Eletrnica Analgica

Diodos

Semicondutores
Principais semicondutores: Silcio (Si) e Germnio (Ge) As principais caractersticas:
Resistividade alterada quando fornecida algum tipo de radiao. Ex: calor Tem dois tipos de portadores de carga. Tem resistividade intermediria entre condutores e isolantes

Semicondutor Intrnseco
o semicondutor em estado puro (s tomos de semicondutor) Estrutura simplificada do tomo de silcio:

Estrutura do Si
O Si um cristal: arranjo geomtrico dos tomos feito de forma regular. Ligao covalente: cada tomo se liga com quatro tomos vizinhos compartilhando os eltrons da ltima camada.

Estrutura cristalina do Si a 0 K (-273 C) O material se comporta como isolante (no tem portadores de carga)

Gerao de Portadores
A ausncia do eltron na ligao covalente chamada de lacuna ou buraco e se comporta como portador de carga positiva

Estrutura do Si a uma temperatura acima de 0 K

Concentrao Intrnseca
Se n o nmero de eltrons por unidade de volume (por cm) e p o nmero de lacunas por unidade de volume ento n=p=ni=concentrao intrnseca de semicondutor que no caso vale:

Semicondutor submetido a um campo eltrico externo

Mecanismo de conduo de lacunas

Semicondutor submetido a um campo eltrico externo

Mecanismo de conduo de lacunas

Semicondutor submetido a um campo eltrico externo

Mecanismo de conduo de lacunas

A conduo de lacunas no tem eltrons livres !!!

Corrente em um semicondutor Intrnsico

Recombinao
o mecanismo pelo qual um eltron livre, ao perder energia, se recombina com uma lacuna passa a fazer parte da ligao covalente , desaparecendo o eltron-lacuna. Se a temperatura do cristal est aumentando a taxa de gerao maior do que a recombinao e, portanto o nmero de pares eltron lacuna aumenta. Se a temperatura do cristal est diminuindo, a taxa de recombinao maior do que a de gerao e, portanto o nmero de pares eltron lacuna diminui. Se a temperatura constante o nmero de eltrons livres e de lacunas permanece constante pois a taxa de recombinao igual de gerao dos pares eltron lacuna.

Semicondutor Extrnseco Tipo N

A adio controlada de pequenas quantidades de outra substncia, chamada de impureza, ao semicondutor puro permite modificar as suas caractersticas eltricas, como por exemplo, a resistividade, permitindo aplicaes prticas. Para obter o semicondutor tipo N a impureza pentavalente. Impureza Pentavalente: tem 5 eltrons na camada de valncia. Ex.: Fosforo (F).

Semicondutor Tipo N com T<Ti

Se T<Ti o quinto eltron permanece ligado, o material se comporta como isolante. Ti= temperatura de ionizao da impureza

Semicondutor Tipo N com Ti<T<Tg

Se Ti<T<Tg o quinto eltron ser liberado sem gerao de lacuna. O tomo de fosforo fica ionizado POSITIVAMENTE.

Semicondutor Tipo N com T>Tg

Se ND a concentrao de tomos de fosforo por cm, a concentrao de eltrons livres no equilbrio trmico, 0 , ser dada por: Isto , o nmero de eltrons livres aproximadamente igual ao numero de tomos de impureza. A concentrao de lacunas ser calculada aproximadamente por =
()2

Concluses: Material N
Nesse material o nmero de eltrons livres maior do que o nmero de lacunas, da o nome semicondutor tipo N, mas o material continua neutro ( nmero de cargas negativas igual ao nmero de cargas positivas). No material N os eltrons livres so chamados de portadores majoritrios. Enquanto a lacuna so chamadas de portadores minoritrios.

Nmero de eltrons livres = nmero de tomos da impureza.

Semicondutor Extrnseco Tipo P com Ti<T<Tg

Quando a temperatura for maior do que a de ionizao, um eltron de valncia de um tomo vizinho ter energia suficiente para ocupar a ligao faltante. Ao fazer isso esse eltron deixa uma vaga que se comportar como uma lacuna e ioniza o tomo de boro. Foi gerado lacuna sem aparecimento de eltron livre.

Semicondutor Extrnseco Tipo P com T>Tg

Aumentando mais a energia fornecida ao cristal, ligaes covalentes so rompidas gerando pares de eltron lacuna.

Se NA a concentrao de tomos de Boro por cm a concentrao de lacunas no equilbrio trmico ( taxa de recombinao de pares) 0 , ser dada por 0 =NA A concentrao de eltrons livres calculada por: =
()2

Aplicando uma tenso externa ao cristal

Concluses: Material P
Nesse material o nmero de lacunas maior do que o nmero de eltrons livres, da o nome semicondutor tipo P, mas o material continua neutro ( nmero de cargas negativas igual ao nmero de cargas positivas). No material P as lacunas so chamados de portadores majoritrios. Enquanto os eltrons livres so chamadas de portadores minoritrios.

Nmero de lacunas= nmero de tomos da impureza.

A juno PN
A juno PN o elemento bsico na construo de quase todos os dispositivos da eletrnica tais como diodos, transistores, clulas solares, LEDs e circuitos eletrnicos.

OBS.: A dopagem das duas regies a mesma, isto , ND=NA

Difuso e Deriva:
Mecanismos pelos quais eltrons e lacunas se movem atravs de um cristal de silcio. Corrente de difuso: gerada pela concentrao de eltrons livres em uma regio. Corrente de deriva: gerada por um campo eltrico que acelera eltrons e lacunas.

Formando a juno Corrente de difuso

Quando as duas regies so colocadas em contato, devido a diferena de concentrao aparece uma corrente (difuso) de eltrons indo da regio N para a P e de lacunas da regio P para N

Juno PN no equilbrio
A corrente de difuso (ID) provoca o aparecimento da regio de carga espacial (r.c.e.) que livre de portadores de carga, existindo somente ions da impureza negativo do lado P e positivo do lado N. Associao as cargas fixas dos dois lados da juno aparece uma tenso chamada de barreira de potencial de aproximadamente 0,7 V no caso do Si e 0,3 V do Ge. Essa barreira de potencial tende a se opor difuso dos portadores majoritrios, mas ajuda os portadores minoritrios a atravessar de um lado pra outro. Essa corrente de portadores minoritrios (IS) chamada de corrente reversa de saturao (IS) e depende da temperatura. No equilbrio a soma das correntes atravs da juno nula IS+ID=0

Juno PN polarizada reversamente

Com a polarizao reversa ( polo positivo da bateria ligado no lado N e polo negativo do P) a regio de carga espacial aumenta, aumentando a barreira de potencial. A corrente de difuso (portadores majoritrios se anula), s existe a corrente reversa de saturao, IS, de portadores minoritrios. Se a dopagem a mesma dos dois lados a largura da r.c.e. ser a mesma dos dois lados da juno.

A corrente externa vale: I=Is ( nA para Si e uA para Ge)

A juno PN polarizada diretamente

Com polarizao direta (polo positivo da bateria ligado no lado P e polo negativo do N) a regio de carga espacial diminui a barreira de potencial se a tenso aplicada externa for maior 0,6 V (Si) e 0,3 V para Ge. A corrente de difuso (ID) de portadores majoritrios aumenta.

A corrente externa vale I=ID-IS=ID

O diodo de juno
O diodo de juno essencialmente uma juno PN na qual foram adicionados os terminais e feito um encapsulamento adequado.

Equao caracterstica
= = . 1 corrente reversa de saturao (eta) uma constante que pode variar entre 1 e 2 dependendo de aspectos construtivos do diodo depende da temperatura cujo valor calculado por =
.
.

K= constante de Boltzmann=1,38. 1023 J/ K T(K)=273+T(C) q= valor da carga do eltron=1,6. 1019 C Para temperatura de 25 C o valor de de aproximadamente 25 mV.

Curva Caracterstica

Polarizao direta
Em polarizao direta e para v<0,5 V a corrente desprezvel sendo essa tenso chamada de tenso de corte. Quando a tenso aumenta acima de 0,5 V a corrente aumenta exponencialmente sendo a relao i=f(v) dada pela equao caracterstica

Polarizao reversa
Para VBK<v<0 e algumas vezes maior que 25mV a expresso = .
.

1 ser aproximadamente igual a Is.

Na prtica a corrente reversa varia com a tenso pois constituda de duas componentes: a corrente reversa de saturao (Is) cujo valor s depende da temperatura e da corrente de fuga superficial que depende da tenso aplicada.

Polarizao reversa
Para VBK<v<0 e algumas vezes maior que 25mV a expresso
= .
.

1 ser aproximadamente igual a Is.

Na prtica a corrente reversa varia com a tenso pois constituda de duas componentes: a corrente reversa de saturao (Is) cujo valor s depende da temperatura e da corrente de fuga superficial que depende da tenso aplicada.

A ruptura da juno destruio do diodo

O diodo destrudo quando a tenso reversa ultrapassa VBK, pois a corrente alcana valores que aquecero (efeito joule) muito.
Dois efeitos contribuem para a destruio do diodo: Efeito avalanche e efeito zener. Efeito avalanche: eltrons livres com grande energia se chocam com tomos arrancando eltrons de valncia. O processo pode gerar uma avalanche.

Efeito Zener
A tenso elevada (campo eltrico elevado) arranca eltrons da ultima camada.

Modelos do Diodo
Modelo 1 Diodo Ideal O modelo mais simples do diodo considera-o como sendo uma chave que controlada pela tenso aplicada no diodo. Se a tenso positiva a chave fecha, se negativa a chave abre. O diodo se comporta de forma ideal

O erro da ordem de 3%

Modelo 1 Diodo Ideal

Quando o modelo no pode ser usado

A diferena entre os valores da ordem de 20 %

Modelo 2 Bateria
Neste caso o diodo quando em conduo ser considerado uma bateria de 0,6V ou 0,7V.

O erro da ordem de 3%

Modelo 3 Bateria e Resistncia

O modelo representativo do diodo em conduo pode ser melhorado considerando a resistncia do corpo do diodo (RD)

O erro pode ser diminudo considerando uma valor adequado se resistncia direta (RD)

Ponto Quiescente (Q)

O ponto quiescente (Q) ou ponto de operao de um circuito corresponde aos valores de tenses e correntes contnuas desse circuito. Qual o valor da corrente no circuito? Qual modelo uasr?

Reta de Carga Resoluo Grfica

Para a anlise grfica necessrio dispor da curva caracterstica e desenhar no mesmo grfico a reta de carga do circuito. A interseco entre a reta de carga e a curva a soluo

1 Ponto : se = 0 ento = no eixo das correntes.

que representa um ponto

Reta de Carga Resoluo Grfica

2 Ponto: se I=0 na equao acima ento = que representa um ponto no eixo das tenses.

Retificadores Conversor CA/CC

Teoricamente a tenso na sada deve ser perfeitamente contnua, mas na prtica existe uma ondulao ou ripple. Uma medida da eficincia desses circuitos dada pelo fator de ripple (Y) definido como sendo:

Exemplo

Retificador de meia onda

Funcionamento

Formas de onda

Formas de onda
O valor da tenso mdia na carga calculada por

O valor eficaz (medida por um voltmetro TRUE RMS):

O fator de ripple do circuito vale 121% Dimensionamento do diodo O diodo deve ser dimensionado em funo da mxima corrente mdia (IAV) e mxima tenso reversa ( VRRM ) aplicada ao diodo

Retificadores sem filtro

Retificador de onda completa com center Tap

Retificadores sem filtro

Retificador de onda completa com center Tap

Formas de onda

Tenso mdia na carga calculada por: O valor eficaz, calculado por:

Para esse circuito a mxima tenso reversa que o diodo ser submetido 2.Vep A corrente mdia por diodo a metade da corrente na carga.

O fator de ripple do circuito vale 0,482 ou 48,2%

Exemplo 1
Dimensionar os diodos no circuito

Retificador de onda completa em ponte

Retificador de onda completa em ponte

Exemplo 2
Dimensionar os diodos no circuito se Ve=50V e RL= 50 Ohms

Filtros para fontes de alimentao

A ondulao na sada do circuito retificador muito grande o que torna a tenso de sada inadequada para alimentar a maioria dos circuitos eletrnicos. necessrio fazer uma filtragem na tenso de sada do retificador. A filtragem nivela a forma de onda na sada do retificador tornando-a prxima de uma tenso contnua pura que a tenso da bateria ou da pilha. A maneira mais simples de efetuar a filtragem ligar um capacitor de alta capacitncia em paralelo com a carga RL e normalmente, utiliza-se um capacitor eletroltico. A funo do capacitor reduzir a ondulao na sada do retificador e quanto maior for o valor deste capacitor menor ser a ondulao na sada da fonte.

Filtro a capacitor para retificador de meia onda.

Filtro a capacitor para retificador de meia onda.

No semiciclo positivo o diodo conduz e carrega o capacitor com o valor de pico (VP) da tenso. Assim que a tenso de entrada cair a Zero, o diodo para de conduzir e o capacitor mantm-se carregado e descarrega lentamente em RL. Quando a tenso de entrada fica negativa (semiciclo negativo) o diodo no conduz e o capacitor continua descarregando lentamente em RL. O capacitor recarrega 60 vezes por segundo. O capacitor carrega de Vmin at VP e neste intervalo de tempo ( ) o diodo conduz. O capacitor descarregar de VP at Vmin e neste intervalo o diodo no conduzir.

Filtro a capacitor para retificador de meia onda.

O pico inverso de tenso no diodo o dobro da tenso de pico. PIV = -2VP O capacitor aumenta a tenso inversa no diodo devido a que o mesmo permanece carregado quando o diodo no estiver conduzindo.

Filtro a capacitor para retificador de meia onda.

Exerccios de fixao 1) Sendo VAB =18Vef, C=1000 F, IL = 180 mA, retificador de meia onda, determine: Resp: V ond, VP, V min, VCC e PIV
2) Sendo VCC = 12 Volts, IL = 300 mA, Vond = 2 V, retific. de meia onda determine: O capacitor e o valor eficaz da tenso alternada na sada do transformador.

Filtro a capacitor para retificador de onda completa.

Funcionamento: Quando a carga RL solicita uma alta corrente necessrio que o retificador seja de onda completa. As equaes para onda completa so as mesmas utilizadas para meia onda, no entanto, a frequncia de ondulao para onda completa de 120 Hz.

Filtro a capacitor para retificador onda completa

Exerccios de fixao 1) Sendo IL = 1,5 A, VAB = 30 Vef, C = 2200F, retificador de onda completa, determine: Resp: Vond = 5,7 V VCC = 39,5 V
2) Sendo IL = 500 mA, VCC = 12V, Vond = 2V, determine o valor do capacitor e da tenso de sada do transformador C = 2083 F (O valor comercializado mais prximo de 2200F) VAB = 9,2 Vef

Reguladores de Tenso
Um regulador de tenso deve atender a duas condies bsicas: Manter a tenso de sada estvel, independentemente das variaes da corrente na carga; Manter a tenso de sada estvel, independentemente das variaes da tenso de entrada

Diodo Zener como regulador de tenso

O diodo zener, quando polarizado reversamente, pode ser usado como regulador de tenso. O circuito acima chamado de regulador de tenso. O circuito acima chamado de regulador paralelo, pois a carga fica em paralelo com o zener.

Fonte com regulador zener

Regulador de tenso integrados

So circuitos integrados que fornecem tenses fixas ou ajustveis. A maioria possui proteo interna contra curto circuito, sobrecorrente e sobrecarga trmica, desligando o circuito nessas condies.

Regulador de tenso integrados

Encapsulamento mais comum: TO-220.
Caractersticas eltricas importantes: Tenso mxima de entrada; Corrente mxima; Potncia mxima dissipada.

Reguladores de tenso fixa.

Os mais comuns so da famlia 78xx (tenso positiva) . Os dois ltimos algarismos indicam tenso de sada. Exemplo 7812 regulador positivo com tenso de sada de 12V 7905 regulador negativo com tenso de sada de -5V

Reguladores de tenso fixa.

Reguladores de tenso ajustveis

Os reguladores de tenso ajustveis possuem a mesma simplicidade de aplicao do regulador de tenso fixo. O tipo mais comum o LM 317, que fornece uma ampla faixa de tenses na sada.