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Les composants lectroniques

de commutation
Chapitre VI
Autres types d'interrupteurs
Sommaire
1

INTRODUCTION ..................................................................................................................................... 57

LES INTERRUPTEURS NATURELS.................................................................................................... 57

LES INTERRUPTEURS COMMANDES............................................................................................... 57


3.1
3.2
3.3
3.4
3.5

L'IGTH (INSULATED GATE THYRISTOR)....................................................................................... 61


4.1
4.2
4.3
4.4

LE THYRISTOR (SCR) .............................................................................................................................. 57


LE TRIAC ................................................................................................................................................. 58
LE GTO GATE TURN-OFF THYRISTOR .................................................................................................... 59
LE MCT MOS CONTROLLED THYRISTOR ............................................................................................... 59
L'IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ................................................................................... 60
STRUCTURE ............................................................................................................................................. 61
II-1-3- PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ................................................................................................... 62
LA TECHNOLOGIE SMART POWER ............................................................................................................ 63
LA TECHNOLOGIE ASD APPLICATION SPECIFIQUE DISCRETE ................................................................. 64

CAPACITES DES COMPOSANTS DE PUISSANCE .......................................................................... 65


5.1 LIMITES ET APPLICATIONS DES INTERRUPTEURS ...................................................................................... 65
5.1.1
Diagramme I=f(V) par type d'interrupteur ................................................................................... 65
5.1.2
Diagramme I=f(V) par type d'application .................................................................................... 66
5.1.3
Diagramme courant/tension/frquence par type d'interrupteur.................................................... 66

BIBLIOGRAPHIE .................................................................................................................................... 67

Chapitre VI : Autres types d'interrupteurs

Les composants lectroniques


de commutation
Chapitre VI
Autres types d'interrupteurs
1 Introduction
Nous avons trait un interrupteur naturel, la diode et deux interrupteurs commands, le
transistor bipolaire et le transistor MOSFET. Il en existe beaucoup d'autres et nous allons
dcrire les principaux.

2 Les interrupteurs naturels


Un interrupteur naturel par opposition un interrupteur command et un composant qui
commute (ON/OFF et OFF/ON) sans aucune commande extrieure.
On trouve par consquent :

toute la famille des diodes, notamment :


les diodes de puissance,
les ZENER,
les TRANSIL (crteuses),
les TRISILS (court-circuit),

les diacs.

Ces composants possdent un sens de polarisation, voire deux, pour lesquels si on applique
une tension rien ne se passe jusqu' une tension de seuil. Au del de cette tension soit le
composant limite ces bornes sa tension d'crtage, soit il se comporte comme un courtcircuit.

3 Les interrupteurs commands


3.1 LE THYRISTOR (SCR)
Les anglo-saxons le nomme Silicon Controlled Rectifier (SCR). Ce composant a un
fonctionnement qui ressemble celui une diode, mais la conduction dpend d'une lectrode de
commande, la gchette. C'est un composant 4 couches (PNPN). Son symbole est deux
reprsentions sont donns ci-dessous.
A
A

G1

Qn

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Qp

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G2

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Figure 1 : Symbole et reprsentations du thyristor


Sa caractristique statique est :

Figure 2 : Caractristique statique du thyristor


Avec :
IL = courant d'accrochage (latch up)
IH = courant de maintien (Hold)
Le segment OA reprsente le mode inverse, le thyristor est bloqu.
La verticale au point A reprsente l'avalanche du composant.
Le segment OB reprsente le mode direct (gchette en l'air), le composant est bloqu.
Le segment CD reprsente le mode direct, atteint suite un courant iG ou une tension aux
bornes du composant suprieure VB0, le composant est passant.
Le thyristor est donc unidirectionnel en tension et en courant. Il peut tre amorc de faon
normale par un courant de gchette ou par effet photolectrique (si le silicium est clair
photothyristor), mais aussi par une tension VAK suprieure VB0, par un effet capacitif rvl
lors d'un dVAK/dt important, par lvation de temprature du silicium.
Son blocage s'effectue soit par inversion de la tension aux bornes du composant (VAK) soit par
annulation du courant IAK.
C'est un des composants les plus utiliss en commutation car il est trs conomique et il
possde un bon pouvoir de coupure. Il peut couper plus de 10MW. Sa plage d'utilisation
courante est de 5 8kV.

A1

3.2 LE TRIAC
Ce composant est analogue deux SCR monts tte bche. Son symbole est :

A2

3
G

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Figure 3 : Symbole d'un triac


Sa caractristique statique et ses quadrants d'amorage sont ports ci-dessous.

Figure 4 : Caractristique statique et quadrants d'amorage d'un triac


C'est un composant symtrique, contrairement au thyristor, les courants de gchettes peuvent
tre positifs ou ngatifs, donc il peut conduire sur les deux alternances du secteur. Il est utilis
pour des petites puissances dans les domaines de l'lectromnager, grand public, petit
outillage. Les principales applications sont les interrupteurs statiques et les gradateurs.
3.3 LE GTO GATE TURN-OFF THYRISTOR
C'est un thyristor dont la fermeture est commande par la gchette mais dont l'ouverture peut
galement tre command par la gchette. Donc le GTO s'ouvre de faon naturelle ou par
impulsion sur sa gchette, ce qui est nouveau.
Ses trois symboles sont :

Figure 5 : Symboles du GTO


Ses applications sont, la forte puissance (traction) soit le pilotage des moteurs asynchrones de
TGV. Toutefois, il est concurrenc par l'IGBT.
3.4 LE MCT MOS CONTROLLED THYRISTOR
C'est un thyristor command par un MOS. Cette structure permet d'associer les avantages du
transistor MOS (faible puissance de commande) et ceux du thyristor (tenue en tension, en
courant et son faible cot). Sur le papier c'est un concurrent de l'IGBT et du GTO. En
pratique, il ne connat pas l'essor auquel on s'attendait.
Ses symboles et son schma quivalent sont :
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A
G
1

MOS
2
d'extinction

MOS
d'amorage

Figure 6 : Symboles et schma quivalent du MCT


3.5

L'IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

C'est un transistor bipolaire grille isole, c'est donc le mixage des avantages du MOS et du
bipolaire. On sait que les MOS possdent une grande simplicit de commande mais prsente
des tensions de dchet importantes. On sait galement que le bipolaire ncessite une
commande en courant pas toujours simple, mais une tension de saturation trs faible. Les
constructeurs on depuis longtemps cherchs coupler ces deux types de technologie (cf
MCT). L'IGBT est donc un MOS en entre qui pilote un bipolaire en sortie.
Son symbole et ses modles d'tude sont :
A

Collecteur
ou drain
ou anode

Grille

3
1

Emetteur
Ou source
Ou cathode

2
1

2
K

Schma quivalent
1

Symbole

Figure 7 : Symbole et modles utiliss pour tudier les caractristiques de l'IGBT


A l'tat passant, la diode et le MOS vont engendrer une tension de seuil VCEth que l'on
retrouve sur la caractristique statique reprsente ci-dessous.

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5.0
Vge = 8V

Vce = Vge - Vgeth + Vceth

4.5

4.0

Vge = 7,5V

3.5

3.0
Ic (A)

Zone sature

Zone linaire

2.5
Vge = 7V
2.0

1.5
Vge = 6,5V

1.0

Vge = 6V

0.5

0.0
0

1 Vceth = 1.4V 2

10

Vce (V)

Figure 8 : Caractristique statique et zones de fonctionnement d'un IGBT (Harris HGTP3N60)


Malheureusement l'IGBT possde un courant de queue non ngligeable qui gnre de fortes
pertes qui limite la frquence de commutation et souvent son utilisation.
Ce composant existe dans des calibres qui vont de quelques ampres basse tension et des
calibres de 1200V/450A voire des modules de 6500V/600A.
C'est le composant de puissance qui connat le taux de croissance le plus lev de ces
dernires annes.

4 L'IGTH (Insulated Gate THyristor)


4.1 STRUCTURE
Dans la recherche de nouveaux composants ou nouvelles fonctions de puissance, le thyristor
retient malgr tout lattention, compte tenu de ses proprits intrinsques : robustesse, tenue
aux surcharges, faible cot, facilit de commande.

G1

Qp

Qp
MOS

Th
Qn

G2

Th
Qn

Figure 9 : Schmas quivalents : a) du thyristor b) du MOS-Thyristor


Si pour les composants discrets, la commande lamorage est applique sur la base P (G2 ;
Figure 9.a), il est tout fait envisageable, dans une structure intgre, de faire cette
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commande par la base N (G1). Cette commande peut tre applique par un MOS canal N
(Figure 9.b).
On constate alors que lassociation du MOS damorage avec la section PNP du thyristor peut
constituer un IGBT si la section NPN est momentanment court-circuite. Ce court-circuit
commandable peut tre obtenu au moyen dun autre MOS. Lensemble du dispositif est alors
dnomm IGTH.

Qp
Th
Qn

G1

G2

IGBT
13

Figure 10 : Schma quivalent de lIGTH propos par le L.A.A.S./C.N.R.S


Nous avons donc une fonction qui dans un premier temps commute comme un IGBT, puis
quand la commutation est termine, c'est le thyristor qui prend le relais. L'IGTH qui est
destin tre ralis sur une mme puce peut galement tre ralis en discret selon le schma
suivant :

Rm
12

DZm

Vg IGBT

MOSHT

Vg MOSBloc

MOSBloc

Th

Figure 11 : Structure de l'IGHT discret

4.2

II-1-3- PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT

Une squence de fonctionnement (Figure 12) se dcompose en plusieurs temps. Pour obtenir
une commutation, il faut en premier lieu inhiber le fonctionnement du thyristor. On sature
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donc MOSBloc , ce qui permet de dclencher la commutation grce lIGBT linstant t1 sans
craindre lamorage du thyristor. Le courant crot dans lIGBT, en fonction de Vg IGBT.
Lorsque la tension Vg IGBT atteint un niveau suffisant (fonction de la valeur de DZm), MOSHT
se met conduire. Au moment o limpulsion de commande retombe (instant t2), MOSBloc
mande
nest plus conducteur, MOSHT alimente donc la gchette du thyristor. Ds lors, le thyristor et
lIGBT conduisent : il nest donc plus ncessaire de maintenir lIGBT en conduction. A
linstant t3, limpulsion de commande Vg IGBT est retombe. Seul le thyristor conduit alors. Il
ne sarrtera que lorsque IAK deviendra infrieur au courant de maintient Ih du thyristor.

1.2

12

Vg IGBT

t3

1
0.8
I
A
0.6
K
(A
0.4

10
8

Vg
6 (V)
4

t1

0.2

t2

IAK

0
5.6

5.8

6.2

6.4

6.6

6.8

7.2

t (ms)
I AK

Vg IGBT

Figure 12 : Squence d'une commutation la fermeture de l'IGTH.


Une application possible pour ce composant est donne ci-aprs.
Charge
A
RG

Vg IGTH

RC

IGBT

MOSHT

Ph

Rm
DINV

Th
DZm
MOSBloc

Figure 13 : Schma du gradateur mono alternance base d'IGTH


Les largeurs d'impulsion sont choisies de telle sorte que l'IGBT soit bien satur avant de cder
sa place au thyristor. Elles varient de 50 230s.
4.3

LA TECHNOLOGIE SMART POWER

C'est une technologie MOS qui permet de raliser un interrupteur de puissance intelligent. On
part d'une partie MOS de logique ou de microcontroleur, on fait sur la mme puce une
isolation puis on ralise un composant de puissance. De ce fait on a de faon monolithique la
commande et la puissance dans le mme botier.

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4.4

LA TECHNOLOGIE ASD APPLICATION SPECIFIQUE DISCRETE

C'est une technologie bipolaire base sur les composants 4 couches. Ici, on n'intgre pas la
partie commande mais on cherche raliser sur la mme puce, une fonction de puissance. Des
broches du circuit ainsi ralis sont disponibles pour la commande.
On ralise dans cette technologie une bibliothque de composants lmentaires, diode,
rsistance (non-linaire), transistor, Ensuite on ralise en simulation ou avec des
composants de la bibliothque ASD. Quand les rsultats sont satisfaisants on intgre tous
les composants sur la mme puce. Chaque composant est isol de l'autre par des caissons
obtenus par un passage de la plaquette de 300 heures 1280C.
A titre d'exemples, les figures suivantes nous donnent deux applications construites autour
d'une fonction de puissance intgre sur une puce de silicium.
Charge

Vs

Cellule CEM
1 . 3W

C2
1000F

Secteur

D2

2.88W

7V

R1

D1

R2
39

C1
68nF

0 . 5W

70V

5 6 mW

Figure 14 : Alimentation 240VAC/7VDC CEM, la partie hachure est intgrable


D1

20k
5.6k
47nF

470k

10nF

D3
470k

47nF

5.6k

60W

D4

20k

D2

Figure 15 : variateur de lumire compatible CEM sans filtre secteur, dont la partie hachure
peut tre intgre.

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5 Capacits des composants de puissance


5.1

LIMITES ET APPLICATIONS DES INTERRUPTEURS

Nous allons prsenter diffrents diagrammes qui permettent de bien cibler les interrupteurs en
fonctions des applications.
5.1.1 Diagramme V=f(I) par type d'interrupteur

Figure 16 : Diagramme du courant en fonction de la tension par type d'interrupteur

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5.1.2 Diagramme I=f(V) par type d'application

Figure 17 : Diagramme du courant en fonction de la tension par type d'application


5.1.3 Diagramme P=f(F) par type d'interrupteur

Figure 18 : diagramme puissance en fonction de la frquence par type d'interrupteur

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6 Bibliographie
Besson R. "Technologie des composants lectroniques" tome 2, dition radio.
Ferrieux J.P., Forest F. "Alimentations dcoupage - convertisseurs rsonance", dition
Masson, 1999.
Dalmasso J.L. "L'lectronique de puissance - commutation", dition DIA technique suprieur,
1987.
Baliga B.J. "Power semi-conducteur devices", 1996.
Divers travaux raliss au cours des recherches au laboratoire.

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