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EVALUATION DU MODELE CAPACITIF D’UNE STRUCTURE D’ELECTRONIQUE DE PUISSANCE Vincent ARDON * , * *
EVALUATION DU MODELE CAPACITIF D’UNE STRUCTURE D’ELECTRONIQUE DE PUISSANCE Vincent ARDON * , * *

EVALUATION DU MODELE CAPACITIF D’UNE STRUCTURE D’ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

Vincent ARDON *,** , Jérémie AIME *,+ , Olivier CHADEBEC * , Edith CLAVEL * , Yann LE FLOCH **

(*): G2Elab, BP 46 – 38402 St Martin d’Hères Cedex, ( + ): Corporate Research Center Science & Technology Schneider Electric 37, Quai Paul Louis Merlin F – 38050 Grenoble Cedex 9 (**): Cedrat, 15 rue de Malacher Inovallée – 38246 Meylan Cedex

vincent.ardon@g2elab.inpg.fr

Résumé. Ce document présente la modélisation des capacités parasites d’interconnexions d’une structure d’électronique de puissance à l’aide de la Méthode des Moments (MoM). Couplées à un schéma R-L-M obtenu à l’aide de la méthode PEEC (Partial Equivalent Element Circuit), ces capacités permettent d’établir un schéma électrique équivalent à constantes localisées complet de toute structure de convertisseur statique pour en étudier ses performances CEM (Compatibilité Electromagnétique) conduites. Dans cet article, l’application de cette méthode de modélisation à une structure de hacheur série est présentée. Par ailleurs les résultats obtenus ont été comparés à la fois à des mesures effectuées sur un prototype et à la Méthode des Eléments Finis (FEM). Pour finir, une étude fréquentielle du courant de mode commun est présentée avec une confrontation des différents modèles établis.

I. INTRODUCTION

Actuellement, pour les applications d’électronique de puissance, la modélisation des pistes de connexions repose sur l’établissement d’un schéma inductif (R-L- M) basé sur la méthode PEEC. Ce schéma est tout à fait adapté à la recherche d’impédance équivalente ou d’évaluations de courants pour des gammes de fréquences allant jusqu’à la centaine de mégahertz. Au-delà, il faut tenir compte des capacités parasites surtout si l’on veut pouvoir évaluer les performances CEM de la structure. Aussi, dans cet article, après un bref état de l’art des techniques de calcul des capacités parasites, une présentation des méthodes de modélisation retenues sera détaillée. Ensuite son application sur une structure réelle de convertisseur statique sera présentée suivi d’une comparaison avec des mesures. Le schéma électrique équivalent ainsi obtenu de la structure étudiée peut alors servir à évaluer les performances CEM du dispositif complet à savoir l’étude fréquentielle du courant de mode commun.

II. ETAT DE L’ART DU MODELE

La recherche d’un schéma électrique équivalent de la connectique au sein d’une structure d’électronique de puissance repose sur deux types de schémas. Tout d’abord, grâce à la méthode PEEC, un schéma résistif et inductif peut être établi avec, par exemple, l’utilisation du logiciel InCa3D ® [1]. Grâce à ce schéma, il est possible de prendre en compte à la fois les effets de peau et de proximité qui agissent sur la répartition du courant dans les différents conducteurs [2]. Par ailleurs, le schéma électrique obtenu complété par des modèles de composants de puissance permet alors d’établir les formes d’ondes en courant et tensions de la structure de convertisseur statique [3]. Ce schéma équivalent permet de modéliser toutes les pertes dues aux connexions et permet de calculer le champ électromagnétique proche [4] rayonné par la structure. Jusqu’à présent, ce schéma résistif et inductif R-L-M suffisait pour caractériser entièrement une structure d’électronique de puissance vis-à-vis des grandeurs précédemment citées. Mais cela est insuffisant quand il s’agit d’évaluer toutes les performances CEM de la structure pour une gamme de fréquences très étendue. On dispose certes des couplages inductifs mais pour caractériser les perturbations de mode commun il manque les capacités parasites et les couplages entre pistes. C’est pourquoi il faut ajouter au schéma PEEC R-L-M un schéma capacitif. Cependant le calcul de celles-ci n’est pas aussi immédiat que pour les inductances propres et mutuelles inductances.

III.

CAPACITES

III.1 Analytique Il existe dans la littérature des formulations analytiques permettant de calculer les capacités en fonction des dimensions géométriques du dispositif et des caractéristiques des matériaux [5]. Mais cette approche, reposant sur des géométries de connexions

DES

EVALUATION

SYSTEMATIQUE

simples, n’est pas facilement généralisable aux dispositifs que nous souhaitons modéliser et est souvent insuffisante. Par ailleurs, on se pose souvent la question de la localisation des capacités parasites sur le schéma électrique équivalent inductif issu de la modélisation PEEC des connexions lorsqu’on a des géométries complexes. Jusqu’alors la solution la plus simple est de positionner une capacité à l’endroit d’un fort dV/dt. Mais ceci est trop limitatif et ne permet pas de reproduire fidèlement le comportement lorsque le convertisseur statique est complexe. Par ailleurs, une autre approche est d’utiliser le schéma inductif issu de la modélisation PEEC pour en déduire les capacités parasites du dispositif. Etant donné que l’on dispose de la matrice inductance [L], le simple calcul [L][C] = µ pour obtenir les capacités peut être envisagé. Néanmoins, les hypothèses qu’il est nécessaire d’effectuer sont trop réductrices [6]. En effet, cela suppose d’une part de bien connaître les permittivités r et de plus d’avoir un milieu homogène. Se ramener à une permittivité r effective n’est pas toujours possible. Aussi, on préfèrera une approche numérique plus généralisable.

III.2 Méthode des éléments finis

La méthode des éléments finis (FEM) est bien connue pour être généraliste et permettre une résolution numérique des équations de Maxwell partout dans l’espace. Aussi nous pouvons l’utiliser pour résoudre en électrostatique le problème complet. Après avoir maillé en volumes toute la géométrie, on

calcule le potentiel V ainsi que le champ électrique E partout dans l’espace (air, conducteurs, diélectriques) en résolvant une combinaison des équations de

Maxwell (1) où D est le champ de polarisation, ε, la permittivité du milieu, et ρ, la source de charges électriques.

E


D

=

(

grad V

)

=

.

E

div

(

.

(

grad V

))

=


(

div D

)

=

(1)

Puis on recherche la répartition des charges Q sur les surfaces conductrices ( ) en utilisant l’équation (2) où f une fonction de base qui regroupe les nœuds de la région concernée [7].

∫∫

L’avantage de cette méthode est que la matrice d’interaction reliant les charges Q aux potentiels V est creuse. Cependant la FEM nécessite un maillage volumique de toute la géométrie, incluant l’air environnant, ce qui augmente le temps de calcul car pour les structures étudiées la quantité d’air est prépondérante.

Q =

D.grad f d

(

)

(2)

III.3 Méthode des moments Nous pouvons utiliser aussi, une autre méthode numérique, la Méthode des Moments (MoM) [8]. Contrairement à la FEM, seules les surfaces des conducteurs et des diélectriques sont maillées, ce qui est un grand avantage pour les applications visées. Cette méthode modélise les interactions à distance en potentiel, à la surface des conducteurs, et en champ normal, à la surface des matériaux diélectriques avec une formulation de charges équivalentes. Les charges libres sont représentées aux surfaces conductrices ou diélectriques en supposant que les conducteurs sont idéaux et placés dans un milieu homogène constant. Chaque surface est maillée en n éléments surfaciques triangulaires ou rectangulaires supposés uniformément chargés. Ainsi chacun des n éléments surfaciques produit un potentiel V k donné par (3) où S i est la surface i à l’interface conducteur- diélectrique ou diélectrique - diélectrique de charge

Q i ,

des

surfaces k et i et la permittivité relative du vide.

r ki

est

la

distance

0

entre

les

barycentres

V

k

=

n 1 Q 1 i ∑ ∫∫ dS 4πε 0 i = 1 S i
n
1
Q
1
i
∫∫
dS
4πε
0 i
= 1
S i
S
i r ki

i (3)

Il faut noter que les intégrales surfaciques sont calculées numériquement par une méthode de collocation de points de gauss. En revanche lorsque l’on calcule le potentiel produit par un élément surfacique sur lui-même, l’intégrale diverge

). C’est pourquoi, pour

numériquement (

augmenter la précision, nous calculons analytiquement le potentiel d’un élément sur lui- même au barycentre pour une surface rectangulaire de côtés a et b ou au sommet d’un triangle BHS rectangle en H (4) [9-10].

r ii
r ii

0

  V   1 Q  b + a² + b²  
 V
1 Q
b
+
+
a
+
+
(
B =
)
 a.log
+ b.log
rect
2πε
a
b
0
S  
 
 
 
 
1 Q
SH²
BH²
(
B =
)
SH
+
+
BH.log
V tri
4πε
BH
0
S  

(4)

En ce qui concerne le potentiel au barycentre d’un triangle quelconque S 1 S 2 S 3 , il suffit de projeter

orthogonalement le barycentre B sur les trois arrêtes

et d’ajouter les potentiels créés par les six triangles

BH i S i rectangles en B obtenus par cette décomposition avec la relation précédente.

De plus à l’interface diélectrique – diélectrique, le saut de la composante normale du champ à une surface k donne (5) où ε r1 et ε r2 sont les permittivités relatives des deux milieux [11].

 ε + ε Q E ) r1 0 ( r2 = .n P (
ε
+ ε
Q
E
)
r1
0
(
r2
=
.n P
(
P )
0
(
ε
ε
)
S
0
r1
r2
N
1
Q
r .n P
(
)
 E
.n P
(
)
i
= ∑
i ∫∫
dS
0
i
3
4πε
0 i
= 1
S i
S
i
r
i

(5)

Ainsi, à partir des relations (3) et (5), on obtient la matrice d’interaction carrée [P/E] en mettant les charges Q à 1C sur chaque surface conductrice et diélectrique. Cette matrice est pleine, de dimension le nombre d’inconnues au carré. Considérons respectivement n c et n d éléments surfaciques conducteurs et diélectriques, n = n c + n La matrice d’interaction aura l’allure suivante (6)[12].

P

M

E

nc

1,1

P

nc

,1

+

1,1

M

E

n

,1

K

K

K

K

P

1, n

M

P

nc n

,

E

nc

+

1,

E

M

n , n

n

.

Q

1

M

Q

nc

Q

nc + 1

M

Q

n

=

V

1

M

V

nc

0

M

0

(6)

Enfin, à partir des potentiels V connus, on déduit les charges Q présentes sur les surfaces des conducteurs Q c et des diélectriques Q d en utilisant la résolution linéaire suivante (7).

Q =

Q

c

Q

d

=

P

E

1

.

V

0

c

(7)

III.4 Evaluation des capacités La répartition des charges Q étant connue à l’aide de l’une ou l’autre des méthodes précédemment présentées, l’évaluation de la matrice des capacités [C] entre n régions s’effectue par n résolutions selon la région concernée de la façon suivante (8):

C

ij

=

N

k = 1

(

j

r k

)

q

k

(

j

)

Cond

Cond

i

j

= 1

=

V

0

V

,

i

π

j

(8)

tient compte l’interface de la surface k

Le terme

du

permittivité

l’extérieur et

volumique (ou surfacique) et collé à un diélectrique de

) si le conducteur est

( j)

r k

conducteur

r

j

avec

vaut

r +

un

diélectrique,

dont

la

1

si

c’est

de

l’air

à

1)/ 2

relative

(ou (ε

permittivité

Il faut remarquer que la matrice [C] est carrée de taille

n² et symétrique. Les termes

représentent les capacités mutuelles entre les

sont

conducteurs i et j. Les termes de la diagonale

r

.

C sont négatifs et

ij

C

ii

modélisent les capacités propres du

conducteur i par rapport à un plan de masse de référence.

positifs et

IV. APPLICATION A UNE STRUCTURE

IV.1 Structure étudiée La structure étudiée pour mettre en œuvre cette modélisation est un hacheur élévateur réalisé sur du circuit imprimé 35µm de cuivre et 1.6mm d’époxy à 28mm d’un plan de masse en cuivre de 1.3mm d’épaisseur (Fig.1).

28mm 28mm Ground Plan de masse plane Potentiel flottant PotentielPotentiel flottantflottant L L = 900µH
28mm
28mm
Ground Plan de masse plane
Potentiel flottant
PotentielPotentiel flottantflottant
L L
= 900µH
= 900µH
V e
V
VV
e e
Driver
Driver

Fig.1 – Géométrie du hacheur.

Seules les pistes sont modélisées, les composants d’électronique de puissance sont supposés parfaits. On recherche à la fois les capacités de couplage entre pistes et celles entre pistes et plan de masse (Fig. 2). Ceci fait un total de 28 capacités à calculer. Cependant certaines capacités entre pistes éloignées seront négligées comme C 25 ou C 24 .

En mesure, douze capacités prépondérantes ont été

identifiées, en négligeant comme en modélisation

certains couplages entre pistes éloignées.

Plan de masse Plan de masse C C C C 74 74 C C 72
Plan de masse
Plan de masse
C C
C C
74 74
C C
72
72
7
77
71 71
4 44
C C
34 34
C C
2
22
73 73
11 1
C C
C C
33 3
12 12
32 32
C C
Diélectrique
Diélectrique
C C
53 53
16 16
C C
66 6
56 56
Conducteur
Conducteur
55 5
C C
C
C
76 76
75
75

Fig.2 – Capacités recherchées.

IV.2 Résultats de modélisations Les deux méthodes numériques présentées précédemment, FEM et MoM, ont été mises en œuvre sur le dispositif étudié pour calculer la valeur des capacités recherchées. Sur la figure 3 sont présentés les maillages du problème avec la FEM (FLUX3D ® [13]) et la MoM. Nous pouvons observer que le maillage avec la FEM est beaucoup plus fin (et de plus volumique) que celui de la MoM pour obtenir des résultats comparables (585 000 mailles en FEM contre 7 000 pour la MoM). On rappelle que seulement les matériaux actifs sont maillés pour la MoM. Par ailleurs, les pistes de cuivre ont été modélisées par des surfaces dans la MoM afin de limiter le nombre de mailles – et donc d’inconnues. D’un point de vue numérique, cette hypothèse ne change quasiment pas les résultats des capacités et permet un gain de temps et la possibilité d’augmenter la finesse du maillage.

et la possibilité d’augmenter la finesse du maillage. Fig.3 a – Maillage FEM b – Maillage
et la possibilité d’augmenter la finesse du maillage. Fig.3 a – Maillage FEM b – Maillage
et la possibilité d’augmenter la finesse du maillage. Fig.3 a – Maillage FEM b – Maillage
et la possibilité d’augmenter la finesse du maillage. Fig.3 a – Maillage FEM b – Maillage

Fig.3 a – Maillage FEM

b – Maillage MoM

Le Tableau I présente une comparaison entre les douze capacités calculées avec la FEM et la MoM sans le diélectrique.

FEM

MoM

%

C17

C27

C37

C47

C57

C67

C12

C23

C34

C53

C65

C16

1,40

1,00

2,19

0,66

4,31

1,36

0,14

0,03

0,42

0,56

0,16

0,23

1,48

1,05

2,33

0,69

4,48

1,44

0,13

0,03

0,38

0,50

0,15

0,21

5,90

5,18

6,73

4,28

3,81

5,67

8,91

8,45

9,56

10,92

7,57

8,89

Tableau I –Résultats (FEM MoM en pF) sans diélectrique

Nous pouvons observer une bonne corrélation entre les deux modélisations. Il y a environ 9% d’écart entre les capacités mutuelles entre pistes et 5% pour celles avec le plan de masse. Avec l’introduction du diélectrique, l’écart entre les deux méthodes numériques augmente certainement à cause de la finesse de ce dernier (1.6mm). En moyenne, l’écart est de 30% pour les capacités mutuelles et de 7% pour les autres. En parallèle, une campagne de mesures a été effectuée sur un prototype [14]. Malheureusement, en mesures, on ne peut pas avoir accès directement aux capacités simulées. Mais comme le montre la figure 4, à l’aide d’un analyseur d’impédance, il est possible d’obtenir

des combinaisons linéaires des douze capacités recherchées. Ainsi sur la configuration de la figure 4, la capacité mesurée est égale à C 1 +C 12 +C 61 . Onze autres mesures permettent alors d’identifier toutes les capacités recherchées.

alors d’identifier toutes les capacités recherchées. Fig.4 –Mesure de trois capacités en parallèle Mesure

Fig.4 –Mesure de trois capacités en parallèle

Mesure Mesure Mesure 6 6 6 MoM MoM MoM C17 C17 C17 C27 C27 C27
Mesure
Mesure
Mesure
6
6
6
MoM
MoM
MoM
C17
C17
C17
C27
C27
C27
C37
C37
C37
C47
C47
C47
C57
C57
C57
C67
C67
C67
5
5
5
Mesure
Mesure
Mesure
1,53
1,53
1,53
1,25
1,25
1,25
2,95
2,95
2,95
0,87
0,87
0,87
6,5
6,5
6,5
1,57
1,57
1,57
FEM
FEM
FEM
MoM
MoM
MoM
1,77
1,77
1,77
1,3
1,3
1,3
2,72
2,72
2,72
0,88
0,88
0,88
5,28
5,28
5,28
1,72
1,72
1,72
FEM
FEM
FEM
1,9
1,9
1,9
1,4
1,4
1,4
2,92
2,92
2,92
0,93
0,93
0,93
5,67
5,67
5,67
1,84
1,84
1,84
%
%
%
MoM/Mesure
MoM/Mesure
MoM/Mesure
15,7
15,7
15,7
4,0
4,0
4,0
7,8
7,8
7,8
1,1
1,1
1,1
18,8
18,8
18,8
9,6
9,6
9,6
%
%
%
FEM/Mesure
FEM/Mesure
FEM/Mesure
24,2
24,2
24,2
12,0
12,0
12,0
1,0
1,0
1,0
6,9
6,9
6,9
12,8
12,8
12,8
17,2
17,2
17,2
4
4
4
C12
C12
C12
C23
C23
C23
C34
C34
C34
C53
C53
C53
C65
C65
C65
C16
C16
C16
3
3
3
0,92
0,92
0,92
0,7
0,7
0,7
1,12
1,12
1,12
1,26
1,26
1,26
0,93
0,93
0,93
0,98
0,98
0,98
0,34
0,34
0,34
0,08
0,08
0,08
0,89
0,89
0,89
1,36
1,36
1,36
0,38
0,38
0,38
0,49
0,49
0,49
0,25
0,25
0,25
0,06
0,06
0,06
0,8
0,8
0,8
1,1
1,1
1,1
0,27
0,27
0,27
0,4
0,4
0,4
63,0
63,0
63,0
88,6
88,6
88,6
20,5
20,5
20,5
7,9
7,9
7,9
59,1
59,1
59,1
50,0
50,0
50,0
72,8
72,8
72,8
91,4
91,4
91,4
28,6
28,6
28,6
12,7
12,7
12,7
71,0
71,0
71,0
59,2
59,2
59,2
2
2
2
1 1 1
0
0
0
C17
C17
C17
C27
C27
C27
C37
C37
C37
C47
C47
C47
C57
C57
C57
C67
C67
C67
C12
C12
C12
C23
C23
C23
C34
C34
C34
C53
C53
C53
C65
C65
C65
C16
C16
C16

Fig. 5 – Résultats (Mesure, MoM et FEM en pF)

La figure 5 donne les résultats de mesures comparés aux modélisations. La mesure et les deux modélisations donnent des résultats relativement proches concernant les capacités entre les pistes et le plan de masse qui sont prépondérantes comparées aux capacités mutuelles. On obtient, pour la MoM, 10% d’écart avec la mesure et 13% pour la FEM. En revanche, on obtient respectivement 56% et 48% pour les capacités entre pistes. On peut donc supposer que les erreurs sur la mesure sont beaucoup plus prédominantes pour les capacités entre pistes car celles-ci sont vraiment très faibles.

IV.3 Performances CEM Dans la partie précédente, nous avons vu la démarche pour calculer numériquement les capacités parasites d’un dispositif d’électronique de puissance. Pour construire le schéma PEEC R-L-M-C complet du dispositif (Fig. 1), il suffit tout d’abord de générer le modèle R-L-M du dispositif à l’aide du logiciel InCa3D ® par exemple, d’importer ce modèle dans un solveur circuit et de rajouter les capacités évaluées précédemment. La figure 6 montre le résultat obtenu pour la structure de hacheur étudiée dans cet article. Par ailleurs, l’un des objectifs d’une telle simulation est d’évaluer le niveau de courant de mode commun

Fig. 6 – Schéma de simulation sous SABER Fig. 7 – Schéma de principe pour

Fig. 6 – Schéma de simulation sous SABER

Fig. 6 – Schéma de simulation sous SABER Fig. 7 – Schéma de principe pour étudier

Fig. 7 – Schéma de principe pour étudier le courant de mode commun

pour pouvoir le comparer aux normes en vigueur et conclure sur les performances CEM de la structure. Aussi pour se mettre dans les conditions de la norme, il faut rajouter un RSIL (Réseau Stabilisateur d’Impédance de Ligne). Et c’est le courant de mode commun qui se reboucle à travers les capacités parasites entre les pistes et le plan de masse que nous allons calculer. Vu la géométrie du dispositif, nous avons choisi de placer un RSIL en entrée et en sortie du hacheur (Fig. 7). Nous avons modélisé les douze capacités précédentes ainsi que toutes les autres capacités mutuelles entre pistes supérieures à 1femtoF. Nous avons mesuré les impédances des fils reliant le hacheur et les RSIL ainsi que celle de l’inductance du hacheur. Aussi une capacité de découplage a été ajoutée en entrée et sortie du hacheur. Cela donne le circuit complet simulé présenté figure 6. Les paramètres de la simulation sont les suivants, la fréquence de la commande est de 41kHz avec un rapport cyclique de 0,445 ; la tension d’entrée est de

60V.

Après un régime transitoire de 200ms, nous pouvons étudier le courant de mode commun en régime permanent. L’allure de ce courant sur la plage Ton de conduction du transistor ainsi que la tension drain- source du transistor sont présentés sur la figure 8.

source du transistor sont présentés sur la figure 8. Fig. 8 – Courant de mode commun

Fig. 8 – Courant de mode commun et tension drain- source sur Ton

Nous avons tracé la transformée de Fourier (FFT) du courant de mode commun pour trois configurations différentes :

- dans la première nous avons seulement mis les douze capacités obtenues par la mesure,

- dans la seconde, toutes les capacités supérieures à 1femtoF données par la MoM,

- dans la troisième, seulement la capacité C 37 calculée de façon analytique. Pour la troisième FFT, nous avons choisi d’utiliser le modèle analytique décrit au paragraphe III.1, c'est-à- dire de modéliser une seule capacité à l’endroit du plus fort dV/dt qui, dans notre cas, est le conducteur 3 (Fig.1-2). Effectivement, ce conducteur est soumis à un potentiel flottant qui oscille entre 0 et 109V à chaque période. Nous pouvons ainsi comparer les FFT des trois configurations (Fig. 9).On peut observer qu’il y a peu de différences entre les deux premières FFT, les fréquences de résonance sont identiques. Seules les valeurs des optima varient.

Fig. 9 – FFT des courants de mode commun Cela valide bien le choix de

Fig. 9 – FFT des courants de mode commun

Cela valide bien le choix de ne mesurer que les capacités mutuelles entre pistes proches. En revanche, concernant la troisième courbe, on observe beaucoup plus de différences par rapport aux deux premières. Effectivement, à partir de 300kHz, on note un décrochage de celle-ci par rapport deux aux autres. Cela qui justifie le choix de calculer toutes les capacités parasites de la structure afin que la modélisation soit la plus proche de la réalité à haute fréquence. Il faut remarquer que la méthode utilisée est basée sur l’hypothèse d’une absence de couplage entre les effets inductifs et capacitifs. C’est pourquoi nous avons choisi de tracer la FFT jusqu’à 50MHz seulement.

CONCLUSIONS

Nous avons vu les limites des modèles actuels qui ne tiennent compte que des effets résistifs et inductifs d’une structure d’électronique de puissance. Aussi, les modèles s’appuyant sur des formulations analytiques de calcul des capacités devient très vite insuffisant pour une étude CEM de dispositifs complexes. Cependant, une méthode générale, légère et pertinente pour ces types de dispositifs où l’air est prédominant, la Méthode des Moments, permet de calculer numériquement les capacités parasites entre tous les conducteurs. Nous avons vu que la modélisation avec la Méthode des Eléments Finis, avec le logiciel FLUX3D ® par exemple, devient trop lourde à mettre en place pour ce type de structure. Une fois le schéma R-L-M PEEC obtenu séparément, par exemple avec le logiciel InCa3D ® , il suffit d’ajouter les capacités parasites obtenues par la MoM pour obtenir un schéma PEEC complet. Enfin, il est désormais possible d’étudier les performances CEM conduites d’une structure d’électronique de puissance complexe à l’aide d’un solveur circuit sur une large bande de fréquences.

PERSPECTIVES

D’un point de vue numérique, on pourrait traiter des problèmes plus complexes avec la MoM pour un nombre d’inconnues beaucoup plus volumineux en utilisant par exemple la méthode rapide multipolaire

(Fast Multipole Method) qui repose sur une décomposition en harmoniques sphériques du potentiel et du champ permettant de ne pas calculer la totalité de la matrice d’interaction, ce qui est actuellement le point bloquant de la MoM.

Et d’un point de vue physique, on pourrait réaliser un couplage inductif et capacitif total pour pouvoir étendre la bande de fréquences de validité de la méthode.

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