Prendiamo in considerazione un MOSFET polarizzato in saturazione. Poich il gate un circuito aperto, la resistenza vista guardando dentro il gate infinita. Infatti applicando un generatore di tensione v x di prova e la corrente i x che eroga nulla. La resistenza che vogliamo calcolare R x =v x /i x che pertanto infinita. Ovviamente nella realt ci sar una piccola corrente di perdita del capacitore MOS, ma in questa analisi trascurabile.
Figura 7. 28: resistenza vista al terminale di gate Le resistenze R S e R D che compaiono in Figura 7. 28 dipendono dalla rete di polarizzazione e, comunque, sono del tutto ininfluenti.
Per calcolare la resistenza vista guardando dentro il drain innanzitutto si sostituisce al transistor il suo modello linearizzato come mostarto in Figura 7. 29.
Figura 7. 29: resistenza vista dal terminale di drain Le resistenze R G e R S dipendono dalla rete di polarizzazione. Poich su R G non scorre corrente, il nodo g a massa come in Figura 7. 30.
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Figura 7. 30: resistenza vista dal terminale di drain Dalla circuitazione della maglia di uscita si ottiene ! v x = i 0 r 0 +i S R S (7. 81) ! v x = i s " g m v gs ( ) r 0 +i S R S (7. 82) ! v x = i s + g m R s i s ( ) r 0 +i S R S (7. 83) ! v x = i s 1+ g m R s ( ) r 0 + R S ( ) (7. 84) Daltra parte i s =i x , quindi ! R x = v x i x = 1+ g m R s ( ) r 0 + R S (7. 85) La resistenza vista guardando nel drain dipende dal guadagno del MOSFET e da R S , ma comunque un valore molto grande. Il valore minimo si ha per R s =0 ed R x =r 0 , che una resistenza dellordine di alcune decine di k!.
Passiamo ora allultimo terminale: il source. Per calcolare la resistenza che si vede guardando nel source si consideri il circuito in Figura 7. 31.
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Figura 7. 31: resistenza vista dal terminale di source Poich la corrente che scorre su R G nulla, il nodo di gate a massa e il circuito pu essere ridisegnato come in Figura 7. 32.
Figura 7. 32: resistenza vista dal terminale di source Dalla circuitazione della maglia di uscita si ottiene ! v x = "r 0 i 0 + R D i D (7. 86) ! v x = "r 0 i x " g m v x ( ) + R D i D (7. 87) Daltra parte i D =i x , quindi
35 ! v x = "r 0 i x + g m v x r 0 + R D i x (7. 88) da cui ! R x = v x i x = R D "r 0 1" g m r 0 # 1 g m (7. 89) Ma r 0 una resistenza piuttosto grande e di solito molto pi grande di R D . Inoltre g m r 0 il massimo guadagno in tensione ottenibile dal MOSFET ed tipicamente molto pi grande di 1. Pertanto ! R x " 1 g m (7. 90) Linverso della transconduttanza tipicamente una resistenza piuttosto piccola (da pochi ! a qualche centinaia di !). La Figura 7. 33 riassume graficamente quanto trovato in questo paragrafo. Le resistenze viste al gate e al drain sono molto grandi, la resistenza vista al source piccola e pari allinverso della transconduttanza.
Figura 7. 33: resistenze viste ai tre terminali di un FET Quanto ricavato sopra valido per qualunque tipo di FET non importa se MOSFET o JFET, a canale n o a canale p, ad arricchimento e a svuotamento. Per il MOSFET a quattro terminali, basta tenere presente che il terminale di body vede una giunzione pn contropolarizzata e quindi una grande resistenza.
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Figura 7. 34: resistenze viste ai terminali di un FET
1.8 Resistenze viste ai tre terminali del BJT Il calcolo delle resistenze del BJT procede in modo del tutto analogo a quello per il FET, lunica differenza che la resistenza tra base ed emettittore non infinita ma pari a r", questo complica solo un po il calcolo. Il risultato riassunto in Figura 7. 35.
Figura 7. 35: resistenze viste dai terminali del BJT Se dal punto di vista matematico la differenza solo quella che abbiamo detto, dal punto di vista pratico, utilizzando valori realistici dei parametri del BJT e del MOSFET ci sono ulteriori significative differenze di cui importante tenere conto.
37 1) Linverso della transconduttanza per un BJT una resistenza molto piccola, tipicamente minore di 10!. Nel MOSFET tale valore di solito sensibilmente pi grande. Pertanto la resistenza vista guardando nel source del BJT di solito molto pi piccola di quella del FET. 2) La resistenza vista guardando nel gate a tutti gli effetti grandissima, al contrario della resistenza in base, che non certo piccola, ma neanche cos grande da poter essere considerata un circuito aperto in ogni circostanza. In effetti la resistenza vista guardando in base dipende dalla presenza di una resistenza di emettittore R E fissata dalla rete di polarizzazione. Il caso peggiore quando R E =0. Per tale valore la resistenza in base pari a r! , che una resistenza dellordine del k! e talvolta anche minore. 3) Le resistenze viste da drain o dal collettore sono identiche dal punto di vista matematico e molto simili anche dal punto di vista pratico. Entrambe sono resistenze maggiori di qualche decina di k!
Con le precisazioni e i limiti di applicabilit che abbiamo detto sopra, anche per il BJT in prima approssimazione possiamo riassumere le resistenze viste ai tre terminali come in Figura 7. 36. Sulla resistenza in base il segno < sta a ricordare che necessaria un po di cautela nel considerare questa resistenza infinita
Figura 7. 36: resistenze viste dai terminali del BJT 1.9 Le tre configurazioni del FET Un MOSFET ha tre terminali: gate, source e drain. Si pu immettere o estrarre un segnale variabile (con frequenza minima sufficientemente alta) da ciascun terminale mediante un capacitore (detto capacitore di accoppiamento). Il terminale da cui non si immette o estrae il segnale collegato a massa con un capacitore
38 (detto capacitore di by-pass) Ovviamente non ha senso immettere ed estrarre il segnale dallo stesso terminale, quindi le possibili configurazioni sono sei.
Tabella 7. 1 Tuttavia non tutte le configurazioni hanno utilit pratica. Infatti ha poco senso immetere il segnale dal terminale di drain, in quanto in prima approssimazione la corrente di drain non dipende dalla tensione ad esso applicata. Un MOSFET ideale (senza modulazione del canale) del tutto insensibile a un generatore di segnale applicato al drain. Ha ugualmente poco senso estrarre segnale dal gate, perch il gate non pu fornire corrente e, inoltre, la variazione di tensione piccola rispetto alle tensioni agli altri terminali. Delle sei configurazioni, ne rimangono, quindi solo tre: CS (source comune), CD (drain comune), CG (gate comune). La denominazione specifica solo quale dei tre terminali a comune, ovvero non usato per immettere o estrarre il segnale. Per identificare quale degli altri due usato per immettere il segnale e quale per estrarre basta ricordare quanto detto sopra, ovvero: 1) dal gate non si estrae il segnale 2) nel drain non si immette il segnale.
39
Tabella 7. 2
Vediamo in dettaglio le 3 configurazioni. La figura Figura 7. 37 mostra un MOSFET in configurazione CS. Il source ha comune, lingresso sul gate e luscita sul drain. Ma nel paragrafo precedente abbiamo visto che la resistenza vista nel gate molto grande, praticamente infinita, quindi lingresso non pu che essere in tensione. Anche la resistenza di drain molto grande, ma il drain un terminale di uscita e quindi si pu affermare che luscita in corrente.
Figura 7. 37: CS
Ragionando in maniera analoga con le altre configurazioni si ottiene che nella configurazione CD si ha tensione in ingresso e tensione in uscita, nella configurazione CG su ha corrente in ingresso e corrente in uscita.
40
Figura 7. 38: CD
Figura 7. 39: CG
Vogliamo ora calcolare i guadagni (ovvero i rapporti tra segnale di uscita e segnale di ingresso) nei tre casi. In Figura 7. 40 mostrato la configurazione CS come in Figura 7. 37 dove il transistor stato sostituito con il suo il modello linearizzato.
41
Figura 7. 40: guadagno in configurazione CS Dal circuito risulta evidente che ! A vi = i L v sig = "g m v gs v gs = "g m (6. 91) Vediamo ora la configurazione CD. La Figura 7. 41 mostra il circuito da analizzare.
Figura 7. 41: guadagno in configurazione CD Dal circuito si ottiene ! v L = R L g m v gs = R L g m v sig "v L ( ) (7. 92) da cui
42 ! A vv = v L v sig = R L g m 1+ R L g m "1 (7. 93)
Il guadagno quindi unitario. La configurazione CS realizza non amplifica il segnale ma realizza un buffer di tensione, una sorta di stadio cuscinetto (buffer) tra due amplificatori in cascata con valori di resistenza di uscita (il primo) e di ingresso (il secondo) non idonei a un trasferimento di tensione. Il buffer di tensione uno degli amplificatori pi usati.
Vediamo ora la configurazione CG. La Figura 7. 42 mostra il circuito da analizzare.
Figura 7. 42: guadagno in configurazione CG Con le approssimazioni che abbiamo fatto sulle resistenze che si vedono ai due terminali, di fatto il circuito si riduce a una singola maglia e quindi ! A ii = i L i sig =1 (7. 94) Si tratta quindi di un buffer di corrente di guadagno unitario.
Il transistor consente di realizzare direttamente un amplificatore di transcoduttanza (ovvero tensione in ingresso e corrente in uscita), un buffer di tensione e un buffer di corrente. In numerose applicazioni per pi utile un amplificatore tensione-tensione. Lunico modo per realizzare unamplificazione di tensione con un transistor trasformare la corrente in uscita in una tensione
43 dissipandola in una resistenza. La Figura 7. 43 mostra un amplificatore CS con uscita in tensione.
Figura 7. 43:CS Dal circuito risulta evidente che ! A vv = v 0 v sig = "g m R D (7. 95) Si noti che si tratta di un guadagno negativo, nel senso che quando la tensione in ingresso aumenta, quella di uscita diminuisce, ovvero il segnale in uscita in controfase rispetto allingresso. La resistenza di uscita di uscita pari a R D . Un buon amplificatore con uscita in tensione dovrebbe avere resistenza di uscita piccola (per massimizzare il trasferimento di tensione) tuttavia R D non pu essere piccola se lamplificatore deve avere un guadagno consistente. Questo problema si risolve con un amplificatore a due stadi. Un buffer di tensione in cascata allo stadio di amplificazione, fa s che la resistenza di uscita sia pi adatta a un buon trasferimento di tensione. Le figure successive riassumono graficamente il contenuto di questo paragrafo.
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Figura 7. 44: CE con uscita in corrente
Figura 7. 45 CS cin uscita in tensione
Figura 7. 46: CD
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Figura 7. 47: CG 1.10 Le tre configurazioni del BJT Per il BJT valgono tutte le considerazioni gi fatte per il FET. La Tabella 7. 3 e i grafici successivi ne riassumono i risultati.
Tabella 7. 3
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Figura 7. 48: CE con uscita in corrente
Figura 7. 49: CE con uscita in tensione
Figura 7. 50: CC
47
Figura 7. 51: CB 1.11 Analisi e progetto Le considerazioni teoriche svolte nei paragrafi precedenti sono preliminari allanalisi e alla progettazione degli amplificatori. Per analisi si intende il calcolo delle caratteristiche di un amplificatore il cui circuito gi progettato. Nello specifico in questo capitolo ci occuperemo di come calcolare la resistenza di ingresso, la resistenza di uscita, il guadagno e la dinamica. Nel capitolo successivo ci occuperemo delle caratteristiche relative alla risposta in frequenza. Lanalisi di un circuito si esegue in due passi successivi: lanalisi DC (direct current) e lanalisi AC (alternate current). Lanalisi DC il calcolo delle correnti e delle tensioni in tutte le maglie, ovvero il calcolo del punto di polarizzazione o punto di riposo. La seconda fase lanalisi AC che consiste nel sostituire i transistor con i loro modelli linearizzati e calcolare, quindi, le componenti variabili delle correnti e delle tensioni nel circuito. Entrambe le analisi possono essere eseguiti da un programma di simulazione, il pi noto SPICE, di cui sono disponibili molte versioni anche scaricabili gratuitamente. Ma, sebbene lanalisi possa essere interamente demandata a un programma, non superfluo saperla fare con carta e penna perch consente di capire gli elementi critici del circuito e operare delle scelte in fase di progetto. Nel seguito eseguiremo lanalisi carta e penna di numerosi circuiti.
Il progetto lideazione di un circuito sulla base di alcune specifiche date. Un errore tipico del principiante affrontare la progettazione come un esercizio di matematica che ammette una sola soluzione. Nella realt le possibili soluzioni sono molteplici, talvolta ne esiste una ottimale, ma pi spesso ci si accontenta di una soluzione solo soddisfacente. Non esistono delle regole di progetto di validit generale, ma ci sono criteri specifici per particolari configurazioni circuitali. Nel seguito mostreremo alcuni esempi di progettazione.
48 1.12 Analisi di un amplificatore di tensione a singolo MOSFET in configurazione CS Come primo esempio di analisi consideriamo lamplificatore a MOSFET in Figura 7. 52. Il generatore di segnale in ingresso ha resistenza di uscita di 50!. Il carico in uscita di 100k!. Le caratteristiche del MOSFET utilizzato sono K n =20mA/V 2 e V TN =1V. Vogliamo calcolare resistenze di ingresso e di uscita, guadagno e dinamica.
Figura 7. 52: amplificatore a MOSFET Innanzi tutto necessario procedere alla analisi DC. Il partitore costituito dalle resistenze R 1 e R 2 fissano la tensione V GS che quindi ! V GS = R 1 R 1 + R 2 V DD =1.8V (7. 96) La corrente i DS quindi pari a ! i DS = K n 2 V GS "V TN ( ) 2 = 6.4mA (7. 97) Calcoliamo ora la tensione al drain che risulta pari a ! V DS = V DD " R D i DS = 5.6V (7. 98)
49 Verifichiamo che il MOSFET sia effettivamente in saturazione. La condizione ! V DS > V GS "V TN (7. 99) nello specifico ! 5.6V> 0.8V (7. 100) che, quindi, ampiamente rispettata.
Passiamo ora allanalisi AC. Il circuito per lanalisi AC quello in Figura 7. 53, dove i capacitori di accoppiamento sono sostituiti da cortocircuiti, e la tensione di alimentazione cortocircuitata a massa.
Figura 7. 53: circuito per lanalisi AC Possiamo immediatamente ricavare che ! R IN = R 1 R 2 = 30.6k" (7. 101) ! R OUT = R D =1k" (7. 102) Poich ! R IN >> R S (7. 103) ! R OUT << R L (7. 104) lingresso in tensione e luscita in tensione. Il guadagno quindi dato da
50 ! A vv = "g m R D = "K n V GS "V TN ( ) R D = "16.0 (7. 105) Calcoliamo ora la dinamica in ingresso. Affinch possa operare in regime lineare, lampiezza del segnale in ingresso v s deve rispettare la seguente condizione ! v s << 2 V GS "V TN ( ) =1.6V (7. 106) Indicativamente un segnale di ampiezza 160mV (un decimo di 1.6V) rispetta questa condizione. Vediamo ora la dinamica in uscita. Al variare del segnale in ingresso aumenta e diminuisce la corrente i DS che scorre su R D e ci fa variare la v DS . Ma la v DS in alto limitata dalla tensione di alimentazione (V DD =12V) e in basso dal punto in cui il MOSFET passa dalla saturazione alla regione lineare (V GS -V TN =0.8V).
Figura 7. 54: dinamica in uscita Possiamo ragionevolmente assumere che il segnale sia simmetrico, nel senso che la massima ampiezza positiva pari alla massima ampiezza negativa, pertanto la dinamica di uscita il valore minimo tra la massima escursione in alto e quella in basso. In questo caso 4.8V. Questo valore di ampiezza in uscita corrisponde a 300mV (4.8V/16) in ingresso. Possiamo quindi concludere che la dinamica dingresso 300mV, ma oltre 160mV lamplificatore comincia ad uscire dalla linearit e quindi a distorcere il segnale.
51 1.13 Progetto di un amplificatore di tensione a singolo MOSFET in configurazione CS Vogliamo ora progettare un amplificatore di tensione a singolo MOSFET in configurazione CS sulla base delle seguenti specifiche: tensione di alimentazione V DD =12V; guadagno di tensione A vv =-10; R IN >10k!; R OUT <1k!. Le caratteristiche del MOSFET da utilizzare sono K n =20mA/V 2 e V TN =1V.
Figura 7. 55: MOSFET in configurazione CS La resistenza di uscita ! R OUT = R D (7. 107) poich deve essere minore di 1k!, fissiamo R D =500!. Il guadagno dato da ! "g m R D = A vv (7. 108) ! K n V GS "V TN ( ) R D = A vv (7. 109) Da cui il valore di V GS -V TN ! V GS "V TN = A vv K n R D =1V (7. 110) Per tale valore, i DS risulta pari a
52 ! i dS = K n 2 V GS "V TN ( ) 2 R D =10mA (7. 111) I valori delle tensioni nelle maglie sono quindi quelli in figura, che assicurano una dinamica di uscita di 5V. La dinamica non tra le specifiche di progetto, ma quando possibile buona regola renderla la pi grande possibile.
Figura 7. 56: tensioni alle maglie Resta da dimensionare il partitore R 1 e R 2 in modo da fissare V GS =2V. Conviene scegliere un valore di corrente che scorre I P nel partitore piuttosto piccolo, in modo da mantenere basso il consumo e tenere alta la resistenza di ingresso. Un valore ragionevole pu essere 10A. Quindi ! R 1 = V GS I P = 20k" (7. 112) ! R 2 = V DD "V GS I P =100k# (7. 113) Il progetto ora completo e la Figura 7. 57 mostra i valori delle resistenze ottenuti
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Figura 7. 57: dimensionamento delle resistenze Si noti come non sia lunica possibile soluzione. Nel corso della progettazione abbiamo fatto alcune scelte, in certa misura arbitrarie, entro le specifiche imposte.
1.14 Progetto di un buffer di tensione a singolo MOSFET in configurazione CD Vogliamo ora progettare un buffer di tensione a singolo MOSFET in configurazione CS sulla base delle seguenti specifiche: tensione di alimentazione V DD =12V; R IN >10k!; R OUT <100!. Le caratteristiche del MOSFET da utilizzare sono K n =20mA/V 2 e V TN =1V.
54
Figura 7. 58: buffer di tensione a MOSFET La resistenza di uscita pari a ! R OUT = 1 g m = 1 K n V GS "V TN ( ) (7. 114) Poniamo R OUT =50!. Si ottiene (V GS -V TN )=1V. Dobbiamo ora fissare le tensioni nella maglia di uscita, per massimizzare lescursione del segnale in uscita conviene porre la tensione di source a riposo a circa met tensione di alimentazione. Poniamo quindi V S =6V. Le tensioni sulle maglie risultano quindi quelle in Figura 7. 59.
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Figura 7. 59: tensioni alle maglie Il progetto completo, ma vogliamo ora calcolare la dinamica dellamplificatore che abbiamo dimensionato. La tensione al source pu variare verso il basso di V S =6V e verso lalto di V DD -V S - (V GS -V TN ) =5V. La dinamica di uscita il minore di questi due valori, quindi 5V che, poich il guadagno del buffer unitario, corrisponde a circa 5V anche in ingresso. Calcoliamo ora il limite sulla dinamica imposto dalla condizione di linearit. In generale per un MOSFET deve valere ! v gs << 2 V GS "V TN ( ) (7. 115) Dobbiamo quindi calcolare la relazione tra v s (segnale in ingresso) e v gs . A questo scopo si faccia riferimento al circuito AC in Figura 7. 60.
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Figura 7. 60: calcolo della relazione tra v gs e v sig
Dalla circuitazione della maglia in ingresso si ottiene ! v sig = v gs + R S g m v gs (7. 116) da cui ! v gs = v sig 1+ R S g m (7. 117) Sostituendo nella (6.115) si ottiene ! v sig << 2 V GS "V TN ( ) 1+ R S g m ( ) # 2 V GS "V TN ( ) R S g m (7. 118) ! v sig << 4R S I DS = 4V S = 24V (7. 119)
Lespressione appena trovata molto utile ed intuitiva: in presenza di R S il limite di tensione da tenere come riferimento ai fini della linearit del transistor non 2(V GS - V TN ), ma 4V S .
In conclusione il buffer progettato ha una dinamica di 5V, ma per valori di tensione in ingresso maggiori di 2.4V comincia a non essere pi lineare.
57 1.15 Amplificatori reazionati Gli amplificatori fin qui trattati sono tutti progettati per avere alto guadagno, ma nella pratica non sempre necessario un elevato guadagno. Ad esempio in una catena di amplificazione solo il primo amplificatore buona regola che sia ad alto guadagno, i successivi bene che amplifichino molto meno per non saturare luscita, la cui escursione sempre limitata dallalimentazione. Unottima soluzione per ridurre e anche rendere pi stabilile il guadagno limpiego della reazione negativa. Lidea prelevare parte del segnale in uscita e riportarlo in ingresso in controfase, in modo che allaumentare delluscita diminuisca lingresso, riducendo quindi leffettivo guadagno. Una resistenza R S sul source agisce appunto come rete di reazione, nel senso che allaumentare della corrente i DS che eroga il transistor aumenta la caduta di tensione su R S e quindi, a parit di v s , diminuisce la v GS .
Figura 7. 61: circuito AC con reazione Il guadagno tensione corrente di un amplificatore reazionato si calcola mediante il circuito in Figura 7. 61. Dalla circuitazione della maglia di ingresso ! v s = v gs + R S g m v gs (7. 120) da cui ! v gs = v s 1+ R S g m (7. 121) E quindi
58 ! i ds = g m v s 1+ R S g m (7. 122) Se vale la condizione ! R S g m >>1 (7. 123) ovvero ! V GS "V TN >> 1 K n R S (7. 124) allora il guadagno dellamplificatore di transconduttanza
! A iv = " 1 R S (7. 125) che unespressione molto utile, perch non dipende pi dal particolare transistor utilizzato, ma solo dal valore di una resistenza. E quindi un valore ben determinato, che non risente della variabilit delle caratteristiche dei transistor e che, inoltre, pu essere impostato facilmente in fase di progettazione circuitale.
Figura 7. 62: CS con reazione Se lamplificatore utilizzato con uscita in tensione ! A vv = " R D R S (7. 126)
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Figura 7. 63: CS reazionato con uscita in tensione Un vantaggio importante della reazione che aumenta il valore del segnale in ingresso per cui lamplificatore pu essere considerato lineare. La condizione di linearit infatti ! v gs = v s 1+ R S g m << V GS "V TN (7. 127) ovvero ! v s << 1+ R S g m ( ) V GS "V TN ( ) (7. 128)
Le considerazioni fatte sopra valgono anche per il BJT, per il quale
! A iv = " 1 R E (7. 129) ! A vv = " R C R E (7. 130) La condizione di lineari dellamplificatore ovvero
60 ! v s << 1+ R E g m ( ) V T (7. 131)
Figura 7. 64: CE con reazione
Figura 7. 65: CE reazionato con uscita in tensione Rispetto al FET, il BJT ha g m tipicamente molto pi grande di quello del FET e pertanto la condizione ! R C g m >>1 (7. 132)
(equivalente alla (6.123)) pi facilmente verificata.
61 1.16 Progetto di un amplificatore di tensione a singolo BJT in configurazione CE con reazione La reazione negativa spesso utizzata in combinazione con la configurazione CE. Infatti il BJT in configurazione CE permette di ottenere un grande guadagno ma ha alcuni importanti limiti. 1) Affinch possa operare in regime lineare, il segnale di ingresso deve essere molto minore di 2V T =50mV, che un valore molto piccolo. 2) La resistenza dingresso non molto grande (tipicamente non pi di qualche k!) 3) Il guadagno proporzionale a g m =I C /V T con V T tensione termica. Poich la tensione termica dipende dalla temperatura, il guadagno non costante. Per di pi g m = I C /V T vale solo in prima approssimazione, pi in generale necessario considerare un fattore di non idealit a moltiplicare la tensione termica. Tale fattore dipende dalla corrente di collettore e dal particolare BJT. In definitiva il guadagno grande, ma poco controllabile.
La reazione negativa mitiga questi problemi al prezzo di una riduzione del guadagno.
A titolo di esempio progettiamo un amplificatore CE con reazione con le seguenti specifiche: V CC =12V; A vv =-5; R OUT =1k!.
Figura 7. 66: amplificatore a BJT in configurazione CE reazionato
62 Poich R OUT =R C , dalle specifiche segue che R C =1k!. Il guadagno in tensione dato da ! A vv = " R C R E = "5 (7. 133) Quindi R E =200!. La somma delle tensioni sulla maglia di uscita deve essere pari a V CC , quindi ! I C R C +V CE + I C R E = V CC (7. 134) In presenza del segnale la tensione sul collettore varia in maniera simmetrica rispetto al valore di riposo. Lescursione massima in alto pari alla caduta di tensione su R C , per avere la stessa escursione in basso necessario impostare V CE
uguale alla caduta di V CE , pertanto la (6.130) diviene ! 2I C R C + I C R E = V CC (7. 135) da cui ! I C = V CC 2R C + R E = 5.45mA (7. 136)
Per questo valore di corrente ! I C R E =1.09V (7. 137) Affinch la reazione negativa possa operare agevolmente deve essere rispettata la seguente condizione ! R C g m >>1 (7. 138) ovvero ! R C I C >> V T = 25mV (7. 139) 1.09V senzaltro molto maggiore di 25mV. Le tensioni ai nodi del circuito di polarizzazione sono quindi quelle in Figura 7. 67, dove si assunto V BE =0.6V.
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Figura 7. 67: tensioni ai nodi del circuito di polarizzazione Resta ora da dimensionare le resistenze del partitore della maglia di ingresso. La corrente che vi scorre I P deve essere molto maggiore della corrente di base ! I P >> I B = I C " F (7. 140) Assumendo " F maggiore di 100, I B risulta di volte inferiore alla corrente di collettore. Poich I C =5.45mA, segue che I P >>55A. Scegliamo I P =0.5mA. Ne consegue che ! R 1 = V B I P = 3.4k" (7. 141) ! R 2 = V CC "V B I P = 20.6k# (7. 142)
Il progetto del circuito sulla base delle specifiche data concluso. Vogliamo per calcolare anche la resistenza di ingresso e la dinamica dellamplificatore progettato. La presenza della resistenza di emettitore R E fa s che la resistenza di ingresso in base sia ! R IN ( B ) = r " 1+ g m R E ( ) + R E # $ F R E = 20k% (7. 143)
64 avendo assunto # F =100. La resistenza di ingresso quindi ! R IN = R 1 R 2 " F R E = 2.54k# (7. 144) Calcoliamo ora la dinamica. Poich lescursione massima in uscita 5.5V e il guadagno pari a -5, la massima ampiezza in ingresso per non saturare luscita 1.1V. Vediamo ora la condizione di piccolo segnale. ! v s << 1+ R E g m ( ) V T " R E I C =1.1V (7. 145) Pertanto la dinamica 1.1V, ma pu essere considerato lineare solo per valori di tensione in ingresso molto pi piccoli di 1.1V, indicativamente dellordine di 110mV (dieci volte pi piccoli) 1.17 Teorema di Miller Nel seguito troveremo molto utile usare il Teorema di Miller. Questo permette di semplificare lanalisi di un circuito quando unimpedenza collega il morsetto di ingresso con quello di uscita.
Il teorema afferma che il circuito in Figura 7. 68 del tutto equivalente a quello di Figura 7. 69 dove ! A = v o v i (7. 146) Lequivalenza dimostrata se limpedenza vista in ingresso e in uscita la stessa per i due circuiti.
Figura 7. 68: teorema di Miller
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Figura 7. 69: teorema di Miller Dimostriamo il teorema. Con riferimento alla Figura 7. 70 ! i = v i "v 0 Z (7. 147) da cui ! i = 1" A Z v i (7. 148) Un generatore di tensione di prova tra lingresso e massa vedr unimpedenza pari al parallelo della resistenza dingresso dellamplificatore con limpedenza Z IN data dal rapporto tra v i e i. ! Z IN ' = v i i = Z 1" A (7. 149)
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Figura 7. 70: dimostrazione del teorema di Miller In maniera analoga si dimostra che dalluscita la stessa impedenza tra uscita e ingresso vista come unimpedenza tra il morsetto di uscita e massa pari a -Z(1- A)/A.
1.18 Analisi di un amplificatore a MOSFET con resistore tra gate e drain Si consideri il circuito in Figura 7. 71. Si noti che R G sempre una resistenza grande. Non c ragione di dimensionarla piccola: il punto di polarizzazione indipendente dal valore di questa resistenza, daltra parte un valore piccolo pu avere solo leffetto di ridurre la resistenza di ingresso e ci uno svantaggio. Possiamo quindi assumere che R G sia abbastanza grande da non variare il guadagno in tensione A vv =-g m R D .
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Figura 7. 71: amplificatore CS
Applichiamo ora il teorema di Miller.
Figura 7. 72: circuito AC
Dal circuito in Figura 7. 72 si ottiene che
68 ! R IN = R G 1" A vv # R G g m R D (7. 150) ! R OUT = R G 1" A vv "A vv # R G (7. 151) Si noti come la resistenza R G debba effettivamente essere molto grande, quando riportata in ingresso dal teorema di Miller il suo valore diviso per il guadagno di tensione. 1.19 Analisi di un amplificatore a BJT con resistenza di emettiore e resistenza tra collettore e base In Figura 7. 73 mostrato un amplificatore di tensione a BJT con resistenza di emettitore e resistenza tra base e collettore. Se R B grande, il guadagno in tensione dato da ! A vv = " R C R E (7. 152)
Figura 7. 73: BJT con resistore tra collettore e base e resistore sullemettitore Applicando il teorema di Miller si ottiene il circuito AC in
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Figura 7. 74: circuito AC Per il quale ! R IN = r " 1+ g m R E ( ) + R E ( ) R B 1+ R C R E # $ F R E ( ) R E R B R C # R E R B R C (7. 153) ! R OUT " R G (7. 154) Limpiego del BJT spesso limitato dalla sua resistenza di base non molto grande. A questo proposito il circuito visto sopra unottima soluzione, in quanto la resistenza di ingresso proporzionale a R B che pu essere dimensionato con un valore molto grande. Vediamo quindi cosa pu limitare il valore R B . Questa resistenza non pu essere cos grande da impedire che vi scorra una corrente abbastanza grande da polarizzare il BJT. Tale corrente ! I B = I C " F (7. 155) Per la stessa corrente deve valere ! I B = V CB R B (7. 156)
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quindi ! R B = " F V CB I C (7. 157) Giusto per dare un ordine di grandezza per V CB =1V, I C =1mA e " F =100, risulta R B =100k!. Se ad esempio lamplificatore avesse un guadagno in tension di -10, la resistenza di ingresso potrebbe essere di 10k!, che un valore piuttosto alto per un amplificatore a BJT.
1.20 Amplificatori a carico attivo Nei paragrafi precedenti abbiamo sempre utilizzato il transistor come dispositivo di controllo della corrente erogata a una resistenza. Tuttavia, come abbiamo gi visto nel capitolo 5, il transistor (il FET in particolare) pu essere utilizzato anche come carico attivo. Vediamo due esempi. Il primo mostrato in Figura 7. 75.
Figura 7. 75: amplificatore con carico attivo Abbiamo gi visto nel paragrafo 5.11 che la funzione di trasferimento del circuito in Figura 7. 76 ha una regione di funzionamento lineare (vedi Figura 7. 77) di pendenza pari a