ESCUELA SUPERIOR

POLITECNICA DEL LITORAL

CURSO DE ELECTRONICA I

I TERMINO 2007

M.B.A. CARLOS SALAZAR LOPEZ

 PROGRAMACION DEL CURSO
{ Elementos de dos terminales
{ Rectificadores y filtros capacitivos
{ Transistores bipolares (BJT)
{ Reguladores de voltaje
{ Transistores de efecto de campo (FET)
{ Amplificadores (a.c.) de pequeña señal
Texto guía: Electrónica Teoría de Circuitos. Boylestad R.
Textos alternativos: Principios de Electrónica. Malvino
Circuitos Electrónicos. Schilling
Electrónica I. FIEC
POLITICAS DEL CURSO

{ Puntualidad
{ Respeto….

{ Deberes 00 ptos.
{ Lección 30 ptos.
{ Examen 70 ptos.
 PROGRAMA

Elementos de dos terminales

Rectificadores y filtros capacitivos

Transistores bipolares (BJT)

Reguladores de voltaje

Transistores de efecto de campo (FET)

Amplificadores (a.c.) de pequeña señal

 1.1 Elementos de dos terminales
{ Introducción
z Años cuarenta, introducción del transistor
semiconductor … miniaturización!
z Semiconductor es un material con niveles de
conductividad entre los extremos de un aislante
y un conductor.
Conductor Semiconductor Aislador
A δ ×l Ge 50 ohm.cm Mica 1012
R=
Cobre 10-6
l ohm.cm
A Si 50x103
ohm.cm

donde R es la resistencia del material (ohm); l es

la longitud de la muestra (m); A es el área
superficial incidente (m2); y δ es la resistividad
(ohm x m)
 1.2 Características generales
- - -
- Si - - Si - - Si -
- - -
+32 +14 - - -
- Si - - Si - - Si -
- - -

Enlaces covalentes
germanio silicio
Cristal es un sólido formado por la
Estructura atómica combinación de átomos .Materiales
Individualmente, cuanto mas distante del núcleo intrínsecos son semiconductores que
este el electrón, mayor será el estado de energía se han refinado para reducir
(niveles de energía discretos)
impurezas
Los semiconductores tienen un coeficiente negativo de temperatura,
ya que la nergía térmica del aire circundante hace que los átomos
en un cristal vibren, y ocasionalmente puede desplazarsé electrones
de la órbita de valencia.
 1.3 Niveles de energía
Expansión de los niveles
Energía discretos de energía de los
electrones de valencia a
Nivel de valencia BANDAS como resultado de
Bandas de energía
2do Nivel
Bandas de energía
la cristalización (red de
3er Nivel
electrones)
Núcleo

Energía Energía Energía

Banda de
conducción
Banda de
conducción
Banda de
conducción
Eg=1.1 eV (Si)
Eg>5ev
Entre los niveles de energía Eg=0.67eV (Ge)
Banda de
discretos hay bandas en las que valencia
Banda de
ningún electrón en la estructura Banda de valencia
atómica puede aparecer valencia

AISLADOR SEMICONDUCTOR CONDUCTOR

 1.4 Materiales extrínsecos tipo n y tipo p
{ Si ciertas impurezas se añaden a materiales semiconductores
intrínsecos e Ge ó Si, el resultado es que habrá estados de energía
permisibles en la banda prohibida y una reducción neta en Eg para
ambos materiales semiconductores. De esta manera se forman
materiales tipo n y tipo p.

Material tipo n Material tipo p

- - - - - -
- Si - - Si - - Si - - Si - - Si - - Si -
- - - Quinto - Electrón - Vacancia -
electrón de o hueco

- - - - valencia
-
hueco
-
- Si - - Sb - - Si - - Si - - B - - Si -
- - - - - -
- - - - - -
- Si - - Si - - Si - - Si - - Si - - Si -
- - - - - -
Impurezas pentavalentes con Impurezas trivalentes con
átomos donadores Sb ó P átomos aceptores como B ó Ga
 1.4 Materiales extrínsecos tipo n y tipo p

Material tipo n Material tipo p

El electrón se denomina portador El hueco se denomina portador mayoritario,
mayoritario, y el hueco portador y el electrón portador minoritario.
minoritario.
Iones donadores

+ + - -
- + - + + + -
- - - -
- - + -
- - + + + +
+
+
+ -
- - - + - + +
+ +
+ + - -
- - - + - + -
- - + +
-
Iones aceptores
Cuando el quinto electrón de un átomo
donador abandona el átomo al cual La unión de un material tipo n con uno tipo p
pertenecía, este átomo padre adquiere una producirá un semiconductor de importancia
carga positiva neta EL DIODO
 1.5 Diodo Ideal
{ Dispositivo no lineal de dos terminales
cuyo funcionamiento es como el de un
interruptor (encendido o apagado).

+ Id
vd
+ - - +
vd
Id
-
Sentido convencional
(flujo de huecos)
 1.6 Construcción básica y
características del DIODO
{ Cuando un material tipo p y uno tipo n se unen se
producirá una combinación de huecos y
electrones en la región de unión
Región de vaciamiento: el campo eléctrico de los dipolos equivale a
una barrera de potencial. Ge=0.3v y Si=0.7v a 25ºC

- - - + + + -
+ + - + - + -
- + - + +
- + - - + - -
- + -
+ - - +
- - - + + +-
+ -
+ + + - - + + - +
- - - + + + - +
- + - - - -
+ - + + - - -
tipo p Unión pn o
juntura
tipo n
I=0 I=0
Sin polarización

+ Ión positivo - Ión negativo + - Par de iones dipolo

 1.6.1 Respuesta a la polarización
inversa del DIODO
Isup de fuga
Región de vaciamiento se ensancha !! Is
Imayoritarios = 0

- - -
+++ - + -
+ + + - +++ -
- - + -
- - + - + -
+ + - - -
+ -
-
- -
++ + -- - + -
+ - -
+ + + - -
+++ - - +
- - -
+++ - + - +
+ - + - - +++ -
- - - - -
-
tipo p tipo n
Polarización inversa
- +
Is es la corriente de saturación inversa (uA) y se produce por efecto térmico. Esto es
dependen exclusivamente de la temperatura. Is Si << Is Ge

Corriente superficial de fuga (Isup fuga) esta presente además, es función de la

polarización.
Imayoritarios es cero, pues se aumentó la barrera de potencial con el incremento de la
región de vaciamiento
 1.6.2 Respuesta a la polarización
directa del DIODO
Región de vaciamiento se reduce !! Is
Imayoritarios
+
+ - + - + + + -
+ - - + - + -
- - + - + - - -
- - - + -
+ - - + - + + -
+ + + - + + - - +
- - - + + - +
+ - + - - + + - - - -
Id - Id
tipo p tipo n
Polarización directa
+ -
Is es la corriente de saturación inversa (uA), no cambia en magnitud.
La reducción de la región de vaciamiento provoca un flujo de portadores
mayoritarios denso a través de la unión. (Imayoritarios)
Id es la corriente del diodo y será la diferencia entre la corriente de
portadores mayoritarios menos la corriente de saturación inversa.
(ID=Imayoritarios-Is)
Curva de operación del diodo
 Efectos de la temperatura
{ Temperatura afecta prácticamente todas las
características de cualquier dispositivo semiconductor
200ºC
Id(mA) 100ºC
25ºC
-75ºC

-50 -40 -30 -20 -10

0.5 0.7 1.0 1.5

Vd(V)

Variación de las características del diodo respecto a cambios de temperatura

CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA
EL DIODO
 Capacitancias internas del diodo

{ Capacitancia de transición (CT) en la

región de polarización inversa
{ Capacitancia de difusión (CD) en la
región de polarización directa.
CT o CD C(pF)
15

10
Polarización inversa CT

5
Polarización directa CD
-20 -15 -10 -5 0 0.25 0.5
V(v)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
{ El cambio de conducción a corte presentará una
respuesta en el tiempo mayor a la deseada.
{ El tiempo de almacenamiento ta es requerido para que
los portadores minoritarios regresen a su estado de
portadores mayoritarios en el material opuesto.
{ El intervalo de transición tt es el tiempo requerido para
que la corriente reduzca su nivel hasta el asociado al
nuevo estado de no conducción.
Id Respuesta deseada
on Respuesta real

off
t1 t

ta tt
trr
 vd
+ -
Potencia de los diodos Id

{ Potencia DC
Pd = Vd × I d

{ Potencia total = Pot DC + Pot AC

⎛ vd ( p ) × id ( p ) ⎞
Pd = (Vd × I d ) + ⎜ ⎟
⎝ 2 ⎠
 Disipadores de calor (heat sinks)
{ Incremento de niveles de corriente en el semiconductor
resultará en in cremento de la temperatura de unión
(juntura). Temperaturas de operación para Ge de 85 a 100ºC
y Si de 150 a 200 ºC
TA ambiente
θCA capsula T
C
TC θJC
θJC capsula
juntura TJ θCS
juntura TJ
Ts disipador

θSA
TJ (temperatura de la juntura) en ºC
θJC TA ambiente
TC (temperatura del encapsulado) en ºC
θJA θCS
θCA TS (temperatura de disipador) en ºC
θSA
TA (temperatura ambiente) en ºC
Θ es resistencia térmica (ºC/W)
 Analogía temperatura-electricidad
{ T ≈ V ; θ ≈ R ; PD ≈ I
{ V=I.R ≈ T=PD. θ
Donde:
V es voltaje, R es resistencia e I es corriente
T es temperatura, θ es resistencia térmica y PD es potencia
disipada

TJ TJ = TA + Pdθ JA
TJ - TA PD
θJC
TC
θCA
(TJ − TC ) = Pdθ JC
TA
(TC − TA ) = Pdθ CA
θ JA = θ JC + θ CA ;
 Curva de derrateo de potencia
General TJ = TA + PD × θ JA
Sin disipador TJ = TA + PD × (θ JC + θ CA )
PD Con disipador TJ = TA + PD × (θ JC + θ CD + θ DA )

PD MÁX

1/m = θJC

TJ Máx

TC1 TC2 TC
 vz
- +

Diodo zener Iz

Modelos del diodo zener

+
Vz +
- Vz
rav -
 PROGRAMA

Elementos de dos terminales

Rectificadores y filtros capacitivos

Transistores bipolares (BJT)

Reguladores de voltaje

Transistores de efecto de campo (FET)

Amplificadores (a.c.) de pequeña señal

 Fuentes de alimentación lineales

Transformación Rectificación Filtrado Regulación Carga

 PROGRAMA

Elementos de dos terminales

Rectificadores y filtros capacitivos

Transistores bipolares (BJT)

Reguladores de voltaje

Transistores de efecto de campo (FET)

Amplificadores (a.c.) de pequeña señal

 3. Transistores de unión bipolar (BJT)

{ Desde 1947 surge el advenimiento de

esta tecnología
{ Dispositivo semiconductor de tres capas
(2 tipo p y una tipo n, o bien podría ser 2
capas tipo n y una capa tipo p)

E C E C
p n p n p n

B B

VEB VCB VEB VCB

 Configuración base común
IC ≅ I E α ≅ IC I
E

E C E C
p n p n p n
IC
IE IC
B B
IB IE
+ - + - - + IB - +

VEB VCB VEB VCB

E IE IC C E IE IC C

+ + + +

VEB VCB VEB VCB

IB
Segundo subíndice indica IB
configuración del transistor - - - -
B B
 Configuración base común (pnp)

IE(mA) IC(mA)
VCB = -20 v Región activa o lineal IE=4mA

Región de saturación
4 VCB = -10 v 4
VCB = -1 v

IE=3mA
3 3

IE=2mA
2 2

IE=1mA
1 1

IE=0

0.7
VEB(V) 0 -10 -20 VCB(V)
Región de corte
Característica de emisor o entrada Característica de colector o salida
 Configuración emisor común
C C
IC IC
p
n
B VCE B n
VCE
p
IB IB
p
n
VBE VBE
E IE E IE
β = IC IB
C C

IC IC α = IC I
E

I E = IC + I B
IB
+

IB

+
IC IC
B VCE = IC +
B VCE α β
+ -
+

1 = 1+ 1
- IC VBE α β
VBE
IE β≅ IB IE β = α (1 − α )
- -
E E α = β (β + 1)
 Configuración emisor común (npn)

IB(uA) IC(mA)
VCE = 1 v IB=40uA

Región de saturación
40 VCE = 10 v 4
VCE = 20 v

IB=30uA
30 3
Región activa o lineal
IB=20uA
20 2

IB=10uA
10 1

IB=0

0.7
VBE(V) 0 +10 +20 VCE(V)
Región de corte
Característica de base o entrada Característica de colector o salida
 Configuración colector común
IE E IE
E

VEB VEB n
p
B VEC B
p
VEC
n
IB IB
n
p

IC C IC
C
β = IC IB
E E
IE IE α = IC I

+
+

VEB VEB I E = IC + I B

+
- -
+

IC IC
= IC +
B VEC B VEC α β
IB - IB 1 = 1+ 1
IC - α β
IC β≅ IB IC β = α (1 − α )

C C α = β (β + 1)
Polarización de BJT

{ Polarización fija
{ Polarización con resistencia de
emisor
{ Polarización tipo H
(independiente de beta)
{ Polarización con resistencia de
retroalimentación