P1 MATERIAIS ELETRNICOS

1) Suponha que vc disponha de um monocrisa! de si!"cio dopado com #oro$ Responda as

se%uines ques&es' a) Proponha uma mona%em e(perimena!) inc!uindo o circuio e!*rico)
para a medida da varia+,o da conduividade e!*rica dese maeria! com a emperaura$
Fazer o desenho da variao da condutividade
#) Es#oce um %r-.ico represenaivo da curva de varia+,o da conduividade e!*rica dese
semiconduor e(r"nseco com a emperaura de medida) para emperauras variando da
emperaura am#iene a* /00
0
C$ E(p!ique cada re%ime de condu+,o o#servado$
1) domnio intrnseco; 2) domnio de exausto; 3) domnio extrnseco - a baixas temperaturas a
condutividade eltrica determinada pelo nmero de !tomos de impurezas por unidade de volume
"ue so ionizados# $ "uando a temperatura aumenta% h! cada vez mais !tomos de impurezas
ionizadas; por isso a condutividade eltrica aumenta com o aumento da temperatura#
1) E(p!ique dea!hadamene a varia+,o do .!u(o de poradores ma2ori-rios e minori-rios
arav*s de uma homo32un+,o semiconduora p4n com a po!ari5a+,o e(erna$
Po!ari5a+,o nu!a' - no material tipo p% os buracos so portadores maiorit!rios e os eltrons so
portadores minorit!rios# $ no material tipo n% os eltrons so portadores maiorit!rios e os buracos
portadores minorit!rios# &p's a (uno pn% os portadores maiorit!rios se di)undem atravs da
(uno e recombinam-se# &p's al*umas recombina+es dos portadores maiorit!rios% o processo
cessa por"ue os eltrons so impedidos de atravessar a (uno devido , repulso por parte dos
volumosos ons ne*ativos e os buracos so repelidos pelos volumosos ons positivos# -s ons
im'veis da (uno do ori*em a uma zona isenta de transportadores maiorit!rios chamada de
re*io de depleo#
Po!ari5a+,o direa' - material tipo n li*ado ao terminal ne*ativo e material tipo p li*ado ao
terminal positivo de uma bateria exterior# $ transportadores maiorit!rios so repelidos p. a (uno e
podem so)rer combinao# $ os eltrons so repelidos pelo terminal ne*ativo e os buracos pelo
terminal positivo em direo , (uno# $ a barreira de ener*ia na (uno torna $se menor o "
permite " al*uns eltrons e buracos atravessem a (uno e se recombinem# $ passa*em de corrente
apreci!vel#
Po!ari5a+,o inversa' - material tipo n li*ado ao terminal positivo e material tipo p ao terminal
ne*ativo da bateria# $ os eltrons do material tipo n so atrados p. o terminal positivo e os buracos
do material tipo p so atrados p. o terminal ne*ativo% ambos a)astando $se da (uno# $ passa*em
de corrente muito )raca / corrente de )u*a)#
6) 7escreva o princ"pio de .uncionameno de um ransisor p4n4p na con.i%ura+,o #ase
comum$ Indique pe!o menos duas caracer"sicas requeridas para a re%i,o de #ase ransisor$
& (uno emissor-base est! polarizada diretamente e a (uno base-coletor est! polarizada inversa#
& polarizao direta provoca uma in(eo de buracos do emissor para a base# &l*uns dos buracos
in(etados na base desaparecem por recombinao com eltrons na base# & maioria dos buracos do
emissor atravessa a )ina base indo para o coletor% onde so atrados pelo terminal ne*ativo do
coletor# 0ma )orte dopa*em do emissor com buracos% uma li*eira dopa*em da base com eltrons e
uma base muito estreita% so )atores " )azem com "ue a maioria dos buracos do emissor passam a
atin*ir o coletor# 8ase' del*ada e li*eiramente dopada de modo "ue uma pe"uena )rao dos
transportadores de car*a do emissor se recombinem com os transportadores maiorit!rios de car*a
oposta da base# Emissor' emite transportadores de car*a# 1missor tipo p os transportadores so
buracos# 1missor tipo n transportadores so eltrons# Co!eor' absorve transportadores de car*a
vindos% sobretudo do emissor# 2oletor tipo p absorve buracos e coletor tipo n absorve eltrons#
9uncionameno do npn' onde tiver buraco troca por eltron e onde tiver eltron troca por buraco#
:) Es#oce a curva correne ; ens,o o#ida so# i!umina+,o para uma c*!u!a so!ar de si!"cio
monocrisa!ino$ Apresene seu circuio e!*rico equiva!ene$ E(p!ique dea!hadamene o
princ"pio de .uncionameno dese disposiivo$
0ma clula solar corresponde basicamente a um diodo com a di)erena de " na clula um dos
eltrons met!licos " )azem o contato eltrico com o circuito tem a )orma de uma *rade para
permitir a passa*em da radiao# & ener*ia dos )'tons absorvida no semicondutor e trans)ormada
em eltrica# & absoro da luz *era pares de portadores adicionais nos lados n e p da (uno#
P1 MATERIAIS ELETRNICOS
1) Suponha que vc disponha de um monocrisa! de si!"cio dopado com #oro$ Responda as
se%uines ques&es'
a) Proponha uma mona%em e(perimena!) inc!uindo o circuio e!*rico) para a medida da
varia+,o da conduividade e!*rica dese maeria! com a emperaura$

A
k
#
=

1
=
3 ser! calculado pelos valores de corrente no circuito e a "ueda de tenso na amostra# 4e obtm o
valor da resistividade e conse"uentemente da condutividade# & amostra pode estar submetida a
varia+es de temperatura de modo "ue pode-se plotar um *r!)ico relacionado aos valores
calculados de 5 contra 6#
b)



#) Es#oce um %r-.ico represenaivo da curva de varia+,o da conduividade e!*rica dese
semiconduor e(r"nseco com a emperaura de medida) para emperauras variando da
emperaura am#iene a* /00
0
C$ E(p!ique cada re%ime de condu+,o o#servado$
1) domnio intrnseco; & condutividade dentro deste domnio estar! relacionada com as impurezas
de dopa*em# 7este caso o aumento de temperatura ir! *erando uma ocupao dos nveis
8
&
9
1
2
3
1v
/banda de val:ncia )
7veis aceitadores
1c
/banda de conduo)
aceitadores introduzidas pelo ;# & inclinao da reta menor nos *ap# & inclinao da reta
menor pois o *ap de ener*ia menor
2) domnio de saturao das impurezas- 7este caso% temos uma etapa de transio entre < e << onde
todos os nveis aceitadores se encontram preenchidos de )orma "ue as impurezas se encontram
=saturados ># &ssim o aumento de temperatura pode at *erar decrscimo na condutividade pela
diminuio da mobilidade dos portadores devido a vibra+es na rede /comportamento met!lico )%
pois ainda no h! ener*ia trmica su)iciente para aumentar a "uantidade de portadores pois o *ap
aumentou# 3) domnio intrnseco- & condutividade neste domnio est! relacionada ao
comportamento do semicondutor intrnseco do material pois uma vez es*otado os nveis
aceitadores os eltrons tem "ue saltar o *ap da banda de val:ncia para a banda de conduo# &
inclinao da reta maior por"ue maior a ener*ia #
1) Es#oce as curvas correne versus ens,o o#idas no escuro e so# i!umina+,o para uma
c*!u!a so!ar de Si!"cio monocrisa!ino$ E(p!ique dea!hadamene o re%ime de .uncionameno
dese disposiivo nas duas condi+&es de i!umina+,o apresenadas
2orrente apreci!vel pois )icar! eltron "ue sai de n para p entrar! um novo da batera# &lm disso
o eltrons do lado p so atrados pelo potencial positivo da bateria e se criam novos buracos#
?or isso a polarizao direta )az cair a barreira de potencial e no reversa a )az aumentar#
7o caso iluminado% a concentrao do portadores minorit!rios si*ni)icamente aumentada
e assim se percebe um )luxo de deriva perceptvel em condio reversa /l: no *r!)ico)% o )luxo de
di)uso praticamente no ocorre pelo mesmo motivo demonstrado anteriormente# &ssim% a
corrente de curto circuito /isc) no zero como no caso anterior e h! uma tenso de circuito aberto#
7a condio )ormada haver! tambm o )luxo de portadores maiorit!rios e assim no *r!)ico
8@< a curva sobre exponencialmente cruzando o zero do eixo < em um valore de tenso /8dc)
di)erente de zero e assim h! tenso de circuito aberto#
6) 7escreva o princ"pio de .uncionameno de um ransisor p4n4p na con.i%ura+,o #ase
comum$ Indique pe!o menos duas caracer"sicas requeridas para a re%i,o de #ase ransisor$
2on)i*urao base comum
Auno emissor- base - polarizada diretamente
Auno coletor base- polarizada reversamente
2aracterstica da base
- su)iciente )ina
- baixo nvel de dopa*em em relao ao emissor
2omo a (uno emissor base est! polarizada diretamente% h! )orte in(eo de lacunas na re*io de
base# 1ssa corrente ser! diminuda pois a re*io de base e do tipo n rica em eltrons para
recombinao# &ssim essa corrente de recombinao ser! pe"uena pelo baixo nvel de dopa*em da
base e sua espessura )ina# & corrente de lacunas se*ue ento para o coletor onde a corrente atrada
pelo potencial ne*ativo da bateria% pois uma (uno estar! polarizada inversamente#
:3 di.erencie o Si!"cio de %rau mea!<r%ico do Si!"cio de %rau e!er=nico$ 7escreva uma
poss"ve! roa para produ5ir aru%os de Si!"cio po!icrisa!ino de %rau e!er=nico
-
p
n
p
B - B
- slcio de *rau metalr*ico o silcio produzido pela reduo carbotrmica do 4i-
2
em )orno
eltrico a arco submerso# 4eu teor de pureza vari!vel de CD a CC%E F/com seleo de matria
prima)#
?or conter muitas impurezas% tanto eletricamente ativas "uanto inativas) no se conse*ue che*ar a
)abricao de dispositivos semicondutores a partir do silcio de *rau metalr*ico# - silcio de
*rau eletrGnico o silcio de alto teor de pureza% as impurezas eletricamente ativas so da ordem de
ppb # 1sse silcio obtenvel por tcnicas so)isticadas de processamentos#
&s tcnicas "ue possibilitam a )abricao de silcio de *rau eletrGnico so tcnicas
indiretas% ou se(a% obteno de um composto de 4i% *eralmente um haleto% o "ual puri)icado e
ap's se promove a "uebra desse composto e se conse*ue o 4i de *rau eletrGnico#
0ma rota a da triclorosilana /4iH2l
3
) # & triclorosilana obtida atravs da reao de 4i de
*rau metalr*ico com H2l anidro o "ual tambm promove a cloretao das impurezas# &p's a
)iltra*em de resduos s'lido% o produto se*ue para colunas de destilao altamente seletoras# &ssim
se separa a triclorosilana pela di)erena de volatilidade desta das impurezas# 4omente o ;2l
3
evapora antes do 4iH2l
3
e se*uem para outras colunas de destilao# &o )inal se obtm a 4iH2l
3
de
*rau eletrGnico# & "ual levada a um reator (unto com H
2
e so)re "uebra a altas temperaturas
/I1JJJK2) depositando o 4i met!lico em um substrato de 4i de *rau eletrGnico /"ue imita a
recombinao)# & deposio policristalina pois assim se conse*ue obter maiores velocidade de
deposio# & viabilidade econGmica se d! pelo reaproveitamento de subprodutos e recicla*em de
rea*entes "ue no rea*iram# - processo deve ser altamente vedado pois a introduo de -
2
pode
provocar explos+es% ao entrar em contato com H
2
principalmente a altas temperaturas#
P1 MATERIAIS ELETRNICOS >1? chamada)
1- &travs da )'rmula da condutividade indi"ue "uais os parLmetros respons!veis "ue
in)luenciam na condutividade% com a variao de temperatura
3M
nq =
;astava% colocar a )ormula e explicar como o a"uecimento *era um aumento do nmero de
portadores diminuindo a mobilidade e o livre caminho mdio
1 tambm o "ue no concordo com ele% de como as impurezas in)luenciam nesta merda#
2-)a)- "ue )otocondutividade e como )unciona uma m!"uina de xrox preto e branco
b)2omo se produz uma (uno p-n a partir de uma semicondutor de silcio dopado do tipo n
3-)1xpli"ue o "ue ocorre na (uno p-m com 8NJ% polarizao direta% polarizao reversa
O-)1xpli"ue sucitamente dando as rea+es e temperaturas como se d! a )ormao do silcio de
*rau metalr*ico e silcio de *rau eletronico
PRO@A 7E MATERIAIS ELETRNICOS 1011$1
1 $ 0m semicondutor de silcio est! dopado com 1%Ox1J
1P
!tomos de boro.cmQ e 1%Jx 1J
1R
!tomos
de )'s)oro.cmQ
a) Identifique se o material resultante trata-se de um semicondutor extrnseco do tipo p ou n.
Justifique sua resposta.
b) Esboce um grfico representativo da variao da resistividade eltrica deste material com
a temperatura! para temperaturas de medida variando da temperatura ambiente at
"##$%. Explique detal&adamente cada regime de conduo eltrica observado.
2 $ a) Sisserte sobre a )otocondutividade e como )unciona um scanner#
c) Explique como se produ' uma (uno do tipo p)n a partir de um semi condutor de silcio
dopado do tipo n.
3 $ 1sboce a curva corrente versus tenso /< x 8) obtida sob iluminao para uma clula solar de
silcio monocristalino# &presente seu circuito eltrico e"uivalente% explicitando o "ue cada
elemento representa# 1xpli"ue detalhadamente o princpio deste dispositivo#
O $ Sescreva detalhadamente o processo de produo do silcio de *rau metalr*ico e eletrGnico e
dar as temperaturas de cada reao envolvida nos processos#