INDICE

INDICE................................................................................................................................1 1. Transistor de unin bipolar..............................................................................................2 1.2. Transistor de unin bipolar.......................................................................................2 1.3. Estructura..................................................................................................................3 1.3. Funcionamiento.........................................................................................................4 1.4. Control de tensin, carga corriente........................................................................! 1.!. El "l#a $eta del transistor......................................................................................! 1.%. Tipos de Transistor de &nin $ipolar.......................................................................! 1.%.1. N'N....................................................................................................................! 1.%.2. 'N'....................................................................................................................% 1.(. Transistor $ipolar de )eterounin............................................................................( 1.*. +egiones operati,as del transistor............................................................................( 1.-. )istoria......................................................................................................................* 1.-. Teor.a /odelos /atem0ticos................................................................................* 1.-.1. /odelos para se1ales #uertes.............................................................................* 1.-.1.1. El modelo Ebers2/oll.................................................................................* 1.-.2. /odelos para se1ales d3biles...........................................................................14 1.-.2.1. /odelo de par0metro 5.............................................................................14 2. Transistor uniunin........................................................................................................12 3. Transistor I6$T.............................................................................................................13 3.1. Caracter.sticas.........................................................................................................13 4. /78FET........................................................................................................................1! 4.1. )istoria...................................................................................................................1! 4.2. Funcionamiento.......................................................................................................1% 4.3. /odelos matem0ticos.............................................................................................1( 4.4. "plicaciones............................................................................................................1( 4.!. 9enta:as...................................................................................................................1( !. Transistor Darlington.....................................................................................................1!.1. Comportamiento.....................................................................................................1-

1. Transistor de unin bipolar

1.2. Transistor de unin bipolar.

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. ambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa L o !"#$%&. 'n transistor de unin bipolar est( )ormado por dos 'niones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrec*a. +e esta manera quedan )ormadas tres regiones, Emisor, que se di)erencia de las otras dos por estar )uertemente dopada, comport(ndose como un metal. &u nombre se debe a que esta terminal )unciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrec*a, que separa el emisor del colector. Colector, de e-tensin muc*o mayor.

La tcnica de )abricacin m(s com.n es la deposicin epita-ial. En su )uncionamiento normal, la unin base/emisor est( polari0ada en directa, mientras que la base/colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, *ay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin, estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

1.3. Estructura

'n transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas, la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. #ada regin del semiconductor est( conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (!) o colector (#), seg.n corresponda.

#orte transversal simpli)icado de un transistor de unin bipolar NPN. +onde se puede apreciar como la unin base/colector es muc*o m(s amplia que la base/emisor. La base est( )sicamente locali0ada entre el emisor y el colector y est( compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, *aciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que *ace que el valor resultante de 1 se acerque muc*o *acia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran 2. El transistor de unin bipolar, a di)erencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto signi)ica que intercambiando el colector y el emisor *acen que el transistor de3e de )uncionar en modo activo y comience a )uncionar en modo inverso. +ebido a que la estructura interna del transistor est( usualmente optimi0ada para )uncionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor *acen que los valores de 1 y 2 en modo inverso sean muc*o m(s peque4os que los que se podran obtener en modo activo5 muc*as veces el valor de 1 en modo inverso es menor a 6.7. La )alta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopa3e entre el emisor y el colector. El emisor est( altamente dopado, mientras que el colector est( ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector/base antes de que esta colapse. La unin colector/base est( polari0ada en inversa durante la operacin normal. La ra0n por la cual el emisor est( altamente dopado es para aumentar la e)iciencia de inyeccin de portadores del emisor, la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de

corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base/emisor deben provenir del emisor. El ba3o desempe4o de los transistores bipolares laterales muc*as veces utili0ados en procesos #$%& es debido a que son dise4ados simtricamente, lo que signi)ica que no *ay di)erencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Peque4os cambios en la tensin aplicada entre los terminales base/emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie signi)icativamente. Este e)ecto puede ser utili0ado para ampli)icar la tensin o corriente de entrada. Los !8 pueden ser pensados como )uentes de corriente controladas por tensin, pero son caracteri0ados m(s simplemente como )uentes de corriente controladas por corriente, o por ampli)icadores de corriente, debido a la ba3a impedancia de la base. Los primeros transistores )ueron )abricados de germanio, pero la mayora de los !8 modernos est(n compuestos de silicio. 9ctualmente, una peque4a parte de stos (los transistores bipolares de *etero3untura) est(n *ec*os de arseniuro de galio, especialmente utili0ados en aplicaciones de alta velocidad.

1.3. Funcionamiento

#aracterstica ideali0ada de un transistor bipolar. En una con)iguracin normal, la unin emisor/base se polari0a en directa y la unin base/colector en inversa. +ebido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor/base y llegar a la base. 9 su ve0, pr(cticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que e-iste entre la base y el colector. 'n transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del (nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base/emisor est( polari0ada en directa y la unin base/colector est( polari0ada en inversa. En un transistor NPN, por e3emplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base/emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones e-citados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones :vagan: a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor *asta la regin de ba3a concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est( dopada con material P, los cuales generan :*oyos: como portadores mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan di)undirse a travs de esta en muc*o menos tiempo que la vida .til del portador minoritario del semiconductor, para minimi0ar el porcenta3e de portadores que se recombinan antes de alcan0ar la unin base/colector. El espesor de la base debe ser menor al anc*o de di)usin de los electrones.

1.4. Control de tensin, carga y corriente

La corriente colector/emisor puede ser vista como controlada por la corriente base/emisor (control de corriente), o por la tensin base/emisor (control de volta3e). Esto es debido a la relacin tensin/corriente de la unin base/emisor, la cual es la curva tensin/corriente e-ponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el dise4o de circuitos analgicos, el control de corriente es utili0ado debido a que es apro-imadamente lineal. Esto signi)ica que la corriente de colector es apro-imadamente 2 veces la corriente de la base. 9lgunos circuitos pueden ser dise4ados asumiendo que la tensin base/ emisor es apro-imadamente constante, y que la corriente de colector es 2 veces la corriente de la base. No obstante, para dise4ar circuitos utili0ando !8 con precisin y con)iabilidad, se requiere el uso de modelos matem(ticos del transistor como el modelo Ebers/$oll.

1.5. El Al a y !eta del transistor

'na )orma de medir la e)iciencia del !8 es a travs de la proporcin de electrones capaces de cru0ar la base y alcan0ar el colector. El alto dopa3e de la regin del emisor y el ba3o dopa3e de la regin de la base pueden causar que muc*os m(s electrones sean inyectados desde el emisor *acia la base que *uecos desde la base *acia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est( representada por 2F o por *)e. Esto es apro-imadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a ;66. %tro par(metro importante es la ganancia de corriente base comn, 1F. La ganancia de corriente base com.n es apro-imadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad5 que oscila entre 6.<= y 6.<<=. El 9l)a y !eta est(n m(s precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN),

1.". Tipos de Transistor de #nin !ipolar

1.6.1. NPN

El smbolo de un transistor NPN. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras :N: y :P: se re)ieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las di)erentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados *oy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los :*uecos: en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la :base:) entre dos capas de material dopado N. 'na peque4a corriente ingresando a la base en con)iguracin emisor/com.n es ampli)icada en la salida del colector. La )lec*a en el smbolo del transistor NPN est( en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est( en )uncionamiento activo.

1.6.2. PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras :P: y :N: re)irindose a las cargas mayoritarias dentro de las di)erentes regiones del transistor. Pocos transistores usados *oy en da son PNP, debido a que el NPN brinda muc*o me3or desempe4o en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son com.nmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la )uente de alimentacin a travs de una carga elctrica e-terna. 'na peque4a corriente circulando desde la base permite que una corriente muc*o mayor circule desde el emisor *acia el colector. La )lec*a en el transistor PNP est( en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est( en )uncionamiento activo.

1.$. Transistor !ipolar de %eterounin

El transistor bipolar de *eterounin ( !>) es una me3ora del !8 que puede mane3ar se4ales de muy altas )recuencias, de *asta varios cientos de ?>0. Es un dispositivo muy com.n *oy en da en circuitos ultrarr(pidos, generalmente en sistemas de radio)recuencia. Los transistores de *etero3untura tienen di)erentes semiconductores para los elementos del transistor. 'sualmente el emisor est( compuesto por una banda de material m(s larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la unin emisor/base est( polari0ada en directa y esto aumenta la e)iciencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores me3orada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopa3e, lo que resulta en una menor resistencia. #on un transistor de unin convencional, tambin conocido como transistor bipolar de *omo3untura, la e)iciencia de la inyeccin de portadores desde el emisor *acia la base est( principalmente determinada por el nivel de dopa3e entre el emisor y la base. +ebido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta e)iciencia de inyeccin de portadores, su resistencia es relativamente alta.

1.&. 'egiones operati(as del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen di)erentes regiones operativas, de)inidas principalmente por la )orma en que son polari0ados, Regin activa, #uando un transistor no est( ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est( en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector ("c) depende principalmente de la corriente de base ("b), de 2 (ganancia de corriente, es un dato del )abricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la m(s importante si lo que se desea es utili0ar el transistor como un ampli)icador de se4al. Regin inversa, 9l invertir las condiciones de polaridad del )uncionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en )uncionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. +ebido a que la mayora de los !8 son dise4ados para ma-imi0ar la ganancia de corriente en modo activo, el par(metro beta en modo inverso es dr(sticamente menor al presente en modo activo. Regin de corte, 'n transistor est( en corte cuando, corrientedecolector @ corrientedeemisor @ 6,(Ic @ Ie @ 6) En este caso el volta3e entre el colector y el emisor del transistor es el volta3e de alimentacin del circuito. (como no *ay corriente circulando, no *ay cada de volta3e, ver Ley de %*m). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base @ 6 ("b @6) Regin de saturacin, 'n transistor est( saturado cuando, corrientedecolector @ corrientedeemisor @ corrientemaxima ,(Ic @ Ie @ Imaxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del volta3e de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de %*m. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo su)icientemente grande como para inducir una corriente de colector 2 veces m(s grande. (recordar que "c @ 2 A "b)

1.). %istoria

Beplica del primer transistor. El transistor bipolar )ue inventado en +iciembre de ;<CD en el Bell Telephone Laboratories por 8o*n !ardeen y Ealter !rattain ba3o la direccin de Eilliam &*ocFley. La versin de unin, inventada por &*ocFley en ;<C=, )ue durante tres dcadas el dispositivo )avorito en dise4o de circuitos discretos e integrados. >oy en da, el uso de !8 *a declinado en )avor de la tecnologa #$%& para el dise4o de circuitos digitales integrados.

1.). Teor*a y +odelos +atem,ticos

1.9.1. Modelos para seales fuertes

1.9.1.1. El modelo Ebers-Moll

Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas por,

$odelo Ebers/$oll para transistores NPN

$odelo Ebers/$oll para transistores PNP

La corriente interna de base es principalmente por di)usin y

+nde, IE es la corriente de emisor. I# es la corriente de colector. 1T es la ganancia de corriente directa en con)iguracin base com.n. (de 6.<= a 6.<<=) IE& es la corriente de saturacin inversa del diodo base/emisor (en el orden de ;6 G;7 a ;6G;H amperios) V es el volta3e trmico kT I q (apro-imadamente HJ mK a temperatura ambiente L M66 N). V!E es la tensin base emisor. W es el anc*o de la base.

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de 1 es muy cercano a ;,6. En el transistor de unin bipolar una peque4a variacin de la corriente base/emisor genera un gran cambio en la corriente colector/emisor. La relacin entre la corriente colector/emisor con la base/emisor es llamada ganancia, 2 o *OE. 'n valor de 2 de ;66 es tpico para peque4os transistores bipolares. En una con)iguracin tpica, una se4al de corriente muy dbil circula a travs de la unin base/emisor para controlar la corriente entre emisor/colector. 2 est( relacionada con 1 a travs de las siguientes relaciones,

E)iciencia del emisor, %tras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del transistor est(n e-presadas m(s aba3o. Estas ecuaciones est(n basadas en el modelo de transporte de un transistor de unin bipolar.

+nde, i# es la corriente de colector. i! es la corriente de base. iE es la corriente de emisor. 2O es la ganancia activa en emisor com.n (de H6 a 766) 2B es la ganancia inversa en emisor com.n (de 6 a H6) I& es la corriente de saturacin inversa (en el orden de ;6G;7 a ;6G;H amperios) V es el volta3e trmico kT I q (apro-imadamente HJ mK a temperatura ambiente L M66 N). V!E es la tensin base/emisor. V!# es la tensin base/colector.

1.9.2. Modelos para seales dbiles

1.9.2.1. Modelo de parmetro

$odelo de par(metro * generali0ado para un !8 NPN. Reempla ar - con e! b o c para las topolog"as #$! B$ % $$ respecti&amente' %tro modelo com.nmente usado para anali0ar los circuitos !8 es el modelo de par(metro *. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un )(cil an(lisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos m(s e-actos. #omo se muestra, el trmino :-: en el modelo representa el terminal del !8 dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor/com.n los varios smbolos de la imagen toman los valores espec)icos de, - @ PeP debido a que es una con)iguracin emisor com.n. erminal ; @ !ase erminal H @ #olector erminal M @ Emisor iin @ #orriente de !ase (ib) io @ #orriente de #olector (ic) Vin @ ensin !ase/Emisor (V!E) Vo @ ensin #olector/Emisor (V#E)

Q los par(metros * est(n dados por, hi- @ hie / La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re).

hr- @ hre / Bepresenta la dependencia de la curva I!RV!E del transistor en el valor de V#E. Es usualmente un valor muy peque4o y es generalmente despreciado (se considera cero). h)- @ h)e / La ganancia de corriente del transistor. Este par(metro es generalmente re)erido como hOE o como la ganancia de corriente continua ( (+#) in en las *o3as de datos. ho- @ hoe / La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente especi)icado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

#omo se ve, los par(metros * tienen subndices en min.scula y por ende representan que las condiciones de an(lisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos subndices son e-presados en may.sculas. Para la topologa emisor com.n, un apro-imado del modelo de par(metro * es com.nmente utili0ado ya que simpli)ica el an(lisis del circuito. Por esto los par(metros hoe y hre son ignorados (son tomados como in)inito y cero, respectivamente). ambin debe notarse que el modelo de par(metro * es slo aplicable al an(lisis de se4ales dbiles de ba3as )recuencias. Para an(lisis de se4ales de altas )recuencias este modelo no es utili0ado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en 3uego a altas )recuencias.

2. Transistor uniunin
&altar a navegacin, b.squeda

&mbolo del '8 . El transistor uniunin (en ingls '8 , )niJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos 0onas semiconductoras. iene tres terminales denominados emisor (E), base uno (!;) y base dos (!H). Est( )ormado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales !;/!H, en la que se di)unde una regin tipo PS, el emisor, en alg.n punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del par(metro , stando)) ratio, conocido como ra0n de resistencias o )actor intrnseco. #uando el volta3e Keb; sobrepasa un valor vp de ruptura, el u3t presenta un )enmeno de modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta ba3a y por ello, tambin ba3a el volta3e en el dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso reiterativo, por lo que esta region no es estable, lo que lo *ace e-celente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de rela3acin.

!. Transistor "#$T
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&mbolo m(s e-tendido del "?! , ?ate o puerta (?), colector (#) y emisor (E) El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated *ate Bipolar Transistor ) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.

Este dispositivo posee la caractersticas de las se4ales de puerta de los transistores de e)ecto campo con la capacidad de alta corriente y volta3e de ba3a saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada OE para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de e-citacin del "?! es como el del $%&OE , mientras que las caractersticas de conduccin son como las del !8 .

Los transistores "?! *an permitido desarrollos *asta entonces no viables en particular en los Kariadores de )recuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompa4an cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso, automvil, tren, metro, autob.s, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, &istemas de 9limentacin "ninterrumpida o &9" (en "ngls 'P&), etc.

3.1. Caracter*sticas

&eccin de un "?! El "?! es adecuado para velocidades de conmutacin de *asta H6 N>0 y *a sustituido al !8 en muc*as aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como )uente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. ?randes mdulos de "?! consisten en muc*os dispositivos colocados en paralelo que pueden mane3ar altas corrientes del orden de cientos de amperios con volta3es de bloqueo de J.666 voltios. &e puede concebir el "?! como un transistor +arlington *brido. iene la capacidad de mane3o de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. &in embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser

igualmente altas. En aplicaciones de electronica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mos)et. $ane3a m(s potencia que los segundos siendo m(s lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

#ircuito equivalentede un "?! Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos ;7 K. Esto o)rece la venta3a de controlar sistemas de potencia aplicando una se4al elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

%. M&'(ET
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ransistor $%&OE de empobrecimiento canal N

ransistor $%&OE de empobrecimiento canal P MO !ET son las siglas de Metal O"ide emiconductor !ield E##ect Transistor. #onsiste en un transistor de e)ecto de campo basado en la estructura $%&. Es el transistor m(s utili0ado en la industria microelectrnica. Pr(cticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial est(n basados en transistores $%&OE .

4.1. %istoria
Oue ideado tericamente por el alem(n 8ulius von Edgar Lilien)eld en ;<M6, aunque debido a problemas de car(cter tecnolgico y el desconocimiento acerca de cmo se comportan los electrones sobre la super)icie del semiconductor no se pudieron )abricar *asta dcadas m(s tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda )uncionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser per)ectamente lisa y lo m(s libre de de)ectos posible. Esto es algo que slo se pudo conseguir m(s tarde, con el desarrollo de la tecnologa del silicio.

4.2. Funcionamiento

#urvas caracterstica y de salida de un transistor $%&OE de acumulacin canal n.

#urvas caracterstica y de salida de un transistor $%&OE de deple-in canal n. 'n transistor $%&OE consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de di)usin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un (rea sobre la cual se *ace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores $%&OE se dividen en dos tipos )undamentales dependiendo de cmo se *aya reali0ado el dopa3e, ipo nMO , &ustrato de tipo p y di)usiones de tipo n. ipo pMO , &ustrato de tipo n y di)usiones de tipo p.

Las (reas de di)usin se denominan #uente(source) y drenador(drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate). El transistor $%&OE tiene tres estados de )uncionamiento, Estado de corte$ #uando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el $%&OE est( en estado de no conduccin, ninguna corriente )luye entre )uente y drenador aunque se aplique una di)erencia de potencial entre ambos. ambin se llama mos)et a los aislados por 3untura de dos componentes. Conduccin lineal. 9l polari0arse la puerta con una tensin negativa (p$%&) o positiva (n$%&), se crea una regin de deple-in en la regin que separa la )uente y el drenador. &i esta tensin crece lo su)iciente, aparecer(n portadores minoritarios (electrones en p$%&, *uecos en n$%&) en la regin de deple-in que dar(n lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una di)erencia de potencial entre )uente y drenador dar( lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta.

aturacin. #uando la tensin entre drenador y )uente supera cierto lmite, el canal de conduccin ba3o la puerta su)re un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre )uente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se *ace independiente de la di)erencia de potencial entre ambos terminales.

4.3. +odelos matem,ticos

Para un $%&OE de canal inducido tipo n en su regin lineal,

donde en la que b es el anc*o del canal, Tn la movilidad de los electrones, U es la permitividad elctrica de la capa de -ido, L la longitud del canal y E el espesor de capa de -ido. #uando el transistor opera en la regin de saturacin, la )rmula pasa a ser la siguiente,

Estas )rmulas son un modelo sencillo de )uncionamiento de los transistores $%&OE , pero no tienen en cuenta un buen n.mero de e)ectos de segundo orden, como por e3emplo, &aturacin de velocidad, La relacin entre la tensin de puerta y la corriente de drenador no crece cuadr(ticamente en transistores de canal corto. E)ecto cuerpo, La tensin entre )uente y sustrato modi)ica la tensin umbral que da lugar al canal de conduccin $odulacin de longitud de canal.

4.4. Aplicaciones
La )orma m(s *abitual de emplear transistores $%&OE es en circuitos de tipo #$%&, consistentes en el uso de transistores p$%& y n$%& complementarios. Kase ecnologa #$%& Las aplicaciones de $%&OE discretos m(s comunes son, Besistencia controlada por tensin. #ircuitos de conmutacin de potencia (>EVOE , OBE+OE , etc). $e0cladores de )recuencia, con $%&OE de doble puerta.

4.5. .enta/as
La principal aplicacin de los $%&OE est( en los circuitos integrados, p/mos, n/mos y c/mos, debido a varias venta3as sobre los transistores bipolares,

#onsumo en modo est(tico muy ba3o. ama4o muy in)erior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). ?ran capacidad de integracin debido a su reducido tama4o. Ouncionamiento por tensin, son controlados por volta3e por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. 'n circuito reali0ado con $%&OE no necesita resistencias, con el a*orro de super)icie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. #ada ve0 se encuentran m(s en aplicaciones en los convertidores de alta )recuencias y ba3a potencia.

). Transistor *arlin+ton
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+iagrama de la con)iguracin +arlington En electrnica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un t(ndem (a veces llamado par +arlington) en un .nico dispositivo. La con)iguracin (originalmente reali0ada con dos transistores separados) )ue inventada por el ingeniero de los Laboratorios !ell &idney +arlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un c*ip )ue patentada por l, pero no la idea de poner un n.mero arbitrario de transistores que originara la idea moderna de circuito integrado.

5.1. Comportamiento
Esta con)iguracin sirve para que el dispositivo sea capa0 de proporcionar una gran ganancia de corriente (par(metro 2 del transistor) y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma con)iguracin. La ganancia total del +arlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. 'n dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de ;666 o superior. ambin tiene un mayor despla0amiento de )ase en altas )recuencias que un .nico transistor, de a* que pueda convertirse )(cilmente en inestable. La tensin base/emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base/emisor, y para transistores de silicio es superior a ;.HK. La beta de un transistor o par darlington se *alla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se *alla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

&i (, y (-son su)icientemente grandes, se da que,

'n inconveniente es la duplicacin apro-imada de la base/emisor de tensin. Qa que *ay dos uniones entre la base y emisor de los transistores +arlington, el volta3e base/emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base/emisor,

Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada K !Ei es de apro-imadamente 6,J7 K cuando el dispositivo est( )uncionando en la regin activa o saturada, la tensin base/emisor necesaria de la pare3a es de ;,M K. %tro inconveniente del par +arlington es el aumento de su tensin de saturacin. El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin base/colector debe permanecer polari0ada en inversa), ya que su tensin colector/emisor es a*ora igual a la suma de su propia tensin base/ emisor y la tensin colector/emisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de )uncionamiento normal. (En ecuaciones, K#EH @ K!EH S K#E;, as K#H W K!H siempre.) Por lo tanto, la tensin de saturacin de un transistor +arlington es un K !E (alrededor de 6,J7 K en silicio) m(s alto que la tensin de saturacin de un solo transistor, que es normalmente 6,; / 6,H K en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor +arlington comparado con un .nico transistor. %tro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer transistor no puede in*ibir activamente la corriente de base de la segunda, *aciendo al dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele tener una resistencia de cientos de o*mios conectada entre su base y emisor. Esta resistencia permite una va de descarga de ba3a impedancia para la carga acumulada en la unin base/emisor, permitiendo un r(pido apagado.