1 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA CIRCUITOS DE DISPARO DE SCR TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 2 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT El UJT presenta 3 terminales: Un emisor (E), una base uno (B1) y una base dos (B2). Entre B1 y B2 la unijuntura tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria. Esta resistencia de interbase (RBB) y a 25C presenta valores dentro del rango de 4.7K a 9.1K. Figura 2.6.3 Grfica de las caractersticas de entrado de emisor de UJT LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 3 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT Las condiciones normales de operacin tpicas para un UJT se indican en la figura 2.6.3. Si el voltaje del emisor V E , es menor que voltaje puntual de pico Vp, el emisor presentar un comportamiento tal, de manera que, slo una corriente de fuga reversible IEO, fluir en su contorno. Cuando V E sea igual a Vp, y la corriente del emisor IE sea ms grande que la corriente de pico por punto Ip, el UJT se encender. En la condicin de encendido, la resistencia entre el emisor y la base uno ser muy pequea y la corriente del emisor se ver limitada por la resistencia en serie del emisor al circuito externo conectado a la base 1. LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 4 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT El voltaje puntual de pico del UJT vara en proporcin al voltaje de interbase VBB, de acuerdo a la siguiente ecuacin: V P = V BB + V D parmetro se llama la constante de razn intrnseca. El valor de se encuentra entre los valores de 0.51 y 0.82, y el voltaje VD, el voltaje del diodo emisor equivalente, est en el orden de 0.5 volt a 25C, dependiendo del modelo del UJT a utilizarse. Como se ha encontrado que Vp decrece con la temperatura, el coeficiente de temperatura para el 2N2646-47 es de alrededor de 3mV/C. La variacin del voltaje puntual de pico con la temperatura puede ser adscrita con la variacin en VD. Es posible compensar este cambio de temperatura, haciendo positivo el coeficiente de temperatura de RBB. LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 5 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT Si una resistencia RB2 es empleada en serie con la base 2 mostrada en la figura 2.6.4, la variacin de temperatura de RBB provocar que VBB se incremente proporcionalmente con la temperatura. Si RB2 es escogida correctamente, este incremento en VBB compensar el decremento en Vp dado en la ecuacin anterior. Sobre un rango de temperatura de 40C a 100C, la ecuacin (a) siguiente da un valor aproximado de RB2 para la mayora de modelos UJT. La ecuacin (b) se da solamente para los de la serie 2N489 MIL, 2N1671 y B y para los del tipo 2N2160. (a) .. R B2 = 10000/ V 1 (b) R B2 = 0.40 R BB / V 1 + (1 - ) R B1 / LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 6 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT El circuito de disparo bsico para el UJT empleado en aplicaciones con SCR es el oscilador de relajacin simple mostrado en la figura 2.6.4. En este circuito, el capacitor C, se carga a travs de R1 hasta que el voltaje de emisor alcanza el Vp, durante el cual el UJT se enciende y descarga a C, a travs de RB1. Cuando el voltaje del emisor alcanza un valor de 2 volts, el emisor se aproxima al nivel de conduccin, en el cual el UJT se apaga y el ciclo se repite. El perodo de oscilacin T, es independiente de la fuente de voltaje y la temperatura, dado como: T = 1/F = R 1 C 1 L n 1/1-n = 2.3 R1 C1 log1/1- Para un valor aproximado nominal de: =0.63, T =R1 C1. Figura 2.6.4 Circuito Bsico de Disparo para UJT LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 7 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT Las condiciones de diseo de los circuitos de disparo del UJT son muy amplios. En general, RB1 esta limitado a un valor por debajo de 100 ohms aunque valores arriba de 2 o 3 son posibles en algunas aplicaciones. El resistor R1 esta limitado a un valor entre 3K y 3Meg. El limite ms bajo en R1 se encuentra predeterminado por los requerimientos que la lnea de carga forma con la interseccin de R1 y V1 en la curva caracterstica del emisor a la izquierda del punto valle, donde el UJT no tender a apagarse. El lmite ms alto en R1se encuentra predeterminado por los requerimientos debidos a la corriente que fluye hacia el emisor donde el punto de pico es ms grande que el I1 para que el UJT se encienda. El rango recomendado para la fuente de alimentacin V1 va de 10volts a 35 volts. Si la salida del pulso VB1 del circuito est acoplada directamente, o a travs de resistencias en serie, a las compuertas de los SCRs, el valor de RB1 deber ser lo suficientemente bajo para prevenir que el voltaje de DC en la compuerta debido a la corriente de interbase que rebasa el lmite mximo del nivel de voltaje, no dispare a los SCR's. LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 8 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT Las condiciones de diseo de los circuitos de disparo del UJT son muy amplios. En general, RB1 esta limitado a un valor por debajo de 100 ohms aunque valores arriba de 2 o 3 son posibles en algunas aplicaciones. El resistor R1 esta limitado a un valor entre 3K y 3Meg. El limite ms bajo en R1 se encuentra predeterminado por los requerimientos que la lnea de carga forma con la interseccin de R1 y V1 en la curva caracterstica del emisor a la izquierda del punto valle, donde el UJT no tender a apagarse. El lmite ms alto en R1 se encuentra predeterminado por los requerimientos debidos a la corriente que fluye hacia el emisor donde el punto de pico es ms grande que el I1 para que el UJT se encienda. El rango recomendado para la fuente de alimentacin V1 va de 10volts a 35 volts. Si la salida del pulso VB1 del circuito est acoplada directamente, o a travs de resistencias en serie, a las compuertas de los SCRs, el valor de RB1 deber ser lo suficientemente bajo para prevenir que el voltaje de DC en la compuerta debido a la corriente de interbase que rebasa el lmite mximo del nivel de voltaje, no dispare a los SCR's. LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 9 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT Figura 2.6.1 Circuito Oscilador de Relajacin Bsico LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 10 EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA PROGRAMABLE PUT. El dispositivo de disparo PUT es un pequeo tiristor con una compuerta de nodo mostrado en la figura 2.6.5. Si el potencial en la compuerta se mantiene constante, el dispositivo se mantendr en estado de apagado hasta que el voltaje de nodo exceda el voltaje de la compuerta debido a un diodo en direccin al voltaje de cada. A este voltaje, el punto de pico se lleva a cabo y el dispositivo termina por encender. En el oscilador de relajacin mostrado en una misma figura, el voltaje de la compuerta del PUT se mantiene por una fuente de voltaje hecha por el divisor de tensin de R1 y R2. Este voltaje determina el voltaje puntual de pico Vp. La corriente puntual de pico Ip y la corriente puntual de valle Iv, depende de la impedancia equivalente en la compuerta. Figura 2.6.5 Oscilador de Relajacin con PUT LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 11 DISEO DEL OSCILADOR DE RELAJACIN PUT Y CIRCUITOS DE TIEMPO Una aproximacin sistemtica para el diseo de un circuito de oscilacin PUT aparece precisamente compleja debido a la versatilidad de PUT. A parte de esto, tambin presenta complicaciones debido a las grandes variaciones es su desempeo logrando con esto ser programadas en el circuito mediante el divisor de voltaje formado por R1 y R2. Considere los siguientes puntos clave: 1. El control puntual de pico, IP-IP, solamente es considerado en el caso para un intervalo largo de tiempo. Ambas constantes RT y CR son muy grandes, tenindose por lo consiguiente una muy baja resistencia equivalente paralela. 2. La corriente de Valle, IV, es un parmetro clave para el diseo en la operacin del oscilador de relajacin mediante CD. La mayora de los circuitos de disparo deducen su propia fuente de voltaje en trminos del estado de apagado del SCR. Cuando el PUT dispara al SCR, su fuente de voltaje sufre un colapso el cual provoca que se apague. El voltaje de Offset, VT, determina el mnimo valor de R1, jugando un papel importante en el desarrollo de largos intervalos de tiempo. LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 12 DISEO DEL OSCILADOR DE RELAJACIN PUT Y CIRCUITOS DE TIEMPO Veamos el siguiente problema de diseo: Se requiere un oscilador de relajacin que sea capaz de disparar un SCR del modelo C20 con una fuente de alimentacin de 12 volts. El rango de la frecuencia de operacin deber ajustarse de 5 a 50 pulsos por minuto. Solucin. Observando la figura del oscilador de relajacin PUT, aparentemente ningn problema se anticipa con IP debido a que se manejan altas frecuencias, pero esto no quiere decir que no haya dificultados en el diseo. La seleccin de CT es crucial ya que un valor muy pequeo no dispara al SCR y se es muy alto, provocar problemas directos con IV. Una manera para determinar los valores de VP y CT para el disparo de SCR, se hace analizando las curvas caractersticas de corriente de disparo en la compuerta contra el ancho de pulso que se tiene en la compuerta. Estas curvas representan la carga a ser entregada en la compuerta y la carga de disparo como funcin del tiempo. Si la carga entregada requerida, a cualquier constante de tiempo, el dispositivo se encender. Como e SCR C20, presenta un pulso de corriente exponencial de cada con un pico de 80 mA, se tiene una constante de tiempo R-C de 8 Ms. Sin embargo, despus de obtenida esta magnitud, es importante incorporar un factor de seguridad razonable para el diseo del circuito de disparo. A continuacin se elige un valor arbitrario de R2 = 39 ohms. Por lo que el valor de CT obteniendo de la ecuacin de RSCT mediante despeje es: CT = 0.2 MF. Con la corriente puntual de disparo de 80mA se determina VP: V P = I P Rs + 1V V P = (80mA) (39 ) + 1V = 4.1 Volts Donde 1 V es el voltaje aproximado para el estado de encendido del PUT. El valor calculado de es: = Vp/ES = 4.1/ 12 1/3 LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 13 DIODO DE DISPARO BILATERAL DIAC El diac, cono el modelo ST2, es esencialmente una estructura de transistor, mostrada en la figura 2.6.8, el cual exhibe una caracterstica resistencia negativa por arriba de la corriente de switcheo I(BR). La curva caracterstica del diac muestra que esta resistencia negativa, se extiende en la regin sobre el rango completo de corrientes por encima de I(BR), el cual el concepto de la corriente de estrechamiento IH no se aplica. Figura 2.6.8 Smbolo del DIAC LECCIN 1: Electrnica de Potencia Tema 1 Electrnica de Potencia 14 DIODO DE DISPARO BILATERAL DIAC El diac es bsicamente una combinacin inversa en paralelo de dos terminales de capas semiconductoras que permite la activacin o disparo en cualquier direccin. Las caterticas del dispositivo presentadas en la figura demuestran con claridad que hay un voltaje de conduccin en cualquiera de las dos direcciones. Se puede aprovechar al mximo la condicin de encendido en cualquiera de las dos direcciones de aplicacin de ca. Figura a) Caractersticas, b) Smbolo c) Construccin del DIAC