IMPERFECCIONES EN LOS ARREGLOS ATOMICOS Encontramos tres tipos bsicos de imperfecciones: 1.- Defectos Puntuales 2.

- Defectos Lineales (Dislocaciones) 3.- Defectos Superficiales 1. DEFECTOS PUNTUALES Son interrupciones localizadas en los arreglos atmicos o inicos, que a pesar de ser puntuales, afectan regin donde intervienen varios tomos o iones. Hay casos de IMPUREZAS, que son elementos o compuestos que estn presentes en las materias primas. Mientras que los DOPANTES, son elementos o compuestos agregados en concentraciones conocidas, en lugares especficos, cuyo fin es beneficiar las propiedades del material. NOTA: Los defectos de impureza perjudican el material, pero las dopantes son de utilidad, en general. 2.1. VACANCIAS Se produce cuando falta un tomo o de un ion en su sitio normal de la estructura cristalina, cuando faltan ms de un tomo, vacancias, causan un aumento en la entropa del material, aumentando la estabilidad termodinmica de un material cristalino. Estas vacancias son introducidas a los materiales y aleaciones durante

Figura 1. Vacancia sobre una red cristalina (Ciencia e Ingeniera de los Materiales, Askeland)

la solidificacin, a temperaturas elevadas. A la temperatura ambiente (~298K), la concentracin de vacancias es pequea, pero aumenta exponencialmente al aumentar la temperatura, con el siguiente comportamiento tipo Arrhenius: ( )

nv Cantidad de vacancias por cm3 ( n Cantidad de tomos por cm3 (

) )

Qv Energa para producir un mol de vacancias (cal/mol) ~(J/mol) R Constante de los gases R= 1,987 (cal/mol-K) = 8,312 (J/mol-K) T Temperatura (K) 2.2. DEFECTOS INTERSTICIALES Este defecto se forma al insertar un tomo o ion adicional a la estructura cristalina en una posicin normalmente desocupada a diferencia de las vacancias, una vez introducida los tomos o iones intersticiales en la estructura permanece constante, aunque vari su temperatura; el nmero de tomos o iones intersticiales son menos que aquellos que estn en los puntos de red, pero son mayores que los sitios intersticiales que ocupan causando que la regin se encuentre comprimida y distorsionada, esto produce un aumento en la resistencia de los materiales

Figura 2. Defecto Intersticial ocupado por un tomo (Ciencia e Ingeniera de los Materiales, Askeland). metlicos.

1.3. DEFECTOS SUSTITUCIONAL Este defecto se da cuando un tomo sustituido por un tipo distinto de tomo o ion, al ser mayores los tomos o iones sustituyentes que las normales causan que los espacios interatmicos vecinos se reduzcan, caso contrario los espacios

Figura 3. Defecto sustitucional ocupado por un tomo grande y uno pequeo (Ciencia e Ingeniera de los Materiales, Askeland)

aumentan.

Semiconductores intrnsecos, son semiconductores que contienen concentraciones no apreciables de impurezas o dopantes. Semiconductores extrnsecos, son semiconductores que contienen impurezas y dopantes. SEMICONDUCTIVIDAD Tipo n Ceden eTipo p Aceptan e-

1.4. DEFECTOS AUTOINTERSTICAL Este defecto se da cuando un tomo idntico a los tomos de los puntos de red est en una posicin intersticial, este defecto es comn en las estructuras cristalinas con bajo F.E.A.

Figura 4. Defecto autointersiticial (www.ing.unlp.edu.ar)

1.5. DEFECTO FRENKEL Se trata de un par de Vacancia-Intersticial que se da cuando un ion salta de un punto normal de red a un sitio intersticial, dejando una vacancia.

Figura 5. Defecto Frenkel (Ciencia e Ingeniera de los Materiales, Askeland)

1.6. DEFECTO SCHOTTKY Exclusivo de los materiales inicos, en este defecto, las vacancias se presentar en un material con enlaces inicos, donde debe faltar un nmero estequiomtrico de aniones y cationes en el cristal para conversar la neutralidad elctrica. Ejemplo: En el ZrO2 para 1ion de Zr+4, habr 2iones O-2 faltantes.

Figura 6. Defecto Schottky (Ciencia e Ingeniera de los Materiales, Askeland)

NOTA: Otro defecto puntual de sustitucin se da cuando un ion de una carga reemplaza a otro de carga distinta. Por ejemplo cuando un catin divalente (+2) reemplaza a un monovalente (+1), creando una vacancia.

Figura 7. Catin divalente reemplaza a un monovalente, quitando otro monovalente (Ciencia e Ingeniera de los Materiales, Askeland).

UTILIDAD Los defectos lineales aumentan la resistencia de los materiales y aleaciones. Una clase de defecto se da entre las regiones de distintos grados de un material policristalino, llamada LIMITES DE GRANO. La presencia de estos ayudan a endurecer los materiales metlicos. 2. DISLOCACIONES Son imperfecciones lineales en un cristal, cuya utilidad se da en la explicacin de la deformacin y endurecimiento de los materiales metlicos. 2.1. DISLOCACION HELICOIDAL O DE TORNILLO Representamos a una celda como un cubo asi teniendo una red compuesto por varias celdas, es decir por varios cubos. Se le realiza un corte al cristal perfecto, luego torcemos una distancia atmica, observaremos que la red formado por

Figura 8. Dislocacin Helicoidal o de Tornillo (Principios de Metalurgia Fsica, Robert Reed Hill).

varios cubos queda como se muestra en la figura. La figura muestra un esquema de lo que es una dislocacin helicoidal o de tornillo, donde el segmento DC representa la lnea de dislocacin y el plano ABCD representa el plano de deslizamiento. La definicin de dislocacin helicoidal viene dado que los planos reticulares forman un espiral en la lnea de dislocacin, el cual se comprueba iniciando desde el

punto x y recorriendo distancias interatmicas iguales en cada direccin terminando en el punto y, continuando hasta llegar el punto z notndose un espiral.

2.2. DISLOCACION DE BORDE Al igual que el anterior teniendo un cristal perfecto se le realiza un corte parcial abrindolo, luego se le llena la parte del corte con un plano de tomos.

Figura 9. Pasos que sigue una dislocacin de Borde (Ciencia e Ingeniera de los Materiales, Askeland).

En la figura se observa un esquema de la dislocacin de borde, donde el segmento SP representa en plano de deslizamiento, adems el plano con los tomos que llenan el corte parcial solo llega hasta un punto en el segmento SP mientras que los otros planos lo atraviesan. De modo que una dislocacin de borde es el resultado en el que un plano reticular termina dentro de un cristal. 2.3. DISLOCACIONES MIXTAS Estas dislocaciones estn compuestas por un componte de borde y otra helicoidal, con una regin de transicin entre ellas.

Figura 10. Dislocacin Mixta (Ciencia e Ingeniera de los Materiales, Askeland)

En la figura podemos observar que la estructura tiene una dislocacin mixta compuesta por una dislocacin helicoidal cuyo camino se muestra por los trazos de color rojo, y otra dislocacin de borde con su camino de color verde.