UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL

UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL CARRERA DE ELECTRNICA Y COMUNICACIONES Consulta #02 Ttulo: Carrera: rea Acadmica: Lnea de Investigacin: Ciclo Acadmico y paralelo: Alumnos participantes: Dispositivos de estado slido de potencia. Electrnica y Comunicaciones Fsica y Electrnica Sistemas Electrnicos Sexto Electrnica Espn Pal Medina Johana Rosas Jssica Electrnica de Potencia Ing. Crdova Patricio 15/abril/2014 22/abril/2014

Mdulo y Docente: Fecha de envi: Fecha de entrega:

I. OBJETIVOS: General: Investigar sobre el transistor BJT. Especficos: Definir las caractersticas del transistor BJT. Conocer la simbologa y estructura del transistor BJT. II. INTRODUCCIN: 1) Electrnica Industrial (2009) pdf: Introduccin a los transistores de potencia. Argentina:
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.2.Tr ansistor_potencia.pdf

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. III. REFERENCIAS CIENTFICAS: 2) Enmanuel, ngel (11-enero-2010): Blogspot.com. Estructura del BJT. Venezuela:
http://conocimientosbjt.blogspot.com/2010/07/estructura-del-bjt.html

Simbologia del transistor BJT:

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Estructura del transistor BJT: Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar

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la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

3) Electrnica Industrial (2009) pdf: Introduccin a los transistores de potencia. Argentina:

http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.2.Tr ansistor_potencia.pdf

Modo de trabajo Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor puede ser:

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor-base y una polarizacin inversa de la unin colector-base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin. Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y una polarizacin directa de la unin colector- base. Esta regin es usada raramente.

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Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (Ic=0). Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (Vce=0). CONFIGURACIONES DEL BJT: Aunque el transistor posea nicamente tres terminales, se puede realizar su estudio como un cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de salida) si uno de sus terminales es comn a la entrada y salida: Base comn (BC): Aicc=1; Re pequea; Rs muy grande. Colector comn (CC): Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy pequea. Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re pequea; Rs grande. El montaje EC se aproxima ms al amplificador de corriente ideal. El montaje BC permite adaptar una fuente de baja resistencia que ataca a una carga de alta resistencia. El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a una carga de bajo valor.

IV)

SNTESIS:

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Electrnica de Potencia

Son semiconductores de unin bipolar Son interruptores de potencia controlados por corriente

Transistor BJT de Potencia

Contadores Comparadores Registros

NPN

Transistor BJT compuesto por dos semiconductores tipo N y un tipo P.

PNP

Transistor BJT compuesto por dos semiconductores tipo P y uno tipo N.

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Utilizados en la fabricacin de circuitos integrados y aparatos electrnicos.

Depende del ciclo de trabajo del dispositivo para regular el voltaje de salida

Dispositivos de estado slido de potencia

Controlan el flujo de energa que se transfiere a la carga.

Entregan alta eficiencia.

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V) APORTE GRUPAL: Se ha podido deducir que un BJT de potencia es un transistor muy til para conmutacin ya que puede trabajar como circuito abierto o circuito cerrado dependiendo de la polarizacin VI) PREGUNTAS:

De qu forma se encuentra estructurado un BJT: a) Un transistor de unin bipolar consiste en dos regiones semiconductoras dopadas b) Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas c) Un transistor de unin bipolar consiste en una sola regin semiconductora. d) Un transistor de unin bipolar consiste en cuatro regiones semiconductoras dopadas Justificacin: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cuando un BJT se encuentra polarizado en activa: a) La unin de emisor se polariza en directa y la unin de colector en inversa b) Ambas uniones se polarizan en directa c) Ambas uniones se polarizan en inversa d) La unin base colector se activa directamente. Justificacin: por que al pasar la corriente de base al emisor se esta polarizando la unin PN directamente. Que zonas de trabajo del BJT se utilizan en electrnica de potencia: a) Zona lineal b) Zona activa directa y zona activa inversa c) Zona de saturacion d) Zona corte y zona de saturacin Justificacin: por que en electrnica de potencia se utiliza el BJT como conmutador que abre o cierra un segmento de circuito. VII) BIBLIOGRAFA: http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm#clasi http://www.udb.edu.sv/udb/archivo/guia/electronicatecnologico/electronica-de-potencia/2014/i/guia-7.pdf http://www.sc.ehu.es/acwamurc/PED/transparencias/(7)transistor.pdf http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema5.pdf http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm#5. CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES. http://www.unicrom.com/tut_diac.asp