UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA

INFORME FINAL 1

RECTIFICADORES Y FILTROS
PROFESOR: Ing. Eloy Morales San Miguel. INTEGRANTES: Pacheco Palacn John Helver CDIGO: 11190252

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EL TRANSITOR
En la seccin diodos vimos la unin de dos cristales, P y N, debidamente dopados. Ahora vamos a investigar que ocurre, desde el punto de vista elctrico, si unimos dos diodos entre si, es decir si unimos un conjunto P-N con otro N-P, dorso contra dorso; o bien si unimos un N-P con otro P-N, en las mismas condiciones. Debido a que las dos secciones centrales poseen el mismo dopado, se confunden entre si, de modo que nos queda una unin real que equivale, en el primer caso, a PN-P y en el segundo a N-P-N. En 1949, alguien realizando pruebas (estas pruebas se realizarn en artculos especiales) se dio cuenta de que se hallaba ante un nuevo dispositivo semiconductor de enormes posibilidades, y lo bautiz con el nombre de transistor sacado de transfer resistor (resistencia de transferencia, en ingls) porque el transistor ofrece una resistencia variable.

Teora del Transistor

A vista de esa prueba realizada este dispositivo ha de tener tres electrodos o bornes, uno por cada uno de los cristales de que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el primero de los tres, se distingue con el nombre de emisor; el cristal del centro como base, y al cristal de salida de la corriente, colector. Entonces, en un transistor de tipo NPN, la primera N ser el emisor, P ser la base, y la otra N, el colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y C respectivamente. Para comprender bien el funcionamiento del transistor debemos recordar la teora atmica, donde el cristal N es un cristal que tiene exceso de electrones, y el cristal P, es un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo un transistor de tipo NPN, siguiendo la imagen en la que una fuente de alimentacin (B) provee de corriente al emisor, conectado al polo negativo en el cristal N, negativo tambin. En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el cristal P de base, que impiden el paso de la corriente. La base est llena de huecos que pasan a ser ocupados por los electrones ms prximos de los cristales contiguos, formndose estas barreras de tomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una muy dbil corriente de fuga de escassimo valor). Pero si se polariza la fuente del mismo signo que ella, es decir, con una tensin positiva respecto al emisor, lo que se llama en sentido contrario, la barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo aplicado a la base repele los huecos hacia

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los cristales N y penetran en la zona de resistencia. Los electrones libres del emisor la atraviesan siendo atrados por los potenciales positivos de la base y del colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho ms elevado que el de la base, los electrones se sentirn ms atrados por el primero, por lo que se obtendr una elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequea corriente de base (IB). La corriente del emisor (IE) ser por tanto igual a la suma de la corriente de colector y la corriente de base, tal como se deduce de las leyes de Kirchhoff. Es decir: IE = IC + IB De esto se deduce que la corriente que sale por el colector no va incrementada con la corriente de base. De hecho, la corriente que pasa por emisor y que se designa IE se compone de la corriente de la base y del colector que luego circularn en diferente sentido. En la imagen vemos un esquema de circuito elemental de un transistor en el que se designa tambin el nombre de las tensiones (V). As tenemos que VBE es la tensin base-emisor, VCE es la tensin colector-emisor. Como puede verse, en el emisor las corrientes de base colector se suman, tal como dice la ley de Kirchhoff.

Funcionamiento del Transistor

Para interpretar los esquemas es muy importante saber con detalle el funcionamiento del transistor. Para ello es conveniente ver como se comporta de acuerdo con la corriente de base, que es la principal particularidad de este dispositivo electrnico. Lo analizaremos mejor por medio de imgenes. En la imagen seguimos con un transistor de tipo NPN, pero sera lo mismo hacer la prueba con el otro tipo de transistor, el PNP, pero habra que hacerlo con las conexiones invertidas para ese caso. En esa imagen va sernos de gran utilidad el potencimetro (P) que se aprecia en la parte baja y tambin el miliampermetro (A) que nos indicar el valor de la corriente que circular por el colector. Aseguramos de que hemos hecho bien las conexiones, es decir, el negativo de la batera al cristal N emisor, el positivo al colector; y en lo que respecta a la base con su conexin positiva por ser cristal P. En esa imagen que vimos tenemos el

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potencimetro a cero, de modo que su alta resistencia impide el paso de la corriente a la base y el transistor no conduce corriente. Cuando accionamos el cursor del potencimetro y disminuimos la resistencia del circuito, como se ve en la siguiente imagen; dando paso a una intensidad de corriente (IB) de, por ejemplo 0,1 mA, la corriente pasa a alimentar la base y observamos que el miliampermetro conectado en serie con el colector mueve su aguja y causa un paso de corriente de 10 mA. Si accionamos el potencimetro de modo que pase la mxima corriente posible, la aguja del miliampermetro tambin delata el aumento del paso de corriente de colector. Entonces deducimos que la corriente de base, cuanto ms intensa es, ms intensa permite que sea la corriente del colector. De ah sacamos una importante caracterstica del transistor, y es que se puede regular la corriente de paso por el mismo, por el hecho de establecer una determinada corriente de base. En el ejemplo anterior vimos que con una corriente de 0,1 mA puede controlarse otra corriente de 10 mA, es decir, una corriente 10/0,1 = 100 veces superior. Otra condicin de la mayor importancia para conocer para conocer el funcionamiento del transistor son las siguientes reglas que hemos de considerar siempre cuando se trata de interpretar su funcionamiento. En estos casos: - Al emisor deber aplicrsele una polaridad del mismo signo que el cristal que los constituye. Si el cristal es del tipo P se le deber aplicar polaridad positiva; y si es del tipo N se le deber aplicar polaridad negativa. - A la base se le aplicar igualmente una polaridad del mismo signo que el cristal que lo constituye. Si es un cristal N se le aplicar polaridad negativa; y si es un cristal P deber ser positiva. - Al colector se le aplicar una polaridad opuesta al cristal que lo constituye. Si es un cristal P se le deber aplicar la polaridad negativa; y si es de cristal N deber aplicrsele la polaridad positiva. Estas condiciones hay que tenerlas muy en cuenta cada vez que tenga que conectar un transistor en un circuito.

Funciones principales del Transistor

Con todo lo dicho hasta aqu ya tenemos una idea general del funcionamiento de este dispositivo. Ahora hemos de ver para qu sirve, que es el objetivo de este estudio electrnico. A continuacin pondremos una lista de funciones de transistores, y luego veremos una de ellas a fondo, la que se considera de mayor importancia en este campo.

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Funciones o tipos: - Amplificadores. - Interruptores o rels. - Unipolares (JFET y MOSFET), se utilizan en circuitos integrados. - Darlington El tipo o funcin del transistor que vamos a destacar (por el momento) ser como amplificador, hay que aclarar que es eso de amplificar en electrnica, por lo cual lo definiremos. Podramos decir que amplificar es incrementar una magnitud, y que amplificacin es, por lo tanto, el proceso de incrementar la intensidad de una seal. Un amplificador es un dispositivo en el que una dbil corriente producida por una fuente provoca una fuerte corriente en otra fuente. Una amplificacin es un aumento de magnitud y no, un aumento de energa; es decir, no es que de un amplificador salga ms de lo que entra y por lo tanto haya una creacin de algo; lo que ocurre es que sale agrandado, es decir, amplificado. Para mayor claridad pasemos a definir bien lo que se define por 'aumento de magnitud'. Si dividimos la corriente, la tensin o la potencia de salida por el valor correspondiente de entrada nos quedar un resultado que es lo que se llama 'ganancia' del amplificador en trminos electrnicos. Una potencia de salida de, por ejemplo, 1 W que resulta de una potencia de entrada de 1 mW significar una ganancia del amplificador de 1000 W (1/0,001= 1000).

Cdigo de designacin de los Transistores

Existen tres cdigos distintos de designacin de los transistores: el americano, el europeo antiguo, y el europeo actual. Veamos a cada uno de ellos individualmente. Nomenclatura americana: En la nomenclatura americana los transistores, sea cual sea la aplicacin, se designan con el prefijo 2N (dos uniones) seguido de un nmero que corresponde a un modelo dado y que es facilitado por el fabricante. Nomenclatura europea antigua: En la nomenclatura europea antigua se utilizaban dos o tres letras seguidas de un nmero que designa un tipo o modelo en particular, pero que no aclaraban sus caractersticas generales. La primera letra siempre es una O, indicativa de que era un elemento semiconductor. La segunda letra es una A para los transistores.

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Nomenclatura europea moderna: Esta nomenclatura es bastante ms acertada que las anteriores, pues no solo permite identificar un determinado tipo de semiconductor, sino que, adems, mediante ella se deducen parte de sus caractersticas. Consta de dos letras seguidas de un nmero de serie. La primera letra distingue el material del semiconductor empleado. La segunda letra indica la aplicacin principal o aplicacin y construccin en el caso de que se prefiera una mayor diferenciacin. El nmero de serie est formado por tres cifras para los dispositivos semiconductores diseados para aplicacin en aparatos de uso domstico, o por una letra y dos cifras para los dispositivos semiconductores diseados para equipos profesionales. A continuacin dispondremos de una tabla con el cdigo europeo moderno de designacin de los transistores:

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