ELECTRNICA INDUSTRIAL

CARLOS JUSTINO DAZ ZAVALA

DIODO
Componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos.

Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones). Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento. A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Polarizacin directa de un diodo

Polarizacin directa del diodo pn.

La batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
Polarizacin inversa de un diodo

Polarizacin inversa del diodo pn.

El polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

Curva caracterstica del diodo

Curva caracterstica del diodo.

Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Tipos de diodo semiconductor

Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que tienen caractersticas elctricas particulares usados para una aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios de la mecnica cuntica y teora de bandas.

Otro tipo de Diodos:

Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. Electricmente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenmeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico inverso que atraviesa la unin p-n produce una onda de ionizacin, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del primero excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La nica diferencia prctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades opuestas. Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin comunica la energa para liberar los electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo una corriente elctrica proporcional a la potencia radiante. Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de una parte de carbn. El cable forma el nodo y el cristal forma el ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicacin en los radio a galena. Los diodos de cristal estn obsoletos, pero puede conseguirse todava de algunos fabricantes. Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a travs de ellos para alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un valor especfico. Tambin suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo regulador de corriente. Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia negativa debido al efecto tnel, permitiendo amplificar seales y circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a la alta concentracin de carga, los diodos tnel son muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnticos de gran magnitud y en entornos con radiacin alta. Por estas propiedades, suelen usarse en viajes espaciales. Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y propagacin a travs del diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia. Diodo emisor de luz: En un diodo formado de un semiconductor con huecos en su banda de energa, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unin emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir vara desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron rojos y amarillos. Los ledes blancos son en realidad combinaciones de tres ledes de diferente color o un led azul revestido con un centelleador amarillo. Los ledes tambin pueden usarse como fotodiodos de

baja eficiencia en aplicaciones de seales. Un led puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar un optoacoplador.

Diodo lser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad resonante formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un lser. Los diodos lser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento pticos y para la comunicacin ptica de alta velocidad. Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales usados para monitorear la temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores termoelctricos para la refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores termoelctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unin de rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor. Fotodiodos: Todos los semiconductores estn sujetos a portadores de carga pticos. Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores estn empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la funcin de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que estn empacados en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo ms sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometra o en comunicacin ptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de carga acoplada. Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin mencionados anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se fabrica una seccin de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequea regin de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin alemana) an se usa en receptores de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos analgicos especializados. Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras una capa intrnseca formando una estructura p-intrinseca-n. Son usados como interruptores de alta frecuencia y atenuadores. Tambin son usados como detectores de radiacin ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores. Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de semiconductor. Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensin de ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles en aplicaciones de fijacin y prevencin de saturacin en un transistor. Tambin se pueden usar como rectificadores con bajas prdidas aunque su corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que ralentizan la mayora de los dems diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recuperacin inversa ms rpida que los diodos de unin pn. Tienden a tener una capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores. Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo especial de diodo de silicio cuyas caractersticas de tensin en directa son extremadamente estables. Estos

dispositivos estn diseados especialmente para aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones donde se requiera mantener la tensin muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.

Aplicaciones del diodo

Rectificador de media onda Rectificador de onda completa Rectificador en paralelo Doblador de tensin Estabilizador Zener Led Limitador Circuito fijador Multiplicador de tensin Divisor de tensin

TIRISTOR
Componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica. El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin NP). Algunas fuentes definen como sinnimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio (SCR);1 otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC.

Tiristor

Dos tiristores de distinta potencia.

Tipo

Semiconductor

Smbolo electrnico

Configuracin

nodo, Ctodo y Puerta

Formas de activar un tiristor

Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el nmero de pares electrn-hueco aumentar pudindose activar el tiristor. Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y ctodo lo activar. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacin del dispositivo. Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nmero de pares electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a la accin regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activacin podra comprender una fuga trmica, normalmente cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo de activacin, esta fuga tiende a evitarse. Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la activacin con retroalimentacin. Normalmente este tipo de activacin puede daar el dispositivo, hasta el punto de destruirlo. Elevacin del voltaje nodo-ctodo: Si la velocidad en la elevacin de este voltaje es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede daar el dispositivo.

Funcionamiento bsico
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo Shockley. El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, gate) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin). Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir.

A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca. Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo

Aplicaciones
Normalmente son usados en diseos donde hay corrientes o voltajes muy grandes, tambin son comnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexin o desconexin del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de forma sncrona cuando, una vez que el dispositivo est abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unin ctodo-nodo sin la necesidad de replicacin de la modulacin de la puerta. En este momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe confundir con la operacin simtrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente del ctodo al nodo, por tanto en s misma es asimtrica. Los tiristores pueden ser usados tambin como elementos de control en controladores accionados por ngulos de fase, esto es una modulacin por ancho de pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna. La primera aplicacin a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensin de entrada proveniente de una fuente de tensin, como un enchufe, por ejemplo. A comienzo de los 70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensin de entrada de los receptores de televisin en color.
Principales variantes de tiristores

Rectificador controlado de silicio (SCR) Tiristor GTO Diac Triac Foto-SCR Interruptor controlado por puerta Interruptor controlado de silicio MCT FET-CTH SITH RTC

TRANSISOR
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc. Tipos de transistor

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).

La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. Transistor de efecto de campo El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn); Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Transistores y electrnica de potencia

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia

(principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.
El transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

El transistor bipolar frente a la vlvula termoinica

Vanse tambin: Vlvula termoinica y Transistor bipolar.

Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen caractersticas elctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensin en el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplaz a la vlvula termoinica son varias:

Las vlvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que son peligrosas para el ser humano. Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve particularmente poco tiles para el uso con bateras. El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado. Las vlvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conduccin. El transistor es intrnsecamente insensible al efecto microfnico, muy frecuente en las vlvulas. Los transistores son ms pequeos que las vlvulas, incluso que los nuvistores. Aunque existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamao que se ha de considerar es el del dispositivo (vlvula o transistor) ms el del disipador. Como las vlvulas pueden funcionar a temperaturas ms elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho ms pequeo. Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y corrientes altas; mientras que las vlvulas presentan impedancias elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones pequeas corrientes.