Alumno: Erick Amir Luna Gonzlez Dispositivos electrnicos

Tarea II
Transistor Tipos Smbolo Construccin Curva caracterstica | Aplicacin







Unin
bipolar







Pnp , npn


Zona de saturacin: El diodo
colector est polarizado
directamente y es transistor se
comporta como una pequea
resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente
de base no provoca un aumento de
la corriente de colector, sta
depende exclusivamente de la
tensin entre emisor y colector. El
transistor se asemeja en su circuito
emisor-colector a un interruptor
cerrado.

Zona activa: En este intervalo el
transistor se comporta como una
fuente de corriente , determinada
por la corriente de base. A
pequeos aumentos de la corriente
de base corresponden grandes
aumentos de la corriente de
colector, de forma casi
independiente de la tensin entre
emisor y colector. Para trabajar en
esta zona el diodo B-E ha de estar
polarizado en directa, mientras que
el diodo B-C, ha de estar polarizado
en inversa.

Zona de corte: El hecho de hacer
nula la corriente de base, es
equivalente a mantener el circuito
base emisor abierto, en estas
circunstancias la corriente de
colector es prcticamente nula y
por ello se puede considerar el
transistor en su circuito C-E como
un interruptor abierto.








Se usan generalmente
en electrnica
analgica aunque
tambin en algunas
aplicaciones de
electrnica digital,
como la tecnologa TTL
o BICMOS
Una unin
(unijuntura
bujp)



tipo N o P


Es un componente
electrnico que acta
como un interruptor
sensible al voltaje. A
diferencia de un transistor
de unin estndar, ste no
amplifica las corrientes y
como tal no se usa en
circuitos amplificadores.
En vez de eso su accin de
conmutacin lo vuelve til
para aplicaciones de
Lo hacen til en
circuitos de aplicacin
industrial, como son
circuitos de tiempo
(timers), osciladores,
generadores de onda,
y circuitos de disparo
para SCRs y TRIACs.
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activacin y
temporizacin.



Efecto de
campo




canal n y canal p


El transistor de efecto de
campo se comporta como un
interruptor controlado por
tensin, donde el voltaje
aplicado a la puerta permite
hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.
El funcionamiento del
transistor de efecto de campo
es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe
corriente en absoluto, frente a
los BJT, donde la corriente que
atraviesa la base, pese a ser
pequea en comparacin con
la que circula por las otras
terminales, no siempre puede
ser despreciada.




Mosfet
Tipo nMOS:
Sustrato de tipo p y
difusiones de tipo n.
Tipo pMOS:
Sustrato de tipo n y
difusiones de tipo p.





Tiene tres estados de
funcionamiento: El Estado de
Corte es cuando la tensin de
la puerta es idntica a la del
sustrato, el MOSFET est en
estado de no conduccin:
ninguna corriente fluye entre
fuente y drenador aunque se
aplique una diferencia de
potencial entre ambos.




Mesfet
La estructura se completa
con otros dos electrodos
metlicos depositados
sobre la superficie del
semiconductor, en sus
extremos formando un
contacto hmico con el
semiconductor. Uno de los
electrodos acta de fuente
o surtidor (S) y el otro de
drenado o sumidero (D)



Es conceptualmente Similar al
JFET discutido ms arriba,
desde un punto de vista
prctico puede operar a
frecuencia Bastantes altas, en
la regin de las microondas.
Formado por una unin metal-
semiconductor (de ah el
nombre de MESFET)El
funcionamiento del MESFET es
muy similar al del JFET
estudiado en los apartados
anteriores. De hecho, la capa
comunicaciones militares
Como parte delantera
amplificador de bajo ruido
de receptores de
microondas, tanto
militares de radar y
dispositivos de
comunicacin.
comunicaciones por
satlite
Como amplificador de
potencia para la etapa de
salida de enlaces de
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epitaxial semiconductora
acta como canal efectivo
para los portadores ya que
est limitado en su parte
inferior por el substrato
semiaislante. Si el canal es de
tipo 1, el electrodo de Puerta
se polariza negativamente con
lo cual se forma una regin de
carga espacial en el
semiconductor vaca de
portadores que controla la
anchura efectiva del canal.
Asimismo, en el modo normal

microondas.
Como un oscilador de
potencia.


IGBT


PT Y NPT
Cuando se le es aplicado un
voltaje VGE a la puerta, el IGBT
enciende inmediatamente, la
corriente de colector IC es
conducida y el voltaje VCE se
va desde el valor de bloqueo
hasta cero. La corriente IC
persiste para el tiempo de
encendido en que la seal en
la puerta es aplicada. Para
encender el IGBT, el terminal C
debe ser polarizado
positivamente con respecto a
la terminal E. La seal de
encendido es un voltaje
positivo VG que es aplicado a
la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado
como un pulso de magnitud
aproximada de 15 volts, puede
causar que el tiempo de
encendido sea menor a 1 s,
despus de lo cual la corriente
de colector ID es igual a la
corriente de carga IL (asumida
como constante).
Los transistores IGBT han
permitido desarrollos que
no haban sido viables
hasta entonces, en
particular en los
Variadores de frecuencia
as como en las
aplicaciones en mquinas
elctricas y convertidores
de potencia que nos
acompaan cada da y por
todas partes, sin que
seamos particularmente
conscientes de eso:
automvil, tren, metro,
autobs, avin, barco,
ascensor,
electrodomstico,
televisin, domtica,
Sistemas de Alimentacin
Ininterrumpida o SAI (en
Ingls UPS), etc.