1 CARACTERSTICAS Y CIRCUITOS CON DIODOS Y TRANSISTORES

1. Caractersticas de Polarizacin Directa e Inversa Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarizacin directa e inversa. Polarizacin Directa. La polarizacin directa se da cuando una tensin externa se opone a la barrera de potencial. Si la tensin aplicada es mayor que la barrera de potencial, el diodo est polarizado en directa y la corriente que fluye por el es grande, es decir, el diodo se comporta como cortocircuito, aunque presenta una resistencia interna muy baja. En la prctica, se polariza directamente al diodo cuando se conecta el nodo (borne P) al terminal positivo de la fuente y el ctodo (borne N) al negativo.

Diodo polarizado directamente

Analizando el circuito a utilizar en laboratorio:

W

Si P1 se halla en la posicin superior se tiene:

W

2
15 = 1k ( I - I D ) 0 = 1k ( I D - I ) + 1kI D 15 = 1000 I - 1000 I D 0 = 2000 I D - 1000 I I = 2 I D 15 = 2000 I D - 1000 I D I D = 15[mA]

Si P1 se halla en la posicin media se tiene:

W

15 = 500 I + 500( I - I D ) 0 = 500( I D - I ) + 1000 I D 1500 I D = 500 I I = 3I D 15 = 1500 I D + 500 I - 500 I D 15 = 1500 I D + 1500 I D - 500 I D ID = 15 2500

I D = 6[mA]

Si P1 se halla en la posicin inferior, se tiene:

W W

Ntese que toda la corriente circulara por el cortocircuito que separa las mallas. Entonces: I D = 0

3 a) Mtodo Punto a Punto. Con el circuito de la figura 1, se levantar la curva I D vs. VD caracterstica del diodo a utilizar (1N4007), haciendo nfasis en el voltaje de arranque, que por ser el diodo IN4007 un diodo de silicio, su voltaje de arranque estar en 0,6 Vg 0,7 . Con a curva caracterstica del diodo, se calcularn los siguientes parmetros: - Resistencia dinmica del diodo:
rs = (V3 - V2 ) ln( I 2 / I1 ) - (V2 - V1 ) ln( I 3 - I 2 ) ( I 3 - I 2 ) ln( I 2 / I1 ) - ( I 2 - I1 ) ln( I 3 / I 2 )

- Voltaje de barrido de frecuencia:

V j = V - rs I

b) Mtodo de barrido de frecuencia Sea el siguiente circuito:

Con el osciloscopio previamente calibrado, se introduce el voltaje sobre la resistencia al canal Y y el voltaje sobre el diodo al canal X. Se selecciona el modo X-Y y variando la frecuencia del generador se visualiza la curva caracterstica del diodo. Se debe tomar en cuenta que el canal Y est midiendo voltajes, as que es necesario dividir stos valores entre el valor de la resistencia R=1k[ W ], y de esta manera, se ha medido indirectamente la corriente que circula por el diodo. Una vez obtenida la curva caracterstica del diodo, por cualquiera de los dos mtodos anteriormente expuestos, se puede calcular los parmetros bsicos del diodo, pero previamente se deber efectuar el mismo anlisis con la polarizacin inversa. Polarizacin Inversa. La polarizacin inversa de un diodo se da cuando la tensin externa aplicada al diodo es menor negativa con respecto a la barrera de potencial que presenta el diodo. En polarizacin inversa, el diodo presenta una alta resistencia hmica, simulando de esta manera un circuito abierto. En la prctica se polariza al diodo inversamente, cuando se conecta el nodo (borne P) al Terminal negativo de la fuente y el ctodo (borne N) al terminal positivo de la fuente.

Analizando el circuito a utilizar en laboratorio:

W

Si P1 est en la parte superior, se tiene:

W

= 15[V ]

Si P1 est en la parte media, se tiene:

W

VD =

500[W] 15[V ] 1000[W] VD = 7,5[V ]

Si P1 est en la parte inferior se tiene:

W

= 0[V ]

5 Con los mtodos expuestos en el inciso anterior, punto a punto y barrido de frecuencia, se determinar la curva caracterstica del diodo. Con esta curva se calcularn los siguientes parmetros: - Resistencia dinmica del diodo:
rs = (V3 - V2 ) ln( I 2 / I1 ) - (V2 - V1 ) ln( I 3 - I 2 ) ( I 3 - I 2 ) ln( I 2 / I1 ) - ( I 2 - I1 ) ln( I 3 / I 2 )

- Corriente inversa de saturacin:

con : j = ln (I 2 /I1 ) resistenci a de juntura (V2 -V1 )-rS (I 2 -I1 )

- Capacidad de difusin:
1

2 1 + (wt e ) C D = j ( I + I S ) 2w 2

1 2

2 - 1

c) Parmetros bsicos de los diodos 1N4007, AAZ15, 1N4043, HP2835 Diodo 1N4007 AAZ15 Material Si Ge
rS [W ] I S [ A]
Vg [V ]

CTo [ pf ]

C p [ pf ]

1,19x10-11 1,1

5,54x10-2 4,36x10-6

0,6< Vg <0,7 ~ 0,3

2,3 4,2

0,3

0,45 0,65

6 - Variaciones con la temperatura

W W

W W

rS = 5,54 10- 2 [W]

ID =

15 1000 + 5,54 10 - 2

I D = 14,66[mA]

VD = I D rS = 14,99[mA]5,54 10 - 2 [W] VD = 0,83[mV ]

Calentando el diodo D con algn dispositivo emisor de calor, y midiendo la temperatura sobre el diodo con un termmetro, se deber observar una variacin que obedece a:
V KT I = I S e / q - 1 Si el diodo est polarizado directamente. -V I = I S e KT / q - 1 Si el diodo est polarizado inversamente.

Adems, I S tampoco es independiente de la temperatura, sino que vara segn:

I S T2 = I S T1 e K (T2 -T1 )

En el caso de la tensin se tiene:

VD T2 = VD T1 - k (T2 - T1 )

7 2. Diodos de avalancha - efecto zener Caractersticas en polarizacin directa e inversa Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarizacin directa e inversa. Polarizacin inversa de diodo zener. El diodo zener se polariza inversamente cuando se conecta el terminal positivo de la fuente al ctodo (borne N) y el terminal negativo de la fuente al nodo (borne P) del diodo. Una vez alcanzado el voltaje zener de regulacin VZ , este diodo conduce, circulando por el una corriente considerable, establecindose as una diferencia con los diodos de uso general. Analizando el circuito a utilizar en laboratorio y considerando a D como un diodo IN757:

VZ = 9,1 0,91; PZ = 500[mW ]

W

Si P1 est en la parte superior, se tiene:

W

15 = 1000( I - I D ) - 9,1 = 1000( I D - I ) + 1000 I D

W

I=

15 + ID 1000

15 - 9,1 = 1000 I D + 1000 I D - 1000 + ID 1000 - 9,1 = 1000 I D - 15 ID = 15 - 9,1 1000

I D = 5,9[mA]

8 Si P1 est en la parte media, se tiene:

W
W

15 = 500 I + 500( I - I D ) - 9,1 = 500( I D - I ) + 1000 I D 15 = 1000 I - 500 I D 15 + 500 I D 1000 500 (15 + 500 I D ) - 9,1 = 1500 I D 1000 - 9,1 = 1500 I D - 7,5 - 250 I D I= 7,5 - 9,1 = 1250 I D ID = 7,5 - 9,1 1250

I D = 1,28[mA]

Si P1 est en la parte inferior, se tiene:

W

Polarizacin directa del diodo zener. Un diodo zener se polariza directamente cuando se conecta el nodo (borne P) al terminal positivo de la fuente y el ctodo (borne N) al terminal negativo de la fuente. En polarizacin directa, el diodo zener se comporte como un diodo de uso general. Analizando el diodo a usar en laboratorio:
W

Si P1 est en la parte superior:

W

15 = 500 I + 500( I - I D ) 0 = 1000( I D - I ) + 1000 I D 10 = 2000 I D - 1000 I D I = 2I D 15 = 1000(2 I D ) - 1000 I D 15 = 1000 I D I D = 15[mA]

9 Si P1 est en la parte media:

W

15 = 500 I + 500( I - I D ) 0 = 500( I D - I ) + 1000 I D 0 = 1500 I D - 500 I D I = 3I D 15 = 1500 I D ) + 500 I - 500 I D 15 = 1000 I D + 500 I 15 = 1000 I D + 1500 I D ID = 15 2500

I D = 6[mA]

Si P 1 est en la parte baja:

W W

I D = 0[mA]

a) Mtodo punto a punto Con los circuitos de las figuras 3 y 4 se medirn I Z y VZ , tanto en polarizacin directa como en polarizacin inversa. Con estos datos se levantarn las curvas caractersticas del diodo zener, haciendo nfasis en el voltaje zener de regulacin, para la polarizacin inversa y en el voltaje de arranque, para la polarizacin directa. b) Mtodo de barrido de frecuencia Sean los siguientes circuitos:

Variando la frecuencia del generador en los circuitos y con el osciloscopio previamente calibrado en el modo X-Y, se visualizan las curvas en polarizacin directa e inversa. Ntese que el canal Y est midiendo voltaje, estas lecturas deben ser divididas entre el valor de R = 1[kW] , midiendo as en forma indirecta la corriente que circula por el diodo.

10 c) Parmetros bsicos de los diodos 1N4372, 1N757, 1N4554, MZ605 Diodo 1N757 1N4372 Material Si Si

rZ [W]
10 29

Vr [V ]
1,0 1,0

VZ [V ]
9,1 0,91
3

PZ [W ]
0,4 0,5

11 3. Aplicaciones con diodos Circuitos recortadores Circuito bsico:

D1 : zener de 5,1 [v] D3 : zener de 7,1[v] D2, D4, D5 : rectificador de 1[A] R1 = R2 = R3 = 1[k W]

Dibujar e0 si ei vara de -10 a +10 [v] en pasos de i[v] Si ei= -10 se tiene:

Si ei= -9 se tiene:

Si ei= -8 se tiene:

12 Si ei= -7 se tiene:

Si ei= -6 se tiene:

Si ei= -5 se tiene:

Si ei= -4 se tiene:

13 Si ei= -3 se tiene:

Si ei= -2 se tiene:

Si ei= -1 se tiene:

Si ei=0 se tiene:

eo=0[v]

14 Si ei=1 se tiene:

e0 =

R 2 || R 3 ei R 2 || R 3 + R 1

R2 R3 R2 R3 R2 + R3 R2 + R3 e0 = ei = e R2 R3 R2 R3 + R1 ( R2 + R3 ) i + R1 R2 + R3 R2 + R3 e0 = e0 =
Si ei=2 se tiene:

R2 R3 ei R2 R3 + R1 ( R2 + R3 )

1k 1k 1[v] e0 = 0,33[v] 1k 1k + 1k 1k

e0 =

1k 1k 2[v] 1k 1k + 2k

e0 = 0,67[v]
Si ei=3 se tiene:

1 e0 = 3[v ] 3 e0 = 1[v ]

Si ei=4 se tiene:

1 e0 = 3[v] 3 e0 = 1,33[v]
Si ei=5 se tiene:

1 e0 = 5[v] 3 e0 = 1,67[v]

15 Si ei=6 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I 5,1 = RP I 0 = e0 e0 = 5,1[v]

Si ei=7 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I 5,1 = RP I 0 = e0 e0 = 5,1[v]

Si ei=8 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I 5,1 = RP I 0 = e0 e0 = 5,1[v]

Si ei=9 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I 5,1 = RP I 0 = e0 e0 = 5,1[v]

Si ei=10 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I 5,1 = RP I 0 = e0 e0 = 5,1[v]

16 a) Dibujar la curva de transferencia e0 vs. ei .

e0 [v]

ei [v]

b) Si ei es 10 sen(wt), Cunto vale e0 ?

w = 2pf f = 100 Hz

ei [v]

t [ms]

e0 [v]

t [ms]

17 c) Si ei es la onda triangular mostrada, Cunto vale eo ?

T = 100[ms]

ei [v]

t [ms]

e0 [v]

t [ms]

18 4. Circuitos Rectificadores 4.1. Rectificadores Polifsicos a) Caractersticas MAGNITUD Tensin continua de salida Tensin eficaz de salida Onda Salida Amplitud de tensin salida Factor de forma Factor de amplitud Factor de ondulacin Factor de pulsacin Frecuencia del armnico de orden sup. SMBOLO Vm V VM kf kA
g

MEDIA ONDA 1,17 Vf 1,017V, 1,21 Vm 1,017 1,19 18,5 0,25 3f0

ONDA COMPLETA 2,3 Vf Vm 1,017Vm 1 1,047 4,2 0,057 6f0

kp f0

Rectificador

Corriente media por rama Corriente eficaz por rama Corriente mxima por rama Tensin inversa mxima

Irm If IFM VRM

0,333 Im 0,588 Im 1,57 Im 3,14 Vm

0,333 Im 0,577 Im 1,047 Im 1,047 Vm

Tensin eficaz de base secundario Tensin eficaz de lnea secundario Corriente eficaz secundario Transformador Potencia aparente secundario Factor de utilizacin secundario Tensin eficaz del primario Corriente eficaz primario Potencia aparente primario Factor de utilizacin primario

Vf2 VL2 If2 S2 K2 Vf1 If1 S1 K1

0,855 Vm 1,48 Vm 0,588 Im 1,74 Vm Im 0,662 0,855 Vm 0,484 Im 1,24 Vm Im 0,663

0,128 Vm 0,74 Vm 0,816 Im 1,05 Vm Im 0,954 0,428 Vm 0,816 Im 1,047 Vm Im 0,954

19 b) Rectificador trifsico estrella media onda

V1 = Vm sin(wt ) V2 = Vm sin(wt + 120 ) V3 = Vm sin(wt + 240 )

p 2 2p 3

7p 6

11p 6 4p 3p 5p 2p 3 2 3

7p 3

8p 3

7p 2

wt

wt

20 c) Rectificador estrella tipo puente

p 2 2p 3

7p 6

11p 6 4p 3p 5p 2p 3 2 3

wt

wt

21 4.2. Rectificadores monofsicos a) Rectificador de media onda Se dispone de un transformador de Vef s = 6[v] y la carga ser de RL = 1[kW]

VSP = 6 2 VSP = 8,49[v] rad La frecuencia : f = 50[ Hz ] w = 100p s T = 20[ms] con rf despreciable

VS [ v ]

t [ms]

iD =

Vm sin(100pt ); con rf 0; rf << RL Diodo :1N4007 RL Vm = VSP = 8,49[v] 8,49 sin(100pt ) 1000 iD = 8,49 sin(100pt )[mA] iD = iD = 8,49[mA]

Corriente y tensin continua:

I CC =

I m 8,49 = p p

I CC = 2,7[mA] VCC = I CC RL = 2,7 m 1K VCC = 2,7[v]

22 Potencia suministrada a la carga:

PCC = VCC I CC = 2,72,7 PCC = 7,29[ mW ]

Potencia total de entrada (potencia del transformador):

Pac = I m RL (8,49m) 2 1k = 4 4 Pac = 18,02[mW ]
2

Factor de ripple:
F .R. = 1,21

Voltaje inverso de cresta:

PIV = 8,49[v]
b) Rectificador de onda completa

Vef S 1 = 6[v]; Vef S 2 = 6[v] Vm1 = Vm 2 = 8,49[v] rad La frecuencia : f = 50 Hz w = 100p s T = 20[ms ] con rf 1 y rf 2 despreciables R L = 1k[W]

V0 [ v ]

t [ms]

Si : r f 1 << RL y r f 2 << RL Vm = 8,49[v] do V0 = 8,49 sin(wt + p ) V0 = 8,49 sin(100pt + p ) 2 semiciclo V0 = 8,49 sin(wt ) V0 = 8,49 sin(100pt ) 1er semiciclo.

23 Corriente y tensin DC:

VCC = 2Vm 2 2(8,49) = p p

VCC = 5,41[V ] 2Vm 2(5,41) = pRL p (1000)

I CC =

I CC = 3,44[mA]

Potencia entregada a RL :
PCC = 4Vm 4(8,49) 2 = 2 pRL p (1000)
2

PCC = 29,2[mW ]

Potencia total entregada al circuito:

Pac = Im V (8,49)2 RL = m = 2 2 RL 2(1000) Pac = 36,04[mW ]
2 2

Rendimiento:
h= PCC 29,2m 100% = 100% Pac 36,04m h = 81,2%

Factor de rizado:
F .R. = 0,48

Tensin inversa de pco:

PIV = 2Vm = 2(8,49) PIV = 16,98[v]

24 c) Rectificador tipo puente

Vefs = 6[v] Vm = 8,49[v] rad La frecuencia : f = 50 Hz w = 100p s T = 20[ms] RL = 1[kW] Si : rf 1 , rf 2 , rf 3 , rf 4 << RL despreciables
V0 [ v ]

t [ms]

V0 = Vm sin (t ) V0 = 8,49 sin(100pt )

Corriente y tensin D.C.

VCC = 2Vm 2(8,49) = p p

VCC = 5,4[v] 2Vm 2(8,49) = pRL p (1k )

I CC =

I CC = 5,4[mA]

Potencia entregada a RL :

PCC = VCC I CC = 5,45,4m PCC = 29,16[mW ]

25 Potencia total entregada al circuito:

Pac = I m 2 RL Vm 2 8,49 2 = = 2 2 RL 2k Pac = 36,04[ mW ]

Rendimiento:
h= PCC 29,16 100% = 100% Pac 36,04 h = 80,91%

Factor de ripple:
F .R. = 0,48

Tensin inversa de pico:

PIV = Vm PIV = 8,49[v]

26 5. Hojas tcnicas Transistores BJT Valores nominales mximos: Transistor \ Carct. 2N4400 2N4123 2N4402 2N3906 2N3055 2N51163 BC548 VCEO 40 VDC 30 V 40 V 40 V 60 V 40 V 30 V VCBO 60 VDC 40 V 40 V 40 V 100 V 60 V 30 V VEBO 6 VDC 5V 5V 5V 7V 4V 6V IC 600 mA 200 mA 600 mA 200 mA 15 A 5A 100 mA TA=25(PD) 310 W 310 mW 310 mW 310 mW 115 W 50 W 625 mW

Caractersticas elctricas en estado OFF: Transistor \ Carct. 2N4400 2N4123 2N4402 2N3906 2N3055 2N51163 BC548 V(BR)CEO 40 Vmin 30 Vmin 40 Vmin 40 Vmin 70 Vmin 40 Vmin 30 Vmin V(BR)CBO 60 VDCmin 40 Vmin 40 Vmin 40 Vmin 30 Vmin V(BR)EBO 6 Vmin 5V 5V 5V 4 Vmin 6 Vmin IBL 0,1 m ADC 50 nA 0,1 m A 50 mA 5 mA 0,1 mA ICEX 6,1 m Amax 0,1 m A 50 nA 5 mAmax 40 m Amax

27 Caractersticas elctricas en estado ON: Transistor \ Carct. 2N4400 2N4123 2N4402 2N3906 2N3055 2N51163 BC548 hfe 50 a 150 50 a 150 50 a 150 100 a 300 20 a 70 10 min 110 VCE(SAT) 0,75 VDC 0,3 V 0,4 V 0,25 V 8 Vmax 0,09 VTYP VBE(SAT) 0,75 a 0,95 VDC 0,95 V 0,65 a 0,95 V 0,65 a 0,85 V 1,8 Vmax 0,7 VTYP Q(VCEO,IC ) 1V, 150 mA 1V, 2mA 5V, 150 mA 1V, 10 mA 5V, 2mA

Caractersticas de seal pequea: Caract. \ Transistor 2N4400 2N4123 2N4402 2N3906 2N3055 2N51163 BC548 fT 200 MHz 250 MHz 150 MHz 250 MHz 500 MHz 300 MHz Cobo 6,5 pf 4 pf 0,5 pf 4,5 pf 45 a 60 pf 1,7 pf Cibo 30 pf 8 pf 30 pf 10 pf 10 pf hie 0,5 a 0,65 k W 750 a 7,5 k W 2 a 12 k W hre 8x10-4 0,1 a 8x10-4 1 a 10x10-4 hfe 20 a 250 50 a 200 30 a 250 100 a 400 hoe 1 a 30 mv 1 a 100 m v 3 a 60 m v -

28 Transistores JFET e IGFET Valores nominales mximos: Transistor / Carcter. 2N4223 (FET) 2N5460 (IFET) 2N4351 (MOSFET) 2N3797 (MOSFET) VDS 30 VDC 40 VDC 25 V 20 V VDG 30 VDC 40 VDC 30 V VGS 30 VDC 40 VDC + 30 V + 30 V ID 20 mADC 10 mADC 20 mA 20 mA PD a 25C 300 mW 310 mW 300 mW 300 mW Canal N P N N

Caractersticas elctricas en estado OFF: Transistor / Carcter. 2N4223 (FET) 2N5460 (IFET) 2N4351 (MOSFET) 2N3797 (MOSFET) V(BR)GSS 30 Vmin 40 Vmin VGS(off) 8 Vmax 0,75 a 6 V IGSS 0,25 nA 5 nA 10 pA 200 pA

Caractersticas elctricas en estado ON:

Transistor IDSS 2N4223 (FET) 3 a 18 mA 2N5460 (IFET) 1 a 5 mA 2N4351 (MOSFET) 10 mA 2N3797 (MOSFET) 1,5 mATYP 3 mAmax

Caractersticas de seal pequea:

Transistor / Carcter. 2N4223 (FET) 2N5460 (IFET) 2N4351 (MOSFET) 2N3797 (MOSFET) |Vfs |
3 a 7 mV 1000 a 4000 m V 1000 m V -

Re(Yfs)
0,33 a 0,14 k W Vfs-1 (1000 V)-1 -

Re(Yos )
200 mV (75 m V)-1 300 W -

Re(Yis )
800 mV -

Ciss
6 pf 5 a 7 pf 5 pfmax 5 a 7 pf

CTss
2 pf 1pfTYP, 2pfmax 1,3 pfmax 0,5 a 0,8 pf