Dissertação PDF

INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA
rea Departamental de Engenharia de Sistemas de Potncia e Automao

EFEITO DO SOMBREAMENTO NOS
PAINIS FOTOVOLTAICOS

Ricardo J orge Cabral Lopes
(Licenciado em Engenharia Electrotcnica)

Trabalho final para obteno do grau de Mestre
em Engenharia Electrotcnica

Orientadores: Doutor Victor Manuel Fernandes Mendes
Doutor Mrio Rui Melcio da Conceio

J ri:
Presidente: Doutor J orge Alberto Mendes de Sousa
Vogais:
Doutor Victor Manuel Fernandes Mendes
Doutor Hugo Miguel Incio Pousinho

Dezembro de 2013

Tese realizada sob a orientao de
Professor Doutor Victor Manuel Fernandes Mendes
e sob a orientao de
Professor Doutor Mrio Rui Melcio da Conceio
Respectivamente, Professor Coordenador com Agregao da
e Professor Auxiliar no Departamento de Fsica da
UNIVERSIDADE DE VORA



EFEITO DO SOMBREAMENTO NOS
PAINIS FOTOVOLTAICOS

Ricardo J orge Cabral Lopes
(Licenciado em Engenharia Electrotcnica)

Trabalho final para obteno do grau de Mestre
em Engenharia Electrotcnica

Orientadores: Doutor Victor Manuel Fernandes Mendes

J ri:
Presidente: Doutor J orge Alberto Mendes de Sousa
Vogais:
Doutor Victor Manuel Fernandes Mendes
Doutor Hugo Miguel Incio Pousinho

Dezembro de 2013


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos II

Resumo
As crises energticas surgidas no decorrer do ltimo sculo, incluindo a crise do
petrleo, obrigaram o Homem a, cada vez mais, procurar fontes de energia alternativas
e preferencialmente inesgotveis. Desta situao, resultou uma forte aposta na
explorao das fontes de energias renovveis, que so uma das principais alternativas
para responder a um aumento de procura, e tambm, alm disso, face s exigncias de
consumos actuais, a aposta numa energia limpa e renovvel promove uma forte
reduo dos impactos ambientais associados ao seu consumo e que outras fontes de
energia no apresentam.
Sendo a energia solar relativamente bem distribuda pela superfcie habitada da Terra,
uma das mais promissoras formas de energia renovvel. Nas ltimas dcadas tem tido
um enorme crescimento a nvel mundial, com diversos programas governamentais a
incentivarem a instalao destes sistemas.
Este trabalho teve como principal objectivo demostrar como o efeito do sombreamento
afecta o desempenho dos mdulos fotovoltaicos e comparar o comportamento de dois
modelos matemticos da clula fotovoltaica.
Palavras-chave
Sombreamento
Painis fotovoltaicos
Microgerao
Energia renovveis
Sistemas fotovoltaicos


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos III

Abstract
The energetic crisis that occurred during the last century, including the oil crisis, forced
Man to search for more alternative energy sources and preferably inexhaustible ones.
From this situation resulted a strong bet on renewable energy sources exploration,
which are one of the main alternatives to respond to the increased demand and also to
meet the requirements of the current energy consumption. When betting in a clean and
renewable energy we benefit from a stronger reduction in environmental impact that
other energy sources do not provide.
Being solar energy, relatively well distributed over the inhabited earth is one of the
most promising forms of renewable energy. In the last few decades has had a huge
growth worldwide, with many government programs to encourage the installation of
these systems.
The aim of this thesis was to demonstrate the effect of shading effects on the
performance of photovoltaic modules, and compare the performance of two
mathematical models of the photovoltaic cell.
Keywords
Shading
Photovoltaic panels
microgeneration
Renewable energy
Photovoltaic systems


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos IV

Agradecimentos
Ao meu orientador, Professor Doutor Victor Manuel Fernandes Mendes, Professor
Coordenador com Agregao do Departamento de Engenharia Electrotcnica e
Automao do Instituto Superior de Engenharia de Lisboa, expresso o meu
agradecimento por todo o apoio, incentivo e orientao ao longo deste trabalho, pelos
bons conselhos, pela disponibilidade e pelos conhecimentos transmitidos.
Ao meu orientador, Professor Doutor Mrio Rui Melcio da Conceio, Professor
Auxiliar no Departamento de Fsica da Universidade de vora, desejo expressar o meu
agradecimento pelos bons conselhos, pelas linhas de orientao, pela disponibilidade de
tempo e pela sua prontido na cedncia da documentao necessria para a realizao
deste trabalho.
minha famlia, em especial aos meus pais e minha irm, desejo expressar o meu
profundo agradecimento pelo apoio incondicional, fora e motivao que me deram ao
longo de todo o meu percurso acadmico e por todos os sacrifcios que tornaram
possvel a realizao do curso.
minha namorada, Raquel Vargas, por toda a pacincia e carinho, pelas palavras de
apoio e pelo tempo despendido na fase de deteco de erros.
Ao meu amigo, J orge Antnio Mnico Vargas, um especial agradecimento pela ajuda e
conhecimentos que me ofereceu no desenvolvimento desta dissertao.
Aos meus amigos e colegas do Instituto Superior de Engenharia de Lisboa, pela partilha
de conhecimentos, pelo companheirismo e amizade ao longo de todos estes anos.
A todos os que, directa ou indirectamente, me ajudaram de alguma forma.


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos V

ndice
Captulo 1 Introduo ................................................................................................... 1
1.1. Motivao ...................................................................................................... 2
1.2. Notao Utilizada .......................................................................................... 4
Captulo 2 Estado da arte.............................................................................................. 5
2.1. Histria da evoluo dos painis fotovoltaicos ............................................. 6
2.2. Efeito fotovoltaico ......................................................................................... 9
2.3. Produo de mdulos fotovoltaicos ............................................................. 13
2.3.1. Lingotes ....................................................................................................... 13
2.3.2. Bolachas ....................................................................................................... 16
2.3.3. Clula ........................................................................................................... 16
2.3.4. Mdulo ......................................................................................................... 17
2.3.5. Silcio amorfo (a-Si) .................................................................................... 18
2.4. Simuladores na indstria fotovoltaica ......................................................... 18
2.5. Tipos de clulas ........................................................................................... 19
2.5.1. Ensaios e eficincia das diversas tecnologias .............................................. 21
2.5.2. Aplicaes.................................................................................................... 23
2.5.3. Centrais fotovoltaicas .................................................................................. 24
2.5.4. Barreiras acsticas ....................................................................................... 25
2.5.5. Sistemas fotovoltaicos em reas de desastres .............................................. 26
2.6. Principais elementos de um sistema fotovoltaico ........................................ 27
Captulo 3 Enquadramento legal ................................................................................ 29
3.1. Enquadramento jurdico............................................................................... 30
3.1.1. Quem pode ser microprodutor ..................................................................... 32
3.1.2. Regime de produo e tecnologia ................................................................ 32
3.1.3. Procedimento de registo no SRM ................................................................ 33


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos VI

3.1.4. Controlo de certificao de equipamentos ................................................... 35
3.2. Tarifa............................................................................................................ 35
3.3. Distribuio da microproduo.................................................................... 38
3.4. Instalao da Unidade de Microproduo ................................................... 40
3.4.1. Ligao RESP ........................................................................................... 40
3.4.2. Unidade de microproduo fotovoltaica ...................................................... 41
3.4.3. Proteco contra choques elctricos ............................................................ 42
3.4.4. Proteco contra contactos indirectos .......................................................... 43
3.4.5. Ligao das massas terra ........................................................................... 44
3.4.6. Proteco contra sobreintensidades ............................................................. 44
3.4.7. Quedas de tenso ......................................................................................... 45
3.4.8. Dispositivos de seccionamento e corte ........................................................ 45
3.4.9. Canalizaes e materiais .............................................................................. 46
3.4.10. Sinalizao ................................................................................................... 46
Captulo 4 Recurso solar ............................................................................................ 48
4.1. Distribuio do recurso solar na superfcie terrestre ................................... 49
4.1.1. Distribuio do recurso solar na Europa ...................................................... 50
4.1.2. Produo fotovoltaica estimada para Portugal ............................................ 51
4.1.3. Produo fotovoltaica em sistemas fixos ..................................................... 52
4.2. Instalao de mdulos solares ..................................................................... 52
4.2.1. Inclinao solar ............................................................................................ 52
4.2.2. Posio solar a qualquer hora do dia ........................................................... 54
4.2.3. Radiao Incidente....................................................................................... 55
4.2.4. Radiao directa........................................................................................... 55
4.2.5. Radiao difusa ............................................................................................ 56
4.2.6. Radiao reflectida ...................................................................................... 57
4.2.7. Painis orientados ........................................................................................ 57


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos VII

4.2.8. Afastamento dos painis a obstculos ......................................................... 58
4.2.9. Afastamento entre fileiras ............................................................................ 59
4.2.10. Orientao dos painis fixos ........................................................................ 61
4.3. Modelos matemticos .................................................................................. 61
4.3.1. Modelo simplificado .................................................................................... 62
4.3.2. Modelo simplificado de duas resistncias ................................................... 63
4.3.3. Modelo equivalente da clula fotovoltaica, modelo de dois dodos ............ 63
4.4. Estudo dos pontos de funcionamento .......................................................... 64
4.5. Potncia elctrica e rendimento ................................................................... 65
4.6. Aplicao no modelo ................................................................................... 67
4.7. Influncia da temperatura e da radiao incidente ...................................... 69
4.7.1. Temperatura da clula.................................................................................. 69
4.7.2. Radiao incidente ....................................................................................... 69
4.8. Efeito de sombreamento numa clula .......................................................... 70
4.9. Associao de clulas fotovoltaicas............................................................. 71
Captulo 5 Simulaes ................................................................................................ 72
5.1. Introduo .................................................................................................... 73
5.2. Modelo simplificado .................................................................................... 74
5.2.1. Implementao em Simulink ....................................................................... 75
5.2.2. Resultado das simulaes computacionais do modelo simplificado ........... 76
5.3. Modelo simplificado de duas resistncias ................................................... 81
5.3.1. Implementao em Simulink ....................................................................... 82
5.3.2. Resultado das simulaes computacionais do modelo simplificado de duas
resistncias ................................................................................................... 83
5.4. Comparao dos modelos ............................................................................ 88
Captulo 6 Concluses ................................................................................................ 92
6.1. Concluses Gerais ....................................................................................... 93


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos VIII

Bibliografia ..................................................................................................................... 95
Anexos ............................................................................................................................ 98
Anexo I Caractersticas construtivas do mdulo Isofotn I53 ................................ 98
Anexo II Solues de ligao da unidade de Microproduo RESP .................. 100
Anexo III Eficincia das diversas tecnologias de clulas solares .......................... 111


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos IX

Lista de figuras
Figura 2.1 - Sonda Vanguard I. ..................................................................................................... 7
Figura 2.2 - Sonda Nimbus. .......................................................................................................... 8
Figura 2.3 - Dopagem de semicondutores. .................................................................................. 11
Figura 2.4 - Diagrama de bandas de energia de um semicondutor. ............................................ 12
Figura 2.5 - Princpio de funcionamento dos dispositivos fotovoltaicos. ................................... 12
Figura 2.6 - Processo tpico de produo de mdulo solar de Silcio cristalino. ........................ 13
Figura 2.7 - Rotao no Processo de Czochralski. ...................................................................... 14
Figura 2.8 - Processo de Czochralski. ......................................................................................... 14
Figura 2.9 - Haste para o cultivo de Silcio pelo Processo Czochralski ...................................... 15
Figura 2.10 - Processo de fundio do Silcio em forno de Bridgeman. ..................................... 15
Figura 2.11 - Processo de corte do Silcio multicristalino. ......................................................... 16
Figura 2.12 - Etapas de produo das clulas solares. ................................................................ 17
Figura 2.13 - Interligao e laminao das clulas [11]. ............................................................. 18
Figura 2.14 - Clula de Grtzel. .................................................................................................. 20
Figura 2.15 - Clula CIGS........................................................................................................... 20
Figura 2.16 - Clula de Arsnio de Glio. ................................................................................... 21
Figura 2.17 - Clula de Telureto de Cdmio. .............................................................................. 21
Figura 2.18 - Eficincia das diversas tecnologias de clulas fotovoltaicas. ................................ 23
Figura 2.19 - Central de Moura, Portugal 46 MW. ..................................................................... 25
Figura 2.20 - Barreira acstica na A13, Sua. ............................................................................ 25
Figura 2.21 - Estao de servio no J apo equipada com painis fotovoltaicos com capacidade
de abastecimento de veculos de emergncia em caso de desastres naturais. ......... 26
Figura 2.22 - Sistema de purificao e bombagem de gua. ....................................................... 26
Figura 2.23 - Diagrama simplificado de ligao RESP. ........................................................... 27
Figura 2.24 - Diagrama genrico de um sistema fotovoltaico..................................................... 28
Figura 3.1 - Evoluo da tarifa bonificada. ................................................................................. 36
Figura 3.2 - Evoluo da potncia disponibilizada. .................................................................... 37


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos X

Figura 3.3 - Previso da evoluo da tarifa. ................................................................................ 37
Figura 3.4 - Distribuio geogrfica das UP ligadas. .................................................................. 38
Figura 3.5- Distribuio geogrfica da potncia das UP ligadas. ................................................ 39
Figura 3.6 - Tipos de fontes primrias instaladas. ....................................................................... 39
Figura 3.7 - Arquitectura simplificada para uma unidade de microproduo. ............................ 41
Figura 3.8 - Esquema simplificado do Quadro AC [30]. ............................................................ 43
Figura 3.9 - Aviso modelo da presena de duas fontes de tenso [30] ....................................... 46
Figura 3.10 - Aviso de presena de duas fontes de tenso colocado em portinhola. .................. 47
Figura 3.11 - Aviso modelo de operaes de manobra. ................................................................. 47
Figura 3.12 - Aviso modelo de operaes de manobra colocado em inversor. ........................... 47
Figura 4.1 - Distribuio mundial da irradiao global na horizontal. ........................................ 49
Figura 4.2 - Distribuio da irradiao solar anual e produo de energia elctrica fotovoltaica,
estimada por cada kW de potncia pico instalado, na Europa. ............................... 50
Figura 4.3 - Produo de energia estimada para sistemas PV ligados rede, kWh por unidade de
potncia pico instalada. ........................................................................................... 51
Figura 4.4 - Melhores ngulos para a inclinao de sistemas fotovoltaicos fixos, ligados rede
na Europa. ............................................................................................................... 52
Figura 4.5 - Posio da Terra relativamente ao Sol ao longo do ano [36]. ................................. 53
Figura 4.6 - ngulo de inclinao solar. ..................................................................................... 53
Figura 4.7 - Colocao de um painel segundo a latitude do local. .............................................. 53
Figura 4.8 - Posio do Sol segundo os ngulos de altura e azimute. ......................................... 54
Figura 4.9 - ngulo horrio......................................................................................................... 54
Figura 4.10 - ngulo de incidncia da radiao solar sobre um painel. ..................................... 56
Figura 4.11 - Determinao do ngulo de incidncia da radiao solar sobre um painel. .......... 56
Figura 4.12 - Painel orientvel segundo dois eixos. .................................................................... 57
Figura 4.13 - Painel orientvel segundo um eixo. ....................................................................... 58
Figura 4.14 - Factor de espaamento. ......................................................................................... 58
Figura 4.15 - Esquema de colocao dos painis. ....................................................................... 59


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos XI

Figura 4.16 - Esquema de instalao e separao de fileiras. ..................................................... 60
Figura 4.17 - Anlise da distncia entre mdulos. ...................................................................... 60
Figura 4.18 - Modelo simplificado. ............................................................................................. 62
Figura 4.19 - Modelo simplificado de duas resistncias. ............................................................ 63
Figura 4.20 - Modelo de dois dodos. .......................................................................................... 64
Figura 4.21 - Curva I-V de uma clula tpica de Silcio cristalino; variao com a temperatura;
G =G
r
. .................................................................................................................... 69
Figura 4.22 - Curva I-V de uma clula tpica de Silcio cristalino; variao com a radiao
incidente; T =T
r
...................................................................................................... 70
Figura 4.23 - Conjunto de clulas em serie com sombreamento e sem sombreamento. ............. 71
Figura 5.1 - Configurao do sistema fotovoltaico a simular. .................................................... 73
Figura 5.2 - Modelo simplificado. ............................................................................................... 74
Figura 5.3 - Diagrama de ligaes em Simulink de um mdulo fotovoltaico. ............................ 75
Figura 5.4 - Diagrama de ligaes em Simulink de sistema fotovoltaico. .................................. 76
Figura 5.5 - Curva caracterstica I-V do sistema sem sombreamento. ........................................ 77
Figura 5.6 - Curva caracterstica P-V do sistema sem sombreamento. ....................................... 77
Figura 5.7 - Sistema fotovoltaico com um mdulo sombreado em cada string. ......................... 78
Figura 5.8 - Curva caracterstica I-V do sistema com sombreamento de dois mdulos, um em
cada string. .............................................................................................................. 78
Figura 5.9 - Curva caracterstica P-V do sistema com sombreamento de dois mdulos, um em
cada string. .............................................................................................................. 79
Figura 5.10 - Sistema fotovoltaico com um mdulo sombreado numa string. ........................... 79
Figura 5.11 - Curva caracterstica I-V do sistema com sombreamento de um mdulo. ............. 80
Figura 5.12 - Curva caracterstica P-V do sistema com sombreamento de um mdulo. ............. 80
Figura 5.13 - Modelo simplificado de duas resistncias. ............................................................ 81
Figura 5.14 - Diagrama de ligaes em Simulink de um mdulo fotovoltaico. .......................... 82
Figura 5.15 - Diagrama de ligaes em Simulink de sistema fotovoltaico. ................................ 83
Figura 5.16 - Curva caracterstica I-V do sistema sem sombreamento. ...................................... 84
Figura 5.17 - Curva caracterstica P-V do sistema sem sombreamento. ..................................... 84


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos XII

Figura 5.18 - Sistema fotovoltaico com um mdulo sombreado em cada string. ....................... 85
Figura 5.19 - Curva caracterstica I-V do sistema com sombreamento de dois mdulos, um em
cada string. .............................................................................................................. 85
Figura 5.20 - Curva caracterstica P-V do sistema com sombreamento de dois mdulos, um em
cada string. .............................................................................................................. 86
Figura 5.21 - Sistema fotovoltaico com um mdulo sombreado em uma string. ....................... 86
Figura 5.22 - Curva caracterstica I-V do sistema com sombreamento de um mdulo. ............. 87
Figura 5.23 - Curva caracterstica P-V do sistema com sombreamento de um mdulo. ............. 87
Figura 5.24 - Configurao do sistema fotovoltaico a simular. .................................................. 88
Figura 5.25 - Comparao da curva caracterstica I-V entre os dois modelos sem o efeito do
sombreamento. ........................................................................................................ 89
Figura 5.26 - Comparao da curva caracterstica P-V entre os dois modelos sem o efeito do
sombreamento. ........................................................................................................ 89
Figura 5.27 - Sistema fotovoltaico com um mdulo sombreado em cada string. ....................... 90
Figura 5.28 - Curva caracterstica I-V. ........................................................................................ 90
Figura 5.29 - Curva caracterstica P-V. ....................................................................................... 91


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos XIII

Lista de Tabelas
Tabela 2.1 Comparao entre ensaios STC e PTC ................................................................... 22
Tabela 2.2- Lista de algumas centrais fotovoltaicas .................................................................... 24
Tabela 4.1 - ngulo de inclinao dos painis ............................................................................ 61
Tabela 5.1 Parmetros do sistema fotovoltaico ........................................................................ 74


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos XIV

Lista de siglas
AC Corrente alterna
BTE Baixa tenso especial
BTN Baixa tenso normal
CERTIEL Associao Certificadora de Instalaes Elctricas
DC Corrente contnua
DGEG Direco-Geral de Energia e Geologia;
DRE Direco regional de economia competente;
I
cc
Corrente de curto-circuito
IccSTC Corrente de curto-circuito; corrente de cc em condies de ensaio
normalizadas (STC)
Imx Corrente mxima
MPP Maximum power point
NREL National Renewable Energy Laboratory
NSC Nmero de clulas em serie
P
mx
Potncia mxima
PVUSA Photovoltaics for Utility Scale Applications
R.T.I.E.B.T. Regras Tcnicas das Instalaes Elctricas de Baixa Tenso
RESP Rede Elctrica de Servio Pblico
SRM Sistema de Registo de Microproduo, que constitui uma plataforma
electrnica de interaco entre a Administrao Pblica e os produtores,
acessvel atravs do portal Renovveis na Hora;
STC Testes em condies normais (Standard Test Condition)
String Conjunto de mdulos fotovoltaicos interligados em srie, de modo a garantir
a tenso de sada DC da unidade de microproduo.
TPT Terminal principal de terra
Unidade MP Unidade de microproduo


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos XV

UP Unidade de produo
V
n
Tenso nominal
V
oc
Tenso em circuito aberto
V
mx
Tenso mxima
W
p
Watt de pico (Watt peak)


Efeito do sombreamento nos painis fotovoltaicos 1

Captulo 1
Introduo

Neste captulo so apresentados os motivos que levaram escolha da energia solar e
do efeito do sombreamento numa instalao fotovoltaica como tema para a realizao
desta dissertao, alm de um breve resumo sobre o trabalho realizado. So, tambm,
apresentadas as consideraes tomadas para a escrita e organizao deste documento.



1.1. Motivao
Foi com a primeira crise do petrleo, em 1973, que se comeou a tomar conscincia da
escassez e finitude dos recursos energticos e, muito especialmente, da nossa exagerada
dependncia dos combustveis fsseis. Com a populao mundial a aumentar e a viver
progressivamente mais tempo, com o crescimento exponencial do consumo energtico
nos pases desenvolvidos e em desenvolvimento, com comportamentos consumistas
irracionais por grande parte da populao mundial (especialmente nos ltimos 25 anos)
e com a escalada imparvel do preo do petrleo verificada desde 1973, era uma
questo de simples bom senso que se comeassem a procurar fontes de energia
alternativas ao petrleo, ao carvo e ao gs.
Deste modo, a crise do petrleo da dcada de 1970, em paralelo com o incremento do
movimento ecologista, levou adopo de um novo paradigma energtico, assente na
procura de fontes alternativas de energia que:
a) Fossem renovveis, mais eficientes e virtualmente inesgotveis;
b) Tanto na produo como no consumo minimizassem os impactos ambientais
inevitavelmente associados;
c) Pudessem ser de origem endgena, contribuindo para estimular as economias
locais e evitando no s os riscos polticos e geoestratgicos derivados da
concentrao da produo num reduzido nmero de pases como tambm os
custos do transporte a longa distncia.
poca, as centrais hdricas e as centrais nucleares eram as nicas formas de produo
de energia que cumpriam minimamente os requisitos acima mencionados. Mas a
primeira est demasiado dependente das condies climatricas (e, em particular, da
pluviosidade anual) e a segunda, considerando todo o ciclo de vida de uma central
nuclear (construo, operao, manuteno, gesto de resduos e desmantelamento),
uma energia demasiado cara e poluente. Assim, a investigao cientfica centrou-se no
desenvolvimento de tecnologias que permitissem gerar electricidade, mais
eficientemente e sem subprodutos poluentes, a partir das outras fontes de energia
renovveis ao nosso dispor: solar, elica, geotrmica e talassomotriz.



A energia solar, virtualmente inesgotvel, de irradiao constante e uniforme (salvo em
perodos de manchas solares) e relativamente bem distribuda pela superfcie habitada
da Terra, uma das mais promissoras formas de energia renovvel. Todavia, a
tecnologia utilizada para a sua converso em electricidade est longe de ter atingido a
maturidade, quer na eficincia (no mximo, entre 15% e 24% em ambiente de
laboratrio) quer nos avultados custos iniciais e nos alongados prazos de retorno do
investimento, bem como na optimizao dos rendimentos energticos face a condies
atmosfricas adversas (cu nublado, por exemplo) ou na minimizao das perdas
decorrentes de deficincias nas interligaes rede elctrica.
Portugal, pela excelncia da sua localizao geogrfica, tem um enorme potencial para
que a energia solar se torne um dos pilares da nossa menor dependncia dos
combustveis fsseis. Potencial que, se concretizado com racionalidade e eficincia,
poder reflectir-se no aumento e diversificao da oferta de energia por parte do
mercado, em menores custos associados importao de energia e num melhor acesso a
um bem essencial por parte de populaes do interior nomeadamente pela instalao
de pequenas centrais fotovoltaicas em zonas de intensa exposio solar, centrais essas
pouco onerosas em termos de operao e manuteno. Alm disso, a diversidade de
superfcies em que se podem instalar painis fotovoltaicos para uso pessoal (quintais,
jardins, telhados, paredes), poder ser um factor determinante na reduo da pegada
ecolgica de cada um e na proteco do ambiente.
A concretizao de todos estes objectivos exige um constante esforo de investigao e
desenvolvimento, no sentido de serem ultrapassados os constrangimentos atrs
enunciados. A inovao na tecnologia e nos procedimentos decorrentes da investigao
acadmica poder abrir janelas de oportunidade para novas empresas se afirmarem no
difcil e concorrencial mercado da energia e, deste modo, permitir a criao de milhares
de empregos verdes, alavanca da recuperao econmica de Portugal. Passar das
palavras aos actos foi, portanto, uma das principais razes que me levou escolha da
instalao de uma unidade de microproduo fotovoltaica e ao efeito provocado pelo
sombreamento no seu rendimento como tema da minha dissertao de mestrado.



1.2. Notao Utilizada
As figuras so apresentadas com referncia ao captulo em que so inseridas e so
numeradas de forma sequencial no respectivo captulo. Na sua primeira apario, a
identificao de expresses apresentada entre parnteses curvos ( ) e a
identificao de referncias bibliogrficas, artigos e sites de internet, apresentada entre
parnteses rectos [ ]. A numerao de expresses matemticas ser apresentada dentro
de parntesis curvos ( ).
So utilizadas, por vezes, siglas e expresses em lngua estrangeira. As siglas so
utilizadas como forma de abreviatura de alguns termos utilizados, de modo a aliviar o
texto e a facilitar a leitura, enquanto a utilizao de expresses de lngua estrangeira
feita, principalmente, em palavras cuja traduo para a Lngua Portuguesa faa com que
percam o seu significado original.



Captulo 2
Estado da arte

Neste captulo ser feito o enquadramento da energia solar, da sua histria e do seu
princpio de funcionamento. Tambm sero abordados alguns processos de produo e
diferentes tecnologias das clulas fotovoltaicas, bem como possveis aplicaes.



2.1. Histria da evoluo dos painis fotovoltaicos
Os sistemas fotovoltaicos esto largamente difundidos desde solues de
microproduo em habitaes particulares a centrais na ordem dos MW. Este uso
generalizado possvel devido a diversas descobertas que remontam dcada de trinta
do sculo XIX. De forma a enquadrar estas descobertas, so apresentadas as datas mais
relevantes que foram retiradas com base na seguinte referncia [1]:
1839 Com apenas dezanove anos, o fsico experimental Edmund Becquerel (1820-
1891) descobriu o efeito fotovoltaico numa clula de dois metais.
1873 Willoughby Smith (1828-1891), engenheiro elctrico ingls, descobre o
fenmeno da fotocondutividade ao reparar que o Selnio melhor condutor de
electricidade quando exposto luz [2].
1876 William Grylls Adams e Richard Evans Day descobrem que o Selnio produz
electricidade quando exposto luz. Embora as clulas solares de Selnio no
convertam a luz solar em energia elctrica suficiente para alimentar
equipamentos elctricos, elas provam que um material slido pode produzir
electricidade a partir da luz solar, sem necessidade de calor ou de partes mveis.
1883 Heinrich Hertz descobriu que a luz ultravioleta altera o nvel de tenso
necessrio para a existncia de um arco elctrico entre dois elctrodos de metal.
1904 Wilhelm Hallwachs descobriu que a combinao de cobre com xido de cobre
fotossensvel.
1905 Albert Einstein publica seu trabalho sobre o efeito fotoelctrico, juntamente com
um documento sobre a sua teoria da relatividade [3].
1914 Verifica-se a existncia de uma camada de barreira, (juno) dos dispositivos
fotovoltaicos [3].
1916 Robert Millikan apresentou prova experimental do efeito fotoelctrico.
1918 J an Czochralski, um cientista polaco, desenvolve uma maneira de fazer crescer
cristais de Silcio monocristalino [3].
1921 Albert Einstein recebeu o prmio Nobel pela teoria que explicava o efeito
fotoelctrico.



1954 Calvin Fuller, um qumico dos Bell Laboratories em Murray Hill (New J ersey,
Estados Unidos da Amrica), desenvolveu o processo de dopagem do Silcio.
Fuller partilhou a sua descoberta com o fsico Gerald Pearson, seu colega nos
Bell Labs e este, seguindo as instrues de Fuller, produziu uma juno p-n ou
dodo, mergulhando num banho de ltio uma barra de Silcio dopado com um
elemento doador electrnico. Ao caracterizar electricamente a amostra, Pearson
descobriu que esta exibia um comportamento fotovoltaico e partilhou a
descoberta com um outro colega, Daryl Chapin, que tentava infrutiferamente
arranjar uma alternativa para as baterias elctricas que alimentavam redes
telefnicas remotas.
As primeiras clulas fotovoltaicas assim produzidas tinham alguns problemas
tcnicos que foram superados quando Fuller dopou Silcio, primeiro com arsnio
e depois com boro, obtendo clulas que exibiam eficincias recorde de cerca de
6%.
1955 A Western Electric iniciou a venda das licenas comerciais da tecnologia
fotovoltaica de Silcio.
1957 A Hoffman Electronics alcanou 8% de eficincia nas clulas fotoelctricas.
1958 A Hoffman Electronics alcanou 9% de eficincia nas clulas fotoelctricas. A
sonda Vanguard I, o primeiro satlite alimentado a energia solar, manteve-se
operacional durante 8 anos apresentado na figura 2.1 [4].

Figura 2.1 - Sonda Vanguard I.



1959 A Hoffman Electronics alcanou 10% de eficincia nas clulas solares
fotoelctricas. O satlite Explorer 6 foi lanado com um conjunto de 9600
clulas fotovoltaicas.
1960 A Hoffman Electronics alcanou 14% de eficincia nas clulas fotovoltaicas.
1963 O J apo instalou 242 W de potncia de clulas fotovoltaicas num farol, o maior
conjunto de clulas fotovoltaicas at data.
1964 Foi lanado o satlite Nimbus, que continha 470 W em painis solares
apresentado na figura 2.2 [5].

Figura 2.2 - Sonda Nimbus.
1966 Foi lanado o Orbiting Astronomical Observatory, com 1 kW em painis
fotovoltaicos.
1977 O Solar Energy Research Institute (SERI) - que, mais tarde, mudou o nome para
National Renewable Energy Laboratory (NREL) -, inaugurou as suas instalaes
em Golden, Colorado. A produo dos painis fotovoltaicos excedeu os 500 kW.
1979 O Lewis Research Center (LeRC), da NASA, completou um sistema de 3,5 kW
em Papago, uma aldeia no Arizona. Esta foi a primeira povoao no mundo com
sistemas fotovoltaicos.
1982 Foi instalada a primeira central de grande dimenso (1 MWp), na Califrnia [6].
1990 Foi lanado o programa telhados solares, na Alemanha; posteriormente, o
J apo lana programa idntico (1993) [6].
1998 Recorde de 24.7% de eficincia em clulas de Silcio monocristalino [6].



1999 O total acumulado da potncia instalada de painis solares atingiu a fasquia do
primeiro gigawatt [6].
2002 O total de potncia instalada acumulada duplicou a do ano de 1999 [6].
2005 Cientistas do Fraunhofer Institute for Solar Energy System anunciaram uma
eficincia superior a 20% para clulas em Silcio multicristalino [6].
2011 Os preos mais baixos dos mdulos de diferentes tecnologias so 0,93 /Wp
para Silcio Multicristalino, 0,91 /Wp para Silcio Monocristalino e de
0,89 /Wp para Pelcula Fina. Estes valores correspondem a Novembro de
2011 [7].
2.2. Efeito fotovoltaico
O efeito fotovoltaico, relatado pelo fsico francs Edmond Becquerel em 1839, consiste
no surgimento de uma diferena de potencial nos extremos de uma estrutura de material
semicondutor, produzida pela absoro da luz incidente. A clula fotovoltaica a
unidade fundamental do processo de converso. Em 1954, nos laboratrios Bell, Calvin
Fuller produziu a primeira clula solar de Silcio, que rapidamente atraiu o interesse do
programa espacial norte-americano devido potncia por unidade de peso ser vantajosa.
O aperfeioamento destas clulas para aplicaes espaciais, conduziu aplicao da
tecnologia fotovoltaica em instalaes terrestres, sendo posteriormente mais
aperfeioada em laboratrio [8].
Para compreender o comportamento dos materiais que so usados nas clulas
fotovoltaicas, basta considerar que a sua estrutura atmica possui protes e neutres
concentrados no ncleo do tomo e electres que permanecem em rbitas de diferentes
nveis de energia ao redor do ncleo: a permanncia nas rbitas mais internas, mais
prximas do ncleo, corresponde aos electres de menos energia relativamente
permanncia nas rbitas mais externas. Este modelo constitui o chamado modelo de
tomo de Bohr, que razoavelmente bom para se compreender o comportamento dos
materiais que so usados nas clulas fotovoltaicas [8].
Cada tomo do elemento Silcio, cujo nmero atmico 14, possui 14 electres
distribudos em trs rbitas ao redor do seu ncleo: dois electres na rbita interna, oito
electres na rbita intermdia e quatro electres na rbita externa. Os electres da rbita



externa de cada tomo interagem com os dos tomos vizinhos, formando estruturas
slidas. Cada tomo faz uma ligao covalente com cada um de outros quatro tomos
vizinhos, permitindo que esses quatro tomos passem a ter suas rbitas externas
completas, com oito electres cada, formando uma estrutura cristalina [8].
Cada uma dessas ligaes covalentes entre os electres de diferentes tomos pode ser
quebrada se um dos electres receber energia externa suficiente para se afastar mais do
seu respectivo ncleo, livrando-se da atraco deste. Com isso, o electro deixa a banda
de valncia, em que no se pode movimentar livremente, passando para a banda de
conduo. A sada do electro da banda de valncia deixa uma lacuna elctrica, o que
cria o par electro-lacuna, originado a partir do aumento da energia do electro [8].
Se esse electro livre, com bastante energia, fosse direccionado para um circuito
elctrico, seria, ento, criada uma corrente elctrica. Porm, o material composto
apenas por tomos de Silcio, pois o electro livre associa-se imediatamente a uma
lacuna originada pela sada de outro electro processo no qual perde energia, deixa a
banda de conduo e retorna banda de valncia sem se dirigir a uma carga externa. A
energia perdida pelo electro transformada em calor e dissipada. Ento, para que se
produza a desejada corrente elctrica, necessrio que haja um processo que acelere os
electres livres para fora do material, para um circuito externo. Isso pode ser
conseguido com a aplicao de um campo elctrico. O material das clulas fotovoltaicas
preparado de forma a possuir um campo elctrico permanente, que surge por
consequncia de uma juno resultante de uma adequada dopagem do material
semicondutor [8].
Quando tomos com cinco electres de ligao na ltima camada de valncia como,
por exemplo, o Fsforo so adicionados ao Silcio, que possui apenas quatro electres
nessa situao, a estrutura cristalina resultante constituda da seguinte forma: quatro
electres do Fsforo unem-se a quatro tomos de Silcio vizinhos, enquanto o quinto
electro do Fsforo no realiza nenhuma ligao, permanecendo ligado ao seu tomo de
origem por meio de uma ligao bastante fraca, de pouca energia. No caso de este
electro receber uma pequena quantidade de energia trmica, disponvel mesmo
temperatura ambiente, a sua ligao ao ncleo quebrada, sendo libertado e
direccionado para a banda de conduo. Nesse caso, o Fsforo um material dopante



doador de electres, denominado dopante n; essa dopagem denominada dopagem do tipo n,
sendo o substrato dito de Silcio N [8].
Numa outra configurao, em que sejam adicionados ao Silcio tomos com apenas trs
electres na ltima camada de valncia (como, por exemplo, o Boro), uma das ligaes
com os quatro tomos de Silcio vizinhos no ser realizada, ficando uma lacuna [8]. A
dopagem de semicondutores apresentada na figura 2.3 [9].

Figura 2.3 - Dopagem de semicondutores.
De modo anlogo ao caso anterior, com pouca energia trmica, um electro vizinho
pode passar a esta posio, criando, no local da sua sada, uma nova lacuna e fazendo
com que a lacuna se desloque de um local para outro. Sendo assim, o Boro um
material dopante que aceita electres, denominado dopante p; essa dopagem
denominada dopagem do tipo p, sendo o substrato denominado de Silcio P [8].
Mesmo com dopagem, o Silcio continua com carga neutra, pois a quantidade de
electres e de protes a mesma. Entretanto, quando o Silcio do tipo n posto em
contacto com o Silcio do tipo p, os electres livres do material com dopagem do tipo n
preenchem as lacunas do material com dopagem do tipo p. Logo, a camada do tipo n,
que cedeu electres, fica positivamente carregada; a camada do tipo p, que recebeu
electres, fica negativamente carregada. Essas cargas aprisionadas do origem a um
campo elctrico permanente que dificulta a passagem de mais electres do substrato n
para o substrato tipo p. Este processo alcana o equilbrio quando o campo elctrico
forma uma barreira de potencial capaz de impedir que os electres livres remanescentes
no substrato do tipo n passem para o substrato tipo p. Deste modo, assim criada uma
juno pn [8]. apresentado o diagrama de bandas de energia de um semicondutor
apresentada na figura 2.4 [10].



Figura 2.4 - Diagrama de bandas de energia de um semicondutor.
Nessa situao, o efeito fotovoltaico pode ocorrer. Quando um foto da luz solar,
incidente na juno pn, transmite energia a um electro da camada p, este move-se para
a banda de conduo e cria o par electro-lacuna. O campo elctrico existente fora o
deslocamento desse electro para a camada n, no permitindo o seu retorno e,
simultaneamente, repele a lacuna para o extremo oposto da camada p. Criada a condio
de circulao de corrente elctrica no interior do material semicondutor dopado, a
simples colocao de contactos elctricos nas duas extremidades do material permite
tenso elctrica existente entre elas originar corrente elctrica, que produzir os efeitos
desejados na carga externa [8]. O princpio de funcionamento da junco pn

Figura 2.5 - Princpio de funcionamento dos dispositivos fotovoltaicos.



2.3. Produo de mdulos fotovoltaicos
O processo de produo de um mdulo solar de Silcio cristalino, tambm chamada de
sand-to-rooftop [11], apresentado na figura 2.6 [11].

Figura 2.6 - Processo tpico de produo de mdulo solar de Silcio cristalino.
O processo comea pela purificao do Silcio. Uma vez atingido o grau de pureza
necessrio, derretido e fundido em lingotes que, por sua vez, so cortados em bolachas
wafers; este processo depende do tipo de clula de Silcio pretendido. Depois de
processadas, as bolachas wafers so montadas em clulas solares e agrupadas em
mdulos solares. Finalmente, estes mdulos esto prontos para serem instalados e
permitirem o aproveitamento da energia solar [11].
2.3.1. Lingotes
O Silcio de grau metalrgico (MG) produzido por reduo carbotrmica do quartzo
em fornos em unidades metalrgicas. O produto obtido consiste em 98 a 99% de Silcio
e cerca de 1 a 2% de impurezas que so, principalmente, de Ferro, Alumnio, Fsforo,
Clcio, Titnio, Carbono e Boro [11]. O Silcio derretido, purificado e solidificado na
forma adequada para posterior processamento. Lingotes de Silcio podem ser cultivados
atravs de mtodos como o crescimento de Czochralski ou a tcnica do forno de
Bridgman, dependendo do tipo de clulas pretendido [11].
a) Lingotes de Silcio monocristalino (C-Si)
Neste processo, necessrio uma semente de um nico cristal de Silcio, de elevado
grau de pureza (99,99%, [10]), que ser colocado em contacto com a superfcie superior



de Silcio derretido. O processo de crescimento do cristal bastante lento, com
velocidades de crescimento de 0,6 a 1,2 mm/h [10]. O recipiente que contm o Silcio
derretido roda numa direco, enquanto a semente simultaneamente rodada no sentido
oposto e, ao mesmo tempo, puxada lentamente [10]. A rotao no processo de
Czochralski apresentada na figura 2.7 [12].

Figura 2.7 - Rotao no Processo de Czochralski.
Os tomos do Silcio derretido vo solidificar no padro da semente, que vai aumentar a
estrutura do cristal nico. Esta tcnica a base da indstria de chips semicondutores e
conhecido como mtodo de Czochralsky, apresentado na figura 2.8 [13].

Figura 2.8 - Processo de Czochralski.
O produto final uma bolacha wafer monocristalino [14], como representada na
figura 2.9 [13].



Figura 2.9 - Haste para o cultivo de Silcio pelo Processo Czochralski
b) Silcio policristalino (mc-Si)
Os mtodos mais comuns de fabrico de clulas de Silcio policristalino so o mtodo de
fundio do Silcio e o mtodo do forno de Bridgeman. Nestes processos, a pureza do
Silcio varia entre os 98,0% e os 99.0% [6] [10].
No mtodo de fundio, o Silcio aquecido num recipiente at se encontrar no estado
lquido e, depois, vertido para o molde no qual vai ser arrefecido.
Usando o mtodo do forno de Bridgeman, o Silcio fundido e solidificado no mesmo
recipiente; esta tcnica tambm conhecida como solidificao direccional. um
processo mais simples do que a fundio, por no envolver o derramar de Silcio
fundido, mas implica tempos de reaco mais longos e a mais altas temperaturas, alm
de uma maior complexidade do equipamento [11]. O mtodo de fundio do Silcio e o
mtodo do forno de Bridgeman so apresentados na figura 2.10 [11].

Figura 2.10 - Processo de fundio do Silcio em forno de Bridgeman.



2.3.2. Bolachas
Os lingotes de Silcio multicristalino so cortados em blocos que, por sua vez, so
cortados em finas fatias, obtendo-se as bolachas wafers. Estas so, depois,
submetidas a um tratamento da sua superfcie por decapagem hmida seguida de limpeza,
sendo este procedimento repetido vrias vezes at se atingir a perfeio desejada. As
bolachas wafers resultantes so a matria-prima para a produo da clula solar [11]. O
processo de corte do Silcio multicristalino apresentado na figura 2.11 [11].

Figura 2.11 - Processo de corte do Silcio multicristalino.
No caso dos lingotes de Silcio monocristalino, a etapa de corte em blocos eliminada,
sendo os lingotes cortados directamente em bolachas wafers. De modo a aumentar a
rea disponvel do mdulo, as bolachas so cortadas em forma de quadrados e no em
forma circular [11].
As bolachas resultantes tm uma espessura entre 160 e 220 m, mas o processo de corte
dos lingotes resulta numa elevada perda de material, na ordem dos 50% [11].
2.3.3. Clula
Na primeira etapa de produo, as bolachas wafers so inspeccionadas para se
detectar quaisquer problemas de qualidade, sendo os defeitos do corte removidos
atravs da decapagem hmida. As bolachas wafers multicristalinas e policristalinas
com diferentes dimenses, 125125 mm ou 156156 mm e de espessura entre 160 e
220 mm, so a matria-prima para a produo das clulas solares [11]. As etapas do
processo de fabrico esto representadas na figura 2.12 [11].



Figura 2.12 - Etapas de produo das clulas solares.
Na primeira etapa, so removidas as imperfeioes do corte em seguida, na segunda
etapa, espalhado Fsforo no Silcio. Na terceira, feito o isolamento das arestas numa
tina hmida. Na quarta, aplicada uma camada anti-reflexo, de forma a evitar a reflexo
dos raios solares, contribuindo para melhorar a eficincia da converso. Na quinta,
procede-se metalizao, sendo os contactos elctricos impressos sobre a clula solar,
quer na superfcie frontal quer no seu verso. Na sexta, realizada a cozedura dos
contactos elctricos. Na stima e ltima etapa, aps a cozedura dos contactos elctricos
num forno, so medidas a qualidade elctrica, a potncia elctrica e a qualidade ptica
da clula, de forma a ser classificada [11].
2.3.4. Mdulo
Para se obter as tenses apropriadas a diferentes aplicaes, as clulas solares so
interligadas para formarem unidades maiores chamadas mdulos. As associaes em
srie permitem obter tenses mais elevadas, enquanto as associaes em paralelo
permitem obter correntes elctricas mais elevadas em comparao com a tenso e
corrente de uma s clula [11].



Nas associaes anteriores, as clulas so encapsuladas individualmente, embebidas em
etileno acetato de vinilo, equipadas com uma moldura em alumnio ou ao inoxidvel e,
finalmente, cobertas por um vidro transparente. Estas associaes so, em geral, de
elevada qualidade, contribuindo para que os mdulos solares tenham altos padres de
qualidade e uma expectativa de vida muito longa, sendo habitual os fabricantes
indicarem garantias de vinte ou mais anos [11] em boas condies de funcionamento.
<
Figura 2.13 - Interligao e laminao das clulas [11].
2.3.5. Silcio amorfo (a-Si)
Este tipo de clulas significativamente diferente dos anteriores, visto ser caracterizado
por um alto grau de desordem nas estruturas atmicas. O seu fabrico requer processos
relativamente simples, por deposio de Silcio vaporizado sobre uma superfcie plana
(ao inoxidvel ou vidro, por exemplo), possibilitando o fabrico de clulas com grandes
reas a baixo custo, o que torna estas clulas economicamente mais favorveis
relativamente s anteriores [6].
2.4. Simuladores na indstria fotovoltaica
Com o rpido crescimento da indstria fotovoltaica e com o aumento do nmero de
instalaes, ao longo dos anos foram realizados diversos estudos de forma a entender-se
como os diversos factores afectam as caractersticas dos mdulos fotovoltaicos. Os
primeiros estudos realizados em simuladores tentaram perceber como a variao da
temperatura, irradiao e variao de carga afecta a potncia de sada de um nico
mdulo fotovoltaico. Estes estudos, contudo, no tiveram em considerao o efeito do
sombreamento. Posteriormente, outros autores [15], realizaram estudos sobre o modo



como o sombreamento afecta as curvas caractersticas I-V e P-V, num nico mdulo
fotovoltaico. Estes resultados no prevem a presena de mltiplos degraus e picos,
comuns nas curvas caractersticas de um conjunto de mdulos fotovoltaicos ligados
entre si com insolao no uniforme [15].
Para a simulao ser o mais prxima possvel da realidade, tem de se conseguir
representar matematicamente cada clula de cada mdulo individualmente e os
respectivos dodos de Bypass, dodo bloking e etc. Os estudos realizados tiveram
tambm em considerao o efeito causado pelo sombreamento nas suas simulaes, os
quais revelaram ser modelos muito complexos, envolvendo matrizes computacionais
complexas e grandes, que requerem muito tempo de clculo [15].
No apenas a quantidade de mdulos fotovoltaicos que afecta significativamente a
produo de energia mas tambm o modo como os mdulos se encontram configurados
entre si [15] (quantidade de mdulos em serie e em paralelo); realizaram-se diversos
estudos [15] tendo isto em conta. Desta forma, podemos estudar as flutuaes de
energia produzidas por um sistema fotovoltaico completo quando sujeito a
sombreamento.
Outros estudos mostram como que as flutuaes [15] na produo de energia por um
sistema fotovoltaico afectam a rede de distribuio qual esto ligados, bem como os
custos financeiros [15] provocados por essas flutuaes.
2.5. Tipos de clulas
Em seguida, so apresentadas alguns tipos de clulas fotovoltaicas:
Clula de Grtzel: Um novo tipo de clulas solares introduzido pelo Professor
suo Michael Grtzel em 1991, sendo uma alternativa tecnologia do Silcio. O
material bsico da Clula de Grtzel o semicondutor de dixido de titnio
(TiO
2
). Neste tipo de clula no existe uma juno p-n: o semicondutor absorve
a luz por recurso a um corante orgnico. Esta absoro semelhante ao modo
como as plantas usam a clorofila para captar a energia solar atravs da
fotossntese [9].
Em ensaios laboratoriais, estas clulas alcanaram eficincias de 12%. No entanto,
segundo a firma australiana STA, os mdulos produzidos industrialmente em



quantidades limitadas no ultrapassam uma eficincia de aproximadamente
5% [9], a clula de Grtzel est representada na figura 2.14 [9].

Figura 2.14 - Clula de Grtzel.
Di-Selenieto de Cobre ndio Glio CIGS: Utilizam na sua composio
Cu(In,Ga)Se2 (Cobre, ndio, Glio, Selnio). Em ensaios laboratoriais, estas
clulas alcanaram eficincias de 13%. Existem alguns problemas de
abastecimento de ndio, j que 75% do material distribudo comercialmente est
a ser utilizado na produo de LCDs e de monitores de plasma [9], a clula de
CIGS est representada na figura 2.15 [16].

Figura 2.15 - Clula CIGS.
Glio Arsnio (GaAs): Estas clulas so fabricadas com o mesmo material
semicondutor de que so feitas as clulas de alta eficincia, usadas
especialmente na tecnologia espacial. [17]. A clula de GaAs est representada
na figura 2.16 [18].



Figura 2.16 - Clula de Arsnio de Glio.
Telureto de Cdmio (CdTe): A reduzida quota de mercado destas clulas
(pouco mais de 1%) deve-se ao elevado nvel de toxicidade do Cdmio [9], a
clula de CdTe est representada na figura 2.17 [19].

Figura 2.17 - Clula de Telureto de Cdmio.
2.5.1. Ensaios e eficincia das diversas tecnologias
A eficincia de uma clula influenciada por diversos factores, tais como a
temperatura, a distribuio espectral e a resistividade da carga aplicada. De forma a
poder comparar-se a eficincia dos vrios mdulos dos diversos fabricantes, utilizada
a norma IEC 61215 [20], que define o protocolo de ensaio e condies-padro (STC).
Os ensaios so realizados com o valor de irradiao de 1 kW/m
2
, temperatura a 25C e
uma massa de ar de 1,5 (AM 1,5). A resistncia de carga alterada at atingir um pico,
o ponto de potncia mxima (MPP Maximum power point), a potncia neste ponto
registada em watt pico (Wp Watt peak); desta forma, obtida a potncia e eficincia
dos mdulos fotovoltaicos [20].
Alguns fabricantes tambm realizam o ensaio PTC, que se refere s condies de ensaio
estabelecidas pela PVUSA. O ensaio PTC realizado a 10 metros do solo, com
irradiao 1 kW/m
2
temperatura de 20C e velocidade do vento de 10 m/s. Os valores



obtidos nos ensaios PTC so inferiores aos obtidos nos ensaios STC, este ensaio
considerado mais realista, pois as suas condies de ensaio reflectem melhor as
condies solares e climticas em comparao com o ensaio STC. Os resultados da
comparao entre os ensaios so indicados na tabela 2.1 [21].
Tabela 2.1 Comparao entre ensaios STC e PTC
Marca STC PTC STC/PTC
DC Watts DC Watts Efficiency
First Solar 75 72 96.0%
Sanyo HIT 215 199.6 92.8%
Schuco 230 211.0 91.7%
Canadian 240 218.7 91.1%
SunTech 220 199.8 90.8%
Phono 240 217.9 90.8%
CEEG 240 217.3 90.5%
C-SUN 240 217.3 90.5%
Kyocera 240 217.3 90.5%
Mitsubishi 235 212.4 90.4%
SunPower 238 215.1 90.4%
Solarfun 240 216.9 90.4%
Samsung 241 217.6 90.3%
Andalay 180 162.5 90.3%
Hareon 220 198.2 90.1%
Sharp 235 211.7 90.1%
Westinghouse 175 157.5 90.0%
J A Solar 240 215.3 89.7%
Ambos os ensaios, STC ou PTC, no tm em considerao todas as perdas existentes
numa instalao fotovoltaica, onde os valores obtidos so inferiores ao previsto devido a
poeiras, sombras, perdas nas ligaes no inversor, perdas devido degradao ao longo
do tempo e temperatura [21].
A evoluo das diversas tecnologias das clulas solares desde 1975 at aos dias de hoje.
Em 2012, as clulas multijunes, constitudas por trs junces com concentrador,
obtiveram uma eficincia de 44.4%. Este tipo de clulas no mais utlizado devido a
questes econmicas. As clulas com menor eficincia, cerca de 13.4%, so as
constitudas por Silcio amorfo conforme apresentadas na figura 2.18 [20].



Figura 2.18 - Eficincia das diversas tecnologias de clulas fotovoltaicas.
2.5.2. Aplicaes
As primeiras aplicaes das clulas fotovoltaicas foram desenvolvidas como fontes de
energia para satlites [22] e, mais tarde, para estaes orbitais. Os sistemas fotovoltaicos
so utilizados como fonte de energia em diversas situaes. As aplicaes mais comuns
dos painis fotovoltaicos so em reas rurais, onde no exista uma rede de distribuio
de energia. Com os incentivos governamentais, cada vez mais frequente a utilizao
desta tecnologia em sistemas de microgerao em reas urbanas.
Os sistemas fotovoltaicos so uma excelente soluo de gerao de energia elctrica,
independentemente da sua localizao. Estas solues tm sido aplicadas at mesmo em
elevadas altitudes, como os Himalaias ou a Antrctida [22].
Dependendo das cargas a alimentar, podem ser usadas diversas solues de sistemas
fotovoltaicos, como acoplamento directo, sistemas sem baterias (como, por exemplo,
apenas para o bombeamento de gua), sistemas hbridos de gerao solar
complementados com energia elica ou gerador Diesel [22].



2.5.3. Centrais fotovoltaicas
Os mdulos solares so hoje em dia parte integrante de grandes centrais de produo
elctricas standalone ou ligadas rede. As maiores centrais fotovoltaicas tm vindo a
ser construdas na Alemanha, Espanha, Itlia, Holanda, Portugal, etc. A nvel mundial,
mais de 250 grandes centrais elctricas de energia fotovoltaica esto ligadas rede de
distribuio de energia, com uma potncia de pico na ordem 1 MWp [23]. apresentada
uma lista e algumas centrais fotovoltaicas na tabela 2.2 [23].
Tabela 2.2- Lista de algumas centrais fotovoltaicas
Potncia Localizao Ano de construo
97 MW Canad, Sarnia (Ontrio) 2009-2010
84,2 MW Itlia, Montalto di Castro (Lzio) 2009-2010
80,7 MW Alemanha, Finsterwalde 2009-2010
70 MW Itlia, Rovigo 2010
60 MW Espanha, Olmedilla 2008
54 MW Alemanha, Strakirchen 2009
53 MW Alemanha, Turnow-Preilack 2009
50 MW Espanha, Puertollano 2008
48 MW EUA, Boulder City, NV 2010
46 MW Portugal, Moura 2008
40 MW Alemanha, Brandis 2007
36 MW Alemanha, Reckahn 2010
35 MW Repblica Checa, Veprek 2010
34,5 MW Espanha, Trujillo 2008
34,4 MW Alemanha, Drlesberg 2010
34 MW Espanha, Arnedo 2008
31,8 MW Espanha, Dulcinea 2009
31 MW Alemanha, Tutow 2009-2010
30 MW Espanha, Mrida 2008
26 MW Frana, Gabardan 2010
26 MW Espanha, Fuente lamo 2008
A central fotovoltaica da Amareleja foi concluda em Dezembro de 2008 no conselho de
Moura, Alentejo. Esta central fotovoltaica com a capacidade de 46 MWp de potncia
ocupa uma rea de 250 hectares e composta por 2.520 seguidores solares, com
262.080 mdulos fotovoltaicos [24]. A central fotovoltaica da Amareleja apresentada
na figura 2.19 [25].



Figura 2.19 - Central de Moura, Portugal 46 MW.
2.5.4. Barreiras acsticas
As barreiras acsticas so amplamente utilizadas ao longo de estradas e ferrovias, de
forma a isolar as fontes de rudo. Estas barreiras podem ser construdas de vrios
materiais, mas tm de ser devidamente projectadas de forma a serem eficazes.
Uma forma eficiente de preveno do rudo atravs da aplicao de mdulos
fotovoltaicos como barreira acstica, o que foi demonstrada pela primeira vez na
Sua, em 1989. Posteriormente, esta soluo foi tambm aplicada em outros pases
europeus [26]. Um exemplo de barreira acstica, com painis fotovoltaicos para
produo de energia, foi construda em 1989 na A13 Sua, constituda por 2208
mdulos policristalino, tem uma rea de 968 m2 e pode fornecer 110.00 kWh/ano de
energia com uma potncia de pico de 100kW, a barreira acstica est representada na
figura 2.20 [27].

Figura 2.20 - Barreira acstica na A13, Sua.



2.5.5. Sistemas fotovoltaicos em reas de desastres
Pequenos sistemas fotovoltaicos so bastantes teis como fontes de energia em caso de
desastres naturais como tremores de terra, cheias, furaces, etc. Nestes casos, a energia
solar pode ser usada para fornecer energia a instalaes de sade, escolas, sinais de
trnsito, etc [28].
Para cada rea, devem ser cuidadosamente estudadas as necessidades especficas em
caso de desastre natural. Foram desenvolvidas diferentes solues. Uma estao de
servio dotada de painis fotovoltaicos para o abastecimento de veculos de
emergncia em caso de desastres naturais est representado na figura 2.21 [28].

Figura 2.21 - Estao de servio no Japo equipada com painis fotovoltaicos com capacidade de
abastecimento de veculos de emergncia em caso de desastres naturais.
Um exemplo de uma soluo a WATERpps. Trata-se de uma estao fotovoltaica
de bombagem e purificao de gua produzida pela Solar-Fabrik na Alemanha e que,
diariamente, pode fornecer at 200l de gua potvel ou 1000l de gua para uso
industrial [29], est representada na figura 2.22 [29].

Figura 2.22 - Sistema de purificao e bombagem de gua.



2.6. Principais elementos de um sistema fotovoltaico
Os sistemas fotovoltaicos so bastante flexveis, podendo admitir muitas topologias de
acordo com a aplicao.
De um modo geral, todos os sistemas solares tm de ter uma unidade de produo (UP)
constituda por mdulos solares agrupados em srie e/ou em paralelo, para formarem
uma ou diversas strings. A energia fornecida pela UP , ento, dirigida para o
inversor, que converte a corrente contnua (DC) em corrente alterna (AC), a qual
fornecida rede elctrica de servio pblico (RESP) atravs de um contador para
contabilizao dessa energia isto no caso especfico de Portugal, para o regime de
microproduo, como representado na figura 2.23 [30].

Figura 2.23 - Diagrama simplificado de ligao RESP.
Noutras configuraes, pode ser necessria a utilizao de mais alguns equipamentos,
tais como os conversores DC-DC ou Boost [31], que tm como funo adequar a tenso
fornecida pela UP ao inversor; a instalao de baterias permite armazenar a energia para
ser utilizada mais tarde. Este tipo de equipamento mais comum nas instalaes
standalone. A utilizao de outros equipamentos numa instalao fotovoltaica est
representada figura 2.24 [31].



Figura 2.24 - Diagrama genrico de um sistema fotovoltaico.



Captulo 3
Enquadramento legal

Neste captulo ser abordado o enquadramento legal para a obteno do regime
bonificado e dos requisitos tcnicos para a instalao de uma unidade de produo
fotovoltaica. Tambm sero abordadas quais as fontes de energia renovveis mais
utilizadas e a sua distribuio geogrfica.



3.1. Enquadramento jurdico
O regime jurdico da microproduo encontra-se enquadrado no Decreto-Lei 262/2007,
Dirio da Repblica N. 138, 1 srie, de 19 de J ulho de 2007, sendo republicado pelo
Decreto-Lei n. 188-A/2010, 1 serie N. 207, de 25 de Outubro. Esta legislao
estabelece um regime simplificado da microproduo.
O Decreto-Lei n. 188-A/2010, de 25 de Outubro, determina que Portugal deve liderar
a revoluo energtica atravs de diversas metas, entre as quais assegurar a posio
de Portugal entre os cinco lderes europeus ao nvel dos objectivos em matria de
energias renovveis em 2020 e afirmar Portugal na liderana global na fileira industrial
das energias renovveis, de forte capacidade exportadora [32].
Para concretizar este desgnio, foi aprovada a Resoluo do Conselho de Ministros n.
29/2010, de 15 de Abril, que aprova a Estratgia Nacional para a Energia 2020 (ENE
2020). A ENE 2020 tem como principais objectivos [32]:
- Reduzir a dependncia energtica do Pas face ao exterior atravs do aumento da
produo de energia a partir de recursos endgenos;
- Garantir o cumprimento dos compromissos assumidos por Portugal no contexto
das polticas europeias de combate s alteraes climticas;
- Reduzir em 25% o saldo importador energtico com a energia produzida a partir
de fontes endgenas;
- Criar riqueza e consolidar um cluster energtico no sector das energias
renovveis em Portugal;
- Desenvolver um cluster industrial associado promoo da eficincia
energtica.
Para o cumprimento destes objectivos, importa incentivar a produo descentralizada de
electricidade em baixa tenso por particulares. Um programa da microproduo que,
iniciado em 2007, teve um sucesso significativo. J foram instaladas mais de 5400
unidades de microproduo, correspondentes a cerca de 19 MW de potncia instalada,
em pouco mais de dois anos de aplicao do sistema [32].
O decreto-lei cria condies para produzir mais electricidade em baixa tenso, de forma
mais simples, mais transparente e em condies mais favorveis.



A quantidade de electricidade que pode ser produzida fixada mediante despacho a
publicar no SRM at 31 de Dezembro de cada ano; a DGEG divulga o valor da tarifa
aplicvel no ano seguinte e a quota de potncia de ligao a alocar nesse ano. Passa
tambm a ser obrigatrio, para a generalidade dos fornecedores de servios de
electricidade, a compra da electricidade microgerada [32].
So criados mecanismos para garantir o acesso microproduo, com base em critrios
de interesse pblico, a entidades que prestem servios de carcter social, nomeadamente
estabelecimentos na rea da sade, educao, solidariedade e proteco social, bem
como na rea da defesa e segurana e outros servios do Estado ou das autarquias
locais.
Os procedimentos relacionados com o registo da produo em regime de microproduo
passam a ser mais simples e mais transparentes. Qualquer particular que queira produzir
energia neste regime passa a poder faz-lo atravs de um registo aberto que s deixa de
estar disponvel quando atingida a potncia mxima destinada para o ano em causa.
Os registos passam a ser ordenados por ordem de chegada, permitindo aos interessados
ter maior previsibilidade quanto data em que podem proceder instalao da unidade
de microproduo [32].
O regime bonificado de venda de electricidade, que apenas acessvel mediante o
cumprimento de determinadas condies, ajustado para se tornar mais adequado aos
custos dos equipamentos associados s unidades de microproduo.
Estabelece-se que o regime bonificado fica tambm associado implementao de
medidas de eficincia energtica, na medida em que se exige que o local de consumo
disponha de colectores solares trmicos, caldeiras de biomassa ou, no caso dos
condomnios, a obrigatoriedade de medidas de eficincia energtica identificadas em
auditoria [32].
O decreto-lei 188-A72010, de 25 de Outubro, aplica-se microproduo de
electricidade a partir de recursos renovveis e microproduo de electricidade e calor
em co-gerao, ainda que no renovvel, mediante a utilizao de uma unidade ou
instalao, monofsica ou trifsica, em baixa tenso, com potncia de ligao de at
5,75 kW aos condomnios que integrem seis ou mais fraces, em que sejam utilizadas
instalaes trifsicas com uma potncia de at 11,04 kW. Em qualquer dos casos, a
microproduo tem de ter por base uma s tecnologia de produo [32].



3.1.1. Quem pode ser microprodutor
Podem ser produtores de electricidade, por intermdio de unidades de microproduo,
as entidades que preencham os seguintes requisitos [32]:
- Disponham de uma instalao de utilizao de energia elctrica com consumo
efectivo de energia e que sejam titulares de contrato de compra e venda de
electricidade em baixa tenso celebrado com um fornecedor;
- A unidade de microproduo se destine a ser instalada no local servido pela
instalao elctrica de utilizao;
- A potncia da unidade de microproduo no seja superior a 50% da potncia
contratada. Esta condio no aplicvel se a instalao elctrica de utilizao
estiver em nome de condomnio que integre seis ou mais fraces.
3.1.2. Regime de produo e tecnologia
O produtor est sujeito a um dos seguintes regimes remuneratrios:
a) O regime geral, aplicvel a todos os que tenham acedido actividade de
microproduo e no se enquadrem no regime bonificado.
b) O regime bonificado, aplicvel a produtores que preencham cumulativamente os
seguintes requisitos [32]:
- A potncia de ligao da respectiva unidade de microproduo no seja superior
a 50% da potncia contratada, at ao limite mximo 3,68 kW ou, no caso dos
condomnios, a 11,04 kW;
- A unidade de microproduo utilize uma das fontes de energia Solar, Elica,
Hdrica, Co-gerao a biomassa, Pilhas de combustvel e Co-gerao no
renovvel;
- O local de consumo associado microproduo disponha de colectores solares
trmicos com um mnimo de 2 m de rea til de colector ou de caldeira a
biomassa com produo anual de energia trmica equivalente.
O regime bonificado ainda aplicvel:
- Aos produtores que preencham os requisitos anteriores e cuja unidade de
microproduo seja uma co-gerao e esteja integrada no aquecimento do
edifcio;



- Aos condomnios, mediante uma auditoria energtica e desde que a
implementao de medidas de eficincia energtica identificadas na auditoria
preveja um retorno at dois anos.
No regime bonificado, o produtor remunerado com base na tarifa de referncia que
vigorar data da emisso do certificado de explorao [32].
A tarifa devida desde o incio do fornecimento rede e aplicvel durante um total de
15 anos contados desde o 1. dia do ms seguinte ao do incio do fornecimento,
subdivididos em dois perodos: o primeiro com a durao de 8 anos e o segundo com a
durao dos subsequentes 7 anos [32].
A aplicao do regime remuneratrio bonificado caduca quando o produtor comunique
ao SRM a renncia sua aplicao, ou no final do perodo de 15 anos, ingressando o
produtor no regime remuneratrio geral [32].
A tarifa a aplicar varia consoante o tipo de energia primria utilizada, sendo
determinada mediante a aplicao das seguintes percentagens [32]:
a) Solar 100 %;
b) Elica 80 %;
c) Hdrica 40 %;
d) Co-gerao a biomassa 70 %;
e) Pilhas de combustvel com base em hidrognio proveniente de microproduo
renovvel - percentagem prevista nas alneas anteriores aplicvel ao tipo de
energia renovvel utilizado para a produo do hidrognio;
f) Co-gerao no renovvel 40 %. A electricidade vendida limitada a 2,4
MWh/ano, no caso da energia solar e elica e a 4 MWh/ano no caso das
restantes, por cada quilowatt instalado.
3.1.3. Procedimento de registo no SRM
O registo efectuado e processado electronicamente no SRM. O procedimento de
registo inicia-se com a inscrio do promotor, seguindo-se a fase de aceitao desta e
termina com a atribuio de potncia de ligao [32].



O registo torna-se definitivo com a emisso do respectivo certificado de explorao, a
disponibilizar tambm no SRM, aps a instalao da unidade de microproduo pelo
produtor. A inspeco da microproduo solicitada, atravs do SRM, no prazo de
quatro meses contados da data do registo, sob pena de caducidade deste [32].
No caso de o produtor pretender efectuar alguma alterao substancial na sua instalao
de microproduo, deve proceder a novo registo aplicvel totalidade da instalao,
caducando o registo anterior com a entrada em explorao da nova instalao [32].
O certificado de explorao emitido na sequncia de inspeco, que efectuada nos
10 dias subsequentes ao pedido de inspeco, devendo o dia e a hora da sua realizao
ser comunicados ao produtor e tcnico responsvel atravs do SRM [32].
Na inspeco, verificado se a unidade de microproduo est executada de acordo
com o disposto no decreto-lei e regulamentao em vigor, para acesso ao regime
bonificado, se o respectivo contador cumpre as especificaes e est correctamente
instalado e devidamente selado de origem, e so efectuados os ensaios necessrios para
verificar o adequado funcionamento dos equipamentos [32].
Na inspeco deve estar sempre presente o tcnico responsvel por instalaes
elctricas de servio particular ou seu substituto credenciado, ao servio da entidade
instaladora, ao qual compete esclarecer todas as dvidas que possam ser suscitadas no
acto da inspeco [32].
Concluda a inspeco, o inspector entrega ao tcnico responsvel cpia do relatrio da
mesma, registando-os no SRM.
Se o relatrio da inspeco concluir pela existncia de no conformidades, o produtor
deve proceder no sentido de colmatar as deficincias indicadas e dispe do prazo de 30
dias, contados da inspeco ou da ltima reinspeco, para proceder s correces
necessrias e solicitar nova reinspeco [32].
A ligao RESP da unidade de microproduo no autorizada enquanto se
mantiverem deficincias que no permitam a emisso de certificado de explorao,
procedendo-se, aps a terceira reinspeco sem concluir pela emisso de parecer
favorvel para incio da explorao, ao cancelamento do registo da unidade de
microproduo [32].



3.1.4. Controlo de certificao de equipamentos
Os fabricantes, importadores, seus representantes e entidades instaladoras devem
comprovar junto da entidade responsvel pelo SRM que os seus equipamentos esto
certificados e qual a natureza da certificao, devendo aquela entidade proceder
respectiva disponibilizao no SRM [32].
Estes equipamentos devem estar certificados por um organismo de certificao, de
acordo com o sistema n. 5 da ISO/IEC [32].
Os equipamentos certificados nos termos do nmero anterior devem satisfazer os
requisitos definidos nas normas europeias aplicveis a cada tipo de equipamento e que
tenham sido publicadas pelo CEN/ CENELEC [32].
Caso no tenham sido estabelecidas e publicadas normas europeias, cada tipo de
equipamento deve satisfazer os requisitos das normas internacionais publicadas pela
ISO/IEC [32].
Quando no existam as normas referidas anteriormente, os equipamentos devem estar
de acordo com [32]:
a) As normas ou especificaes portuguesas relativas ao equipamento em causa e
que sejam indicadas pelo Instituto Portugus da Qualidade, I. P. (IPQ, I. P.);
b) As normas ou especificaes nacionais em vigor no Estado-membro em que o
equipamento foi produzido, desde que o IPQ, I. P. reconhea que garantem as
condies equivalentes s estabelecidas anteriormente.
A lista de equipamentos, inversores e contadores, certificados para as instalaes das
unidades de microproduo encontra-se disponvel para consulta no site
http://www.renovaveisnahora.pt.

3.2. Tarifa
A tarifa depende do regime remuneratrio em que o produtor se encontra inserido. No
regime geral, o valor de venda igual ao valor da compra. No regime bonificado, a
tarifa dividida em dois perodos: o primeiro com uma durao de 8 anos e o segundo
com a durao dos subsequentes 7 anos. O valor da tarifa e potncia para cada ano



publicado at ao dia 31 de Dezembro do ano anterior pela Direco Geral de Energia e
Geologia (DGEG) [32].
A tarifa aplicada para os registos efectuados em 2012 foi publicada no despacho da
DGEG de 26 de Dezembro de 2011 (publicado em 28 de Dezembro 2011), que
estabeleceu o valor de 326 /MWh para o primeiro perodo e de 185 /MWh para o
segundo perodo; no mesmo despacho, foi estabelecido o valor de 10 MW de potncia a
alocar [32].
Verificou-se uma descida do valor da tarifa, em comparao com o ano de 2011. Em
2010, o valor pago era de 400 /MWh e de 240 /MWh no primeiro e segundo perodo,
respectivamente, a evoluo da tarifa desde 2010 est representada na figura 3.1.

Figura 3.1 - Evoluo da tarifa bonificada.
A potncia disponvel para novas ligaes, em 2012, teve uma reduo de cerca de
20MW em comparao com o ano de 2011. A disponibilizao de potncia para o
regime bonificado entre 2010 e 2012 apresentada na figura 3.2.
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
2010 2011 2012
/MWh
Tarifa Regime Bonificado
1 Periodo 2 Periodo



Figura 3.2 - Evoluo da potncia disponibilizada.
Com base no Decreto-Lei n 188-A/2010, de 25 de Outubro, nesse ano a previso da
evoluo da tarifa de referncia seria a indicada na figura 3.3.

Figura 3.3 - Previso da evoluo da tarifa.
Comparando a figura 3.1 com a figura 3.3, verificamos que a tarifa prevista em 2010
para os anos de 2011 e 2012 foi diferente dos valores estipulados nos despachos
publicados posteriormente. Se, em 2011, a tarifa do primeiro perodo foi igual prevista
na figura 3.3 e para o segundo perodo a tarifa foi superior em 106/MWh, j em 2012
as tarifas aplicadas foram mais baixas em relao ao previsto, sendo a diferena de
140/MWh e 15/MWh para o primeiro perodo e o segundo perodo, respectivamente.
0
5
10
15
20
25
30
35
2010 2011 2012
MW
Potncia disponibilizada para o
Regime Bonificado
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
325
350
375
400
2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020
/MWh
Tarifa de Referncia
1 Periodo 2 Periodo



3.3. Distribuio da microproduo
A instalao de unidades de microproduo comeou em 2008, tendo sido instaladas
cerca de 12140 unidades [33] de diversos tipos de energia primria como solar, elica e
hdrica.
A distribuio geogrfica das unidades de microproduo no foi feita de forma
homognea. Os distritos Lisboa, Faro, Braga, Porto e Leiria so os que apresentam
maior nmero de instalaes o mesmo acontecendo com a potncia instalada. No
extremo oposto, encontramos o arquiplago dos Aores, com um total 30 registos e uma
potncia total de 106kW. A distribuio geogrfica e de potncia das unidades de
produo est representada na figura 3.4 [33] e figura 3.5 [33] respectivamente.

Figura 3.4 - Distribuio geogrfica das UP ligadas.

0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
B
E
J
A
B
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A

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E
R
C
E
I
R
A
Qtd
Distribuio geogrfica das UP ligadas



Figura 3.5- Distribuio geogrfica da potncia das UP ligadas.
A produo de energia numa unidade de microproduo pode ser realizada utilizando
uma das diversas fontes primrias, conforme previsto no Decreto-Lei 118A/2010. Das
12140 [33] instalaes efectuadas, 11956 [33] so de produo de energia utilizando
painis fotovoltaicos, o que perfaz mais de 98% da totalidade das instalaes, a
percentagem de instalaes consoante o tipo de fonte primria est representada na
figura 3.6 [33].

Figura 3.6 - Tipos de fontes primrias instaladas.
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
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A

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P
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C
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I
L
H
A

T
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R
C
E
I
R
A
kW
Distribuio geogrfica da potncia das UP
ligadas
98,48%
1,19%
0,28% 0,04%
0%
20%
40%
60%
80%
100%
Solar Elica Combinada Hdrica
Tipos de fontes primrias instaladas



3.4. Instalao da Unidade de Microproduo
Mesmo tratando-se de uma tecnologia relativamente generalizada, importa estabelecer
regras e condies de segurana para o seu estabelecimento e futura explorao. A
entidade certificadora (CERTIEL) publicou um guia prtico de instalao de unidades
de microproduo, vlido apenas para instalaes ligadas rede pblica. Em seguida,
so apresentados os aspectos mais relevantes do guia [30].
3.4.1. Ligao RESP
A ligao da unidade de microproduo RESP ter de ser feita utilizando uma das
solues de ligao disponibilizadas no site http://www.renovaveisnahora.pt (os
esquemas unifilares encontram-se em anexo).
Soluo A Clientes BTN Instalaes Novas/ Instalaes Existentes Soluo
preferencial/ Ligao a ramal areo ou ramal subterrneo.
Soluo B Clientes BTN - Instalaes existentes/ Soluo Alternativa/ Ligao a
ramal subterrneo.
Soluo C Clientes BTN Instalaes existentes/ Soluo alternativa/ Ligao rede
area em torada, com portinhola j existente na instalao de consumo.
Soluo D Clientes BTN Instalaes existentes/ Soluo alternativa/ Ligao a ramal
areo ou ramal subterrneo/ Ligao atravs dos terminais de entrada do
Contador de Produo (Esta soluo apenas deve ser utilizada quando a
soluo preferencial e as outras solues alternativas no forem
convenientes, por razes de espao ou arquitectnicas.).
Soluo E Clientes BTE Instalaes Novas Instalaes Existentes Soluo
preferencial Ligao a ramal areo ou ramal subterrneo Instalaes sem
Transformadores de Corrente.
Soluo F - Clientes BTE Instalaes Existentes Ligao a ramal areo Soluo
Alternativa Ligao rede area em torada, com portinhola j existente
na instalao de consumo.
Soluo G - Clientes BTE Instalaes existentes Soluo Alternativa
Transformadores de intensidade instalados nos condutores do Ramal.



Soluo H - Clientes BTE Soluo Alternativa Transformadores de intensidade
instalados em quadro prprio.
3.4.2. Unidade de microproduo fotovoltaica
O esquema simplificado de uma unidade de microproduo fotovoltaica com ligao
rede pblica. O esquema referente a uma unidade de microproduo monofsica,
sendo representado a tracejado o caso de a instalao ser trifsica e, portanto,
obrigatoriamente dotada de um inversor trifsico ou de trs monofsicos. O esquema
simplificado de uma unidade de microproduo fotovoltaica ligada rede pblica est
representado na figura 3.7 [30].

Figura 3.7 - Arquitectura simplificada para uma unidade de microproduo.
A. Esquemas de ligao terra do lado AC
A rede pblica de distribuio em baixa tenso explorada em esquema de ligao
terra do tipo TN, pelo que o condutor Neutro da rede no dever ser ligado
terra da unidade de microproduo.
B. Esquemas de ligao terra do lado DC
As estruturas metlicas de suporte, as molduras dos mdulos fotovoltaicos e as
partes metlicas para interligao destes devero encontrar-se ao mesmo potencial
do terminal principal de terra (TPT). A interligao destes componentes dever ser
assegurada atravs de condutor de equipotencialidade com S 4mm.



3.4.3. Proteco contra choques elctricos
Os equipamentos da unidade de microproduo do lado DC devem ser considerados em
tenso, mesmo quando desligados do lado AC.
Todas as partes acessveis do lado DC, tal como ligadores, caixas de ligao e,
eventualmente, seccionadores, devero ser sinalizados com um aviso modelo dotado de
informao clara e durvel da existncia de tenso, mesmo quando os circuitos se
encontrem seccionados do lado DC no inversor.
A proteco de pessoas contra os perigos da instalao elctrica pode ser definida como
proteco contra os contactos directos e proteco contra os contactos indirectos.
A. Proteco contra contactos directos
Consiste em proteger as pessoas contra os riscos de contacto com as partes
activas dos materiais ou aparelhos elctricos.
Os materiais utilizados devero garantir caractersticas adequadas de isolamento,
quer por construo quer atravs de utilizao de invlucros.
A no ser que se encontrem localizadas em locais exclusivamente acessveis a
pessoas qualificadas ou instrudas, as caixas ou armrios que contenham partes
activas devero permanecer fechadas, apenas permitindo a abertura atravs de
ferramenta ou chave. As partes activas devero ser estabelecidas em invlucro
com um grau de proteco mnimo IP 2X (ou IP 44, para o caso de se situar no
exterior).
Os mdulos fotovoltaicos que sejam colocados de modo acessvel, quer a
pessoas quer a animais domsticos, devero encontrar-se protegidos por sistema
de barreiras ou por uma vedao.
B. Proteco contra os contactos indirectos
Visa defender as pessoas contra os riscos a que podem ficar sujeitas em
resultado de as massas ficarem acidentalmente sob tenso.
Para a proteco contra os contactos indirectos, estes sero diferentes do
lado DC, que a parte da instalao da unidade de microproduo situada entre
os mdulos fotovoltaicos e os conectores DC do inversor e, do lado AC que a
parte da instalao da unidade de microproduo situada entre os conectores AC
do inversor e o ponto de ligao rede elctrica de servio pblico.



3.4.4. Proteco contra contactos indirectos
A. Do lado DC
Do lado da corrente contnua, a proteco contra choques elctricos garantida
pelo emprego de materiais classe II de isolamento ou equivalente (isolamento
reforado) at aos ligadores do inversor.
Os cabos devero garantir uma tenso mnima V =Voc x 1,15 x n. mdulos
(M), sendo Voc a tenso em vazio em condies de ensaio normalizadas nos
terminais de um mdulo fotovoltaico, de uma string ou de uma unidade de
microproduo. Tanto os cabos de string, que so os cabos que interligam um
conjunto de mdulos fotovoltaicos num nico ponto, como o cabo principal, que
o cabo que liga o ponto de ligao dos cabos de string ao inversor, devero
garantir um nvel de isolamento mnimo de 1 kV.
B. Do lado AC
Do lado AC, a proteco contra contactos indirectos dever ser garantida atravs
de aparelho sensvel corrente diferencial-residual (diferencial) de mdia
sensibilidade, i.e., 300 mA ou inferior.

Figura 3.8 - Esquema simplificado do Quadro AC [30].
O aparelho de proteco diferencial poder garantir, simultaneamente, a
proteco contra sobreintensidades, i.e., por meio de disjuntor diferencial, no
sendo obrigatria, no entanto, a adopo desta soluo.



Adoptando-se a utilizao de dois aparelhos distintos (a), a proteco contra
sobreintensidades atravs de aparelho magnetotrmico dever ser estabelecida
do lado da rede.
Para o caso da unidade MP ser dotada de inversor com transformador de
isolamento, a proteco diferencial (a) dispensvel.
A verificar-se o recurso a equipamentos auxiliares, tais como seguidores,
reguladores e outros, estes devero ser dotados de circuito especfico (b) que
garanta tambm a proteco de pessoas e a continuidade de servio da
instalao.
3.4.5. Ligao das massas terra
A massa do inversor e as massas dos materiais alimentados pela rede de distribuio
pblica (instalao existente) devero ser ligadas terra das massas da instalao
elctrica de utilizao (figura 3.7).
As estruturas metlicas dos mdulos e as estruturas de suporte devero ser
equipotencializadas, apesar de garantida a classe II de isolamento.
De um modo geral, as estruturas metlicas so em alumnio, pelo que devero ser
utilizados, sempre que necessrio, conectores adequados para o efeito. Os condutores
de interligao so os definidos em esquemas de ligao terra do lado DC
(figura 3.7).
3.4.6. Proteco contra sobreintensidades
A. Do lado DC
Os cabos de string so dimensionados para que possam dispensar aparelhos de
proteco contra sobreintensidades, pelo que a sua corrente mxima admissvel
(Iz) deve ser igual ou superior a 1,25 x IccSTC dessa mesma string. IccSTC ser
a corrente de curto-circuito, em condies de ensaio normalizadas de um mdulo
fotovoltaico, de uma string ou de uma unidade de microproduo.
O cabo principal tambm dimensionado para que seja dispensada a proteco
contra sobreintensidades, devendo garantir-se que a corrente mxima admissvel
no cabo principal (Iz) seja igual ou superior a 1,25 x IccSTC da unidade de
microproduo.



B. Do lado AC
B.1 Proteco contra sobrecargas
O valor de In (corrente estipulada) do aparelho de proteco do lado AC
definido pelas condies de ligao rede. As condies de estabelecimento
so as previstas na Seco 563.3 das R.T.I.E.B.T. Regras Tcnicas das
Instalaes Elctricas de Baixa Tenso.
B.2 Proteco contra curto-circuitos
O poder de corte dos aparelhos de proteco determinado tendo em conta as
correntes de curto-circuito mximas previsveis. Regra geral, um poder de corte
de 3kA ser suficiente para o dispositivo de proteco - devendo, no entanto,
ser consultado o distribuidor pblico de energia elctrica. A utilizao de
disjuntor obrigatria, no sendo permitida a proteco atravs de fusveis.
3.4.7. Quedas de tenso
A. Do lado DC
A queda de tenso mxima permitida do lado DC da instalao de 3 %, em
condies IccSTC. recomendvel que esta queda de tenso seja limitada a um
mximo de 1%.
B. Do lado AC
A queda de tenso mxima entre o ponto de ligao rede e os ligadores AC do
inversor no dever ser superior a 3 %, em condies de potncia nominal do
inversor. Tambm aqui recomendada uma queda de tenso mxima de 1%.
3.4.8. Dispositivos de seccionamento e corte
De forma a permitir a manuteno no s do inversor mas tambm de toda a unidade de
microproduo, devero ser previstos meios de seccionamento tanto do lado DC como
do lado AC.
Todos os dispositivos de seccionamento devero ser omnipolares, sendo que do
lado DC o seccionamento poder no ser simultneo.



3.4.9. Canalizaes e materiais
Os elementos constituintes das canalizaes estabelecidas em locais que os sujeite s
radiaes solares devero ter caractersticas adequadas s influncias externas AN3
Radiaes solares fortes (Seco 321.11 das R.T.I.E.B.T.). O estabelecimento das
canalizaes dever ser tal que garanta a proteco mecnica das mesmas em todo o seu
percurso.
Todos os materiais empregues devero ser adequados funo que lhes dada, devendo
garantir marcao de conformidade CE.
3.4.10. Sinalizao
A sinalizao dos riscos existentes nas instalaes elctricas uma forma de evitar
danos fsicos aos seus utilizadores e intervenientes, pelo que essa sinalizao dever ser
de fcil interpretao e com garantias de durabilidade. Para alm do previsto em
Proteco contra choques elctricos deste anexo, so apresentadas outras situaes
que devero ser salvaguardadas.
A. Ponto de ligao com a Rede Elctrica de Servio Pblico
De forma a garantir toda a segurana na interveno e manuteno numa
unidade de microproduo fotovoltaica interligada com a rede pblica, dever
ser garantida a sinalizao da existncia de duas fontes de energia no local de
acesso a essas mesmas fontes (portinhola ou contadores, conforme esquema de
ligao adoptado). A sinaltica de aviso, na interligao com a RESP, avisando
da existncia de duas fontes de energia apresentada na figura 3.9 [30] e figura
3.10 [34].

Figura 3.9 - Aviso modelo da presena de duas fontes de tenso [30]



Figura 3.10 - Aviso de presena de duas fontes de tenso colocado em portinhola.
B. Interveno no Inversor
Para evitar que haja interrupes voluntrias do lado DC, sem que seja antes
efectuado o corte do lado AC, necessria sinaltica junto do seccionamento do
lado DC, eliminando assim riscos e avarias desnecessrias. A sinaltica de aviso
de operao e manobra est representada na figura 3.11 [30] e figura 3.12 [34]

Figura 3.11 - Aviso modelo de operaes de manobra.

Figura 3.12 - Aviso modelo de operaes de manobra colocado em inversor.



Captulo 4
Recurso solar

Neste captulo ser abordada a distribuio do recurso solar pela superfcie terrestre
bem como os modelos matemticos para a simulao das clulas fotovoltaicas. So
ainda referidos alguns conceitos e formulaes necessrias para a correcta instalao
de um sistema fotovoltaico.



4.1. Distribuio do recurso solar na superfcie terrestre
A radiao solar encontra-se razoavelmente bem distribuda pela superfcie da Terra,
diminuindo em geral do equador para os plos. Apresenta mximos prximo das zonas
desrticas da sia, frica, Austrlia e Amricas e mnimos nas regies polares, como

Figura 4.1 - Distribuio mundial da irradiao global na horizontal.
Os valores da irradiao solar anual incidente na superfcie da terra variam, por
exemplo, entre cerca de 1000 kWhm
-2
prximo dos paralelos dos 60 e cerca de
2500 kWhm
-2
nas regies centrais de frica e da Austrlia.
Os sistemas fotovoltaicos so maioritariamente utilizados na produo de energia
elctrica em sistemas ligados rede, particularmente nos pases desenvolvidos. No
entanto, prev-se que, no futuro, os sistemas fotovoltaicos tenham uma grande
utilizao na electrificao rural dos pases em vias de desenvolvimento, onde ainda
existem cerca de 2000 milhes de pessoas sem acesso energia elctrica - isto devido,
em parte, aos avultados investimentos exigidos pela electrificao convencional, atravs
da extenso da rede de transporte de energia elctrica [35].
O crescimento exponencial da utilizao dos sistemas fotovoltaicos em todo o mundo
tem vindo a viabilizar avultados investimentos nesta rea e, no futuro, esperada uma
inevitvel diminuio dos custos de produo dos mdulos e da electricidade produzida.
Desta forma, ser possvel a electrificao de uma grande parte das regies referidas,
atravs de um modelo descentralizado com produo da energia elctrica [35].



4.1.1. Distribuio do recurso solar na Europa
A radiao solar disponvel na Europa varia significativamente com a latitude, de tal
forma que, nos pases do Sul (Portugal, Espanha e Itlia), a irradiao solar anual chega
a atingir, nalgumas regies, o dobro da mdia disponvel nos pases do Norte da Europa
(Noruega, Sucia e Dinamarca). Portugal apresenta, assim, das melhores condies a
nvel europeu para o aproveitamento do recurso solar e, designadamente, para a
produo de energia elctrica por via fotovoltaica [35].
O recurso solar nos diversos pases europeus, calculado para superfcies com a
orientao ptima ou seja, de forma a captarem o mximo de radiao solar
anualmente. Verifica-se que, em Portugal, numa superfcie com orientao ptima, so
atingidos valores de irradiao solar que variam entre cerca de 1700 kWhm
-2
, no Norte
e 2000kWhm
-2
, no Sul [35]. A distribuio do recurso solar nos pases europeus est
representada na figura 4.2 [35].

Figura 4.2 - Distribuio da irradiao solar anual e produo de energia elctrica fotovoltaica, estimada por
cada kW de potncia pico instalado, na Europa.



Pases como a Alemanha, que actualmente o pas europeu com maior potncia
instalada em sistemas fotovoltaicos, apresenta valores claramente inferiores a Portugal,
com valores mximos a atingirem apenas cerca de 1400 kWhm
-2
[35].
4.1.2. Produo fotovoltaica estimada para Portugal
A partir de valores de irradiao mdia para os vrios concelhos de Portugal, foi
calculada (INETI) a produo esperada para sistemas ligados rede orientados a Sul,
instalados em fachadas e para sistemas instalados em telhado com uma inclinao de
20, est representada na figura 4.3 [35].

Figura 4.3 - Produo de energia estimada para sistemas PV ligados rede, kWh por unidade de potncia pico
instalada.
Em termos de fachadas, a produo estimada est relativamente bem distribuda pelo
territrio nacional, com valores que variam entre cerca de 1000 kWh no Minho e
1140 kWh na regio este do Alentejo [35].
Para sistemas instalados em telhados com 20 de inclinao, a produo estimada varia
entre cerca de 1400 kWh, no Minho e 1620 kWh, na regio este do Alentejo e Algarve
[35].



4.1.3. Produo fotovoltaica em sistemas fixos
Para um dado local, o melhor ngulo da inclinao, que maximiza a energia elctrica
produzida anualmente por sistemas fixos ligados rede, varia com a latitude, com a
variao da irradiao solar ao longo do ano e com a temperatura dos mdulos, que, por
sua vez, depende da temperatura ambiente e do vento [35].
Os valores de inclinao que maximizam a energia elctrica produzida anualmente por
sistemas fixos ligados rede esto representados na figura 4.4 [35].

Figura 4.4 - Melhores ngulos para a inclinao de sistemas fotovoltaicos fixos, ligados rede na Europa.
Verifica-se que, em quase todo o territrio de Portugal continental, o melhor ngulo de
inclinao nos sistemas fotovoltaicos fixos de cerca de 33 [35].
4.2. Instalao de mdulos solares
4.2.1. Inclinao solar
Devido inclinao do eixo da Terra, o Sol no atinge a terra sempre com a mesma
inclinao, mesma hora do dia [36].



Figura 4.5 - Posio da Terra relativamente ao Sol ao longo do ano [36].
O ngulo formado entre o plano do equador e uma linha que parte do centro do Sol at
ao centro da Terra () chamado ngulo de inclinao solar dado por [36]:

= 23,45
360
365
( 81)
(1)

Figura 4.6 - ngulo de inclinao solar.
Sendo n o dia do ano pretendido n=1,2,,365
Este conhecimento d a noo de qual a melhor inclinao para colocar um painel solar
com o objectivo de maximizar a radiao solar que o atinge. Normalmente, este
colocado com uma inclinao igual da latitude do local da instalao apresentado na
figura 4.7 [36].

Figura 4.7 - Colocao de um painel segundo a latitude do local.



No hemisfrio Norte, os mdulos devem ser virados para Sul. Se quisermos aproveitar
mais radiao no Inverno, com uma inclinao maior do que L e, no Vero, com uma
inclinao inferior a L [36].
4.2.2. Posio solar a qualquer hora do dia
A localizao do Sol a qualquer hora do dia pode ser descrita em termos de ngulo de
altitude e o ngulo do seu azimute
s
(o ndice s significa relativo ao sol), que o
ngulo compreendido entre a projeco do Sol sobre o plano do horizonte e a mesma
projeco ao meio-dia local [36], apresentado na figura 4.8 [36].

Figura 4.8 - Posio do Sol segundo os ngulos de altura e azimute.
Os ngulos de altitude e azimute
s
dados por [36]
= cos +
(2)

(3)
Sendo H o ngulo horrio. Este ngulo representa o nmero de graus que a Terra tem de
girar at chegar ao meio-dia no seu meridiano local, representado na Figura 4.9 [36].
H =15 nmero de horas que faltam at ao meio-dia solar

Figura 4.9 - ngulo horrio.



4.2.3. Radiao Incidente
A radiao disponvel superfcie terrestre divide-se em trs componentes:
Directa: A que vem directamente do disco solar;
Difusa: A proveniente de todo o cu, excepto do disco solar (nuvens);
Reflectida: A proveniente da reflexo no cho e nos objectos circundantes.
Se tivermos painis regulveis, a radiao que os atinge ser sempre a directa e a difusa.
No caso de termos painis fixos em determinada direco, teremos tambm, algumas
vezes, radiao reflectida [36].
A radiao solar que chega Terra depende do dia do ano em que nos encontramos. E
dado por [36]:

0
= 1 +0,034 cos
360
365

(4)
onde SC =1,353kW/m
2
a constante solar
Ao passarem na atmosfera, os raios solares so, em grande parte, absorvidos e, deste
modo, menos de metade da radiao que chega atmosfera atinge a superfcie da Terra.
A radiao incidente num plano normal ao dos raios incidentes dada por [36]:

(5)
sendo

= 1160 +75
360
365
( 275) /
2

(6)

= 0,174 +0,035
360
365
( 100)
(7)
=
1

(8)
4.2.4. Radiao directa
Quando o cu est limpo, relativamente fcil calcular a radiao directa que atinge um
painel superfcie terrestre, colocado perpendicularmente direco dos raios solares.
Se o painel no estiver colocado perpendicularmente direco dos raios incidentes, a
radiao funo do ngulo de incidncia [36], apresentado na figura 4.10 [36].



Figura 4.10 - ngulo de incidncia da radiao solar sobre um painel.
A radiao funo do ngulo de incidncia dada por [36].

cos
(9)
O ngulo de incidncia, , funo da orientao do painel e dos ngulos de altura e
azimute solar, respectivamente e
s
[36]
,
apresentado na figura 4.11 [36].

Figura 4.11 - Determinao do ngulo de incidncia da radiao solar sobre um painel.
O ngulo de incidncia, dado por:
cos = cos cos(
) +
(10)
4.2.5. Radiao difusa
A radiao difusa muito mais difcil de estimar. Os modelos usados para a determinar
consideram que esta depende da radiao directa. Considerando C o factor de difuso, a
radiao difusa dada por [36]:

(11)

= 0,095 +0,04
360
365
( 100)
(12)
O que interessa saber, de facto, quanta desta radiao difusa atinge o painel, o valor
para um painel colocado a um ngulo de altura dado por [36].

1 +
2

(13)



4.2.6. Radiao reflectida
Existem vrios modelos para calcular a radiao reflectida. O modelo mais simples
considera a existncia de uma rea horizontal com um ndice de reflexo , onde se
encontra colocado o painel. A radiao reflectida incidente num painel colocado a um
ngulo de altura dada por [36].

=
(
)(1 )
2

(14)

( +)(1 )
2

(15)
Quando o painel est na horizontal, = 0 e, portanto, I
RC
=o
4.2.7. Painis orientados
As expresses acima indicadas aplicam-se quando os painis esto fixos numa mesma
posio durante todo o ano. No entanto, para se poder aproveitar melhor a radiao
solar, os painis podem ser colocados de forma a serem orientados no sentido de receber
os raios solares sempre na perpendicular. A orientao dos painis pode ser feita
segundo dois eixos ou apenas um.
A orientao segundo dois eixos faz um maior aproveitamento da radiao e conduz,
obviamente, a uma maior produo de energia elctrica, mas torna o sistema mais caro e
com maiores custos de manuteno [36]. A orientao segundo dois eixos apresentada
na figura 4.12 [36]

Figura 4.12 - Painel orientvel segundo dois eixos.
As expresses para a radiao directa, difusa e reflectida sero dadas por [36]:

(16)

(1 +cos(90 )
2

(17)

( +)(1 cos (90 )

2

(18)



A orientao segundo um eixo mais simples e feita no sentido E-W, e apresentada na
figura 4.13 [36].

Figura 4.13 - Painel orientvel segundo um eixo.
As expresses para a radiao directa, difusa e reflectida sero dadas por [36]:

cos (19)

(1 +cos (90 +)
2

(20)

( +)(1 cos (90 +)

2

(21)
4.2.8. Afastamento dos painis a obstculos
Os mdulos devero estar suficientemente afastados de qualquer objecto que projecte
sombra sobre eles no perodo de melhor radiao, habitualmente das 9 s 17 horas no
dia mais curto do ano. A equao (22) permite calcular a distncia mnima, em metros, a
que um objecto poder estar dos mdulos, para que no seja projectada sombra sobre os
mesmos durante o Inverno [36], o factor de espaamento dado pela Figura 4.14 [36].

Figura 4.14 - Factor de espaamento.



Com base na latitude do lugar da instalao, obtido o factor de espaamento. Assim, a
distncia mnima a que poder estar localizado um objecto dado por [36]:
=
(
0

)
(22)
sendo:
F
e
Factor de espaamento, obtido da figura 4.14
H
o
Altura do objecto;
H
m
Altura em relao ao nvel do solo em que se encontram instalados os mdulos;
Em locais planos como, por exemplo, em coberturas de edifcios, os painis podem ser
estabelecidos em fileiras que devem ficar afastadas entre si o suficiente para no se
sombrearem entre si, como apresentado na figura 4.15 [36].

Figura 4.15 - Esquema de colocao dos painis.
4.2.9. Afastamento entre fileiras
Podemos definir, partida, um factor de utilizao do espao disponvel, que vai variar
entre zero e um (ou entre 0 e 100%). Quanto menor for o ngulo de inclinao, maior
ser a taxa de utilizao do espao [37].



Para ngulos entre 20 e 50, o factor de utilizao situa-se normalmente entre 35 e
50%. O factor de utilizao dado por por [37].

=

(23)
sendo:
F Factor de utilizao;
b Altura do mdulo;
d Distncia entre fileiras;
Para se planear um sistema fotovoltaico de modo a obter-se o melhor rendimento
ptico, deve ter-se em considerao a distncia entre fileiras.
O ngulo corresponde altura mnima do Sol (22 de Dezembro) que determina o
afastamento mximo entre fileiras para evitar o sombreamento entre elas, sendo a
inclinao dos mdulos e d o afastamento entre fileiras, como apresentado na figura
4.17 [37].

Figura 4.16 - Esquema de instalao e separao de fileiras.

Figura 4.17 - Anlise da distncia entre mdulos.



sendo
L Altura do mdulo fotovoltaico;
Inclinao do mdulo;
ngulo da altura mnima do Sol;
O afastamento entre fileiras dado por [37]:
= cos +

(24)
Convm realar que nem sempre se opta pelo afastamento mximo em detrimento do
melhor rendimento, dependendo da altura do ano em que se pretende uma melhor
eficincia do sistema.
4.2.10. Orientao dos painis fixos
A orientao ptima de um painel fixo no bvia. Na prtica, recomenda-se que sejam
orientados de modo a que a sua parte frontal fique virada para o Sul geogrfico (ou
Norte, quando no hemisfrio Sul). Para se conseguir um melhor aproveitamento da
radiao solar incidente, os mdulos devero estar inclinados em relao ao plano
horizontal num ngulo que ir variar com a latitude do local da instalao.
recomendada a adopo dos ngulos de inclinao da tabela 4.1 [36].
Tabela 4.1 - ngulo de inclinao dos painis
ngulo de inclinao dos painis
Inverno Latitude do local +15
Vero Latitude do local - 15
Este o ngulo de inclinao que geralmente maximiza a radiao solar no plano em
que os painis fotovoltaicos se encontram instalados em funo da estao do ano.
Geralmente, os painis so instalados segundo a inclinao de Vero, dado ser esta a
estao do ano que melhor rentabiliza a instalao fotovoltaica, devido ao maior nmero
de horas de exposio solar e fraca ocorrncia de nuvens [36].
4.3. Modelos matemticos
A clula fotoelctrica pode ser esquematizada atravs de um modelo matemtico que a
descreve como um circuito elctrico equivalente.



4.3.1. Modelo simplificado
O circuito elctrico equivalente pretende simbolizar a clula fotovoltaica como um
dodo de trs parmetros, que alimenta a carga. O modelo apresentado na esquematiza a
clula fotovoltaica apresentado na figura 4.18
I
s
I
I
D
Z
V
D

Figura 4.18 - Modelo simplificado.
A fonte de corrente, Is, representa a corrente gerada pelo feixe de radiao luminosa
constituda por fotes, sendo esta corrente elctrica unidireccional constante para uma
dada radiao incidente. A corrente, I
D
, representa a troca de electres na juno PN que
pode ser representada por um dodo, devido a este ter uma corrente interna
unidireccional, que depende da tenso V aos terminais da clula.
A corrente no dodo, I
D
dado por:

=
0
1
(25)
sendo:
I
D
Corrente unidireccional
I
0
Corrente inversa mxima de saturao do dodo
V Tenso aos terminais da clula
M Factor de idealidade do dodo (dodo ideal m=1, dodo real m>1)
O Potencial trmico dado por:

(26)
sendo:
K Constante de Boltzman (1,3810
-23
J /K)
T Temperatura absoluta da clula em Kelvin (0 C =273,16 K)



q Carga elctrica do electro (1,610
-19
C)
A corrente na carga dado por:
=

(27)
Substitudo a expresso (25) em (27), obtemos:
=
1
(28)
4.3.2. Modelo simplificado de duas resistncias
O modelo da clula fotovoltaica com duas resistncias, R
s
e R
p
, em que estas
representam parmetros internos da clula fotovoltaica. O parmetro R
S
representa a
resistncia do circuito at aos contactos exteriores, responsvel pela queda de tenso no
interior da clula e o parmetro R
P
representa a resistncia de fugas do circuito, o
modelo da clula fotovoltaica com duas resistncias apresentado na figura 4.19
I
s
I
I
D
Z
V
R
S
I
P
R
P D

Figura 4.19 - Modelo simplificado de duas resistncias.
d
, dado por:

=
0
1
(29)
Corrente na carga dada por:
= (
+

(30)
Substitudo a expresso (29) em (30) , obtemos:
=
+

(31)
4.3.3. Modelo equivalente da clula fotovoltaica, modelo de dois dodos
O modelo de dois dodos o modelo mais completo para elaborar o estudo da clula
fotovoltaica e , dos trs modelos apresentados, o mais fivel, embora faa parte da



gama de modelos que no incluem a correco do ngulo de incidncia solar. Apresenta
como desvantagem o facto de no permitir o dimensionamento de uma instalao
apenas com os dados fornecidos pelos fabricantes nos catlogos de painis solares. O
modelo de dois dodos apresentado na figura 4.20.
I
s
I
I
D1
Z
V
R
S
I
P
R
P D
1
I
D2
D
2

Figura 4.20 - Modelo de dois dodos.
D1
, dada por:

1
=
01
1
(32)
D2
, dada por:

2
=
02
1
(33)
Corrente na carga dada por:
=
1

2

(34)
Substitudas as expresses (32) e (33) em (34),obtemos:
=

01
1
02
1
+

(35)
4.4. Estudo dos pontos de funcionamento
Existem dois pontos de funcionamento da clula que merecem ateno particular:
Curto-circuito exterior
V=0
I
D
=0
I = I
s
= I
cc

(36)



A corrente de curto-circuito, I
CC
, o valor mximo da corrente de carga, igual corrente
gerada por efeito fotovoltaico. O seu valor uma caracterstica da clula, sendo um
dado fornecido pelo fabricante para as condies STC.
Circuito aberto
V=V
CA

I=0

0 =
1
(37)

0
=

1
(38)

0
+1 =

(39)

0
+1 (40)
A tenso em vazio, V
CA
, o valor mximo de tenso aos terminais da clula que ocorre
quando esta est em vazio. O seu valor uma caracterstica da clula, sendo um dado
fornecido para as condies STC.
4.5. Potncia elctrica e rendimento
A potncia elctrica de sada P dada por:
= =
1 (41)
A potncia mxima obtm-se atravs de / = 0. Ento, igualando a zero e
derivando a expresso, temos:

1 = 0 (42)

+
0
1

= 0
(43)
A soluo da equao (43), estando na forma implcita em V, apenas pode ser obtida
recorrendo ao uso de mtodos iterativos (por exemplo, Newton-Raphson) [36].



O ponto de potncia mxima dada por:

(44)
Se tivermos em conta a equao (43), teremos que V=V
max
e a correspondente corrente
I
max
. Nas condies de referncia teremos:
V=V
max
r

I=I
max
r

P=P
max
r

Os valores de V
CA
r
, I
CC
r
e P
max
r
so caractersticos da clula, sendo dados fornecidos pelo
fabricante para as condies de referncia. A maioria dos fabricantes indica tambm os
valores de V
max
r
e I
max
r
.
A potncia mxima de sada obtida nas condies STC designa-se potncia de pico
(Peak power ou Maximum Power Point MPP). O rendimento, nas condies de
referncia, a relao entre a potncia de pico e a potncia da radiao incidente dada
por:

(45)
sendo:
P
max
r
Potncia mxima (W)
G
r
Radiao incidente (W/m
2
)
A rea da clula (m
2
)
Outro ponto de funcionamento da clula, dada por:

=

(46)
em que G a radiao solar incidente por unidade de superfcie.
O factor de forma (Fill factor) o quociente entre a potncia de pico e o produto
V
CA
r
e I
CC
r
, dado por:
=

(47)
Para as clulas do mesmo tipo, os valores de V
CA
r
e I
CC
r
so aproximadamente
constantes, mas a forma da curva I-V pode variar consideravelmente. As clulas em uso



comercial apresentam um factor de forma entre 0,7 e 0,85. desejvel trabalhar com
clulas em que o factor de forma seja o maior possvel [38].
4.6. Aplicao no modelo
Na situao mais comum, os fabricantes de clulas fotovoltaicas fornecem os valores de
V
ca
r
, I
cc
r
e P
mx
r
. Nestas condies, podemos definir o factor de idealidade do dodo, m e
a corrente inversa de saturao, I
0
r
.
I =
1
(48)
Em curto-circuito
I =

(49)
Em circuito aberto

I =

1

(50)
Se utilizarmos as expresses indicadas e substituirmos na corrente I, que percorre a
carga do modelo:

I =
1
(51)

I =
(52)
Se considerarmos que os termos:
e
V
mV
T
r
1 e e
V
ca
r
mV
T
r
1



teremos:
I =
(53)

I =

(54)
Pela expresso acima indicada, podemos observar que m, factor de idealidade, constitui
um parmetro de ajuste da curva caracterstica corrente-tenso.
No caso de dispormos dos valores de V
mx
r
e I
mx
r
, fornecidos pelos fabricantes das
clulas, podemos considerar trs pontos de funcionamento do circuito (circuito aberto,
curto-circuito e potncia mxima), todos nas condies de referncia STC.
0 =
1 em circuito aberto
em curto-circuito
1 ponto de potncia mxima

Se, na expresso de I
mx
r
, substituirmos o valor de I
s
r
de I
0
r
, obtidos atravs dos pontos de
funcionamento em circuito aberto e em curto-circuito, dado por:

I

(55)
Explicitando a expresso em funo do factor de idealidade:

m =

(56)
Assim, obtido o valor do factor de idealidade do dodo, podemos obter o valor da
corrente inversa de saturao nas condies de referncia, atravs das equaes
correspondentes aos pontos de circuito aberto e curto-circuito, dado por:

I
0
1

(57)



4.7. Influncia da temperatura e da radiao incidente
A radiao solar e a temperatura da clula so factores que influenciam, de forma
determinante, o funcionamento da clula fotovoltaica. Apresenta-se, de seguida, a forma
como as grandezas caractersticas da clula fotovoltaica so afectadas pela temperatura
e pela radiao (G e ) [36].
4.7.1. Temperatura da clula
Com o aumento da temperatura da clula:
A potncia de sada da clula decresce;
A tenso em vazio, V
CA
, decresce;
CC
, varia pouco (desprezvel);
A corrente inversa de saturao, I
0
, varia.
O efeito da diminuio da tenso de circuito aberto da clula, V
CA
, apresentado na
figura 4.21:

Figura 4.21 - Curva I-V de uma clula tpica de Silcio cristalino; variao com a temperatura; G = G
r
.
4.7.2. Radiao incidente
Com o aumento da radiao solar na clula:
A potncia de sada da clula aumenta;
A tenso em vazio, V
CA
, quase no varia (desprezvel);
CC
, varia linearmente;
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

Tenso (V)
T=25C
T=50C
T=75C



A corrente inversa de saturao, I
0
, varia.
A corrente de curto-circuito da clula fotovoltaica, dada por:

(58)
A corrente de curto-circuito, praticamente no varia com a temperatura da clula,
apresentando uma variao linear com a radiao solar incidente, como apresentado na
figura 4.22.

Figura 4.22 - Curva I-V de uma clula tpica de Silcio cristalino; variao com a radiao incidente; T = T
r
.
4.8. Efeito de sombreamento numa clula
Quando uma clula se encontra sombreada, esta actua como uma carga, dissipando a
corrente de entrada. Quando uma clula no est exposta a nenhuma luz solar, ir
aquecer e criar os chamados pontos quentes. De forma a minimizar o efeito do
sombreamento, so introduzidos os dodos de bypass, que permitem a passagem da
corrente sem danificar a clula [39].
Quando um grupo de clulas se encontra sombreado, assiste-se a uma perda da energia
produzida. De duas maneiras: pela reduo da energia gerada pela clula e pelo aumento
das perdas nas clulas sombreadas. Este problema torna-se mais grave quando o
sombreamento das clulas causa a polarizao inversa. A figura 4.23 representa um
grupo de clulas com iluminao total (I
LI
) ligadas em srie com um grupo de clulas
sombreadas (I
LS
). Se a corrente I
M2
<I
LS
, o dodo D
S
est polarizado directamente, no
existindo risco de danos na clula sombreada. No caso de I
M2
>I
LS
, ento a corrente no
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

Tenso (V)
G=1000 W/m2
G=750 W/m2
G=450 W/m2
G=300 W/m2
G=100 W/m2



dodo D
S
=I
LS
-I
M2
, o que coloca o dodo D
S
em polarizao inversa. Nesta situao, o
dodo D
S
ir comportar-se como uma resistncia de elevado valor, o que reduz
significativamente a corrente na carga I
M2
[40].
I
Ls
I
Ds
R
L
V
s
R
ses
R
shs D
s
I
Li
I
m2
I
Di
V
i
R
S
R
shi D
i
V
Ds
Conjunto de clulas, em
serie, com iluminao
total
Conjunto de clulas, em
serie, com sombreamento

Figura 4.23 - Conjunto de clulas em serie com sombreamento e sem sombreamento.
4.9. Associao de clulas fotovoltaicas
A potncia mxima para uma clula de silcio de 10 cm, de cerca de 1,25 W que
uma potncia demasiado baixa para a maior parte das utilizaes domsticas ou
industriais. Desta forma, os sistemas fotovoltaicos so realizados atravs de associaes
srie e/ou paralelo de um grande nmero de clulas fotovoltaicas [41].
A associao em srie de vrias clulas aumenta a tenso aos seus terminais, mantendo
a corrente, enquanto que a associao em paralelo aumenta a corrente aos terminais da
associao, mantendo a tenso [41].
Numa associao em srie, as clulas so atravessadas pela mesma corrente e a
caracterstica resultante deste agrupamento obtida pela adio das tenses aos
terminais das clulas, para um mesmo valor de corrente. No caso da associao em serie
da figura 4.23 iremos obter um sistema de trs equaes a trs incgnitas.
O sistema de equaes de duas clulas em serie dado por:

2
=
2
=
(59)



Captulo 5
Simulaes

Neste captulo sero apresentados os resultados obtidos sobre o desempenho de dois
modelos matemticos de uma clula fotovoltaica quando sujeitos ao efeito de
sombreamento em diversas situaes.



5.1. Introduo
Neste captulo so apresentados os resultados numricos provenientes das simulaes
computacionais sobre o desempenho de um sistema fotovoltaico com sombreamento. O
sistema fotovoltaico constitudo por duas strings de trs painis em paralelo, como
apresentado na figura 5.1.
String 1 String 2
M1
M2
M3
M1
M2
M3

Figura 5.1 - Configurao do sistema fotovoltaico a simular.
O objectivo das simulaes computacionais observar o desempenho do sistema
fotovoltaico quando sujeito a:
- sombreamento de painis fotovoltaicos numa string;
- sombreamento de painis fotovoltaicos em duas strings.
O objectivo das simulaes computacionais apresentar um estudo entre modelos
matemticos, no que respeita ao comportamento com sombreamento. Os modelos
matemticos para estudar o desempenho do sistema fotovoltaico sujeito a
sombreamento foram implementados em Matlab e Simulink, tendo sido utilizado, para a
soluo das equaes que traduzem o comportamento de um mdulo solar, o mtodo de
integrao de Runge Kutta com um passo de integrao de 0.001ms.
Os parmetros utilizados nas simulaes computacionais do mdulo fotovoltaico so
indicados na tabela 5.1.



Tabela 5.1 Parmetros do sistema fotovoltaico
Tenso nominal (V
n
) 12V
Potncia mxima (P
mx
) 53 Wp 5%
Corrente de curto-circuito (I
cc
) 3,27 A
Tenso em circuito aberto (V
oc
) 21,6 V
Corrente mxima (I
mx
) 3,05 A
Tenso mxima (V
mx
) 17,4 V
Nmero de clulas em serie (NSC) 36
TONC (800W/m2, 20C, AM 1.5, 1m/s) 47C
Resistncia Serie 10,710
-6

Resistncia paralela 8,174
5.2. Modelo simplificado
O objectivo desta simulao computacional observar o desempenho do sistema
fotovoltaico aplicando o modelo matemtico simplificado de um painel solar, como
representado na figura 5.2.
I
s
I
I
D
Z
V
D

Figura 5.2 - Modelo simplificado.
No captulo 4.4 foi efectuado o estudo mais detalhado do circuito do modelo
simplificado, do qual obtemos as seguintes frmulas matemticas para a implementao
em Simulink.
Corrente na carga Z, dada por:
=
1 (60)



Factor de idealidade, dado por:

m =

(61)
Corrente inversa de saturao, dada por:

0
=

1

(62)
Observando as equaes, verificamos que este modelo matemtico permite traar as
curvas caractersticas I-V e P-V apenas com os dados disponibilizados pelo fabricante.
5.2.1. Implementao em Simulink
Implementando as frmulas anteriores em Simulink, podemos simular o funcionamento
de um mdulo fotovoltaico sujeito irradiao solar pretendida obtendo-se, assim, o
diagrama de um mdulo solar como apresentado na figura 5.3.

Figura 5.3 - Diagrama de ligaes em Simulink de um mdulo fotovoltaico.



Aps a elaborao de um mdulo solar, temos de fazer as respectivas associaes em
srie e em paralelo, de forma a obtermos um sistema fotovoltaico completo, como
apresentado na figura 5.4:

Figura 5.4 - Diagrama de ligaes em Simulink de sistema fotovoltaico.
Como podemos observar, alm dos dados relativos s caractersticas dos painis solares
fornecidos pelo fabricante e indicados na parte superior da figura 5.4 , para cada
mdulo solar necessrio indicar individualmente o valor de irradiao. Podemos, desta
forma, simular diversos tipos de sombreamento, desde o sombreamento total provocado
por um obstculo (como, por exemplo, uma rvore) ou um sombreamento parcial
(como, por exemplo, uma nuvem).
5.2.2. Resultado das simulaes computacionais do modelo simplificado
A primeira simulao computacional realizada foi a do sistema fotovoltaico indicado na
figura 5.1, sem o efeito de sombreamento em nenhum mdulo fotovoltaico. Os
resultados obtidos so as curvas caractersticas do sistema fotovoltaico: a curva I-V
apresentada na figura 5.5 e a curva P-V apresentada na figura 5.6.



Figura 5.5 - Curva caracterstica I-V do sistema sem sombreamento.

Figura 5.6 - Curva caracterstica P-V do sistema sem sombreamento.



Aps a obteno das curvas caractersticas do sistema fotovoltaico com a irradiao de
1000 W/m2, vai ser introduzido o efeito do sombreamento parcial de 800 W/m
2
, a dois
mdulos, um em cada string como apresentado na figura 5.7.
String 1 String 2
M1
M2
M3
M1
M2
M3
800 W/m
2
800 W/m
2

Figura 5.7 - Sistema fotovoltaico com um mdulo sombreado em cada string.
Quando dois mdulos fotovoltaicos esto sujeito a sombreamento, um em cada string,
observado, nas curvas caractersticas I-V e P-V, a existncia de um degrau que, como
esperado, provoca uma perda de energia produzida. As curvas caractersticas I-V e P-V,
esto representadas na figura 5.8 e na figura 5.9 respectivamente.

Figura 5.8 - Curva caracterstica I-V do sistema com sombreamento de dois mdulos, um em cada string.



Figura 5.9 - Curva caracterstica P-V do sistema com sombreamento de dois mdulos, um em cada string.
Na simulao computacional seguinte vamos obter as curvas caractersticas do sistema
fotovoltaico quando apenas um dos mdulos de uma nica string se encontra sujeito a
um sombreamento parcial de 800 W/m
2
, como apresentado na figura 5.10.
String 1 String 2
M1
M2
M3
M1
M2
M3
800 W/m
2

Figura 5.10 - Sistema fotovoltaico com um mdulo sombreado numa string.
Quando apenas um mdulo se encontra sujeito a sombreamento, verificamos que no
existe alterao na energia produzida pelo sistema, Os resultados obtidos so as curvas
caractersticas do sistema fotovoltaico, a curva I-V apresentada na figura 5.11 e a
curva P-V apresentada na figura 5.12.



Figura 5.11 - Curva caracterstica I-V do sistema com sombreamento de um mdulo.

Figura 5.12 - Curva caracterstica P-V do sistema com sombreamento de um mdulo.



5.3. Modelo simplificado de duas resistncias
O objectivo desta simulao computacional observar o desempenho do sistema
fotovoltaico aplicando o modelo matemtico simplificado de duas resistncias de um
painel solar, como representado na Figura 5.13.
I
s
I
I
D
Z
V
R
S
I
P
R
P D

Figura 5.13 - Modelo simplificado de duas resistncias.
Efectuando um estudo dos pontos de funcionamento do modelo simplificado de duas
resistncias, semelhante ao efectuado para o modelo simplificado, obtemos as seguintes
frmulas matemticas para implementao em Simulink:
Corrente na carga Z, dada por:
=
1
+

(63)
Factor de idealidade, dado por:

m =

(64)
Corrente inversa de saturao, dada ppr:

0
=

1

(65)
Observando as equaes, verificamos que, com este modelo matemtico, no possvel
traar as curvas caractersticas I-V e P-V com os dados disponibilizados pela maior
parte dos fabricantes. O valor da resistncia de serie (R
s
) e da resistncia em paralelo
(R
p
) geralmente no so disponibilizados pelos fabricantes; no caso desta simulao
foram utilizados os valores da resistncia em srie e em paralelo em [42].



5.3.1. Implementao em Simulink
Implementando as frmulas anteriores em Simulink, podemos simular o funcionamento
de um mdulo fotovoltaico sujeito irradiao solar que pretendemos. Obtemos, assim,
o diagrama de um mdulo solar como apresentado na figura 5.14.

Figura 5.14 - Diagrama de ligaes em Simulink de um mdulo fotovoltaico.
Aps a elaborao de um mdulo solar, temos de fazer as respectivas associaes em
serie e em paralelo de forma a obtermos um sistema fotovoltaico completo, como
apresentado na figura 5.15.



Figura 5.15 - Diagrama de ligaes em Simulink de sistema fotovoltaico.
Como podemos observar, alm dos dados relativos s caractersticas dos painis solares
fornecidos pelo fabricante e que esto indicados na parte superior da figura
necessrio indicar individualmente, para cada mdulo solar, o valor de irradiao. Desta
forma, podemos simular diversos tipos de sombreamento, desde o sombreamento total
provocado por um obstculo (como, por exemplo, uma rvore) ou um sombreamento
parcial (como, por exemplo, uma nuvem).
5.3.2. Resultado das simulaes computacionais do modelo simplificado de duas
resistncias
Aplicando o modelo simplificado de duas resistncias aos mdulos fotovoltaicos
indicados na figura 5.1, sem existncia de sombreamento em nenhum dos mdulos ou
seja, todos os mdulos esto sujeitos a uma irradiao solar de 1000 W/m
2
na sua
superfcie. Os resultados obtidos so as curvas caractersticas do sistema fotovoltaico, a
curva I-V apresentada na figura 5.16 e a curva P-V apresentada na figura 5.17.



Figura 5.16 - Curva caracterstica I-V do sistema sem sombreamento.

Figura 5.17 - Curva caracterstica P-V do sistema sem sombreamento.



Na prxima simulao computacional, dois mdulos fotovoltaicos, um em cada string,
vo estar sujeitos a uma irradiao de 800 W/m
2
causado pelo efeito de sombreamento,
como apresentado na figura 5.18.
String 1 String 2
M1
M2
M3
M1
M2
M3
800W/m
2
800W/m
2

Quando os mdulos fotovoltaicos esto sujeitos a sombreamento, como apresentado na
figura 5.18, o sistema fotovoltaico no ser capaz de fornecer a totalidade de energia
que seria esperada. Isto deve-se ao aparecimento de um degrau nas curvas
caractersticas do sistema fotovoltaico como mostram os resultados obtidos na figura
5.19 curva I-V e na figura 5.20 curva P-V.

Figura 5.19 - Curva caracterstica I-V do sistema com sombreamento de dois mdulos, um em cada string.



Figura 5.20 - Curva caracterstica P-V do sistema com sombreamento de dois mdulos, um em cada string.
Na seguinte simulao computacional, apenas um mdulo fotovoltaico de uma string se
encontra sujeito a um sombreamento parcial de 800 W/m
2
como apresentado na figura 5.21.
String 1 String 2
M1
M2
M3
M1
M2
M3
800 W/m
2

Figura 5.21 - Sistema fotovoltaico com um mdulo sombreado em uma string.
Quando apenas um mdulo se encontra sujeito a sombreamento, verificamos que no
existe alterao na energia produzida pelo sistema. Os resultados obtidos so as curvas
caractersticas do sistema fotovoltaico, a curva I-V apresentada na figura 5.22 e a
curva P-V apresentada na figura 5.23.



Figura 5.22 - Curva caracterstica I-V do sistema com sombreamento de um mdulo.

Figura 5.23 - Curva caracterstica P-V do sistema com sombreamento de um mdulo.



5.4. Comparao dos modelos
Realizaram-se diversas simulaes com dois modelos matemticos e obtiveram-se os
respectivos grficos com resultados semelhantes, como seria de esperar mas existem
diferenas entre ambos, devido existncia da resistncia srie e paralela no modelo
simplificado com duas resistncias. Para comparar as diferenas entre os dois modelos
matemticos, as curvas caractersticas I-V e P-V para duas simulaes distintas sero
representadas na mesma figura.
Nesta simulao representado o sistema fotovoltaico, quando todos os mdulos
fotovoltaicos, esto sujeitos ao mesmo valor de irradiao de 1000W/m
2
como
apresentados na figura 2.22.
String 1 String 2
M1
M2
M3
M1
M2
M3

Figura 5.24 - Configurao do sistema fotovoltaico a simular.
Os resultados obtidos so as curvas caractersticas dos sistemas fotovoltaicos a
comparar. Em azul, temos o modelo matemtico simplificado e, a verde, o modelo
simplificado com duas resistncias, as curvas I-V so apresentadas na figura 5.25 e as
curvas P-V so apresentadas na figura 5.26.



Figura 5.25 - Comparao da curva caracterstica I-V entre os dois modelos sem o efeito do sombreamento.

Figura 5.26 - Comparao da curva caracterstica P-V entre os dois modelos sem o efeito do sombreamento.



Nesta simulao representado o sistema fotovoltaico, quando dois mdulos
fotovoltaicos esto sujeitos a uma irradiao de 800W/m
2
, um mdulo em cada string,
como representado na figura 5.27.
String 1 String 2
M1
M2
M3
M1
M2
M3
800 W/m
2
800 W/m
2

Os resultados obtidos so as curvas caractersticas dos sistemas fotovoltaicos a
comparar. Em azul, temos o modelo matemtico simplificado e, a verde, o modelo
simplificado com duas resistncias, as curvas I-V so apresentadas na figura 5.28 e as
curvas P-V so apresentadas na figura 5.29.

Figura 5.28 - Curva caracterstica I-V.



Figura 5.29 - Curva caracterstica P-V.
Podemos observar que, nas figuras das duas simulaes computacionais, ambas as
curvas caractersticas registam uma resposta semelhante do sistema, embora no modelo
simplificado com duas resistncias, representado a verde, o degrau aparea primeiro
que o degrau do modelo simplificado. Isto deve-se queda de tenso no circuito at
aos contactos exteriores representada pela resistncia em srie e s correntes de fuga
representada pela resistncia em paralelo.



Captulo 6
Concluses

Neste captulo feita uma sntese do estudo realizado e apresentadas algumas concluses sobre
os resultados obtidos nas diversas simulaes computacionais de modelos matemticos que
reproduzem o funcionamento de um mdulo fotovoltaico sujeito a sombreamento.



6.1. Concluses Gerais
Neste trabalho, pretendeu-se apresentar o enorme potencial energtico da energia solar e
demonstrar como o aproveitamento desta fonte de energia renovvel pode contribuir, de
forma significativa, para dar resposta s actuais e futuras necessidades energticas.
Sendo que, a nvel europeu, Portugal apresenta das melhores condies para o
aproveitamento do recurso solar e, designadamente, para a produo de energia elctrica
por via fotovoltaica, o aproveitamento deste recurso seria essencial para reduzir a
dependncia de outras fontes de energia no renovveis para a produo de energia
elctrica.
No contexto actual, existem vrias tecnologias que continuam a ser desenvolvidas no
sentido de um melhor aproveitamento da energia solar; neste trabalho, apresentaram-se
diversos tipos de clulas solares e explicaram-se alguns processos de fabrico. Assim,
foram apresentadas, neste documento, diversas tecnologias existentes.
Em Portugal, numa superfcie com orientao ptima, so atingidos valores de
irradiao solar que variam entre cerca de 1700 kWhm
-2
, no Norte e 2000kWhm
-2
, no
Sul. O valor estimado de produo em Portugal continental varia entre cerca de
1400 kWh no Minho e 1620 kWh na regio este do Alentejo e Algarve. Alm disso,
demonstrou-se como efectuar a instalao de um sistema fotovoltaico tendo em
considerao a sua localizao,
Para o correcto dimensionamento de um sistema fotovoltaico, deve ter-se uma particular
ateno ao local da sua instalao. A existncia de fontes de sombreamento, tais como
arvores e edifcios, podem causar uma diminuio da energia produzida e, logo,
acarretar um custo financeiro elevado e longos perodos de amortizao do investimento
efectuado, no caso de uma unidade de microproduo ligada rede elctrica.
Tendo-se realizado diversas simulaes em diversas situaes de sombreamento,
verificou-se que, quando apenas uma string do sistema fotovoltaico afectada pelo
sombreamento, no ocorre grande alterao na potncia produzida, o mesmo no
acontecendo quando mais do que uma string afectada em simultneo pelo
sombreamento. Nesta situao, a produo de energia consideravelmente afectada.
Neste trabalho foram tambm comparados dois modelos matemtico de uma clula
fotovoltaica, tendo sido possvel verificar as diferenas entre o modelo simplificado e o



modelo simplificado de duas resistncias. Embora os resultados sejam aproximados, a
incorporao, no modelo simplificado com duas resistncias, dos valores das
resistncias de serie e paralelo que representam o valor da queda de tenso no circuito
at aos contactos exteriores e as correntes de fuga respectivamente afecta o
comportamento das curvas P-V e I-V. Para utilizar o modelo simplificado com duas
resistncias necessrio saber qual o valor de ambas as resistncias, mas os fabricantes
dos mdulos fotovoltaicos no os disponibilizam. Por este motivo, a utilizao do
modelo simplificado torna-se bastante mais fcil, pois todos os dados so fornecidos
pelo fabricante.



Bibliografia

[1] http://inventors.about.com/od/timelines/a/Photovoltaics.htm, Novembro 2011.
[2] http://wikienergia.com/~edp/index.php?title=Willoughby_Smith, Novembro
2011.
[3] http://www.scribd.com/doc/40026205/Curso-FV-Best-Center-Slides, Novembro
2011.
[4] http://en.wikipedia.org/wiki/Project_Vanguard, Novembro 2011.
[5] http://en.wikipedia.org/wiki/Nimbus_program, Novembro 2011.
[6] Samuel Menitra Sousa Gomes, dissertao de mestrado do IST, Integrao em
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2011.
[10] Susana Filipa Almeida Castro Viana, dissertao para obteno do Grau de
Doutor no IST, Modelao de Micro-Sistemas Hbridos Fotovoltaicos/Elicos
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_area=8&ID_sub_area=26, Novembro 2011.
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[23] http://en.wikipedia.org/wiki/List_of_photovoltaic_power_stations, Novembro
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[24] http://www.memoriaportuguesa.com/central-fotovoltaica-da-amareleja, Maio
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[25] http://solarlighting-s.com/solar-power-plant/, Novembro 2010.
[26] Kotzen, Benz e English, Colin "Environmental Noise Barriers: A Guide to Their
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[27] http://www.pvresources.com/PVSystems/NoiseBarriers.aspx, Novembro 2010.
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[29] http://www.photon-magazine.com/products/products_03-01_solar-fabrik.htm,
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[30] http://www.certiel.pt/web/certiel/guia-pratico-da-microproducao, Novembro
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[31] Ricardo Henrique Rosemback, dissertao para a obteno do Grau de Mestre no
J uiz de Fora, MG Brasil, Conversor CC-CC Bidirecional Buck-Boost Atuando
como Controlador de Carga de Bateria em um Sistema Fotovoltaico,, 2004.
[32] Decreto-Lei n 188-A/2010 de 25 de Outubro.
[33] www.renovaveisnahora.pt, J aneiro 2012.
[34] Inspeco de uma Unidade de Microproduo de 3,68kVA, para aprovaao pela
CERTIEL, realizada pelo ISQ em 25-01-2012 Branca Coruche.
[35] Carlos Nunes Rodrigues, Centrais Solares Fotovoltaicas Ligadas Rede Elctrica,
INETI Agosto 2008.
[36] Camus, Cristina e Eusbio, Eduardo, "Energia Solar" , Maro de 2006.
[37] Morais, J osu, "Sistemas Fotovoltaicos da Teoria Pratica", Fevereiro 2012.
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[40] Ramaprabha Ramabadram e Badrilal Mathur, Impact of partial shading on solar
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[41] http://e-lee.ist.utl.pt/realisations/EnergiesRenouvelables/FiliereSolaire/Panneaux
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experimental results for a photovoltaic system formed by monocrystalline solar
modules", in: Technological Innovation for Value Creation, Eds. L.M.
Camarinha-Matos, E. Shaha.



Anexos
Anexo I Caractersticas construtivas do mdulo Isofotn I53





Anexo II Solues de ligao da unidade de Microproduo RESP























Anexo III Eficincia das diversas tecnologias de clulas solares

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