INSTITUTO TECNOLOGICO DE CHIHUAHUA

ELECTRONICA DE POTENCIA ING. COSME ALVARADO MEZA PRACTICA #1 RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO

INTEGRANTES DANIEL RENTERIA VALDEZ JESUS RICARDO GOMEZ MELENDEZ CARLOS HUMBERTO MARTINEZ REYES

OBJETIVO
1.- Determinar la operacin bsica del SCR, obtener las caractersticas de compuerta, determinar el valor de corriente de sostenimiento 2.-Conocer el funcionamiento bsico del SCR, encendindolo y apagndolo en DC y AC. 3.-Conocer la hoja de datos o de especificaciones del fabricante. MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR DURANTE LA PRCTICA 1 Multimetro Simpson 1 Multimetro 1 Osciloscopio 2 Fuentes de voltaje de 0-24 volts DC 1 Transformador de 24 V 1 SCR

SCR
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), , conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

ENCAPSULACION Y FABRICACION DEL SCR

Tcnica de Difusin-Aleacin: La parte principal del tiristor est compuesta por un disco de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operacin de difusin con galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la cara exterior se forma una unin, con un contacto oro-antimonio. Los contactos del nodo y ctodo se realizan con molibdeno. La conexin de puerta se fija a la capa intermedia (tipo P) usando aluminio. Esta tcnica se usa solamente para dispositivos que requieren gran potencia. Tcnica "Todo Difusin": Se trata de la tcnica ms usada, sobre todo en dispositivos de mediana o baja intensidad, el problema principal de esta tcnica reside en los contactos, cuya construccin resulta ms delicada y problemtica que en el caso de difusin-aleacin. Las 2 capas P se obtienen por difusin del galio o el aluminio, mientras que las capas N se obtienen mediante el sistema de mscaras de xido. El problema principal de este mtodo radica en la multitud de fases que hay que realizar. Aunque ciertas tcnicas permiten paralelizar este proceso.

Tcnica de Barrera Aislante: Esta tcnica es una variante de la anterior. Se parte de un sustrato de silicio tipo N que se oxida por las dos caras, despus en cada una de las 2 caras se hace la difusin con material tipo P. Una difusin muy duradera y a altas temperaturas produce la unin de las 2 zonas P. Despus de este proceso se elimina todo el xido de una de las caras y se abre una ventana en la otra, se realiza entonces en orden a aislar ms zonas de tipo N, una difusin tipo P. Despus de una ltima difusin N el tiristor ya est terminado a falta de establecer las metalizaciones, cortar los dados y encapsularlos.

SCR C106 DATASHEET

PROCEDIMIENTO
1.- Prueba bsica de SCR Con un Multimetro se tomo la medicin de la resistencia del SCR y se verific que la resistividad fuera alta entre nodo - compuerta y ctodo nodo,la resistividad fue baja entre ctodo- compuerta . Comprobando que el SCR se encuentra en perfecto estado de operacin y procediendo a hacer los siguientes circuitos. 2.- Disparo de compuerta

Se tomaron los valores de la activacin de la compuerta (Ig) el cual fue de .5 mA y se consideraron RL del circuito anterior como 1k y 2.2k y se obtuvo la corriente de sostenimiento cao cada una de las resistencias. Iak con resistencia de 1k fue de 22 mA y con una resistencia de 2.2k la corriente de sostenimiento 3 mA. OPERACIONES BASICAS DEL SCR EN TENCIONES DE AC Y DC

Para el circuito anterior la fuente de AC se sustituyo por una fuente de 24V DC y se modifico el circuito para que la corriente que circulara en RL fuese de 350 ma, con lo cual se obtuvo una resistencia de 68 ohms.

Conduccin 23.44V 0.85V 0.78V 8mA 320mA

Sin conduccion 0V 23.71V 0V 0A 0A VL Vak Vg Ig IL

Datos con transformador de 24V AC: Conduccin 23.77V 0.80V Sin conduccion 0.2V 24V VL Vak

0.84V 7mA 334mA

0V 0A 0A

Vg Ig IL

FORMAS DE ONDAS OBTENIDAS

120 OHMS

60 OHMS

50 OHMS
CONCLUSIONES En el transcurso de la practica se pudo observar la forma de operacin de Diodo SCR en ambos tipos de corriente tanto con AC como e DC, pudimos observar la activacin de disparo del SCR por medio de una corriente inducida por medio de la compuerta gate, se comparararon las ondas de salida del SCR con caraga tanto con carga como sin carga. Adems de poder disponer de las caractersticas de operacin del SCR con ayuda de su datasheet (hoja de caractersticas).