Introduccin al diseo de circuitos VLSI

El proceso de fabricacin de circuitos integrados involucra una serie de etapas claves como fotografa, alineacin y transferencia de complejos patrones de diseo sobre la oblea de silicio (wafer) utilizada para la construccin de los dispositivos. Los procesos actuales de fabricacin incluyen entre 15 y 20 pasos separados de patrones (patterns) para definir los transistores, diodos, resistores, y diversos niveles de interconexiones elctricas. Proceso de fotolitografa y transferencia de patrones Para transferir patrones desde una placa ptica o mscara (mask) a una pelcula fotosensible (photoresist) que cubre la superficie superior de la oblea se usa una transportadora de oblea (wafer stepper). La misma va colocando la oblea frente al sistema ptico que graba la imagen sobre cada chip que va a tener la oblea. La Fig. 1 muestra la exposicin de una imagen de mscara. Fig. 1

Despus de completada la exposicin, la transportadora pasa automticamente al prximo chip y repite la exposicin. La imagen de la mascara patrn debe estar libre de distorsiones y el error permitido en la alineacin es menos de 0,1 micrmetro. La Fig. 2 muestra el proceso paso a paso de cmo se transfieren los diseos de la mscara a la oblea a travs de la tcnica de fotolitografa (photolithography) El diseo (LAYOUT) consiste de una serie de mscaras usadas para crear la estructura del circuito integrado (IC). Las lneas del diseo muestran la localizacin de las secciones que se cruzan (cross sections) a travs de la oblea de silicio. Tpicamente, se necesitan slo algunos micrmetros de la parte superior de la oblea para la estructura del dispositivo.

Para poder dibujar las secciones que se cruzan se debe conocer la secuencia de pasos de enmascarado y fabricacin. Cada proceso de fotolitografa y transferencia de patrones involucra 5 pasos (ver Fig. 2): Fig. 2

1) Se hace crecer una pelcula de 500 nanmetros de Dixido de Silicio (xido en adelante) sobre la oblea. Para esto se coloca la misma en un horno a elevada temperatura. El silicio reacciona con el oxgeno para formar una pelcula aislante de muy alta calidad. 2) La oblea se cubre uniformemente con una pelcula de 1 micrmetro de material fotosensible (photoresist) aplicando una mezcla de material fotosensible y solvente y rotando la oblea a varias r.p.m. por 30 segundos y luego se hornea para evaporar el solvente. 3) Para el revelado (development), se expone la oblea a una luz ultravioleta (UV). Las reas de la pelcula fotosensible que fueron expuestas a la radiacin ultravioleta se disuelven en una solucin alcalina. 4) Despus de cocinar el photoresist para evaporar residuos del solvente la oblea se sumerge en una cmara de vaco que contiene un plasma de fluor (similar a la descarga de una luz fluorescente). El plasma reacciona con el xido y lo graba mucho ms rpido que lo que se graba la pelcula de photoresist. Una vez que el xido est grabado sobre las reas expuestas, el silicio subyacente tambin es grabado pero mas lentamente. Esto permite terminar la grabacin antes de que se erosione el silicio. 5) El paso final consiste en remover el photoresist en un plasma de oxgeno. Este plasma ataca los materiales orgnicos como el photoresist, pero no al silicio o al xido. De esa manera, el patrn se transfiri a la pelcula de xido. Cada vez que se graba un patrn se repiten los pasos 1 a 5.

Dopaje por implantacin inica Se pueden incorporar impurezas aceptoras y donoras en regiones seleccionadas de la superficie superior de la oblea de silicio a travs de implantacin inica. Se extraen iones de Boro, Arsnico o Boro de un plasma, se aceleran a travs de energas de 20 KeV a 3 MeV y se envan a travs de un haz de iones perfectamente dirigido. Este haz es escaneado hasta que la dosis exacta de impureza es implantada en la oblea. La dosis esta medida en iones por unidad de rea. Los iones bombardeados no penetran al xido aislante, pero si al silicio, una vez que entraron en el silicio, los iones bombardeados son desacelerados y finalmente frenados al colisionar contra la red de silicio. Esto crea una zona daada cerca de la superficie dado que descolocan a los tomos de sus posiciones originales. La zona daada pierde su estructura cristalina y se vuelve amorfa. Calentando la oblea a 900 C, la regin daada se vuelve a cristalizar, en un proceso denominado recocido (annealing). Durante el recocido, la mayor parte de los iones de impureza implantados se introducen en la regin recristalizada reemplazando tomos originales y adicionalmente se difunden dentro de la oblea de silicio como se ve en la secuencia de la Fig. 3. Fig. 3

Depsito de pelculas conductoras y aisladoras. Como en todo circuito se necesitan pelculas o caminos conductores para el interconexionado microscpico de las distintas zonas. Estos caminos permiten el transporte de seales elctricas en el dispositivo. Tambin se necesitan pelculas aislantes para separar los cruces entre dos o ms niveles de interconexiones. Las pelculas conductoras estn fabricadas con silicio policristalino (polysilicon). Esta fina pelcula conductora se deposita sobre los lugares que la necesitan a temperaturas de 600C en un proceso de deposicin qumica por vapor (CVD). El polisilicio est dopado con el mximo porcentaje de fsforo. Tambin se usa el Aluminio para los contactos. El mismo se deposita por pulverizacin (sputtering) a travs de una descarga de plasma. En cuanto a las pelculas aislantes, hay varios procesos para depositarlas. El aislante mas usado es Dixido de Silicio (SiO2), tambin se agrega algo de Boro y Fsforo para permitir que el material se suavice y fluya a temperaturas de 900C. Este proceso suaviza y aplana las superficies que son castigadas despus de varios depsitos de materiales.

LAYOUT Bsico La Fig. 4 muestra el layout de un resistor, tal como se vera en un programa CAD (Computer Aided Design). A primera vista se espera que estos patrones correspondan exactamente con la mscara usada para la litografa. Pero de hecho, una mscara casi opaca (mscara de campo oscura) oscurecera las otras mscaras, an con el uso de colores y efectos de borde y relleno del programa. Con lo cual sera imposible ver los diseos de otras mascaras. Hay una solucin simple, mostrar el negativo, o complemento de la mscara negra al representar el layout. Una mscara de campo claro tiene pocas regiones opacas y se muestra directamente. Se debe tener siempre presente cuales son los campos oscuros y cuales los claros para producir correctamente las mscaras, de lo contrario se cometeran errores que arruinaran el proceso. Fig. 4

En el Layout del resistor, la mscara de xido se identifica como una mscara de campo oscura. Dado que se muestra el negativo en el Layout, el rectngulo es claro en la mascara actual. Es conveniente ver los cortes de las secciones de cruce A-A y B-B despus que el xido fue grabado en el paso 1 Si esta mscara hubiera sido de campo claro, el xido hubiera sido removido en todas partes excepto en el rectngulo, el cual debera haber sido oscuro en la mscara fsica. En la Fig. 5 se ven los pasos para fabricar el componente.

Fig. 5

Reglas de diseo geomtrico Las superposiciones entre los patrones de diferentes mscaras se especifican en las reglas de diseo geomtrico para el proceso. Estas reglas permiten especificar los tamaos y las separaciones y la geometra entre los bordes y secciones de los patrones de diferentes mscaras. Veamos en las siguientes figuras, el proceso de fabricacin de un MOSFET

Fig.6 (a)

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Fig. 6(b)

Fig. 6 (c)