Leffet photovoltaque

Leffet photovoltaque a t dcouvert par Alexandre Edmond Becquerel en 1839. Il est

obtenu par absorption des photons dans un matriau semi-conducteur, lequel gnre alors une
tension lectrique. Les cellules photovoltaques produisent du courant continu partir du
rayonnement solaire qui peut tre utilis pour alimenter un appareil ou recharger une batterie.
(Source : EF4, facilitateur photovoltaque).
Un matriau semi-conducteur
Un effet photolectrique interne
Une jonction PN

Un matriau semi-conducteur

Un matriau semi-conducteur est un matriau dont la conductibilit lectrique peut varier en
fonction des conditions dans lesquelles il se trouve.
Cest la mcanique quantique et la thorie des bandes qui permettent dexpliquer ce
comportement. Schmatiquement, le phnomne peut tre reprsent de la manire suivante :
Le niveau dnergie dun lectron dun atome ne peut prendre quun certain nombre de
valeurs discrtes. Ces plages sont appeles "bandes dnergie". Suivant leur niveau dnergie,
les lectrons peuvent soit se trouver dans une bande de valence ou dans une bande de
conduction. Dans le premier cas, ils contribueront aux liaisons de l atome, dans lautre, la
conductibilit du matriau. Entre ces bandes, il existe des bandes dites "interdites",
correspondant aux valeurs nergtiques que llectron ne peut prendre.
Pour les matriaux conducteurs, cette bande interdite nexiste pas. Les lectrons de liaisons
contribuent alors directement la conductibilit. Pour les matriaux isolants, cette bande est
quasi infranchissable tant lnergie ncessaire est importante. Pour les semi-conducteurs, cette
bande interdite est suffisamment petite pour permettre un passage ais des lectrons de la
bande de valence la bande de conduction.
Cette reprsentation permet dexpliquer la diffrence de comportement la chaleur des
conducteurs et des semi-conducteurs. Dans un mtal, les lectrons de valence soumis la
chaleur sagitent, diminuant la zone conductrice de la bande dnergie. La rsistance
augmente donc avec la temprature. Pour les semi-conducteurs, une augmentation de la
temprature favorise le passage des lectrons situs sur la bande de valence vers la bande de
conduction, amliorant la conductibilit de latome (diminution de la rsistance).

Remarque : le niveau de fermi reprsente le plus haut niveau dnergie que les lectrons
peuvent prendre une temprature de 0K.
Il est possible daugmenter la conductibilit dun semi-conducteur par un procd chimique,
appel dopage, qui consiste insrer des impurets dans le semi-conducteur.
On ralise ainsi des semi-conducteurs de type n et des semi-conducteurs de type p.
Pour obtenir un matriau de type n, on dope le matriau semi-conducteur (gnralement du
silicium) avec un lment de valence suprieure (possdant plus dlectrons que le semi-
conducteur), comme le phosphore, afin dajouter des lectrons la bande de conduction. La
conduction est alors assure par le dplacement de ces lectrons.

Pour obtenir un matriau de type p, on dope le matriau semi-conducteur par un lment de
valence moins importante, comme le Bore, afin de diminuer le nombre dlectrons de la
bande de valence. La conduction est alors assure par le dplacement de porteurs chargs
positivement (trous correspondant au manque dlectrons).


Un effet photolectrique interne

Le rayonnement solaire est constitu de photons dont lnergie est dcrite par la relation suivante :
E [J]=hv=h.c/
Avec,
h : constante de Planck.
: longueur donde [m].
v : frquence [Hz].
Quand un photon heurte la cellule, il transmet son nergie aux lectrons des semi-
conducteurs. Si lnergie absorbe est suffisante pour permettre le passage de la bande
interdite (hv > Egap = Econcuction - Evalence), ces lectrons quittent leur bande de valence et
entrent dans la bande dite de conduction. Cette mission d'lectrons et des trous
correspondants (on parle de paires lectron-trou) due l'action de la lumire est appele effet
photolectrique interne (car les lectrons ne sont pas jects en dehors de latome). Les
proprits physiques du matriau sont alors modifies et celui-ci devient conducteur
(photoconductivit). Si linverse lnergie du photon nest pas suffisante, il traverse le
matriau sans transmettre dnergie.

Ainsi, un matriau semi-conducteur dont la bande interdite est comprise entre 0.7 et 0.4 eV
est un matriau dit photovoltaque du spectre solaire.
Le dfi est de rcuprer la paire lectron-trou ainsi gnr, car si celle-ci nest pas rcupre
suffisamment rapidement il y a recombinaison entre llectron et le trou. Pour pouvoir
valoriser le potentiel lectrique de cet effet, on utilisera la diffrence de potentiel induite par
une jonction pn.

Une jonction PN

Une cellule solaire est compose dune jonction p-n, la couche suprieure tant un matriau
de type n et la couche infrieure de type p. Pour fabriquer ces jonctions, on effectue un
traitement de surface pour dposer un semi-conducteur de type n sur la surface externe dun
matriau de type p.

La mise en contact de ces matriaux gnre une barrire de potentiel la base du champ
lectrique permanent. Cette barrire, appele zone de dpltion, est forme par recombinaison
du surplus de trous et dlectrons des zones p et n remis en contact. Le schma suivant
reprsente les niveaux dnergie au voisinage de la jonction :

Si la temprature dune telle jonction augmente, les lectrons rempliront progressivement tous
les tats dnergie, annulant la bande interdite et par l, leffet de la jonction p-n.
Une telle jonction prsente un comportement bien caractristique selon quelle soit soumise
une diffrence de potentiel dans le sens direct ou dans le sens inverse.
La polarisation directe de la jonction (en respectant les bornes) provoque un abaissement de
la barrire de potentiel et permet un passage important de courant d aux porteurs
majoritaires.

La polarisation inverse provoque un renforcement de la barrire de potentiel (largissement
de la zone de dpltion par recombinaison) et un courant d aux porteurs minoritaires (trous
dans le type n et lectrons dans le type p). Ce courant, trs faible, varie peu en fonction de la
tension.

Cette caractristique est la base des diodes lectriques, composant lectronique qui ne
permet le passage de courant que dans un sens.
Ce schma montre la relation typique entre lintensit du courant et le potentiel dun tel
composant :

Pour crer un courant utilisable dans cette jonction p-n, deux moyens sont possibles :
Soit abaisser la barrire de potentiel (grce une polarisation directe). La jonction est
alors rceptrice (diodes de redressement).
Soit, fournir une nergie supplmentaire (dorigine lumineuse, thermique) aux
porteurs de la bande de valence. La jonction est alors gnratrice.
Il ne reste alors plus qu collecter les charges avant leur recombinaison.
Influence de lclairement
L'effet du rayonnement lorsquil fournit assez d'nergie (si celle-ci est suprieure la largeur
de la bande interdite) fait apparatre des paires supplmentaires dlectron trou porteur
(apparition simultane d'un porteur n et d'un porteur p) dans la jonction.
Les porteurs p ainsi crs ont tendance migrer vers le matriau p et les porteurs n vers le
matriau n, renforant la barrire de potentiel. Une partie des porteurs gnrs par le
rayonnement sera elle aussi soumise divers phnomnes de recombinaison (disparition
simultane d'un porteur n et d'un porteur p).

Lclairement a deux effets sur le fonctionnement :
Si le systme fonctionne en mode rcepteur (quadrant III) : la rsistance diminue avec
lclairement, cest la photorsistance.
Si le systme fonctionne en mode gnrateur (quadrant IV) : le courant "court-circuit" est
proportionnel lclairement et la tension vide est celle de la diode en polarisation directe.
Cest la cellule photovoltaque jonction PN. Cest sur ce quadrant IV que sont bases
les caractristiques des cellules :
Reprsentation thorique et quation dune "cellule idale".

Avec,
Icc [A] : courant de court-circuit d lclairement E
Vco : tension en circuit ouvert.
Pour crer un courant, on place des lectrodes sur chacun des matriaux et on les relie par un
circuit lectrique. Ces raccordements et leur fabrication provoqueront des effets rsistifs
parasites qui diffrencieront les caractristiques relles des cellules de ce comportement
thorique.
> Pour en savoir plus sur les caractristiques des cellules.