Sensores de Luz

Um sensor de luz gera um sinal de sada que indica a intensidade de luz atravs da medio da energia radiante que existe uma gama muito estreita de frequncias, basicamente, chamado "leve", e que varia em frequncia a partir de "Infravermelho" a "visvel" at " Ultraviolet "espectro de luz. O sensor de luz um dispositivo passivo que convertem essa "energia luminosa" visveis ou nas infra-vermelhos partes do espectro em uma sada de sinal eltrico. Sensores de luz so mais comumente conhecido como "dispositivos fotoeltricos" ou "Foto Sensores", porque a energia da luz convert (ftons) em energia eltrica (eltrons). Dispositivos fotoeltricos podem ser agrupados em duas categorias principais, aqueles que geram eletricidade quando iluminado, como energia fotovoltaica ou Photoemissives etc, e aqueles que mudam suas propriedades eltricas, de alguma forma, como foto-resistores ou foto-condutores . Isto conduz seguinte classificao de dispositivos.

Foto-emissivo Cells - Estes so fotossensveis que liberam eltrons livres de

um material sensvel luz, como csio quando atingido por um fton de energia suficiente. A quantidade de energia que os ftons tm depende da freqncia da luz e quanto maior a freqncia, mais energia que os ftons tm a converso de energia luminosa em energia eltrica.

Foto condutor Cells - Estes fotossensveis variar sua resistncia eltrica

quando submetido luz. Resultados da fotocondutividade de luz que atingem um material semicondutor, que controla o fluxo de corrente atravs dele. Assim, mais luz aumentar a corrente para uma dada tenso aplicada. O material fotocondutor mais comum o sulfureto de cdmio utilizado em fotoclulas LDR.

fotovoltaicos Clulas - Estes fotossensveis gerar uma fem proporcional

energia da luz radiante recebida e similar em efeito a fotocondutividade. A energia da luz cai sobre dois materiais semicondutores colada juntos criando uma tenso de aproximadamente 0.5V. O material mais comum fotovoltaica Selenium usado em clulas solares.

Dispositivos

Foto-juno -

Estes

fotossensveis

so

principalmente

dispositivos semicondutores verdadeiros como o fotodiodo ou fototransistor que usam a luz para controlar o fluxo de eltrons e buracos em toda a sua PNjuno. Dispositivos Photojunction so projetados especificamente para a

aplicao do detector e penetrao de luz com a sua resposta espectral ajustado para o comprimento de onda da luz incidente.

O celular Photoconductive
A Photoconductive sensor de luz no produz eletricidade, mas simplesmente muda suas propriedades fsicas quando submetido a energia luminosa. O tipo mais comum de dispositivo fotocondutora o LDR que altera a sua resistncia elctrica em resposta a mudanas na intensidade da luz. Fotorresistncias so semicondutores dispositivos que usam a energia da luz para controlar o fluxo de eltrons e, portanto, a corrente que flui atravs deles. O comumente usado clula fotocondutora chamado de Luz Resistor Dependente ou LDR .

The Light Dependent Resistor

Tpico LDR Como o prprio nome indica, o Luz Dependent Resistor (LDR) feita a partir de um pedao de material semicondutor expostas, como o sulfureto de cdmio, que muda sua resistncia eltrica de alguns milhares Ohms no escuro a apenas algumas centenas de Ohms quando a luz incide sobre ele, criando pares eltron-buraco no material. O efeito lquido uma melhoria na condutividade com um decrscimo na resistncia de um aumento na iluminao. Alm disso, as clulas fotoresistivo tem um longo tempo de resposta que exige muitos segundos para responder a uma mudana na intensidade da luz. Os materiais utilizados como substrato semicondutor incluem, sulfeto de chumbo (PbS), seleneto de chumbo (PbSe), antimoneto ndio (InSb), que detectam a luz na faixa de infra-vermelho com o mais comumente usado de todos os sensores de luz fotoresistivo sendo sulfureto de cdmio ( Cd ) . Sulfureto de cdmio usado no fabrico de clulas fotocondutoras porque a sua curva de resposta espectral se aproxima da do olho humano e podem at mesmo ser controlada utilizando um maarico simples como uma fonte de luz. Tipicamente, ento,

tem um comprimento de onda de pico de sensibilidade ( p ) de cerca de 560 nm a 600 nm na gama do espectro visvel.

A Luz celular Resistor Dependente

O sensor de luz fotoresistivo mais comumente utilizado o ORP12 clula fotocondutora sulfureto de cdmio. Este resistor dependente da luz tem uma resposta espectral de cerca de 610nm no amarelo para regio laranja da luz. A resistncia da clula quando unilluminated (resistncia escuro) muito elevada em cerca de 10M de que cai para cerca de 100, quando totalmente iluminado (aceso resistncia). Para aumentar a resistncia ao escuro e, por conseguinte, reduzir a corrente de obscuridade, o trajecto resistivo constitui um padro em ziguezague ao longo do substrato de cermica. A fotoclula CdS um dispositivo de custo muito baixo, muitas vezes utilizado em auto dimming, a escurido ou a deteco de crepsculo para acender as luzes de rua "ON" e "OFF", e para aplicaes do tipo medidor de exposio fotogrfica.crepsculo deteco para acender as luzes de rua "ON" e "OFF", e para aplicaes do tipo medidor de exposio fotogrfica.

Ligar um resistor dependente da luz em srie com um resistor padro como este em uma nica tenso de alimentao DC tem uma grande vantagem, uma tenso diferente ir aparecer na sua juno para diferentes nveis de luz. O valor da queda de tenso atravs de resistncia em srie, R 2 determinada pelo valor da resistncia da resistncia dependente da luz, R LDR . Esta capacidade de gerar tenses diferentes produz um circuito muito til chamado de "divisor de potencial" ou divisor de tenso de rede . Como se sabe, a corrente atravs de um circuito em srie comum e que a LDR muda o seu valor de resistncia, devido intensidade da luz, a tenso presente na V OUT vai ser determinada pela frmula divisor de tenso. Resistncia, de um LDR R LDR pode variar de cerca de 100 na luz do sol, a mais de 10M de na escurido absoluta com esta variao de resistncia que est sendo convertido em uma variao de tenso em V OUT como mostrado. Um uso simples de uma luz Resistor Dependente , como um interruptor sensvel luz, como mostrado abaixo.

Mudar LDR Este circuito bsico do sensor de luz de um switch ativado luz sada de rel. Um circuito de divisor de potencial formado entre o fotoresistor, LDR e do resistor R1 . Quando no h luz est presente, ou seja nas trevas, a resistncia do LDR muito elevado nos Megaohms ( mohms de ) variam de modo vis de base zero aplicada ao transistor TR1 eo rel est desenergizado ou "OFF".

 medida que o nvel de luz aumenta a resistncia do LDRcausando comea a diminuir a tenso de polarizao de base para V1 a subir. Em algum ponto determinado pela rede divisora de potencial formado com resistncia R1 , a tenso de polarizao de base suficiente para ligar o transistor TR1 "ON" e, assim, activar o rel que por sua vez utilizada para controlar um circuito externo. medida que o nvel de luz cai de volta para a escurido novamente a resistncia dos LDR causando aumentos na tenso de base do transistor para diminuir, tornando o transistor e retransmisso "OFF" a um nvel de luz fixo novamente determinada pela rede divisora de potencial. Ao substituir o resistor fixo R1 com um potencimetro de VR1 , o ponto em que o rel se transforma "ON" e "OFF" podem ser pr-regulado para um nvel de luz particular. Este tipo de circuito simples mostrado acima tem uma sensibilidade bastante baixa e um ponto de comutao pode no ser consistente devido a variaes quer de temperatura ou a tenso de alimentao. Um circuito ativado luz preciso mais sensvel pode ser feita facilmente atravs da incorporao da LDR em um arranjo "Wheatstone Bridge" e substituir o transistor com um amplificador operacional como mostrado.

Nvel Luz Sensing Circuito

Neste circuito bsico de deteco de escuro, a luz dependente do resistor LDR1 e o potencimetroVR1 forma um brao ajustvel de uma ponte de rede de resistncia simples, tambm vulgarmente conhecido como uma ponte de Wheatstone , enquanto as duas resistncias fixas R1 e R2 formam o outro brao. Ambos os lados das redes divisor de potencial formam ponte em toda a tenso de alimentao cujas sadas V1 e V2 so conectados aos no-inversora e tenso inversora entradas, respectivamente, do amplificador operacional. O amplificador operacional configurado como um amplificador diferencial , tambm conhecido como um comparador de tenso com realimentao, cujo estado de tenso de sada determinada pela diferena entre os dois sinais ou tenses de entrada, V1 e V2 . A combinao do resistor R1 e R2formam uma tenso de referncia

fixa na entrada V2 , definida pela relao das duas resistncias. ALDR VR1 combinao oferece uma entrada de tenso varivel V1 proporcional ao nvel de luz que est sendo detectado pelo photoresistor. Tal como com o circuito anterior a sada do amplificador operacional utilizado para controlar um rel, o qual protegido por um diodo de roda livre, D1 . Quando o nvel de luz detectada pelo LDR e a sua tenso de sada cai abaixo da tenso de referncia fixado em V2 de sada do amplificador operacional altera o estado de activao do rel de comutao e da potncia de ligao. Da mesma forma como o nvel de luz aumenta a produo voltar viragem "OFF" o rel. A histerese dos dois pontos de comutao definido pela resistncia de realimentao Rf podem ser escolhidos para se obter qualquer ganho de tenso adequada do amplificador. O funcionamento deste tipo de circuito sensor de luz tambm pode ser invertida para comutar o rel "LIGADO" quando o nvel de luz for superior ao nvel de tenso de referncia, e vice-versa, atravs da inverso das posies do sensor de luz LDR eo potencimetro VR1 . O potencimetro pode ser usado para "pre-set" do ponto de comutao do amplificador diferencial para qualquer nvel de luz especfica, tornandoo ideal como um circuito de sensor de luz projeto simples.

Dispositivos Photojunction
Dispositivos Photojunction so basicamente PN-Juno sensores de luz ou detectores feitos de semicondutores de silcio PN-junes que so sensveis luz e que podem detectar tanto a luz visvel e infra-vermelho nveis de luz. Dispositivos foto de derivao so fabricadas especificamente para deteco de luz e esta classe de sensores de luz fotoeltricas incluir o fotodiodo eo fototransistor .

O fotodiodo.

Foto-diodo A construo do fotodiodo sensor de luz semelhante ao de um diodo PN-juno convencional, excepto que a diodos invlucro exterior transparente ou tem uma lente clara para focar a luz sobre a juno PN para aumento da sensibilidade. A juno vai responder a luz comprimentos de onda mais longos, como particularmente a luz vermelha e infra-vermelha em vez de visvel.

Esta caracterstica pode ser um problema para os diodos com corpos transparentes ou grnulo de vidro, tais como o diodo de sinal 1N4148. do LED pode tambm ser utilizada como fotodiodos como ambos podem emitir e detectar luz da sua juno. Todas as junes PN-so sensveis luz e podem ser utilizados num modo de tenso imparcial foto-condutora com o PN-juno do fotodiodo sempre "inclinado reverso", de modo que apenas a fuga de corrente escura ou diodos pode fluir. As curvas caractersticas (I / V) de corrente-tenso de um fotododo com nenhuma luz sobre a sua juno (modo escuro) muito semelhante ao de um sinal de normal ou diodo de rectificao.Quando o fotodiodo inclinado para a frente, h um aumento exponencial da corrente, o mesmo que para um diodo normal. Quando uma polarizao inversa aplicada, uma pequena corrente de saturao reversa aparece o que provoca um aumento da regio de exausto, que a parte mais sensvel do entroncamento. Fotodiodos tambm pode ser ligado em um modo de corrente com uma tenso de polarizao fixa atravs da juno. O modo de corrente muito lineares ao longo de uma vasta gama.

Construo foto diodo e Caractersticas

Quando usado como um sensor de luz, uma corrente de escuro fotodiodos (0 lux) de cerca de 10uA para gernio e 1uA para o tipo de silcio diodos. Quando a luz incide sobre a juno mais pares buraco / eltrons so formados e as fugas de corrente aumenta. Esta fuga aumenta atuais como a iluminao da juno os aumentos.

Assim, a corrente de fotodiodos diretamente proporcional intensidade da luz que incide sobre o PN-juno. Uma vantagem principal de fotodiodos, quando usados como sensores de luz a sua resposta rpida a alteraes nos nveis de luz, mas uma desvantagem deste tipo de photodevice a relativamente pequena corrente, mesmo quando completamente iluminado. O circuito a seguir mostra um circuito foto-atual--tenso conversor usando um amplificador operacional como o dispositivo de amplificao. A tenso de sada (Vout) dada como Vout = Ip Rfe que proporcional s caractersticas de intensidade de luz do fotodiodo. Este tipo de circuito tambm utiliza as caractersticas de um amplificador operacional com dois terminais de entrada de cerca de zero tenso para operar o fotodiodo sem vis. Esta configurao do op-amp-polarizao zero, d uma carga de alta impedncia para o fotodiodo resultando em menor influncia de corrente escura e uma faixa linear mais amplo da fotocorrente relao intensidade da luz irradiante. O condensador C f utilizado para prevenir a oscilao ou ganho de pico e para definir a largura de banda de sada ( 1/2RC ).

Foto-diodo Amplificador Circuito

Fotodiodos so sensores de luz muito versteis que podem transformar o seu fluxo de corrente tanto "ON" e "OFF" em nanossegundos e so comumente usados em cmeras, medidores de luz, CD e DVD-ROM, controles remotos de TV, scanners , aparelhos de fax e copiadoras, etc e, quando integrados em circuitos amplificadores operacionais como detectores infravermelhos do espectro para comunicaes de fibra ptica, circuitos de deteco de movimento de alarme de intruso e de numerosas imagens, de varredura a laser e sistemas de posicionamento etc

O fototransistor

Foto-transistor Um dispositivo foto-juno alternativa do fotodiodo o fototransistor , que , basicamente, um fotododo com a amplificao. O sensor de luz Phototransistor tem seu coletor-base PN-juno reversamente polarizado exp-lo fonte de luz radiante. Fototransistores operar o mesmo que o fotodiodo, excepto que eles podem fornecer ganho de corrente e so muito mais sensveis do que o fotodiodo com correntes so de 50 a 100 vezes maior do que a do fotodiodo padro e qualquer transistor normal pode ser facilmente convertido em um sensor de luz pelo fototransistor ligao de um fotodiodo entre o coletor e base. Fototransistores consistem principalmente de um bipolar NPN Transistor com a sua regio de base grande eletricamente desconectado, embora alguns phototransistors permitir uma conexo de base para controlar a sensibilidade, e que usa ftons de luz para gerar uma corrente de base que inturn causa um coletor para o emissor que a corrente flua. A maioria dos f ototransistores so tipos NPN cujo invlucro exterior transparente ou tem uma lente clara para focar a luz sobre a juno base para aumento da sensibilidade.

Construo Photo-transistor e Caractersticas

No transistor NPN o colector polarizado positivamente em relao ao emissor, de modo que a juno base / colector inversamente polarizado. por conseguinte, sem a luz na juno vazamento normal ou fluxos de corrente escura que muito pequeno. Quando a luz incide sobre a base de mais pares de eltrons / buracos so formados nessa regio ea corrente produzida por esta ao amplificado pelo transistor. Normalmente, a sensibilidade de um fototransistor uma funo da corrente do transistor de ganho DC. Por conseguinte, a sensibilidade global uma funo da corrente de colector e pode ser controlada por uma resistncia de ligao entre a base e o emissor, mas para aplicaes muito elevada sensibilidade de tipo acoplador, fototransistores Darlington so geralmente utilizados.

Photo-darlington PHOTODARLINGTON transistores utilizar um segundo bipolar transistor NPN para fornecer amplificao adicional ou quando maior sensibilidade de um fotodetector

necessria devido aos baixos nveis de luz ou sensibilidade seletiva, mas sua resposta mais lenta do que a de um fototransistor NPN comum. Darlington dispositivos foto consistem de um fototransistor normal, cuja sada de emissor est acoplado base de um transistor NPN, maior bipolar. Como uma configurao de transistor Darlington d um ganho de corrente igual a um produto dos ganhos de corrente dos dois transistores individuais, um dispositivo Photodarlington produz um detector muito sensvel. As aplicaes tpicas de Fototransistores sensores de luz esto em opto-isoladores, chaves de fenda, opto sensores de feixe de luz, fibras pticas e controles remotos tipo TV, etc filtros infravermelhos so por vezes necessria ao detectar a luz visvel. Outro tipo de photojunction sensor de luz de semicondutores vale a pena mencionar o Photo-tiristor . Este um tiristor activado luz ou Silicon Controlled Rectifier , SCR , que pode ser utilizada como um interruptor de luz activado em aplicaes de CA. Entretanto, sua sensibilidade geralmente muito baixo quando comparado com fotodiodos ou fototransistores equivalentes. Para ajudar a aumentar a sua sensibilidade luz, foto-tiristores so mais finas ao redor da juno porto. A desvantagem deste processo que ele limita a quantidade de corrente de nodo que eles podem mudar. Ento, para maiores aplicaes AC atuais eles so usados como dispositivos de piloto em opto-acopladores para mudar tiristores mais convencionais maiores.

Clulas fotovoltaicas.
O tipo mais comum de sensor de luz fotovoltaica a clula solar . As clulas solares convertem a energia luminosa diretamente em energia eltrica DC, na forma de uma tenso ou corrente a uma fonte de uma carga resistiva, como uma luz, bateria ou motor. Em seguida, as clulas fotovoltaicas so semelhantes em muitos aspectos, a uma bateria porque eles fornecem energia CC. No entanto, ao contrrio dos outros dispositivos de fotografias que examinamos acima, que utilizam a intensidade da luz, mesmo a partir de uma tocha de operar, clulas solares fotovoltaicas funcionam melhor com os sis de energia radiante. As clulas solares so usados em muitos tipos diferentes de aplicativos para oferecer uma fonte de energia alternativa a partir de baterias convencionais, como em calculadoras, satlites e agora em casas que oferecem uma forma de energia renovvel.

Fotovoltaica celular As clulas fotovoltaicas so feitas de junes pn de silcio de cristal nico, o mesmo que fotodiodos com uma luz muito grande regio sensvel, mas so usados sem a

polarizao reversa. Eles tm as mesmas caractersticas que um grande fotododo quando no escuro. Quando iluminado a energia da luz faz com que os eltrons fluam atravs da juno PN e uma clula solar indivduo pode gerar uma tenso de circuito aberto de cerca de 0.58v (580mV). Clulas solares tm um um lado "negativo", assim como uma bateria de "positiva" e. Clulas solares individuais podem ser ligados em conjunto em srie para formar painis solares, o que aumenta a tenso de sada, ou ligados entre si em paralelo para aumentar a corrente disponvel.Painis solares comercialmente disponveis so classificados em Watts, o que o produto da tenso e corrente de sada (Volts vezes Amps) quando completamente iluminado.

Caractersticas de uma tpica clula fotovoltaica Solar.

A quantidade de corrente disponvel a partir de uma clula solar depende da intensidade da luz, o tamanho da clula e a sua eficcia, que , geralmente, muito baixo de cerca de 15 a 20%. Para aumentar a eficcia global da clula de clulas solares comercialmente disponveis usam silcio policristalino ou silcio amorfo, que no tm uma estrutura cristalina, e podem gerar correntes de entre 20 a 40 mA por cm 2 . Outros materiais utilizados na construo de clulas fotovoltaicas incluem arsenieto de glio, ndio disseleneto de cobre e cdmio Telluride. Estes materiais diferentes, cada um tem um espectro de resposta diferente, e assim podem ser "afinados" para produzir uma tenso de sada, em diferentes comprimentos de onda de luz. Neste tutorial sobre Sensores de Luz , vimos vrios exemplos de dispositivos que so classificados como Sensores de Luz . Isto inclui aqueles com e sem PN-junes que podem ser utilizados para medir a intensidade de luz. No prximo tutorial, vamos olhar para os dispositivos de sada chamadosatuadores . Atuadores converter um sinal eltrico em uma grandeza fsica correspondente, como movimento, fora, ou som. Um dispositivo de sada utilizado como o Rel eletromagntico .