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UNIVERSITE DE LIEGE FACULTE DES SCIENCES APPLIQUEES DEPARTEMENT DELECTRICITE, ELECTRONIQUE ET INFORMATIQUE

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
ELEN0075-1 Recueil dexercices janvier 2014

B. Vanderheyden E. Michel Institut Monteore B at. B28 Sart-Tilman, 4000 Li` ege.

1
1.1

Diodes et circuits ` a diodes


Modes direct et inverse

En prenant le mod` ele de diode ` a jonction suivant : vD = Vf une valeur Vf si iD > 0, si iD = 0,

d eterminer la tension vD et le courant iD de la diode de chacun des circuits de la gure 1.

R = 1 k 5V 5V

R = 1 k

(a)
Figure 1 exercice 1.1

(b)

1.2

Association de diodes en parall` ele

D eterminer le courant traversant la r esistance du circuit de la gure 2.

5V

D1

D2

Figure 2 exercice 1.2 Donn ees : R = 1 k, Vf 1 = 0.3 V (diode au Ge) et Vf 2 = 0.7 V (diode au Si). 2

1.3

Porte ` a diodes

Pour le circuit de la gure 3, d eterminez la tension apparaissant aux bornes de la r esistance R lorsque 1. V1 > V2 , 2. V2 > V1 . Quelle peut etre lutilit e du circuit de la gure 4 ?

D1 V1 D2 V2 R

Figure 3 exercice 1.3

Figure 4 exercice 1.3

vIN +4 V t 6 V

Figure 5 exercice 1.4

1.4

Circuits ` a diode soumis ` a une tension en cr eneaux

Chacun des circuits de la gure 6 est aliment e par une tension en cr eneaux (ou signal carr e) variant entre 6 V et +4 V comme illustr e` a la gure 5. Esquissez le signal de sortie dans chaque cas. On consid` ere que la p eriode T du signal est telle que T RC .

D vIN C vOUT

C D vOUT

vIN

Figure 6 exercice 1.4 R ep etez le probl` eme avec le signal et les circuits de la gure 7.

Figure 7 exercice 1.4

1.5

Caract` ere non lin eaire de la caract eristique iD vD dune diode

D eterminez le courant traversant la diode du circuit de la gure 8. Donn ees : R1 = R2 = 1 k, Vf = 0.7 V.

1.6

Circuits redresseurs

En consid erant tour ` a tour le redresseur simple alternance, le redresseur double alternance ` a prise m ediane et le redresseur double alternance en pont (aliment e dans chaque cas par une tension sinuso dale de moyenne nulle), d eterminez lallure temporelle de la tension aux bornes de la r esistance de charge, la valeur de cr ete de la tension de sortie, la valeur moyenne de la tension de sortie (en n egligeant Vf ), la tension inverse de cr ete des diodes. 5

R1

20 V

R2

Figure 8 exercice 1.5 D eduisez-en les avantages et les inconv enients de chacun de ces circuits.

1.7

Circuits limiteurs ou ecr eteurs

Le circuit de la gure 9 est aliment e par une tension sinuso dale vin de moyenne nulle et de tension de cr ete de 2 V. A laide du mod` ele utilis e ` a lexercice 1.1, calculez et tracez lallure de la tension aux bornes de RL pour une dur ee de deux p eriodes.

R vin

RL

Figure 9 exercice 1.7 Donn ees : RL = 10 k, R = 1 k et Vf = 0.7 V.

1.8

Variantes de circuits limiteurs

Chacun des trois circuits des gures 10, 11 et 12 est aliment e par une ten` laide du mod` sion sinuso dale vin de moyenne nulle. A ele de diode utilis e` a lexercice 1.1, d eterminez lallure de la tension de sortie pour une dur ee de deux p eriodes. Donn ees : la tension de cr ete du signal dentr ee vin (t) est egale ` a 2 V ; pour chaque diode, Vf = 0.7 V ; R = 1 k.

R vin vout

Figure 10 exercice 1.8 (a)

R vin vout 1V

Figure 11 exercice 1.8 (b)

R vin D1 D2 vout

Figure 12 exercice 1.8 (c)

1.9

Diode de protection dun interrupteur

Une diode peut prot eger un interrupteur des surtensions survenant ` a la suite dune r eduction rapide du courant traversant une charge inductive (par exemple les enroulements dun moteur electrique). Expliquez le r ole jou e par la diode de protection ` a la gure 13.

Figure 13 exercice 1.9 (tir e de Horowitz)

1.10

Redresseur simple alternance + ltre capacitif D ven C vC R

Figure 14 exercice 1.10 Le redresseur simple alternance de la gure 14 est suivi dun ltre capacitif simplement compos e du condensateur C . La tension dentr ee ven est 9

sinuso dale, de moyenne nulle et de tension de cr ete V0 , ven (t) = V0 sin La diode est consid er ee id eale (Vf = 0). D eterminez lexpression de la tension dondulation V en fonction de V0 , T et des caract eristiques des el ements du circuit, en adoptant les deux approximations suivantes : le courant ic est pratiquement constant durant la d echarge du condensateur C , le temps de d echarge est beaucoup plus long que le temps de charge. 2t . T

1.11

Redresseur double alternance + ltre capacitif D4

D1

vin D3 D2

Figure 15 exercice 1.11 On consid` ere le circuit de la gure 15, comprenant un redresseur double alternance en pont suivi dun condensateur de ltrage de capacit e C = 50 F. La tension dentr ee vin est une tension sinuso dale de fr equence f = esistance de 50 Hz, de moyenne nulle et de tension de cr ete V0 = 20 V. La r charge vaut R = 2 k. D eterminez une expression approch ee de londulation de tension V observ ee aux bornes de R, en prenant en compte les chutes de tensions directes des diodes, Vf (o` u Vf = 0.7 V).

1.12

D emodulateur AM

On consid` ere le circuit redresseur de la gure 14, aliment e par une tension vin (t) = Vm (t) sin 2fc t, 10

o` u fc = 1 MHz et lamplitude Vm (t) a une forme triangulaire p eriodique de fr equence fm = 1/Tm = 100 Hz. Ce signal est repr esentatif dune onde radio modul ee en amplitude (modulation AM) : le terme sin 2fc t repr esente londe porteuse, de fr equence elev ee, tandis que Vm repr esente le signal, qui module lamplitude de la tension vin ` a une fr equence faible. Expliquez comment le signal utile Vm (t) peut etre electroniquement extrait de vin ` a laide du circuit de la gure 14. En particulier, comment doit-on choisir la constante de temps RC ?

1.13

R egulation dune tension R Vin D

Figure 16 exercice 1.13 Le circuit de la gure 16 est un r egulateur de tension dont la tension dentr ee Vin est susceptible de varier au cours du temps. La diode Zener a les caract eristiques suivantes : tension inverse de claquage VZ = 5.1 V ; courant inverse maximum admissible, Imax = 200 mA ; courant minimum en r egime de claquage, Imin = 1 mA ; r esistance incr ementale RZ = 0 . R est une r esistance de 100 . Pour quelle plage de variation de Vin la tension de sortie est-elle r egul ee ?

1.14

R egulation dune charge

La gure 17 repr esente un circuit dalimentation dun r ecepteur radio. La tension dalimentation VDC est d elivr ee par une batterie ; elle est constante et egale ` a 12 V. Le r ecepteur radio travaille sous une tension de 6 V, maintenue ` a laide dune diode Zener aux caract eristiques suivantes : VZ = 6 V, puissance maximum dissip ee, Pmaxdiode = 1 W, 11

R Vin D Rr

Figure 17 exercice 1.14 courant minimum en claquage, Imin = 1 mA, r esistance incr ementale n eglig ee. La r esistance Rr sert ` a ajuster le volume du r ecepteur. Celui-ci peut consommer au maximum Pmaxradio = 0.5 W. Choisissez une r esistance R qui permet dassurer la r egulation sans d epasser les limites de dissipation.

1.15

Circuit Zener ecr eteur R vin D1 vout D2

Figure 18 exercice 1.15 Le circuit de la gure 18 est aliment e par une tension sinuso dale vin de moyenne nulle et de tension de cr ete V0 = 5 V. La r esistance vaut R = 10 k et les diodes Zener ont les caract eristiques suivantes : tension directe Vf = 0.7 V, tension de claquage inverse VZ = 2.3 V, r esistance incr ementale RZ n eglig ee, courant minimum de claquage n eglig e. Esquissez la tension de sortie vOUT pour une dur ee de deux p eriodes.

12

2
2.1

Transistors bipolaires (BJT)


Modes de fonctionnement
Exemple 1

2.1.1

VCC = 10 V RC = 4.7 k

B +
V1 6V

C E
RE = 3.3 k

Figure 19 exercice 2.1.1 D eterminez le mode de fonctionnement du transistor bipolaire du circuit de la gure 19. D eterminez les tensions ` a chaque noeud et les courants dans chaque branche. Donn ee : en MAN, = 100. 2.1.2 Exemple 2

D eterminez le mode de fonctionnement du transistor bipolaire du circuit de la gure 20. D eterminez les tensions ` a chaque noeud et les courants dans chaque branche. Donn ee : en MAN, = 100. 2.1.3 Exemple 3

D eterminez le mode de fonctionnement du transistor bipolaire du circuit de la gure 21. D eterminez les tensions ` a chaque noeud et les courants dans chaque branche. Donn ee : en MAN, = 100. 13

VCC = 10 V RC = 4.7 k

RE = 3.3 k

Figure 20 exercice 2.1.2

VEE = 10 V RE = 2 k

E C
RC = 1 k VCC = 10 V

Figure 21 exercice 2.1.3 2.1.4 Exemple 4

D eterminez le mode de fonctionnement du transistor bipolaire du circuit de la gure 22. D eterminez les tensions ` a chaque noeud et les courants dans chaque branche. Donn ee : en MAN, = 100. 2.1.5 Exemple 5

Dans le circuit de la gure 23, 1. que vaut VCE lorsque lentr ee vin est mise ` a z ero ?

14

VCC = 10 V RB = 100 k RC = 2 k

+
V1 = 5 V

Figure 22 exercice 2.1.4

VCC = 10 V RC = 1 k Vin RB

Figure 23 exercice 2.1.5 2. Quel courant iB doit-on imposer pour polariser le transistor en saturation profonde ? 3. Si Vin = 5 V, quelle est la plus grande valeur de RB permettant de maintenir le transistor en saturation ? Donn ee : = 200.

2.2
2.2.1

Polarisation des transistors bipolaires


Eets de la r esistance d emetteur

Une el evation de la temp erature du transistor de la gure 24 change ses caract eristiques de la fa con suivante : le gain passe de 85 ` a 100 et la tension de jonction VBE change de 0.7 V ` a 0.6 V.

15

VCC = 20 V RB = 100 k RC = 4.7 k

RE = 10 k VEE = 20 V
Figure 24 exercice 2.2.1 D eterminez les variations relatives subies par le courant IC et la tension VCE . 2.2.2 Polarisation par contre-r eaction au collecteur

VCC RC = 1 k

RB

Figure 25 exercice 2.2.2 Dans le circuit de la gure 25, on a VCC = 15 V, RC = 1 k et = 200. 1. Ajustez RB de fa con ` a placer le point de repos Q au milieu de la droite de charge. 2. Le transistor du circuit est remplac e par un transistor bipolaire de gain trois fois plus elev e. Que devient Q dans ce cas ? 2.2.3 Polarisation par diviseur de tension

D eterminez le point de repos du transistor de la gure 26. 16

VCC = 30 V R1 = 6.8 k RC = 3 k

R2 = 1 k

RE = 750

Figure 26 exercice 2.2.3 Donn ee : = 200. 2.2.4 Polarisation par diviseur de tension : conception

En reprenant le sch ema de la gure 26, d eterminez les r esistances R1 , R2 , RC , RE telles que 1. IC = 1.3 mA, 2. VCE = 4 V, 3. le gain RC /RE est egal ` a 5. 1 On dispose dune tension dalimentation VCC de 12 V et on peut supposer que 1. 2.2.5 Polarisation dun transistor pnp par diviseur de tension

On consid` ere le circuit de la gure 27. 1. D eterminer IC , VCE , ainsi que le mode de fonctionnement du transistor. 2. Quobtiendrait-on pour IC et VCE si on n egligeait le courant de base IB ? Expliquez ce r esultat. 3. En utilisant la m eme approximation quau point 2, calculez :
1. dans les chapitres suivants, nous verrons que RC /RE est une estimation du gain en tension dun amplicateur constitu e dun transistor dans cette conguration.

17

VEE = 15 V R2 RE

B
R1 VCC = 5 V

E C
RC

Figure 27 exercice 2.2.5 (a) la puissance totale d elivr ee par les sources de tension, (b) la puissance dissip ee par RE , (c) la puissance dissip ee par le transistor. Donn ees : R1 = 22 k, R2 = 10 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k, = 150, VEE = 15 V et VCC = 5 V. 2.2.6 Polarisation de deux etages en cascade

Le circuit de la gure 28 est constitu e de la mise en cascade de deux inverseurs ( emetteur-commun). 1. En n egligeant les courants de base IB 1 et IB 2 , d eterminez la tension vOUT lorsque le signal dentr ee est nul (vin = 0). 2. Repr esentez le point de polarisation du transistor Q2 sur une droite de charge et montrez que ce transistor est polaris e en MAN. 3. Pour quelles valeurs extr emes de vOUT le transistor Q2 quitte-t-il le MAN ? 4. Quelle est lexcursion maximale de la tension de sortie vOUT ? Donn ees : r esistances : R1 = 6.2 k, R2 = 1.5 k, R3 = 4.7 k, R4 = 1.4 k ; diode Zener : VZ = 7.3 V ; transistors : VCE2sat 0 V, 1 = 2 = 100 ; tensions dalimentation : VEE = 10 V, VCC = 10 V. 18

VCC = 10 V R1 = 6.2 k RS = 1 k vin R2 = 1.5 k D VEE = 10 V


Figure 28 exercice 2.2.6

R3 = 4.7 k Vout

RE = 1.4 k

2.3
2.3.1

Mod` ele petit-signal des transistors bipolaires


Montage emetteur commun

VCC R1 C1 vin R2 C2 RE RC vout

Figure 29 exercice 2.3.1 D eterminez le gain en tension Av , la r esistance dentr ee rin et la r esistance de sortie rout du circuit de la gure 29. Donn ees : ` a la fr equence du signal, les condensateurs de couplage remplissent parfaitement leur r ole ; 19

r esistances : R1 = 22 k, R2 = 4.7 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k ; transistor : = 100 , eet Early n eglig e; source de tension : VCC = 15 V. 2.3.2 Montage emetteur commun, version pnp

VEE = 12 V R2 vin R1 VCC = 0 V


Figure 30 exercice 2.3.2 D eterminez le gain en tension Av , la r esistance dentr ee rin et la r esistance de sortie rout du circuit de la gure 30. Donn ees : ` a la fr equence du signal, les condensateurs de couplage remplissent parfaitement leur r ole ; r esistances : R1 = 22 k, R2 = 6.8 k, RC = 1 k, RE = 560 ; transistor : = 100 ; ro = 100 k. source de tension : VEE = 12 V. 2.3.3 Emetteur commun avec un condensateur de d erivation

RE

CE C2 vout

RC

D eterminez le gain en tension Av , la r esistance dentr ee rin et la r esistance de sortie rout du circuit de la gure 31. Comment varient la polarisation et le gain en tension si le condensateur CE est enlev e du circuit ? Donn ees : ` a la fr equence du signal, les condensateurs de couplage et de d erivation remplissent parfaitement leur r ole ;

20

VCC = 10 V R1 RC C2 vout RL R2 RE CE

RS vin

C1

Figure 31 exercice 2.3.3 r esistances : RS = 1 k, R1 = 10 k, R2 = 2.2 k, RC = 3.6 k, RE = 1 k, RL = 1.5 k ; transistor : = 150 ; ro . source de tension : VCC = 10 V. 2.3.4 Montage suiveur de tension (collecteur commun)

VCC = 12 V

RB = 100 k

+
7.5 V Vout

vin

RE = 10 k

Figure 32 exercice 2.3.4 D eterminez le gain en tension Av , le gain en courant ai , la r esistance dentr ee 21

rin et la r esistance de sortie rout du circuit de la gure 32. Donn ees : r esistances : RB = 100 , RE = 10 k ; transistor : = 100 ; ro . source de tension : VCC = 12 V. 2.3.5 Montage en base commune

VCC = 10 V R1 RC C1 C2 vout rout R2 RE rin CE vin RL

Figure 33 exercice 2.3.5 D eterminez le gain en tension Av , la r esistance dentr ee rin et la r esistance de sortie rout du circuit de la gure 33. Donn ees : ` a la fr equence du signal, les condensateurs de couplage remplissent parfaitement leur r ole ; r esistances : R1 = 56 k, R2 = 12 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k, RL = 10 k ; transistor : = 250 ; ro . source de tension : VCC = 10 V.

22

VCC = 10 V RC 1 RB vin RE 1 D1 VEE = 10 V


Figure 34 exercice 2.3.6 2.3.6 Circuit ` a trois etages

RC 2 C = 10 F Vout RE 3 RE 2 RL

Un calcul de polarisation du circuit de la gure 34 nous donne les r esistances incr ementales suivantes : r1 = 1.8 k, r2 = 2.7 k, r3 = 2 k.

D eterminez le gain en tension, la r esistance dentr ee et la r esistance de sortie de ce circuit. Donn ees : r esistances : RB = 1 k, RC 1 = 6.2 k, RE 1 = 1.5 k, RC 2 = 4.7 k, RE 2 = 1.4 k, RE 3 = 10 k, RL = 10 k ; transistor : 1 = 2 = 3 = 100 ; ro . source de tension : VCC = 10 V et VEE = 10 V ; diode Zener : VZ = 7.3 V, r esistance incr ementale nulle. 2.3.7 Transistor branch e en diode

Dans un circuit int egr e (IC), une diode est souvent r ealis ee ` a laide dun transistor bipolaire dont le collecteur est directement connect e ` a la base comme illustr e` a la gure 35.

23

iD

vD

Figure 35 exercice 2.3.7 D eterminez lexpression analytique de la r esistance incr ementale rd = de la diode ainsi obtenue. 2.3.8 Cascade CE/CC dvD diD

VCC RC RS RL vin R I VEE


Figure 36 exercice 2.3.8 Le circuit de la gure 36 est un amplicateur ` a deux etages constitu e dun montage emetteur commun en cascade avec un montage collecteur commun. 24

CC 1 vout

CE

Les transistors Q1 et Q2 ont des caract eristiques identiques et fonctionnent en mode actif normal. (VBE = 0.7 V). On consid` ere dabord que R = 70 k. 1. Calculez le point de repos du transistor et les param` etres incr ementaux gm et r . 2. D eterminez le gain en tension du montage dans la bande passante. On consid` ere ensuite que R . Le point de polarisation est modi e et on a r1 = 3.5 M et r2 = 23.6 k. 3. Estimez la fr equence de coupure inf erieure du montage. Donn ees : RS = 100 k, RL = 10 k, RC = 9.1 k ; condensateurs : CC 1 = 1 F, CE = 10 F. sources : I = 160 A, VCC = VEE = 3 V ; transistors : 1 = 2 = 150, ro1 = ro2 , VBE 1 = VBE 2 = 0.7 V.

3
3.1

Transistors ` a eet de champ (FET)


Polarisation des FET
Polarisation dun MOSFET ` a canal n

3.1.1

D +
V1

R2

G S

+
V2

Figure 37 exercice 3.1.1 Dans le circuit de la gure 37, comment doit-on choisir V1 an dobtenir une tension VDS = 6.2 V ? Dans quel mode de fonctionnement se trouve-t-on ? Donn ees : K = 2 mA/V2 et Vt = 1.5 V ; R2 = 4.7 k ; V2 = 10 V.

25

3.1.2

Polarisation dun MOSFET ` a canal n : exemple 2

On consid` ere le circuit de la gure 37 avec les donn ees suivantes : Vt = 2 V, V1 = 2.8 V, V2 = 12 V, R2 = 5.6 k. Quelle est la plus grande valeur de K qui maintient le transistor en r egime de saturation ? Si K augmente au del` a de cette valeur, dans quel r egime le transistor entre-t-il ? 3.1.3 Polarisation dun MOSFET ` a canal n : exemples 3 et 4

VDD = 5 V RD = 1.5 k

Figure 38 exercice 3.1.3 Quel est le r egime de polarisation du MOSFET ` a canal n de la gure 38, si 1. RD = 1.5 k ? 2. RD = 510 ? Donn ees : K = 0.5 mA/V2 et Vt = 2.5 V ; VDD = 5 V. 3.1.4 Polarisation dun miroir de courant

Le circuit de la gure 39 repr esente un miroir de courant ` a transistors MOS2 FET. 1. Dans quel r egime le transistor Q1 est-il polaris e? 2. Que vaut VDS 1 ?
2. Nous verrons son utilit e dans un chapitre ult erieur.

26

VDD = 10 V R1 = 10 k R2 = 10 k

Figure 39 exercice 3.1.4 3. D emontrez que le transistor Q2 est en r egime de saturation et calculez VDS 2 . Donn ees : R1 = R2 = 10 k, K = 1.8 mA/V2 , Vt = 1.2 V. 3.1.5 Dissipation maximale dun MOSFET ` a canal n

VDD RD = 1 k

+
V1 = 2 V

Figure 40 exercice 3.1.5 Le fabricant du transistor du MOSFET de la gure 40 sp ecie une puissance maximale dissip ee egale ` a Pmax = 50 mW. Quelle valeur maximale peut-on choisir pour VDD ? Donn ees : VGG = 2 V, RD = 1 k, K = 1 mA/V2 et Vt = 1 V.

27

3.1.6

Fiche technique dun MOSFET ` a enrichissement ` a canal n

La che technique du MOSFET ` a enrichissement ` a canal n de type 2N7008 indique ID (on) = 500 mA (minimum) ` a VGS = 10 V et VGS (th) = 1 V (voir che ` a lannexe A). D eterminez ID ` a VGS = 5 V. 3.1.7 Polarisation dun MOSFET par diviseur de tension

VDD = 12 V R1 = 1 M RD = 1 k

R2 = 2 M

RS = 5.1 k

Figure 41 exercice 3.1.7 D eterminez la polarisation du transistor de la gure 41. r esistances : R1 = 1 M, R2 = 2 M, RD = 1 k, RS = 5.1 k ; transistor : K = 0.5 mA/V2 et Vt = 2 V. 3.1.8 Polarisation de transistors JFET

Les deux transistors JFET du circuit de la gure 42 ont des caract eristiques identiques (IG = 0, IDSS = 4 mA et VP = 2 V). D eterminez ID et VGS 1 et montrez que les deux transistors sont en r egime de saturation.

28

VDD = 10 V

Q1 Q2 VSS = 10 V
Figure 42 exercice 3.1.8

VDD

Q2 Q1 Vin Vout

Figure 43 exercice 3.1.9

29

3.1.9

Charge active

Le circuit de la gure 43 utilise le transistor Q2 comme charge de lamplicateur inverseur que constitue le transistor Q1 . D eterminez la relation Vout = f (Vin ) si Q1 est polaris e en saturation. Pr ecisez les conditions telles que Q1 soit en saturation (on suppose que K1 = K2 ).

3.2
3.2.1

Circuits FET damplication


Montage source commune

VSS = 20 V R2 = 6.8 k C1 vin R1 = 18 k G S C2 D vout RL = 10 k

RD = 1 k
Figure 44 exercice 3.2.1 Dans lamplicateur ` a source commune de la gure 44, le MOSFET ` a canal p a les caract eristiques suivantes : K = 0.32 mA/V2 , Vt = 2.5 V, et r0 . D eterminez gm , rin , rout et le gain Av . Donn ees : R1 = 18 k, R2 = 6.8 k, RD = 1 k, RL = 10 k ; on suppose que les condensateurs de couplage remplissent parfaitement leur r ole ` a la fr equence du signal. 3.2.2 Montage ` a grille commune

D eterminez le gain en tension, la r esistance dentr ee et la r esistance de sortie du circuit de la gure 45. 30

VDD RD Vout C RS vin

Figure 45 exercice 3.2.2 3.2.3 Montage ` a drain commun

VDD = 5 V RD C vin RG RS VSS = 5 V


Figure 46 exercice 3.2.3 Le MOSFET du montage ` a drain commun de la gure 46 a les caract eristiques 2 suivantes : MOSFET ` a enrichissement ` a canal n, K = 0.4 mA/V , Vt = 1 V et ro . 1. D eterminez les valeurs de RS , RD et RG de fa con telle que la r esistance dentr ee soit egale ` a rin = 10 M, la composante de polarisation du courant de drain soit egale ` a ID = 0.1 mA, 31

Vout

le transistor soit polaris e en r egime de saturation avec une marge de 1 V. 2. D eterminez le gain en tension du montage ainsi obtenu.

4
4.1

Amplicateurs di erentiels
Conception dun amplicateur di erentiel VCC

RC vi1 Vo1

RC Vo2 vi2

RE

VEE
Figure 47 exercice 4.1 On souhaite r ealiser lamplicateur di erentiel de la gure 47 avec les caract eristiques suivantes : 1. Un gain en mode di erentiel (` a sortie unique) de 34 dB, 20 log10 |Ads2 | = 20 log10 vo2 = 34 dB ; vi 1 vi 2

32

2. une r ejection du mode commun de 48 dB, 20 log10 o` u ACM = RC 2RE Ads2 = 48 dB, ACM

1. Etablissez lexpression litt erale de Ads2 . 2. D eterminez les valeurs de RC , RE et VEE qui r ealisent les conditions ci-dessus. Donn ees : transistors assortis, avec 1 = 2 = 100 et et ro1 , ro2 ; T = 300 K, VCC = 15 V. 4.1.1 Amplicateur di erentiel ` a JFET

VDD = 15 V RD1 Vout vi2 RD2

vi1

VSS = 15 V
Figure 48 exercice 4.1.1 D eterminez lexpression litt erale et la valeur num erique du gain en tension en mode di erentiel du circuit de la gure 48. Donn ees : transistors assortis (caract eristiques identiques) : VP = 2 V, IDSS = 4 mA, ro ; RD1 = RD2 = 4 k ; VDD = 15 V, VSS = 15 V. 33

Figure 49 exercice 4.1.2 4.1.2 Amplicateur ` a trois etages

Le circuit de la gure 49 repr esente un amplicateur ` a trois etages. 1. D eterminer les courants de polarisation de chaque collecteur. 2. D eterminer le gain en tension vout . Av = v+ v Donn ees : = 100. 4.1.3 Amplicateur di erentiel en polarisation de base

Le montage de la gure 50 repr esente un amplicateur di erentiel. Les deux transistors ont des caract eristiques identiques et sont tous les deux polaris es en mode actif normal. On suppose en outre que les condensateurs de couplage remplissent id ealement leur r ole. 1. Quel est le r ole jou e par les r esistances RB ? Expliquez comment ces r esistances aectent le gain du mode di erentiel. 34

Figure 50 exercice 4.1.3 2. Calculez les points de repos des transistors : d eterminez les composantes de polarisation VB , VC et VE , ainsi que les courants IC , IB et IE . Commentez la qualit e de cette polarisation. 3. D eterminez le gain en tension en mode di erentiel (` a sortie di erentielle). 4. Comment, en modiant les valeurs de certains el ements, peut-on augmenter le gain en tension en mode di erentiel ? Peut-on lajuster ` a une valeur aussi grande quon le souhaite ? Donn ees : r esistances : RB = 1.2 M, RC = 7 k, RE = 800 ; transistors : caract eristiques identiques, = 100 ; tension dalimentation : VCC = 15 V.

4.2
4.2.1

Sources de courant
Source de courant ` a BJT

Le circuit de la gure 51 est une source de courant. 1. D eterminez le courant de polarisation IE d ebit e par la source ainsi que la r esistance petit-signal (Req ) vue au travers du collecteur du 35

Figure 51 exercice 4.2.1 transistor. Pour calculer cette derni` ere, on n egligera la chute de tension aux bornes de RE par rapport ` a VCE , mais on tiendra compte du courant petit-signal traversant RE . 2. Quelle condition la tension VE doit-elle satisfaire pour que ce circuit fonctionne comme source de courant ? Donn ees : ro = 25 k, R1 = 1 k, R2 = 4.7 k et = 75. 4.2.2 Source de courant de Widlar

Le circuit de la gure 52 est une source Widlar qui permet de d ebiter un courant Io inf erieur au courant de la branche de r ef erence, IREF . 1. Etablissez, ` a partir de la relation grand signal IC IS e une relation entre Io et IREF . 2. D eterminez les valeurs de R2 et de R3 telles que IREF = 1 mA et Io = 10 A. Donn ees : transistors assortis (caract eristiques identiques), VT = 25 mV et , valeur de polarisation : IC = 1 mA pour VBE = 0.7 V. 36
VBE VT

(MAN),

Figure 52 exercice 4.2.2

5
5.1

Etages de sortie
Etage de sortie de classe AB

Le circuit de la gure 53 repr esente un etage de sortie de type AB. 1. D eterminez les composantes de polarisation des tensions VC 1E 1 et VE 2C 2 . 2. D eterminez les valeurs de cr ete de la tension et du courant de sortie. 3. D eterminez la puissance maximale d elivr ee au signal de sortie. 4. D eterminez la puissance moyenne d elivr ee par la source de tension VCC .

6
6.1

Eets fr equentiels
Bande passante dun amplicateur

37

Figure 53 exercice 5.1

Figure 54 exercice 6.1

38

La gure 54 repr esente le sch ema equivalent petit-signal dun amplicateur. Celui-ci est coupl e capacitivement au signal dentr ee vin et alimente une charge repr esent ee par la mise en parall` ele dune r esistance RL et dun condensateur CL . 3 Etablissez lexpression du gain en tension Av = vout (j ) vin (j )

et esquissez-en lallure sur un diagramme donnant 20 log 10 Av en fonction de la fr equence f (diagramme de Bode). Donn ees : RS = 1 k, C1 = 1 F, rin = 100 k, rout = 10 , Avo = 20, RL = 1 k, CL = 5 pF.

6.2

Fr equence de coupure inf erieure dun montage emetteur commun

Figure 55 exercice 6.2 Calculez le gain en tension dans la bande passante et estimez la fr equence de coupure inf erieure du circuit de la gure 55. Donn ees :
3. Ce dip ole est un mod` ele electrique dune sonde coaxiale doscilloscope. La partie capacitive mod elise le condensateur form e par les conducteurs central et p eriph erique, s epar es par une couche isolante de poly ethyl` ene.

39

r esistances : RS = 1 k, RB = 1 M, RC = 5.1 k, RL = 1 M ; condensateurs : CS = CC = 10 F, CL = 14 pF ; source de tension : VCC = 12 V ; transistor : = 100 et ro .

6.3

Fr equence de coupure inf erieure dun montage drain commun

Figure 56 exercice 6.3 Calculez le gain en tension dans la bande passante et estimez la fr equence de coupure inf erieure du circuit de la gure 56. Donn ees : r esistances : RG = 10 M, RD = 10 k, RL = 9.2 M ; condensateurs : C1 = C2 = 1 pF ; source de tension : VDD = 10 V ; transistor : Vt = 2 V, K = 0.125 mA/V2 , ro .

6.4

Fr equence de coupure inf erieure dun emetteur commun avec condensateur de d erivation

Calculez le gain en tension dans la bande passante et estimez la fr equence de coupure inf erieure du circuit de la gure 57. Donn ees : on a = 100 et ro . Un calcul de polarisation donne : gm = 62.5 mS. 40

+VCC=10 V RC=2,2 k vout Q1 R2= 22 k C3= 0.1 F RL =10 k

R1 =62 k C1 = 0.1 F RS= 600


Vin

+ -

RE= 1 k

C2 = 10 F

Figure 57 exercice 6.4 6.4.1 Fr equence de coupure inf erieure dun amplicateur ` a JFET

Le JFET de la gure 58 est polaris e dans sa r egion de courant constant. On souhaite choisir les capacit es de fa con ` a xer la fr equence de coupure inf erieure (coupure ` a -3 dB) du circuit ` a fL =100 Hz. On demande de : 1. D eterminer les fr equences de coupure associ ees ` a chacun des condensateurs CC 1 , CC 2 et CS . 2. Discuter un choix de CC 1 , CC 2 et CS permettant dobtenir fL = 100 Hz. On sassurera que les fr equences de coupure non dominantes sont au moins une d ecade en dessous de fL . Donn ees : r esistances : R = 100 k, RG1 = 1, 4 M, RG2 = 0, 6 M, RD = 5 k, RS = 3, 5 k, RL = 10 k ; transistor : ro ; le point de polarisation est connu, on a gm = 4 mS.

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Figure 58 exercice 6.4.1

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Fiches techniques
1. Transistor MOSFET 2n7008

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