Benmerita Universidad Autnoma de Puebla Facultad de Ingeniera

Propiedades mecnicas de metales y semiconductores: un enfoque atmico

Alejandro Bautista Hernndez
Cuerpo Acadmico Propiedades mecnicas, electrnicas y estructurales de materiales alejandro.bautistah@hotmail.com

Estructura de la exposicin

Introduccin Mtodos de clculo Resultados Esfuerzo ideal en metales Esfuerzo ideal en semiconductores Perspectivas

Introduccin
CA: Propiedades mecnicas, electrnicas y estructurales de materiales
Alejandro Bautista Hernndez (Metales, aleaciones, semiconductores) Martn Salazar Villanueva (Cmulos metlicos) Jos Humberto Camacho Garca (aleaciones) Objetivos:
Clculo de las propiedades mecnicas a nivel atmico (esfuerzo ideal) de diversos tipos de materiales. Nuevos materiales.

Introduccin
Propiedades mecnicas de materiales Modelos de medios continuos
Resultados en buen acuerdo con los experimentos Se necesitan datos experimentales

Modelos atmicos (materiales cristalinos)

Acuerdo cualitativo No se necesitan datos experimentales Alto poder predictivo

Modelos atmicos
En un material cristalino las posiciones de los tomos tienen ciertas relaciones de orden
Semiconductores (Si, Ge, GaAs) Metales (Cu, Au, Ag) Aleaciones (WC, BN) Se define una celda unitaria

Energa de un sistema

Energa de un sistema cristalino:

Parmetros de red Esfuerzo mecnico Constantes elsticas Frecuencias de vibracin

Conociendo la energa de un sistema podemos conocer sus propiedades fsicas

Energa total
Slidos cristalinos Mecnica cuntica (partculas atmicas) Aproximacin de Born-Oppenheimer Aproximacin de Hartree

Interaccin electron-electrn : DFT Interacin in-electrn: Pseudopotenciales

Constantes elsticas

Las CE forman una matriz de 6 x 6

Sistema cbico

En ing. mecnica
Las primeras derivadas son los esfuerzos mecnicos Las segundas derivadas son los mdulos de elasticidad

Diagrama esfuerzo-deformacin

Esfuerzo ideal
-19.65

Energy (Ha/cell)

-19.66 -19.67 -19.68 -19.69 -19.70 -19.71 30

Esfuerzo mecnico

Inestabilidad del cristal

1 = V

U .

Stress (GPa)

20 10 0 -10 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

Aproximaciones T= 0 K No existe fractura Zonas de estabilidad

strain

Grupos de trabajo en esfuerzo ideal

M. L. Cohen Universidad de California USA M. Sob Institute of Physics of Materials Repblica Checa S. Ogata MIT USA

Phys. Rev. B 68 (2003) 184101

Breve historia del esfuerzo ideal

1980 Primer clculo ab initio de Esposito Phil. Mag. A41 pag. 241. 1998 Relajacin en Cu [001] Sob Metallic Materials 36 pag. 145 1998 Inestabilidad por C.E. (Al) Wang J. Phys: Cond. Matt. 10 p. 988 2003 Inestabilidades fonnicas (Al) Cohen Phys. Rev. Lett. 91 p. 135500

Inestabilidades elsticas

Wang J. Phys: Cond. Matt. 10 (1998) 988

Inestabilidades vibracionales
Phys. Rev. Lett. 91 (2003) 135500

En la geometra de equilibrio todas las frecuencias de vibracin son positivas

Inestabilidades vibracionales

La red cristalina es inestable a 20 % de deformacin !!! frecuencias negativas

Artculos en esfuerzo ideal

Actualmente existen alrededor de 60 artculos en esfuerzo ideal Metales (direcciones cristalogrficas) Aleaciones (sistemas de deslizamiento) Semiconductores (transiciones de fase, compresin) Cmulos

Esfuerzo triaxial

Inters por el caso triaxial La mayora de los estudios son uniaxiales Los fenmenos mecnicos son multiaxiales (ejemplo: identacin) Se generan esfuerzos triaxiales en las puntas de las grietas

Detalles computacionales
Mtodo de clculo: Teora DFT Funcional : LDA y GGA Pseudopotenciales: Vanderbilt Energas de corte: 400 800 eV Puntos ks: 14x14x14 22x22x22

Caractersticas de los clculos

Esfuerzo ideal: no hay fractura, resultados cualitativos Errores en los parmetros de red: 1-2 % Errores en constantes de elasticidad: 10 % Predicciones en nuevos materiales: excelente acuerdo con el experimento

Herramientas de trabajo

Cdigo abierto ABINIT (www.abinit.org)

Esfuerzo ideal en metales

Esfuerzo uniaxial en metales nobles

Energa y esfuerzo ideal

Energa y esfuerzo ideal

Esfuerzo ideal en nuevos materiales

Ti, Zr y Hf en la estructura fcc

Ti, Zr y Hf -> hcp

Parmetros de red (hcp)

Parmetros de red (fcc)

Metal

Densidad (g/cm3) 2.7 4.6 6.6 12.8

EAl= 63 GPa

Al Ti Zr Hf

Esfuerzo ideal (compresin)

Densidad de estados

Densidad de estados

Esfuerzo ideal en semiconductores

Pocos estudios en esfuerzo ideal en semiconductores Transiciones de fase Experimentos Estudio de las propiedades mecnicas de C, Si y Ge

Antecedentes

C Si Ge

Antecedentes

Resistencia mecnica de C, Si y Ge

Resultados (estabilidad elstica)

Resultados (densidad de carga)

Resultados (estructura de bandas)

Resultados (estructura de bandas)

Resultados (estabilidad fonnica)

Carbono

Otros estudios (semiconductores AlX)

Perspectivas

Propiedades mecnicas de materiales cristalinos

Metales (bcc, hcp) Aleaciones (basadas en B, C, N) Polmeros cristalizados , etc

Nuevos materiales (estabilidad elstica)

Contacto

Alejandro Bautista Hernndez Facultad de Ingeniera Colegio de Ingeniera Mecnica alejandro.bautistah@hotmail.com