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Laboratorio de electrnica bsica: Rectificacin

Resumen: Con esta prctica se estudi la aplicacin


del transistor BJ T (NPN) como amplificador en
configuracin emisor comn, se hicieron los
respectivos clculos tericos para corroborar la
operacin del transistor en modo activo, se encontr
la ganancia de tencin Vo/Vi para obtener el valor de
amplificacin, tambin se realiz la simulacin del
circuito determinado los respectivos voltajes y final
mente se realiz el montaje del circuito por etapas
empezando por polarizacin, comparando los
valores de voltaje (VC, VB, VE) tericos con los
prcticos y respectiva mente en seal, y se analiz
la grfica de la funcin de salida.
Palabras claves:
Osciloscopio: Es un instrumento que permite
visualizar en su pantalla los fenmenos transitorios
tales como las ondas en los circuitos.
Generador de seales: es un instrumento cuya
funcin bsica es producir una seal dependiente
del tiempo con unas caractersticas determinadas
como la frecuencia, amplitud y forma.
VC, VB, VE: son los valores en magnitud
referenciados a tierra de los tres nodos de un
transistor,
Ganancia de voltaje: se obtiene del cociente de la
tencion de salida entre la atencin de entrada esto
se basa en encontrar la funcin de transferencia del
sistema debido a una excitacin de entrada.

OBJETIVOS
Analizar una aplicacin del transistor
BJT como amplificador desde una
perspectiva prctica.
Comparar resultados tericamente,
con resultados de simulacin y
experimentales.
Evaluar la ganancia de tencin a
pequea seal del circuito
amplificador BJT y compararla con la
obtenida a partir de su resultado
terico y de simulacin.

I. INTRODUCCION

Con el paso del tiempo a existo la necesidad
de amplificar seales para el funcionamiento
de los sistemas electrnicos, como por
ejemplo amplificar seales de audio o
amplificacin para el filtrado de una seal en
caso de hacer una adquisicin datos, en este
proceso, los transistores desarrollan un papel
fundamental debido a que bajo ciertas
condiciones, un transistor puede entregar a
una carga una potencia de seal mayor a la
que absorbe.
El transistor de poses tres terminales
semiconductores los cuales se alimentan con
una seal constante de CC la entrada de la
seal AC dbil (en el orden de los mili voltios)
general mente se introduce por medio de
capacitores de acoplo y desacoplo a la base
del transistor, la seal de salida se ve
aumentada gracias a la seal constante de
CC siguiendo las mismas variaciones de la
seal de entrada.
Cuando un transistor realiza la funcin de
elevar una seal de entrada, se dice que se
ha producido una ganancia la cual es la
relacin que existe entre la seal de salida y
las seal de entrada, debido al tipo de seal
tratada se pueden observar tres tipos de
ganancia las cuales son: ganancia de
tencin, ganancia de corriente y ganancia de
potencia.
Podemos afirmar, debido a lo dicho anterior
mente que un transistor tendr mejores
propiedades de amplificacin cuanto mayor
sea su ganancia de tencin.
Todo lo dicho anterior mente es cierto si y
solo si el transistor se encuentra operando en
la regin activa.

II. DESARROLLO Y ANALISIS DE
LOS DATOS

Esta prctica se realiz con un transistor BJT
2n2222 (NPN) en configuracin emisor
comn. Esta configuracin puede verse en la
figura 1

Figura 1 transistor BJT en configuracin emisor
comn.
Para que el transistor pueda amplificar debe
que estar operando tanto en polarizacin
como en seal en la regin activa esto quiere
decir que la regin base emisor debe estar
polarizada directa mente y que la regin
base colector debe estar polarizado
inversamente.

III. ANALISIS TEORICO DEL
CIRCUITO

Se realiz el anlisis terico del circuito
mostrado en la figura2. En el cual se
encontraron los distintos parmetros de
polarizacin, los cuales se muestran en el
desarrollo terico del circuito, tambin se
encontraron los parmetros de pequea
seal como lo son GM, RE y R y por ltimo
se muestra el desarrollo en seal donde se
encontr la ganancia de tencin Vo/Vi.


Figura 2 Circuito que se realiz en el laboratorio.

ANALISIS EN POLARIZACION

El circuito analizado en polarizacin se
muestra en la figura 3.


Figura 3 Circuito para anlisis en polarizacin
Se puede observar que para un mejor
anlisis del circuito se puede hacer un
equivalente de thevenin el cual se muestra
en la figura 4.


Equivalente de thevenin

Encontramos el voltaje de thevenin usando
un divisor de tencin el cual se muestra a
continuacin.




de igual manera encontramos la resistencia
equivalente volviendo cero las fuentes
independientes, en este caso la fuente se
pone en corto ya que es una fuente de voltaje
independiente y la forma de calcularse se
muestra a continuacin.






Figura 4 Circuito simplificado por medio del
quivalente de thevenin para sunmejor analisis

Despus de tener el circuito como se
muestra en la figura 4, se encontraron los
diferentes voltajes nodales. Asumiendo
operacin en modo activo podemos sacar
nuestra primera ecuacin la cual se muestra
en la ecuacin 1

Ecuacin 1 condicion del transistor BJT que nos dice
que VBE=0.7 este voltaje se va amantener.
Haciendo la malla de base emisor obtuvimos
la segunda ecuacin mostrada en la
ecuacin2.
() ()
Ecuacin 2 se aplica la ley de voltajes de kirchof que
dice que la sumatoria de voltajes en un laso cerrado
es igual a cero.
Tenemos en la ecuacion2 dos incgnitas (IB)
e (IE), pero estas dos corrientes se relacin
por medio del parmetro B (beta) as se
encontr la ecuacin3.



Ecuacin 3 se muestra la corriente de base que
relaciona los parametros de un transistor como lo son
su ganacia de corriente y su corriente de emisor.
En la gua de laboratorio se especifica un
beta =100, se sustituy el valor de beta en
la ecuacin 3 y la misma se remplaz en la
ecuacion2 de la cual se despejo IE y se
encontr que:

Por medio de esta corriente se encontr el
voltaje de emisor como se muestra en la
ecuacion4.
()
Ecuacin 4 ecuacion nodal repecto al voltaje de un
elemento el cual se uso para determinar en voltaje
emisor.
Se encontr que:

Remplazando el voltaje emisor en la
ecuacin1 se encontr el voltaje de la base y
se obtuvo que:

Para encontrar la corriente de base se
remplaz este valor en la ecuacin5 que se
muestra a continuacin.


Ecuacin 5 Se muestran los pasos para encontrar la
corriente de base.
Y se encontr que:

Despus de encontrar la corriente de base y
la corriente de emisor se utiliz la ecuacin 6
que se muestra a continuacin y se obtuvo la
corriente de colector.

Ecuacin 6 Esta ecuacion hace referencia a la ley de
corrientes de kirchof las cuales deicen que las
corrrientes que entran a un nodo son iguales a las que
salen.

Final mente se encontr el voltaje de colector
haciendo uso de la ecuacin 7 que se
muestra enseguida.
()
Ecuacin 7 mueestra como se obtuvo elvoltage
colector por medio de las leyes basicas de ohm


TABLA DE RESOLTADOS OBTENIDOS EN
EL ANALISIS DE POLARIZACIO


parmetros voltajes corrientes
Colector 8,332V 916,927uA
Base 3,756V 9,179uA
Emisor 3,056V 926,1uA

ANALISIS DEL CIRCUITO EN SEAL
Con los valores que se encontraron en
polarizacin los cuales se pueden ver en la
tabla anterior se encontraron los parmetros
de seal para seguir con nuestro anlisis de
pequea seal.
Para encontrar cada uno de estos valores se
utilizaron las siguientes ecuaciones.


Ecuacin 8 Ecuacion de la trasconductancia.


Ecuacin 9 resistencia del modelo T.


Ecuacin 10 resistencia del modelo pi.

TABLA DE RESULDADOS DEL ANALISIS
EN SEAL

parmetros valores unidades
GM 0.037 A/V
RE 2.7K

26.8


ANALISIS EN PEQUEA SEAL

Para el anlisis de pequea seal se opt por
el modelo pi el cual se puede apreciar en la
figura siguiente.


Figura 5 Este es el modelo pi el cual se us para
encontrar la ganancia de voltaje

Para encontrar el valor de la ganancia se
resolvi el equivalente de thevenin mirando
desde la fuente hasta la entada de la base
para simplificar el circuito y las dos
resistencias en paralelo que estn
conectadas al colector, y el emisor a tierra.
Para el equivalente de thevenin se utilizaron
las siguientes ecuaciones.









Para resolver el paralelo se utiliz la
siguiente formula.




Este circuito equivalente se muestra en la
siguiente figura, se especifican los valores de
GM =0.037*VBE siendo VBE el voltaje en la
resistencia de 26.8 ohm y en el
circuito.


Figura 6 Circuito simplificado del modelo pi de la
figura 5.
Se encontr el voltaje de salida Vo utilizando
la ecuacin que se muestra a continuacin.
( )
Ecuacin 11 eculcion que relaciona el voltage de
salida con el voltage base emisor que esta en la
resistencia pi
Se realiz la malla de base emisor la cual se
muestra a continuacin.

() ()
Y se obtuvo la corriente de base en pequea
seal que se muestra a continuacin.

Con esta corriente de base se obtuvo el
voltaje Vbe el cual se necesita para encontrar
el voltaje de salida Vo el cual se muestra a
continuacin.

Ecuacin 12 Ecuacion de leyes basicas para encontrar
Vbe

Encontramos al remplazar la ecuacin 12 en
la 11 que:
(

)

La ganancia Vo/Vi es igual a:


Vemos que la ganancia es negativa esto nos
indica que la seal de salida no est en fase
con la seal de entrada.

GRAFICA DE LA SEAL DE SALIDA


Figura 7 En esta figura se observa la seal de salida
con su componente DC y en AC esta toma fue echa
sobre un osciloscopio real no simulado.

De la grfica podemos observar una seal de
salida con las mismas condiciones en
frecuencia amplitud y forma que las seal de
entrada lo nico que vara y como lo
mencionbamos en la introduccin esta
sobre un valor de voltaje colector el cual va a
desfasar el cero de la onda.

IV. ANALISIS DEL CIRCUITO
SIMULADO


Para la simulacin del circuito en el
laboratorio se utiliz, el software de multisim
de la casa de national instruments.
La simulacin al igual que los clculos
tericos se realiz por etapas, empezando
por la etapa de polarizacin la cual se
muestra en la figura 8.



Figura 8 Montaje del circuito etapa polarizacin en el
software multisin.

De la simulacin del transistor en
polarizacin que se muestra en la figura 8 se
puede sacar la siguiente tabla, la cual se
especifican los valores nodales del transistor.

parmetros voltajes Corrientes
Colector 8,16V 960uA
Base 3,82V 6,91uA
Emisor 3,19V 967uA

ANALISIS DEL CIRCUITO EN SEAL

Con los valores que se encontraron en
polarizacin los cuales se pueden ver en la
tabla anterior se encontraron los parmetros
de seal, para encontrar cada uno de estos
valores se utilizaron las ecuaciones 8, 9 y 10
las culas se muestran en el punto de anlisis
en seal de los valores tericos.
Utilizando estas ecuaciones se obtuvo los
siguientes datos los cuales se pueden
apreciar en la siguiente tabla.

parmetros valores unidades
GM 0.0384 A/V
RE 2.6K

25.784



ANALISIS EN PEQUEA SEAL

Despus de que se obtuvieron los
parmetros de seal observados en la tabla
anterior se procede con el anlisis de
pequea seal para encontrar la ganancia de
voltaje del circuito mostrado en la figura 9.


Figura 9 Circuito equivalente de pequea seal.

Para encontrar la ganancia de voltaje se
utilizaron las ecuaciones 11 y 12 que se
describen en el punto anterior y se realizaron
los mismos pasos y se encontr que:


Vemos que la ganancia es negativa esto nos
indica que la seal de salida no est en fase
con la seal de entrada como lo aviamos
dicho anterior mente.

GRAFICA DE LA SEAL DE SALIDA



Corroboramos por medio de la simulacin
que la seal de salida de color azul no est
en fase con la sea de entrada tambin se
encontraron cerca los parmetros tericos
con los simulados, en este caso la seal de
entrada es la amarilla y la seal de salida en
la simulacin se observa solo la componente
AC ya que la simulacin depende de la
velocidad de procesamiento del computador
utilizado, y en el laboratorio el computador
sobre el cual se realiz la simulacin no tena
los recursos suficientes de velocidad de
procesamiento.

V. ANALISIS DEL CIRCUITO EN
PROTOBOARD

Se realiz el montaje del circuito en
protoboard para analizar la una aplicacin del
transistor BJT, tambin para adquirir
destreza y conocimiento prctico y
comprobar los resultados tericos y los
simulados con los obtenidos realmente.

En la figura 10 se muestra el circuito de la
figura 2 montado en protoboard.

Figura 10 muestra el montaje en protoboard los
potencimetros estn siendo utilizados como
resistores variables, el que esta enfrente al caimn
rojo esta 80 ohm y en que est al lado del caimn
negro est a 40 ohm.

Despus de armar el circuito en la
protoboard, se energizo a 12V con una
fuente variable de DC y se calcularon las
corrientes de ramas junto con todos los
voltajes nodales del circuito como se
muestra en la figura 11


Figura 11 se muestra como se aliment el circuito en
la etapa de polarizacin.

Y se obtuvieron los valores que se
muestran en la siguiente tabla.

parmetros voltajes corrientes
Colector 8,24V 0A
Base 3,954V 0A
Emisor 3,35V 0A

Como se puede ver en la tabla anterior los
voltajes son muy similares a los obtenidos
tericos y a los simulados, vemos algo
extrao en la casilla de corrientes porque son
cero, bueno esto es porque la intensidad de
corriente que estamos midiendo al pasar por
la resistencia interna del multmetro, no
alcanza a ser detectada por los sensores
debido a la sensibilidad y escala o precisin
del multmetro, mirando la corriente que
obtuvimos en los resultados tericos y los
resultados de la simulacin podemos
observar que est en el orden de los
microamperios es de esperarse que un
multmetro de laboratorio no alcance detectar
esta intensidad de corriente, ya sea por lo
viejos o puede caber la opcin de estar
daado.

para medir la intensidad de corriente con un
multmetro se debe conectar en serie para
que toda corriente pase por dentro del
multmetro, cuando se mide la intensidad de
corriente cabe resaltar que la resistencia
interna del multmetro es muy baja
No por esto vamos a dejar la casilla de
corrientes sin valor, dado que tenemos los
voltajes y el valor de las resistencias
podemos encontrar dichos valores que se
muestran continuacin en la tabla para poder
seguir con nuestro anlisis de seal.

parmetros voltajes Corrientes
Colector 8,24V 940uA
Base 3,954V 6,24uA
Emisor 3,35V 917uA

ANALISIS EN SEAL

Despus de obtener los valores de corrientes
se encontraron los parmetros de seal
utilizando las ecuaciones 8, 9 y 10, los
valores se muestran a continuacin en la
siguiente tabla

parmetros valores unidades
GM 0.0376 A/V
RE 2.659K

26.3324


ANALISIS A PEQUEA SENAL

Para el anlisis a pequea se utiliza un
generador de seales el cual se fija una
frecuencia de 10KHZ y un valor pico de
100mV como se muestra en la figura 12 ,12 y
14.


Figura 12 Esta foto muestra la calibracin de la
frecuencia a la que se estuvo trabajando en el
laboratorio.


Figura 13 Muestra la calibracin del generador de
seales en la magnitud del voltaje pico a 100mV.

Figura 14 Lectura del multmetro a 100mV

Se hace el montaje en protoboard y se
colocan los condensadores de acoplo y
desacoplo como se muestra en la figura 15


Figura 15 Se muestra el circuito montado en seal,
para su respectivo anlisis.

Despus se obtuvieron los voltajes nodales
del circuito BJT en amplificacin los cuales
se muestran en la siguiente tabla donde se
muestra que el transistor esta tanto en
polarizacin como en seal est trabajando
en la regin activa.
Se muestran a continuacin.
parmetros voltaje
colector 7,83
base 3,899
emisor 3,296
Vo 4,9

Por consiguiente se muestran las grficas de
la funcin de entrad vs salida

GRAFICAS


El principal aspecto importante de esta
grafica es observar que tiene componente
AC y DC que quiere decir esto que nuestra
seal de salida est sobre un voltaje
constante que en este caso sera el voltaje
del colector, vemos que el valor mximo de
nuestra seal es ms o menos 15.7Vsi a este
valor le restamos el valor pico de la onda que
son 6V nos da un valor constante de 9.7
voltios que sera aproximado a nuestro
voltaje de colector


El anlisis para esta grafica es observa que
estamos analizando solo la por te AC esto lo
podemos hacer por medio de una opcin del
osciloscopio, esta grafica nos permite
relacionar el voltaje de entrada que son
100mV con el voltaje de salida aumentado
4.49 voltios valor en rms.

En esta figura se puede observar la seal de
entrada azul sobrepuesta a su seal de
salida amarilla.
VI. ANALISIS DE TABLAS

Anlisis de tablas en polarizacin

Tabla1. Anlisis terico del circuito
parmetros voltajes corrientes
Colector 8,332V 916,927uA
Base 3,756V 9,179uA
Emisor 3,056V 926,1uA

Tabla2. Anlisis simulacin del circuito
parmetros voltajes corrientes
Colector 8,16V 960uA
Base 3,82V 6,91uA
Emisor 3,19V 967uA

Tabla3. Anlisis practico del circuito
parmetros voltajes corrientes
Colector 8,24V 940uA
Base 3,954V 6,24uA
Emisor 3,35V 917uA

Para hacer el anlisis del mismo circuito y en
la misma etapa de polarizacin vamos a
tomar de referencia la tabla3 que
corresponde a los parmetros obtenidos en
el anlisis practico ya que son los valores
verdaderos que pudimos medir, se sac el
error porcentual y se compararon,



| |

*100
Ecuacin 13 Frmula para calcular el porcentaje de
error.
Al comparar nuestros valores exactos
(valores obtenidos en la prctica) con los
valores aproximados (valores tericos y
simulados) obtenemos las siguientes tablas
de errores.
Tabla de errores de los resultados prcticos
con los tericos.
parmetros
%error
En voltajes
%error en
corrientes
Colector
1,12% 2,45%
Base
5,01% 47,10%
Emisor
8,78% 0,99%

Tabla de errores de los resultados prcticos
con los simulados.
parmetros
%error
En voltajes
% error en
corrientes
Colector
0,97% 2,13%
Base
3,39% 10,74%
Emisor
4,78% 5,45%


Anlisis en pequea seal.

Tabla1. Anlisis terico del circuito

parmetros valores unidades
GM 0.037 A/V
RE 2.7K

26.8





Tabla2. Anlisis terico del circuito
parmetros valores unidades
GM 0.0384 A/V
RE 2.6K

25.784


Tabla3. Anlisis terico del circuito
parmetros valores unidades
GM 0.0376 A/V
RE 2.659K

26.3324


Bueno en el anlisis de las tablas de seal ay
muy poco que decir puesto que los
resultados y por consiguiente los errores van
hacer mnimos

Anlisis de seal.

Ganancia obtenida tericamente.


Ganancia obtenida en la simulacin.


Ganancia obtenida en la prctica.


Bueno al momento de comparar nuestra
ganancia vemos un error muy grande
obtenido en la prctica esto debido a la
variacin de los materiales resistivos
causados por la potencia disipada por ellos,
O por conexiones o empalmes nodales que
quedaron casi sueltos, podemos observar
que la ganancia esta alrededor de la
obtenida terica mente y simulada ya que
son muy parecidos.


VII. RESULTADOS Y CONCLUCIONES

Primero que todo cabe resaltar la
variacin de la simulacin respecto a
los datos tericos y los datos
obtenidos en la prctica. porque se
da esta variacin? Bueno principal
mente por el parmetro B(beta) en el
laboratorio nos indica que es de 100
pero el datasheet nos dice que esta
valor va desde un mnimo de 20 a un
mximo de 150, y este parmetro en
la simulacin no se puede modificar
Esta configuracin de emisor comn
es la ms utilizada usada puesto que
amplifica tanto corriente como voltaje
Tiene baja impedancia de entrada
Es usado en amplificaciones de
audio y altas frecuencias de radio
Lo ms importante es obtener el
valor de la ganancia para ver el
cuanto es que amplifica la seal y
que durante su funcionamiento no se
salga de la regin activa.
La mxima corriente que el transistor
puede conducir antes de entrar en
saturacin se obtuvo por medio de la
formula


Y es igual a 2.825mA.

Cuando variamos frecuencia del
generador de seales vemos que el
periodo se reduce o se aumenta,
cabe recordar que la frecuencia es
inversamente proporcional al periodo
Si variamos el potencimetro vemos
que la seal se distorsiona por que
se empieza a forzar una corriente de
base que pone en saturacin el
transistor.
El transistor BJT puede amplificar si
y solo si se encuentra trabajando en
modo activo.
El transistor en configuracin emisor
comn es controlado por la
resistencia de colector.