranzistor. Strujno-naponske karakteristike i reimi rada. Osnovni elektrini model. MOS tranzistor kao prekida i pojaava. Jednostavni primeri primene. CMOS invertor.

Osnovi optoelektronskih komponenta

Princip rada i fotodetekcija. Fotodetektori (fotodioda i fototranzistor), LED, laserske diode, solarne elije. Osnovne strukture i elektrine karakteristike. Jednostavni primeri primene.

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

16

3/8/2014

Elektronske komponente Optoelektronske komponente

17

 Polaganje

ispita

Kolokvijumi i testovi. Laboratorijske vebe. Deo ispita se realizuje preko domaih zadataka koji pokrivaju svaku od navedenih oblasti u nastavnom planu, kroz iju realizaciju studenti pokazuju sposobnost da samostalno upotrebe steeno znanje pri reavanju konkretnih problema iz ove oblasti. Redovno pohaanje nastave, aktivno uestvovanje u raunskim i laboratorijskim vebama.
Elektronske komponente - Uvod 18

3/8/2014

 Polaganje

ispita
Zavrni ispit 5 5 Pisani deo ispita Usmeni deo ispita 25 25

Ocena maksimalan broj poena je 100 Predispitne obaveze Aktivnost u toku predavanja Domai zadaci, testovi, ...

Laboratorijske vebe
Kolokvijum I Kolokvijum II

10
15 15

50 S
Ocena 10 od 95 100 poena 9 od 85 94 poena 8 od 75 84 poena 7 od 65 74 poena 6 od 55 64 poena

50

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

19

Uvod
Osnovni

cilj predmeta Elektronske komponente je upoznavanje studenata sa osnovnim karakteristikama pasivnih i aktivnih komponenata koje se najee koriste.
Elektronske komponente - Uvod 20

3/8/2014

Istorijski pregled
1874 godine, Ferdinand Braun, Nemaki naunik, otkrio je da kristali mogu provoditi stuju u jednom smeru pod odreenim uslovima. Ovaj fenomen je nazvan rectification.
Source: http://www.lucent.com/minds/transistor/ 3/8/2014 Elektronske komponente - Uvod 21

1895 godine, italijan Gugielmo Marconi prvi je primenio novu tehnologiju koju je pronaao i patentirao Nikola Tesla, radio signale. Ovo je praktino bio poetak wireless komunikacija. U radio prijemnicima su korieni kristalni detektori, kako bi se iz signala odvojili talasi koji nose informaciju.
3/8/2014

Source: http://www.lucent.com/minds/transistor/ 22

Elektronske komponente - Uvod

1904, John Ambrose Fleming, engleski fiziar, predstavlja prvu elektronsku cev, poznatu kao "Fleming Valve.

1906, Lee de Forest, ameriki naunik, dodaje treu elektrodu (called a grid) u elektronsku cev i na taj nain dobija novu komponentu TRIODU, koja se do otkria tranzistora koristi kao pojaava.
Source: http://www.lucent.com/minds/transistor/
3/8/2014 Elektronske komponente - Uvod 23

Vakuumska cev kao pojaava

Cevi danas imaju veoma vanu ulogu u mikrotalasnoj tehnologiji i audio tehnici.

Sources:

http://www.lucent.com/minds/transistor/

http://www.svetlana.com/docs/tubeworks.html
3/8/2014 Elektronske komponente - Uvod 24

Prvi kompjuter: Atanasoff Computer

Prvi kompjuter: ideja Atanasoff i njegov student Berry na Iowa State College kasnih 1930s a napravljen je tek poetkom 1940s.
Source: http://www.cs.iastate.edu/jva/books/mollenhoff/overview.shtml 3/8/2014 Elektronske komponente - Uvod 25

ENIAC: The Vacuum Tube Computer

1947
The University of Pennsylvania's ENIAC computer, due to its incorporation of thousands of vacuum tubes (18,000 vacuum tubes), filled several large rooms and consumed enough power to light ten homes. The vacuum tube's cathode required a good amount of heat in order to boil out electrons and often burned out. Also, the actual glass tube was fragile and bulky.

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

26

Istorijski pregled: 60 godina od otkria tranzistora

1880's - Edmond Becquerel, Ferdinand Braun i Michael Faraday su otkrili da pojedini materijali, koji su tek kasnije nazvani poluprovodnici, imaju veoma neobine i korisne karakteristike. 1936. - Mervin J. Kelly, direktor istraivanja u Bell Labs, okupio je solide-state fiziare i formirao istrazivaku grupu u Murray Hill, NJ. Septembar 1939. - Istraivai Jack Scaff i Henry Theurer iz Bell Labs, Holmdel, NJ, otkrivaju pozitivne (ptip) i negativne (n-tip) oblasti u silicijumu. 29. decembar 1939. - William Shockley, fiziar Bell Labs, ukazuje na mogunost razvoja pojaavaca koji bi koristio poluprovodniki materijal.

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

27

16. decembar 1947. - Nakon dodatnih podeavanja komponente koju je teko opisati, a koja se sastojala od germanijuma, zlatnih veza, izolatora i ica, uoeno je pojaanje ulaznog signala u poluprovodniku. Otkriven je point-contact tranzistor. 23. decembar 1947. - Eksperiment sa tranzistorom je demonstriran Bell Labs direktorima. Demostrirano je pojaanje zvunog signala uz pomoc mikrofona. Posle toga uloen je ogroman trud u istraivanje i razvoj, kako bi ovaj pronalazak postao praktian, pouzdan i dovoljno jeftin za masovniju proizvodnju. Era informatike je poela. Ovaj datum se uzima kao dan kada je pronadjen tranzistor.

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

28

Prvi tranzistor (1947.) i njegovi pronalazai:

William Shockley, John Bardeen i Walter Brattain

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

29

Prvi tranzistor
16.

decembar 1947. Bell Laboratories in Murray Hill, N.J. William Shockley, John Bardeen William Brattain

Prvi komercijalni tranzistor

Prvi komercijalni tranzistor TR Raytheon CK722, 1953 Ge-based pnp low power TR

Prvi Si tranzistorje napravio Gordon Teal Texas Instruments 1954

Source: http://www.lucent.com/minds/transistor/ 3/8/2014 Sources: http://roiconnect.com/transistor.htm http://www.pbs.org/transistor/science/events/silicont1.html 31

Elektronske komponente - Uvod

 1954.

- Texas Instruments (TI) proizvodi prvi komercijalni silicijumski tranzistor. 1956. - John Bardeen, Walter Brattain i William Shockley dobijaju Nobelovu nagradu za oblast fizike za svoj rad na otkriu tranzistora. 1958. - Prvo integrisano kolo (IC) koje je demonstrirao njegov pronalazac Jack Kilby.
3/8/2014 Elektronske komponente - Uvod 32

Prvi komercijalni bipolarni tranzistor

1954, Texas Instruments,

1958. Texas Instruments (11.1 mm x 1.58mm) Jack Kilby Nobelova nagrada za fiziku 2000. godine
3/8/2014 Elektronske komponente - Uvod 34

IC (1960) i IC (2000)

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

35

Prvi Intel mikroprocesor 4004, 1971. godina (2250 tranzistora)

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

36

Intel, 2009. godina (45nm)

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

37

Intel Quad-Core Processor

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

38

Seiko Epson prvi fleksibilni 8-bit asinfroni mikroprocesor (low-temperature polysilicon thin-film transistors (LTPS-TFTs)) na plastinom supstratu (2005.)

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

39

Flexible IC

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

40

Chip sa grafenom (2014)

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

41

Nanocomputing

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

42

Moors law za IC
- eksponencijalni rast u proteklih 40 godina - duplira se broj tranzistora za 18 meseci

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

44

# of devices
Prethodne generacije 16 Mb DRAM Poslednja generacija 16 Mb DRAM

Spajalica i 16 Mb DRAM

SSI (Small scale IC) MSI (Medium scale IC) LSI (Large scale IC) VLSI (Very Large scale IC) ULSI (Ultra Large scale IC) GSI (Giga scale integration) RLSI (Ridiculously Large scale IC) ?

1 ~ 100 102 ~ 103 103 ~ 105 105 ~ 106 106 ~ 109 109 ~ Next to GSI
45

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

Tenoloki roadmap
1997
DRAM (half-pitch) 0.25 MPU (gate length) DRAMs Samples 0.20

1999
0.18 0.14

2001
0.15 0.12 -------

2003
0.13 0.10 4-Gbit

2006
0.10 0.07 16-Gbit

2009
0.07 0.05 64-Gbit

2012
0.05 0.035 256-Gbit

256-Mbit 1-Gbit

Logic transistors/cm MPUs ASICs 3.7 M 8M 6.2 M 14 M 10 M 16 M 18 M 24 M 39 M 40 M 84 M 64 M 180 M 100 M

Voltage (V)
Wafer size (mm)

1.8-2.5
200 (8)

1.5-1.8

1.2-1.5

1.2-1.5
300

0.9-1.2
300

0.6-0.9

0.5-0.6

300 (12) 300

450 (18) 450

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

46

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

47

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

48

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

49

MEMS komponente

Nano manipulation

PCB
m cm

ip mm TR on IC m

Nanotube FET nm

Zrno peska ~ 1 mm ovek ~2m

Oko mrava ~ 5 m DNA: ~ nm Bacteria: ~ 0.1 m Atom: ~

50

Kosa ~ Mrav ~ 5mm 100 m

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

51

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

52

Zato silicijum?

Prvi materijal koji je korien u poluprovodnikoj industriji je bio germanijum (Ge). Zato Si?

irina zabranene zone i radna temperatura

Si (1.12 ev), Ge (0.66 eV)

Si do ~ 150 C a Ge do ~ 100 C.

Lake formiranje pasivizacionog sloja

GeO2 teko se formira, rastvorljiv u vodi i disocira na 800 C. SiO2 lako se formira i hemijski je stabilan

Cena
Si ima dosta i jeftiniji je (~ 10 puta jeftiniji od Ge)

Si inenice

Ime je dobio od latinske rei silex ili silicis to znai kvarc (flint)
Si je 2nd najzastupljeniji element (25.7% ukupne teine) (1st je kiseonik)
Elektronske komponente - Uvod 53

3/8/2014

istoa Device-Grade Si wafer

99.9999999 % (jedanaest devetki) 1mg eera u olimpijskom bazenu jedna loptica za tenis u nizu loptica za stoni tenis od Zemlje do Meseca

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

54

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

55

Moore-ov zakon drugi pogled

trenutno se u svetu godinje proizvede 1018 tranzistora, to je dovoljno da svaki mrav na planeti opremi sa 10 tranzistora. Ako se sledeih 20 godina zadri ovakav trend, na planeti e biti vie tranzistora nego to ima elija u svim ljudskim organizmima na Zemlji.

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

56

NMOS i PMOS tranzostori. CMOS tehnoloki niz ima 16 foto postupaka, i vie od 100 procesnih koraka.

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

57

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

58

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

59

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

60

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

61

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

62

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

63

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

64

Optoelektronske komponente

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

65

3/8/2014

Elektronske komponente - Uvod

66