Fototransistor

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: 1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn). 2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminacin). 3. Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar. En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente. Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos pi-n. Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin. Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un transistor comn un fotodiodo, conectando en el colector del transistor el catodo del fotodiodo y el nodo a la base. Materiales utilizados en la construccin de un fotodiodo para su utilizacin Es difcil definir las caractersticas de los materiales que se usan para hacer un fotodiodo, ya que solo fotones con suficiente energa como para excitar a los electrones producirn una fotocorriente significante. Este contenido tambin es accesible desde la pgina sobre el fotodiodo. Los fotodiodos pueden ser de silicio, germanio, arseniuro de galio o sulfuro de plomo II (Comentario aadido por Vctor Valenciano para el modulo de Tcnicas de programacin.).

Material Silicio Germanio

Longitud de onda del espectro electromagntico rango (nm) 1901100 4001700

Arseniuro de galio ind 8002600 Sulfuro de plomo (II) Referencias <10003500

Celula fotoelctrica
Una clula fotoelctrica, tambin llamada clula, fotoclula o clula fotovoltaica, es un dispositivo electrnico que permite transformar la energa luminosa (fotones) en energa elctrica (flujo de electrones libres) mediante el efecto fotoelctrico, generando energa solar fotovoltaica. Compuesto de un material que presenta efecto fotoelctrico: absorben fotones de luz y emiten electrones. Cuando estos electrones libres son capturados, el resultado es una corriente elctrica que puede ser utilizada como electricidad. La eficiencia de conversin media obtenida por las clulas disponibles comercialmente (producidas a partir de silicio monocristalino) est alrededor del 14%, pero segn la tecnologa utilizada vara desde el 6% de las clulas de silicio amorfo hasta el 14-22% de las clulas de silicio monocristalino. Tambin existen Las clulas multicapa, normalmente de arseniuro de galio, que alcanzan eficiencias del 30%. En laboratorio se ha superado el 43% con nuevos paneles experimentales.1 La vida til media a mximo rendimiento se sita en torno a los 25 aos, perodo a partir del cual la potencia entregada disminuye por debajo de un valor considerable. Al grupo de clulas fotoelctricas para energa solar se le conoce como panel fotovoltaico. Los paneles fotovoltaicos consisten en una red de clulas solares conectadas como circuito en serie para aumentar la tensin de salida hasta el valor deseado (usualmente se utilizan 12V 24V) a la vez que se conectan varias redes como circuito paralelo para aumentar la corriente elctrica que es capaz de proporcionar el dispositivo.

El tipo de corriente elctrica que proporcionan es corriente continua, por lo que si necesitamos corriente alterna o aumentar su tensin, tendremos que aadir un inversor y/o un convertidor de potencia En un semiconductor expuesto a la luz, un fotn de energa arranca un electrn, creando al pasar un hueco. Normalmente, el electrn encuentra rpidamente un hueco para volver a llenarlo, y la energa proporcionada por el fotn, pues, se disipa. El principio de una clula fotovoltaica es obligar a los electrones y a los huecos a avanzar hacia el lado opuesto del material en lugar de simplemente recombinarse en l: as, se producir una diferencia de potencial y por lo tanto tensin entre las dos partes del material, como ocurre en una pila. Para ello, se crea un campo elctrico permanente, a travs de una unin pn, entre dos capas dopadas respectivamente, p y n:

La capa superior de la celda se compone de silicio dopado de tipo n.2 En esta capa, hay un nmero de electrones libres mayor que una capa de silicio puro, de ah el nombre del dopaje n, como carga negativa (electrones). El material permanece elctricamente neutro: es la red cristalina quien tiene globalmente una carga negativa. La capa inferior de la celda se compone de silicio dopado de tipo p.3 Esta capa tiene por lo tanto una cantidad media de electrones libres menor que una capa de silicio puro, los electrones estn ligados a la red cristalina que, en consecuencia, est cargada positivamente. La conduccin elctrica est asegurada por los huecos, positivos (p).

En el momento de la creacin de la unin pn, los electrones libres de la capa n entran en la capa p y se recombinan con los huecos en la regin p. Existir as durante toda la vida de la unin, una carga positiva en la regin n a lo largo de la unin (porque faltan electrones) y una carga negativa en la regin en p a lo largo de la unin (porque los huecos han desaparecido); el conjunto forma la Zona de Carga de Espacio (ZCE) y existe un campo elctrico entre las dos, de n hacia p. Este campo elctrico hace de la ZCE un diodo, que solo permite el flujo de corriente en una direccin: los electrones pueden moverse de la regin p a la n, pero no en la direccin opuesta y por el contrario los huecos no pasan ms que de n hacia p. En funcionamiento, cuando un fotn arranca un electrn a la matriz, creando un electrn libre y un hueco, bajo el efecto de este campo elctrico cada uno va en direccin opuesta: los electrones se acumulan en la regin n (para convertirse en polo negativo), mientras que los huecos se acumulan en la regin dopada p (que se convierte en el polo positivo). Este fenmeno es ms eficaz en la (ZCE), donde casi no hay portadores de carga (electrones o huecos), ya que son anulados, o en la cercana inmediata a la (ZCE): cuando un fotn crea un par electrn-hueco, se separaron y es improbable que encuentren a su opuesto, pero si la creacin tiene lugar en un sitio ms alejado de la unin, el electrn (convertido en hueco)

mantiene una gran oportunidad para recombinarse antes de llegar a la zona n (resp. la zona p). Pero la ZCE es necesariamente muy delgada, as que no es til dar un gran espesor a la clula.4 En suma, una clula fotovoltaica es el equivalente de un Generador de Energa a la que hemos aadido un diodo. Es preciso aadir contactos elctricos (que permitan pasar la luz: en la prctica, mediante un contacto de rejilla, una capa antireflectante para garantizar la correcta absorcin de fotones, etc. Para que la clula funcione, y produzca la potencia mxima de corriente se le aade la banda prohibida de los semiconductores a nivel de energa de los fotones. Es posible aumentar las uniones a fin de explotar al mximo el espectro de energa de los fotones, lo que produce las clulas multijuntas.

Sensor CCD

Un charge-coupled device oCCD (en espaol dispositivo de carga acoplada) es uncircuito integrado que contiene un nmero determinado de condensadores enlazados o acoplados. Bajo el control de un circuito interno, cada condensador puede transferir su carga elctrica a uno o a varios de los condensadores que estn a su lado en el circuito impreso. La alternativa digital a los CCD son los dispositivos CMOS(complementary metal oxide semiconductor) utilizados en algunas cmaras digitales y en numerosas cmaras web. En la actualidad los CCD son mucho ms populares en aplicaciones profesionales y en cmaras digitales. Los primeros dispositivos CCD fueron inventados por Willard Boyle y George Smith el 17 de octubre de 1969 en los Laboratorios Bell, ambos premiados con el Premio Nobel de Fsica de 2009 precisamente por este invento.

Los detectores CCD, al igual que las clulas fotovoltaicas, se basan en el efecto fotoelctrico, la conversin espontnea de luz recibida en corriente elctrica que ocurre en algunos materiales. La sensibilidad del detector CCD depende de la eficiencia cuntica del chip, la cantidad de fotones que deben incidir sobre cada detector para producir una corriente elctrica. El nmero de electrones producido es proporcional a la cantidad de luz recibida (a diferencia de la fotografa convencional sobre negativo fotoqumico). Al final de la exposicin los electrones producidos son transferidos de cada detector individual (fotosite) por una variacin cclica de un potencial elctrico aplicada sobre bandas de semiconductores horizontales y aisladas entre s por una capa de SiO2. De este modo, el CCD se lee lnea a lnea, aunque existen numerosos diseos diferentes de detectores.

En todos los CCD el ruido electrnico aumenta fuertemente con la temperatura y suele doblarse cada 6 u 8 C. En aplicaciones astronmicas de la fotografa CCD es necesario refrigerar los detectores para poder utilizarlos durante largos tiempos de exposicin. Histricamente la fotografa CCD tuvo un gran empuje en el campo de laastronoma donde sustituy a la fotografa convencional a partir de los aos 80. La sensibilidad de un CCD tpico puede alcanzar hasta un 70% comparada con la sensibilidad tpica de pelculas fotogrficas en torno al 2%. Por esta razn, y por la facilidad con la que la imagen puede corregirse de defectos por medios informticos, la fotografa digital sustituy rpidamente a la fotografa convencional en casi todos los campos de la astronoma. Una desventaja importante de las cmaras CCD frente a la pelcula convencional es la reducida rea de los CCD, lo que impide tomar fotografas de gran campo comparable a algunas tomadas con pelcula clsica. Los observatorios astronmicos profesionales suelen utilizar cmaras de 16 bits, que trabajan en blanco y negro. Las imgenes en color se obtienen tras el procesamiento informtico de imgenes del mismo campo tomadas con diferentes filtros en varias longitudes de onda. Las imgenes obtenidas por una cmara CCD son sometidas a un proceso de correccin que consiste en restar de la imagen obtenida la seal producida espontneamente por el chip por excitacin trmica (campo oscuro) y dividir por una imagen de un campo homogneo (campo plano o flat field) que permite corregir las diferencias de sensibilidad en diferentes regiones del CCD y corregir parcialmente defectos pticos en la cmara o las lentes del instrumento utilizado. El primer artculo astronmico sobre el uso de la CCD fue el titulado Astronomical imaging applications for CCDs, de B. A. Smith, publicado en JPL Conf. on ChargeCoupled Device Technol. and Appls. pginas 135 a 138 (1976). Una mayor difusin obtuvo CCD Surface Photometry of Edge-On Spiral Galaxies, aparecido en el "Bulletin of the American Astronomical Society", Vol. 8, p. 350 de ese mismo ao.

Sensor CMOS
Un Active Pixel Sensor (APS) es un sensor que detecta la luz basado en tecnologa CMOS y por ello ms conocido como Sensor CMOS. Gracias a la tecnologa CMOS es posible integrar ms funciones en un chip sensor, como por ejemplo control de luminosidad, corrector de contraste, o un conversor analgico-digital. El APS, al igual que el sensor CCD, se basa en el efecto fotoelctrico. Est formado por numerosos fotositos, uno para cada pxel, que producen una corriente

elctrica que vara en funcin de la intensidad de luz recibida. En el CMOS, a diferencia del CCD se incorpora un amplificador de la seal elctrica en cada fotosito y es comn incluir el conversor digital en el propio chip. En un CCD se tiene que enviar la seal elctrica producida por cada fotosito al exterior y desde all se amplifica a la computadora. La ventaja es que la electrnica puede leer directamente la seal de cada pxel con lo que se soluciona el problema conocido como blooming, por el que la recepcin de una gran intensidad lumnica en un punto influye en los pxeles adyacentes (un brillo fuerte produce lneas blancas en la imagen). La desventaja es que entre los receptores de luz (fotositos) se encuentra mucha electrnica que no es sensible a la luz, lo que implica que no pueda captar tanta luz en una misma superficie del chip. La solucin al problema vino no slo por una mayor densidad de integracin, por lo que la electrnica no sensible se reduca en tamao, sino por la aplicacin de microlentes que a modo de lupa concentran la luz de cada celda en su fotosito.

Filtro Bayer utilizado en numerosascmaras digitales. Contiene un filtro para recoger solo la luz roja, otros para la verde y otros para el azul. En comparacin otros sensores Segn los fabricantes de CCDs, los sensores CMOS tienen un elevado ruido de patrn fijo (FPN, en ingls, ruido que no varia con el tiempo y que se ve como un fondo fijo en la imagen) pero sus defensores indican que tienen un bajo consumo de energa (lo cual redunda en una mayor autonoma de la cmara). Al parecer, el 'ruido' mencionado se debe a que los sensores CMOS convencionales tienen un amplificador por separado en cada pxel y estos amplificadores normalmente no sern uniformes por todo el chip y la desigualdad residual ser la que genere el ruido. Por el contrario, todos los pxeles de un CCD se activan a travs de una etapa comn del amplificador, de modo que se evita este problema. Por otro lado, los fabricantes de CMOS argumentan que los sensores CCD necesitan una electrnica externa compleja que eleva el coste. En la prctica, es posible encontrar implementaciones de alta calidad de ambas tecnologas. Finalmente, se achaca a los sensores CMOS una escasa sensibilidad a la luz ultravioleta e infrarroja.

Las ventajas y desventajas dependen en parte de cada dispositivo puesto que es posible encontrar sensores CCD con caractersticas similares a los CMOS y viceversa. Sin embargo, es posible listar las caractersticas tpicas como siguen: Ventajas Consumo elctrico muy inferior Econmico (necesita pocos componentes externos) Lectura simultnea de mayor nmero de pixeles El conversor digital puede estar integrado en el mismo chip Escaso Blooming ("Smear") o inexistente Mayor flexibilidad en la lectura (Previsualizacin ms rpida, vdeo,...) Los pixeles pueden ser expuestos y ledos simultneamente Otras topologas posibles (el sensor SuperCCD de Fujifilm emplea una construccin en forma de panel (octogonal) para los pxeles) Distintos tipos de pxeles (segn tamao y sensibilidad) combinables Muy alta frecuencia de imagen en comparacin a un CCD del mismo tamao Desventajas

Menor superficie receptora de la luz por pxel Menor uniformidad de los pxeles (mayor ruido de patrn fijo-FPN) Efecto "jelly" o inestabilidad en la imagen con movimientos rpidos o flashes debido (se tuerce el video) al tipo de obturacion giratoria que utiliza.

Tiene un chip A6 Aplicaciones Debido a su bajo coste, el APS comenz a emplearse masivamente en webcams y en las cmaras de los telfonos mviles. Sin embargo, hoy da tambin se utiliza en cmaras DSLR de Canon, Nikon, Pentax Sony y Sigma, pues no slo superan en luminosidad a los sensores CCD, sino que tambin producen menos ruido. En el campo de las videocmaras siguen usndose en 2005 sensores CCD, con la excepcin de las cmaras de alta definicin Sony HDR-HC1, HDR-HC3 y la Sony FX7 (que utiliza 3 sensores CMOS). Tambin se emplea el APS en cmaras industriales.