Laboratorio de electrnica bsica: Rectificacin

Resumen: Con esta prctica se estudi la aplicacin del transistor BJT (NPN) como amplificador en configuracin emisor comn, se hicieron los respectivos clculos tericos para corroborar la operacin del transistor en modo activo, se encontr la ganancia de tencin Vo/Vi para obtener el valor de amplificacin, tambin se realiz la simulacin del circuito determinado los respectivos voltajes y final mente se realiz el montaje del circuito por etapas empezando por polarizacin, comparando los valores de voltaje (VC, VB, VE) tericos con los prcticos y respectiva mente en seal, y se analiz la grfica de la funcin de salida. Palabras claves: Osciloscopio: Es un instrumento que permite visualizar en su pantalla los fenmenos transitorios tales como las ondas en los circuitos. Generador de seales: es un instrumento cuya funcin bsica es producir una seal dependiente del tiempo con unas caractersticas determinadas como la frecuencia, amplitud y forma. VC, VB, VE: son los valores en magnitud referenciados a tierra de los tres nodos de un transistor, Ganancia de voltaje: se obtiene del cociente de la tencion de salida entre la atencin de entrada esto se basa en encontrar la funcin de transferencia del sistema debido a una excitacin de entrada.

OBJETIVOS Analizar una aplicacin del transistor BJT como amplificador desde una perspectiva prctica. Comparar resultados tericamente, con resultados de simulacin y experimentales. Evaluar la ganancia de tencin a pequea seal del circuito amplificador BJT y compararla con la obtenida a partir de su resultado terico y de simulacin. I. INTRODUCCION

Con el paso del tiempo a existo la necesidad de amplificar seales para el funcionamiento de los sistemas electrnicos, como por ejemplo amplificar seales de audio o amplificacin para el filtrado de una seal en caso de hacer una adquisicin datos, en este proceso, los transistores desarrollan un papel fundamental debido a que bajo ciertas condiciones, un transistor puede entregar a una carga una potencia de seal mayor a la que absorbe. El transistor de poses tres terminales semiconductores los cuales se alimentan con una seal constante de CC la entrada de la seal AC dbil (en el orden de los mili voltios) general mente se introduce por medio de capacitores de acoplo y desacoplo a la base del transistor, la seal de salida se ve aumentada gracias a la seal constante de CC siguiendo las mismas variaciones de la seal de entrada. Cuando un transistor realiza la funcin de elevar una seal de entrada, se dice que se ha producido una ganancia la cual es la relacin que existe entre la seal de salida y las seal de entrada, debido al tipo de seal tratada se pueden observar tres tipos de ganancia las cuales son: ganancia de tencin, ganancia de corriente y ganancia de potencia. Podemos afirmar, debido a lo dicho anterior mente que un transistor tendr mejores propiedades de amplificacin cuanto mayor sea su ganancia de tencin. Todo lo dicho anterior mente es cierto si y solo si el transistor se encuentra operando en la regin activa. II. DESARROLLO Y ANALISIS DE LOS DATOS

Esta prctica se realiz con un transistor BJT 2n2222 (NPN) en configuracin emisor comn. Esta configuracin puede verse en la figura 1

Figura 2 Circuito que se realiz en el laboratorio. Figura 1 transistor BJT en configuracin emisor comn.

ANALISIS EN POLARIZACION Para que el transistor pueda amplificar debe que estar operando tanto en polarizacin como en seal en la regin activa esto quiere decir que la regin base emisor debe estar polarizada directa mente y que la regin base colector debe estar polarizado inversamente.

El circuito analizado en polarizacin se muestra en la figura 3.

III.

ANALISIS TEORICO DEL CIRCUITO

Se realiz el anlisis terico del circuito mostrado en la figura2. En el cual se encontraron los distintos parmetros de polarizacin, los cuales se muestran en el desarrollo terico del circuito, tambin se encontraron los parmetros de pequea seal como lo son GM, RE y R y por ltimo se muestra el desarrollo en seal donde se encontr la ganancia de tencin Vo/Vi.
Figura 3 Circuito para anlisis en polarizacin

Se puede observar que para un mejor anlisis del circuito se puede hacer un equivalente de thevenin el cual se muestra en la figura 4.

Equivalente de thevenin

operacin en modo activo podemos sacar nuestra primera ecuacin la cual se muestra en la ecuacin 1

Encontramos el voltaje de thevenin usando un divisor de tencin el cual se muestra a continuacin.

Ecuacin 1 condicion del transistor BJT que nos dice que VBE=0.7 este voltaje se va amantener.

Haciendo la malla de base emisor obtuvimos la segunda ecuacin mostrada en la ecuacin2. de igual manera encontramos la resistencia equivalente volviendo cero las fuentes independientes, en este caso la fuente se pone en corto ya que es una fuente de voltaje independiente y la forma de calcularse se muestra a continuacin.

Ecuacin 2 se aplica la ley de voltajes de kirchof que dice que la sumatoria de voltajes en un laso cerrado es igual a cero.

Tenemos en la ecuacion2 dos incgnitas (IB) e (IE), pero estas dos corrientes se relacin por medio del parmetro B (beta) as se encontr la ecuacin3.

Ecuacin 3 se muestra la corriente de base que relaciona los parametros de un transistor como lo son su ganacia de corriente y su corriente de emisor.

En la gua de laboratorio se especifica un beta =100, se sustituy el valor de beta en la ecuacin 3 y la misma se remplaz en la ecuacion2 de la cual se despejo IE y se encontr que:

Por medio de esta corriente se encontr el voltaje de emisor como se muestra en la ecuacion4.

Figura 4 Circuito simplificado por medio del quivalente de thevenin para sunmejor analisis

Ecuacin 4 ecuacion nodal repecto al voltaje de un elemento el cual se uso para determinar en voltaje emisor.

Se encontr que: Despus de tener el circuito como se muestra en la figura 4, se encontraron los diferentes voltajes nodales. Asumiendo

Remplazando el voltaje emisor en la ecuacin1 se encontr el voltaje de la base y se obtuvo que:

parmetros Colector Base Emisor

voltajes 8,332V 3,756V 3,056V

corrientes 916,927uA 9,179uA 926,1uA

Para encontrar la corriente de base se remplaz este valor en la ecuacin5 que se muestra a continuacin.

ANALISIS DEL CIRCUITO EN SEAL Con los valores que se encontraron en polarizacin los cuales se pueden ver en la tabla anterior se encontraron los parmetros de seal para seguir con nuestro anlisis de pequea seal. Para encontrar cada uno de estos valores se utilizaron las siguientes ecuaciones.

Ecuacin 5 Se muestran los pasos para encontrar la corriente de base.

Y se encontr que:

Despus de encontrar la corriente de base y la corriente de emisor se utiliz la ecuacin 6 que se muestra a continuacin y se obtuvo la corriente de colector.

Ecuacin 8 Ecuacion de la trasconductancia.

Ecuacin 9 resistencia del modelo T. Ecuacin 6 Esta ecuacion hace referencia a la ley de corrientes de kirchof las cuales deicen que las corrrientes que entran a un nodo son iguales a las que salen.

Ecuacin 10 resistencia del modelo pi.

Final mente se encontr el voltaje de colector haciendo uso de la ecuacin 7 que se muestra enseguida.

TABLA DE RESULDADOS DEL ANALISIS EN SEAL

)
parmetros GM RE valores 0.037 2.7K 26.8 unidades A/V

Ecuacin 7 mueestra como se obtuvo elvoltage colector por medio de las leyes basicas de ohm

TABLA DE RESOLTADOS OBTENIDOS EN EL ANALISIS DE POLARIZACIO

ANALISIS EN PEQUEA SEAL

Para el anlisis de pequea seal se opt por el modelo pi el cual se puede apreciar en la figura siguiente.

Figura 5 Este es el modelo pi el cual se us para encontrar la ganancia de voltaje

Figura 6 Circuito simplificado del modelo pi de la figura 5.

Se encontr el voltaje de salida Vo utilizando la ecuacin que se muestra a continuacin. Para encontrar el valor de la ganancia se resolvi el equivalente de thevenin mirando desde la fuente hasta la entada de la base para simplificar el circuito y las dos resistencias en paralelo que estn conectadas al colector, y el emisor a tierra. Para el equivalente de thevenin se utilizaron las siguientes ecuaciones.

Ecuacin 11 eculcion que relaciona el voltage de salida con el voltage base emisor que esta en la resistencia pi

Se realiz la malla de base emisor la cual se muestra a continuacin.

Y se obtuvo la corriente de base en pequea seal que se muestra a continuacin.

Para resolver el paralelo siguiente formula.

se utiliz la

Con esta corriente de base se obtuvo el voltaje Vbe el cual se necesita para encontrar el voltaje de salida Vo el cual se muestra a continuacin.

Ecuacin 12 Ecuacion de leyes basicas para encontrar Vbe

Este circuito equivalente se muestra en la siguiente figura, se especifican los valores de GM =0.037*VBE siendo VBE el voltaje en la resistencia de 26.8 ohm y en el circuito.

Encontramos al remplazar la ecuacin 12 en la 11 que:

La ganancia Vo/Vi es igual a:

por la etapa de polarizacin la cual se muestra en la figura 8. Vemos que la ganancia es negativa esto nos indica que la seal de salida no est en fase con la seal de entrada.

GRAFICA DE LA SEAL DE SALIDA

Figura 8 Montaje del circuito etapa polarizacin en el software multisin. Figura 7 En esta figura se observa la seal de salida con su componente DC y en AC esta toma fue echa sobre un osciloscopio real no simulado.

De la grfica podemos observar una seal de salida con las mismas condiciones en frecuencia amplitud y forma que las seal de entrada lo nico que vara y como lo mencionbamos en la introduccin esta sobre un valor de voltaje colector el cual va a desfasar el cero de la onda.

De la simulacin del transistor en polarizacin que se muestra en la figura 8 se puede sacar la siguiente tabla, la cual se especifican los valores nodales del transistor.

parmetros Colector Base Emisor

voltajes 8,16V 3,82V 3,19V

Corrientes 960uA 6,91uA 967uA

IV.

ANALISIS DEL CIRCUITO SIMULADO

ANALISIS DEL CIRCUITO EN SEAL

Para la simulacin del circuito en el laboratorio se utiliz, el software de multisim de la casa de national instruments. La simulacin al igual que los clculos tericos se realiz por etapas, empezando

Con los valores que se encontraron en polarizacin los cuales se pueden ver en la tabla anterior se encontraron los parmetros de seal, para encontrar cada uno de estos valores se utilizaron las ecuaciones 8, 9 y 10

las culas se muestran en el punto de anlisis en seal de los valores tericos. GRAFICA DE LA SEAL DE SALIDA Utilizando estas ecuaciones se obtuvo los siguientes datos los cuales se pueden apreciar en la siguiente tabla.

parmetros GM RE

valores 0.0384 2.6K 25.784

unidades A/V

ANALISIS EN PEQUEA SEAL

Despus de que se obtuvieron los parmetros de seal observados en la tabla anterior se procede con el anlisis de pequea seal para encontrar la ganancia de voltaje del circuito mostrado en la figura 9.

Corroboramos por medio de la simulacin que la seal de salida de color azul no est en fase con la sea de entrada tambin se encontraron cerca los parmetros tericos con los simulados, en este caso la seal de entrada es la amarilla y la seal de salida en la simulacin se observa solo la componente AC ya que la simulacin depende de la velocidad de procesamiento del computador utilizado, y en el laboratorio el computador sobre el cual se realiz la simulacin no tena los recursos suficientes de velocidad de procesamiento.

Figura 9 Circuito equivalente de pequea seal.

V.

ANALISIS DEL CIRCUITO EN PROTOBOARD

Para encontrar la ganancia de voltaje se utilizaron las ecuaciones 11 y 12 que se describen en el punto anterior y se realizaron los mismos pasos y se encontr que:

Se realiz el montaje del circuito en protoboard para analizar la una aplicacin del transistor BJT, tambin para adquirir destreza y conocimiento prctico y comprobar los resultados tericos y los simulados con los obtenidos realmente. En la figura 10 se muestra el circuito de la figura 2 montado en protoboard.

Vemos que la ganancia es negativa esto nos indica que la seal de salida no est en fase con la seal de entrada como lo aviamos dicho anterior mente.

Figura 10 muestra el montaje en protoboard los potencimetros estn siendo utilizados como resistores variables, el que esta enfrente al caimn rojo esta 80 ohm y en que est al lado del caimn negro est a 40 ohm.

Despus de armar el circuito en la protoboard, se energizo a 12V con una fuente variable de DC y se calcularon las corrientes de ramas junto con todos los voltajes nodales del circuito como se muestra en la figura 11

Como se puede ver en la tabla anterior los voltajes son muy similares a los obtenidos tericos y a los simulados, vemos algo extrao en la casilla de corrientes porque son cero, bueno esto es porque la intensidad de corriente que estamos midiendo al pasar por la resistencia interna del multmetro, no alcanza a ser detectada por los sensores debido a la sensibilidad y escala o precisin del multmetro, mirando la corriente que obtuvimos en los resultados tericos y los resultados de la simulacin podemos observar que est en el orden de los microamperios es de esperarse que un multmetro de laboratorio no alcance detectar esta intensidad de corriente, ya sea por lo viejos o puede caber la opcin de estar daado.

para medir la intensidad de corriente con un multmetro se debe conectar en serie para que toda corriente pase por dentro del multmetro, cuando se mide la intensidad de corriente cabe resaltar que la resistencia interna del multmetro es muy baja No por esto vamos a dejar la casilla de corrientes sin valor, dado que tenemos los voltajes y el valor de las resistencias podemos encontrar dichos valores que se muestran continuacin en la tabla para poder seguir con nuestro anlisis de seal.

Figura 11 se muestra como se aliment el circuito en la etapa de polarizacin.

Y se obtuvieron los valores que se muestran en la siguiente tabla.

parmetros Colector Base Emisor

voltajes 8,24V 3,954V 3,35V

Corrientes 940uA 6,24uA 917uA

ANALISIS EN SEAL

parmetros Colector Base Emisor

voltajes 8,24V 3,954V 3,35V

corrientes 0A 0A 0A

Despus de obtener los valores de corrientes se encontraron los parmetros de seal

utilizando las ecuaciones 8, 9 y 10, los valores se muestran a continuacin en la siguiente tabla

parmetros GM RE

valores 0.0376 2.659K 26.3324

unidades A/V

Figura 14 Lectura del multmetro a 100mV

ANALISIS A PEQUEA SENAL Se hace el montaje en protoboard y se colocan los condensadores de acoplo y desacoplo como se muestra en la figura 15

Para el anlisis a pequea se utiliza un generador de seales el cual se fija una frecuencia de 10KHZ y un valor pico de 100mV como se muestra en la figura 12 ,12 y 14.

Figura 15 Se muestra el circuito montado en seal, para su respectivo anlisis.

Figura 12 Esta foto muestra la calibracin de la frecuencia a la que se estuvo trabajando en el laboratorio.

Despus se obtuvieron los voltajes nodales del circuito BJT en amplificacin los cuales se muestran en la siguiente tabla donde se muestra que el transistor esta tanto en polarizacin como en seal est trabajando en la regin activa. Se muestran a continuacin. parmetros colector base emisor Vo voltaje 7,83 3,899 3,296 4,9

Figura 13 Muestra la calibracin del generador de seales en la magnitud del voltaje pico a 100mV.

Por consiguiente se muestran las grficas de la funcin de entrad vs salida

podemos hacer por medio de una opcin del osciloscopio, esta grafica nos permite relacionar el voltaje de entrada que son 100mV con el voltaje de salida aumentado 4.49 voltios valor en rms.

GRAFICAS

En esta figura se puede observar la seal de entrada azul sobrepuesta a su seal de salida amarilla. VI. El principal aspecto importante de esta grafica es observar que tiene componente AC y DC que quiere decir esto que nuestra seal de salida est sobre un voltaje constante que en este caso sera el voltaje del colector, vemos que el valor mximo de nuestra seal es ms o menos 15.7Vsi a este valor le restamos el valor pico de la onda que son 6V nos da un valor constante de 9.7 voltios que sera aproximado a nuestro voltaje de colector ANALISIS DE TABLAS

Anlisis de tablas en polarizacin Tabla1. Anlisis terico del circuito

parmetros Colector Base Emisor

voltajes 8,332V 3,756V 3,056V

corrientes 916,927uA 9,179uA 926,1uA

Tabla2. Anlisis simulacin del circuito

parmetros Colector Base Emisor

voltajes 8,16V 3,82V 3,19V

corrientes 960uA 6,91uA 967uA

Tabla3. Anlisis practico del circuito

parmetros Colector Base Emisor

El anlisis para esta grafica es observa que estamos analizando solo la por te AC esto lo

voltajes 8,24V 3,954V 3,35V

corrientes 940uA 6,24uA 917uA

Para hacer el anlisis del mismo circuito y en la misma etapa de polarizacin vamos a tomar de referencia la tabla3 que

corresponde a los parmetros obtenidos en el anlisis practico ya que son los valores verdaderos que pudimos medir, se sac el error porcentual y se compararon,

Tabla2. Anlisis terico del circuito parmetros GM RE valores 0.0384 2.6K 25.784 unidades A/V

*100

Ecuacin 13 Frmula para calcular el porcentaje de error.

Tabla3. Anlisis terico del circuito parmetros GM RE valores 0.0376 2.659K 26.3324 unidades A/V

Al comparar nuestros valores exactos (valores obtenidos en la prctica) con los valores aproximados (valores tericos y simulados) obtenemos las siguientes tablas de errores. Tabla de errores de los resultados prcticos con los tericos.

Bueno en el anlisis de las tablas de seal ay muy poco que decir puesto que los resultados y por consiguiente los errores van hacer mnimos Anlisis de seal. Ganancia obtenida tericamente.

parmetros Colector Base Emisor

%error En voltajes 1,12% 5,01% 8,78%

%error en corrientes 2,45% 47,10% 0,99%

Ganancia obtenida en la simulacin. Tabla de errores de los resultados prcticos con los simulados.

parmetros Colector Base Emisor

%error En voltajes 0,97% 3,39% 4,78%

% error en corrientes 2,13% 10,74% 5,45%

Ganancia obtenida en la prctica.

Anlisis en pequea seal. Tabla1. Anlisis terico del circuito

parmetros GM RE

valores 0.037 2.7K 26.8

unidades A/V

Bueno al momento de comparar nuestra ganancia vemos un error muy grande obtenido en la prctica esto debido a la variacin de los materiales resistivos causados por la potencia disipada por ellos, O por conexiones o empalmes nodales que quedaron casi sueltos, podemos observar que la ganancia esta alrededor de la obtenida terica mente y simulada ya que son muy parecidos.

VII.

RESULTADOS Y CONCLUCIONES Primero que todo cabe resaltar la variacin de la simulacin respecto a los datos tericos y los datos obtenidos en la prctica. porque se da esta variacin? Bueno principal mente por el parmetro B(beta) en el laboratorio nos indica que es de 100 pero el datasheet nos dice que esta valor va desde un mnimo de 20 a un mximo de 150, y este parmetro en la simulacin no se puede modificar Esta configuracin de emisor comn es la ms utilizada usada puesto que amplifica tanto corriente como voltaje Tiene baja impedancia de entrada Es usado en amplificaciones de audio y altas frecuencias de radio Lo ms importante es obtener el valor de la ganancia para ver el cuanto es que amplifica la seal y que durante su funcionamiento no se salga de la regin activa. La mxima corriente que el transistor puede conducir antes de entrar en saturacin se obtuvo por medio de la formula Y es igual a 2.825mA. Cuando variamos frecuencia del generador de seales vemos que el periodo se reduce o se aumenta, cabe recordar que la frecuencia es inversamente proporcional al periodo Si variamos el potencimetro vemos que la seal se distorsiona por que se empieza a forzar una corriente de base que pone en saturacin el transistor. El transistor BJT puede amplificar si y solo si se encuentra trabajando en modo activo. El transistor en configuracin emisor comn es controlado por la resistencia de colector.