Vous êtes sur la page 1sur 27

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.

Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 1


Amplicateurs faibles niveaux
par Patrick ALDEBERT
Ingnieur de lcole Suprieure dlectricit
Docteur en sciences
Adjoint du Directeur des tudes et Professeur lcole Suprieure dlectricit
n amplicateur est un bloc fonctionnel qui ralise sur une grandeur lectri-
que (tension ou intensit) porteuse d'information l'opration mathma-
tique lmentaire : multiplication par une constante, et qui accrot l'nergie vhi-
cule par cette grandeur.
Cette dernire proprit de l'amplication rsulte de la prsence d'un ou plu-
sieurs lments actifs fondamentalement non linaires associs une source
d'alimentation assurant la fourniture de l'nergie ncessaire.
Pour raliser un amplicateur, le concepteur a accs un nombre important de
dispositifs technologiques (amplicateur oprationnel intgr, transistors bipo-
laires ou effet de champ, discrets ou intgrs au sein d'un circuit intgr
application spcique ASIC (Application Specic Integrated Circuit)). Pour cha-
cun d'eux, le nombre de variantes et de schmas possibles n'est limit que par
la crativit des concepteurs. Il serait donc illusoire de chercher en faire la
nomenclature exhaustive.
1. Sources commandes............................................................................. E 320 - 2
1.1 Sources commandes idales et relles ................................................... 2
1.2 Gains............................................................................................................. 2
1.3 Sources commandes diffrentielles......................................................... 5
1.4 Dcalage en tension et en courant............................................................. 6
1.5 Sources commandes oprationnelles ..................................................... 6
2. Ralisation damplicateurs faibles niveaux ................................... 8
2.1 Ralisation laide damplicateurs oprationnels.................................. 8
2.2 Ralisation laide de transistors .............................................................. 11
2.3 Principe de ralisation damplicateurs oprationnels............................ 14
3. Comportement frquentiel des amplicateurs ............................... 14
3.1 Origines et modlisation des phnomnes ractifs ................................. 15
3.2 Inuence des lments ractifs.................................................................. 17
3.3 Extension de la bande passante................................................................. 19
3.4 Comportement frquentiel des structures boucles
amplicateur oprationnel....................................................................... 19
4. Stabilit ...................................................................................................... 21
4.1 Critre de stabilit........................................................................................ 21
4.2 Stabilisation et compensation.................................................................... 21
5. Comportement des amplicateurs vis--vis du bruit .................... 23
5.1 Mthodologie dtude................................................................................. 23
5.2 Origine et modlisation des phnomnes ................................................ 24
5.3 Modlisation des composants bruyants vis--vis du bruit ...................... 24
5.4 Facteur et temprature de bruit.................................................................. 26
5.5 Minimisation du bruit.................................................................................. 26
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. E 320
U
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 2 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
L'amplication est une fonction fondamentale qui intervient dans la plupart
des systmes lectroniques explicitement ou implicitement (ltres actifs, oscilla-
teurs, modulateurs...). Les choix effectuer (technologie, composants, structu-
res...) dpendent des caractristiques des signaux traiter : composition
spectrale (signaux basse ou haute frquence, large bande, bande troite...),
amplitude...
Nous nous limiterons ici au cas des amplicateurs faibles niveaux pour les-
quels l'amplitude des signaux traits est sufsamment faible pour pouvoir
confondre les caractristiques non linaires des composants actifs avec leur tan-
gente au point de repos et ngliger l'inuence des non-linarits. Les amplica-
teurs dits de puissance, traitant des signaux de niveau lev pour lesquels il faut
tenir compte de la courbure des caractristiques, des distorsions, des satura-
tions..., font l'objet d'un autre article de ce trait.
Par ailleurs, nous restreindrons notre tude un domaine de frquences pour
lequel les composants peuvent tre reprsents par un modle constantes
localises. L'tude d'amplicateurs fonctionnant des frquences plus leves
repose sur des mthodes d'analyse et des modles diffrents (paramtres de
distribution...) et sort du cadre de cet article.
Aprs avoir rappel des notions gnrales sur les sources commandes, nous
indiquerons les principes de base de ralisation d'amplicateurs. On ne cher-
chera pas fournir une schmathque mais plutt dgager les proprits
essentielles des structures de base de manire guider le choix du concepteur.
Nous tudierons, dans un deuxime temps, le comportement frquentiel des
structures amplicatrices (limitations de la bande passante, stabilit...).
Enn, aprs avoir rappel les notions fondamentales sur le bruit de fond, nous
chercherons caractriser les diffrents tages amplicateurs tudis vis--vis
du bruit et nous proposerons quelques solutions pour en minimiser l'effet.
1. Sources commandes
Nota : le lecteur pourra utilement se reporter larticle Thorie des circuits lectriques
linaires [E 3 000], rf. [19] dans le prsent trait. Les concepts gnraux rappels ici pour-
ront galement tre approfondis en se reportant aux ouvrages mentionns dans la biblio-
graphie [1] [4] [12].
1.1 Sources commandes idales
et relles
Fonctionnellement, un amplicateur se comporte comme un qua-
driple. Compte tenu de la dnition gnrale propose prcdem-
ment (bloc fonctionnel ralisant lopration mathmatique
lmentaire : multiplication par une constante sur un signal porteur
dinformation) et de la nature des grandeurs lectriques pouvant
porter ce signal (courant ou tension), cet oprateur idal peut tre
reprsent partir dune des sources commandes du tableau 1
que nous dsignerons par la suite par SCVV, SCVI, SCIV ou
SCII.
Une source commande idale apparat donc comme un quadri-
ple unidirectionnel constitu dune source lie dont la branche de
commande est rduite un circuit ouvert (entre en tension) ou un
court-circuit (entre en courant).
Les sources commandes ralisables en pratique prsentent de
nombreuses imperfections par rapport ce modle idal. En parti-
culier, en se limitant dans un premier temps aux imperfections
linaires vis--vis des variations des grandeurs lectriques traites,
elles prsentent une impdance dentre, une impdance de sortie
et un coefcient de transfert inverse qui peuvent tre reprsents en
utilisant un modle de quadriple plus complet (tableau 2). Limp-
dance dentre (resp. de sortie) de lamplicateur constitue avec
limpdance interne du gnrateur (resp. limpdance de charge) un
diviseur de tension ou de courant affectant la grandeur dentre
(resp. de sortie). Vis--vis de ce type dimperfection, une source
commande sera dite performante si elle peut tre considre
comme unidirectionnelle et si lattnuation des grandeurs dentre
et de sortie peut tre nglige. Le respect de ces conditions est
incompatible avec les conditions dadaptation dimpdance qui
devront tre privilgies pour viter les problmes lis aux lignes
parasites (interconnexions entre composants) si on doit traiter des
signaux en hautes frquences.
1.2 Gains
1.2.1 Gains en tension et en courant
Toute source commande peut tre modlise en utilisant la
reprsentation matricielle des quadriples (paramtres admittances
[Y], impdances [Z] ou hybrides [G], [H] ou paramtres de chane
[A]) par lun des quatre schmas linaires du tableau 2. Si la source
commande caractriser est performante au sens voqu ci-avant,
le schma linaire privilgi est celui qui traduit la fonction princi-
pale du montage et qui tend vers lun des quatre cas limites du
tableau 1.
Dans cet article, pour simplier les expressions, R
1
// R
2
dsignera :
R
1
// R
2
R
1
R
2
R
1
R +
2
---------------------- =
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 3
(0)
Tableau 1 Sources commandes idales
Schmas Matrices [G], [Y], [H] ou [Z] Matrice de chane [A]
Figure 1 Gains en tension et en courant
SCV V
V
e
V
s
gV
e
I
e
= 0 I
s
+
I
e
V
s
0 0
g 0
V
e
I
s
=
V
e
I
e
1 g 0
0 0
V
s
I
s
=
SCV I
V
e
V
s
yV
e
I
e
= 0 I
s
I
e
I
s
0 0
y 0
V
e
V
s
=
V
e
I
e
0 1 y
0 0
V
s
I
s
=
SCI I
V
e
= 0 V
s
hI
e
I
e
I
s
V
e
I
s
0 0
h 0
I
e
V
s
=
V
e
I
e
0 0
0 1 h
V
s
I
s
=
SCI V
V
e
= 0 V
s
zI
e
I
e
I
s
+
V
e
V
s
0 0
z 0
I
e
I
s
=
V
e
I
e
0 0
1 z 0
V
s
I
s
=
J
g
Y
e
Y
g
Y
s
I
s0
Y
u
I
e
I
s
A
i
gain en courant
A
i 0
gain en courant vide
A
ic
gain en courant composite
A
ic0
gain en courant composite vide
I
e
= J
g
Y
e
Y
e
+ Y
g
Y
u
Y
s
+ Y
u
I
s0
= A
i0
I
e
= A
ic0
J
g
I
s
= A
i
I
e
= A
ic
J
g
= I
s0
dfinition des gains en courant b
Z
g
E
g
Z
e
V
e
+
Z
s
V
s0
Z
u
V
s
+
A
v
gain en tension
A
v0
gain en tension vide
A
vc
gain en tension composite
A
vc0
gain en tension composite vide
V
e
= E
g
Z
e
Z
e
+ Z
g
Z
u
Z
s
+ Z
u
V
s0
= A
v0
V
e
= A
vc0
E
g
V
s
= A
v
V
e
= A
vc
E
g
= V
s0
dfinition des gains en tension a
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 4 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
(0)
En pratique, on caractrise la transmission de lamplicateur en
valuant le gain, rapport entre la grandeur de sortie et la grandeur
dentre.
Pour une SCVV, on peut adopter la modlisation de la gure 1 a
en ngligeant le terme traduisant la raction de la grandeur de sortie
sur celle dentre et en dsignant par Z
e
limpdance dentre de
lamplicateur charg par Z
u
et Z
s
son impdance de sortie lorsquil
est attaqu par le gnrateur de Thvenin (E
g
, Z
g
). On peut dnir
quatre gains en tension selon que lon tient compte ou non de leffet
de diviseur de tension produit en entre par laction conjugue de
Z
g
et Z
e
et en sortie par Z
u
et Z
s
.
Les gains en tension (A
v
= V
s
/V
e
et A
v0
= V
s0
/V
e
), dnis partir
de la tension dentre V
e
ne font pas intervenir leffet de diviseur
de tension en entre alors que les gains en tension composite
(A
vc
= V
s
/E
g
et A
vc0
= V
s0
/E
g
) en tiennent compte.
Les gains en tension vide A
v0
= V
s0
/V
e
et en tension composite
vide A
v0
= V
s0
/V
e
sont dnis partir de la tension V
s0
obtenue en
sortie dans une conguration telle que la puissance dlivre par la
sortie de la source commande est nulle (Z
u
innie). Ils ne font pas
intervenir leffet de diviseur de tension la sortie.
Dans le cas de sources commandes performantes, leffet de divi-
seur de tension ou de courant en entre ou en sortie peut tre
nglig. Les quatre gains qui viennent dtre dnis sont identiques
et on dsigne souvent alors simplement par gain de la structure le
rapport de la grandeur de sortie et de la grandeur dentre.
Les gains en tension permettent de caractriser correctement les
sources commandes de type SCVV. Dans le cas des autres types
de sources commandes, on peut dnir formellement les gains en
tension mais ces grandeurs ne traduisent pas la fonction principale
du montage. Pour une SCII, on peut dnir sur le mme principe
les gains en courant en adoptant une reprsentation de Norton
(gure 1 b).
Les gains en tension et en courant sont des grandeurs sans
dimension gnralement exprimes en dcibels :
A (dB) = 20 lg A
Les SCIV (resp. SCVI) sont caractrises par des transmittan-
ces (transmittance, transmittance vide, transmittance composite,
transmittance composite vide) homognes des impdances
(resp. des admittances) et parfois appeles galement transimp-
dances (resp. transadmittances).
1.2.2 Gains en puissance
Avant de dnir les diffrents gains en puissance, utiliss en par-
ticulier dans les calculs relatifs au facteur de bruit, rappelons quen
rgime harmonique, la puissance disponible P
d
dun gnrateur de
force lectromotrice efcace E
g
et dimpdance interne Z
g
est la
puissance maximale que lon peut recueillir dans une impdance Z
branche aux bornes de la source. Cette puissance maximale est
obtenue pour et a pour valeur :
Tableau 2 Modlisation par quadriple des sources commandes relles
Schmas Matrices [G], [Y], [H] ou [Z] Matrice de chane [A]
SCV V
V
e
g
21
V
e
g
12
I
s
g
11
g
22
V
s
I
e
I
s
+
I
e
V
s
g
11
g
12
g
21
g
22
V
e
I
s
=
V
e
I
e
1
g
21
--------
g
22
g
21
--------
g
11
g
21
--------
g
11
g
22
g
21
g
12

g
21
------------------------------------------
V
s
I
s
=
SCV I
V
e
y
21
V
e
y
12
V
s
y
11
V
s
I
e
I
s
y
22
I
e
I
s
y
11
y
12
y
21
y
22
V
e
V
s
=
V
e
I
e
y
22
y
21
--------
1
y
21
--------
y
12
y
21
y
11
y
22

y
21
-----------------------------------------
y
11

y
21
------------
V
s
I
s
=
SCI I
V
e
h
12
V
s
h
21
I
e h
22
h
11
V
s
I
e
I
s
+
V
e
I
s
h
11
h
12
h
21
h
22
I
e
V
s
=
V
e
I
e
h
12
h
21
h
11
h
22

h
21
------------------------------------------
h
11

h
21
-------------
h
22
h
21
-------------
1
h
21
--------
V
s
I
s
=
SCI V
z
22
V
s
I
s
+
V
e
z
12
V
s
z
21
I
e
z
11 I
e
+
V
e
V
s
z
11
z
12
z
21
z
22
I
e
I
s
=
V
e
I
e
z
11
z
21
-------
z
11
z
22
z
12
z
21

z
21
--------------------------------------
1
z
21
-------

z
22
z
21
-------
V
s
I
s
=
Z Z
g
*
=
P
max
P
d
E
g
2
4Re Z
g
( )
----------------------- = =
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 5
Le gain en puissance G est dni comme le rapport de la puis-
sance fournie par le quadriple la charge Z
u
et de la puissance
applique lentre du quadriple :
Le gain en puissance utilisable G
u
est dni comme le rapport de
la puissance fournie la charge Z
u
par le quadriple et de la puis-
sance disponible de la source :
Vis--vis de la sortie, on peut reprsenter le quadriple attaqu
par un gnrateur (E
g
, Z
g
) par un schma quivalent de Thvenin
(E
s
, Z
s
) et dnir une puissance disponible P
ds
pour ce gnrateur
(E
s
, Z
s
). Le gain en puissance disponible G
d
est alors gal au rapport
de la puissance disponible P
ds
de la puissance disponible P
dg
de la
source :
Ces diffrents gains sexpriment gnralement en dcibels :
G (dB) = 10 lg G
1.3 Sources commandes diffrentielles
Les tensions qui interviennent dans les tableaux 1 et 2 et dans la
gure 1 sont dnies formellement, indpendamment de toute
rfrence de potentiel (masse). En pratique, les tensions intervenant
dans un montage lectronique sont toujours dnies par rapport
un potentiel de rfrence. Une source commande entre diffren-
tielle est une source commande traitant une tension apparemment
ottante (non rfrence) qui doit en ralit tre considre comme
la diffrence de deux tensions rfrences (gure 2).
Considrons une SCVV entre diffrentielle V
e1
V
e2
et sor-
tie rfrence V
s
(gure 2). La tension recueillie la sortie dun tel
amplicateur serait, sil tait idal :
V
s
= A
d
(V
e1
V
e2
)
avec A
d
gain utile de la source commande vis--vis du
mode diffrentiel.
En pratique, cause des dissymtries, chaque entre est ampli-
e avec un gain lgrement diffrent :
V
s
= A
1
V
e1
A
2
V
e2
Dnissons la tension dentre diffrentielle par V
ed
= V
e1
V
e2
(V
ed
est alors la tension dentre utile) et la tension dentre de
mode commun par V
ec
= (V
e1
+ V
e2
)/2. On peut alors crire :
En introduisant le gain en mode diffrentiel A
d
obtenu pour
V
ec
= 0 et gal (A
1
+ A
2
)/2 et le gain en mode commun A
c
obtenu
pour V
ed
= 0 et gal (A
1
A
2
), lexpression de V
s
devient :
La rjection de la tension V
ec
est caractrise par le terme A
c
/A
d
ou par son inverse F
r
= A
d
/A
c
appel facteur (ou taux de rjection)
de mode commun. F
r
est idalement inni et sexprime en dcibels :
Le comportement lectrique dune source commande prsen-
tant un taux de rjection F
r
est identique celui dun amplicateur
idal (F
r
inni) attaqu par une tension dentre diffrentielle
V
ed
+ (V
ec
/F
r
).
Cette remarque conduit une modlisation simple de la rjection
de mode commun par lintermdiaire dune source de tension V
ec
/F
r
(gure 9).
De mme, pour une source commande entre et sortie diff-
rentielles, on peut dnir les tensions de sortie de mode commun et
de mode diffrentiel et traduire le comportement du systme par
lquation matricielle :
reprsente le gain en mode diffrentiel du
montage et en traduit la fonction principale.
reprsente le gain en mode commun.
et reprsentent respective-
ment le gain en tension diffrentielle en mode commun et le gain en
G
I
s
2
Re Z
u
( )
I
e
2
Re Z
e
( )
-------------------------
V
s
2
Re 1 Z
u
( )
V
e
2
Re 1 Z
e
( )
----------------------------------- = =
G
u
4 Re V
s
I
s
*
( )
E
g
2
Re Z
g
( )
----------------------------- =
G
d
P
ds
P
dg
---------
E
s
2
4 Re Z
s
( )
-----------------------
4 Re Z
g
( )
E
g
2
------------------------ = =
V
s
A
1
A
2
+
2
-------------------- V
ed
A
1
A
2
( )V
ec
+
A
1
A
2
+
2
-------------------- V
ed
2 A
1
A
2
( )
A
1
A
2
+ ( )
---------------------------- V
ec
+ = =
V
s
A
d
V
ed
A
c
V
ec
+
A
1
A
2
+
2
-------------------- V
ed
2 A
1
A
2
( )
A
1
A
2
+ ( )
---------------------------- V
ec
+ = =
Figure 2 Sources commandes diffrentielles
+
+
Source
commande
entre
diffrentielle
et sortie
rfrence
Z
g1
Z
g2
E
g1
E
g2
V
e1
V
e2
V
s
V
ed
+
+
Source
commande
entre
et sortie
diffrentielles
Z
g1
Z
g2
E
g1
E
g2
V
e1
V
s1
V
s2
V
e2
V
sd
V
ed
b
a
V
s
A
d
V
ed
V
ec
F
r
--------- + =
V
sd
V
sc
A
dd
A
dc
A
cd
A
cc
V
ed
V
ec
=
A
dd
V
sd
V
ed
---------


V
ec
0 =
=
A
cc
V
sc
V
ec
---------


V
ed
0 =
=
A
dc
V
sd
V
ec
---------


V
ed
0 =
= A
cd
V
sc
V
ed
---------


V
ec
0 =
=
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 6 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
tension de mode commun en mode diffrentiel. Ils sont nuls pour
une structure parfaitement symtrique.
On rencontre deux dnitions possibles pour les grandeurs de
mode diffrentiel. La premire (V
ed
= V
e1
V
e2
et V
sd
= V
s1
V
s2
) que
nous avons implicitement employe jusqualors et qui reprsente
effectivement la grandeur utile est celle qui est utilise dans les
caractristiques damplicateurs oprationnels.
La seconde (V
ed
= (V
e1
V
e2
)/2 et V
sd
= (V
s1
V
s2
)/2) permet
dobtenir une symtrie sduisante pour mener les calculs.
1.4 Dcalage en tension et en courant
Compte tenu des sources ncessaires pour assurer la polarisation
des composants actifs, on constate quen labsence de signal utile
dentre (E
g
= 0), le signal de sortie dun amplicateur continu
(amplicateur dont la bande passante stend jusquau continu)
nest pas nul. La dnition du quadriple (diple linaire ne compor-
tant pas de sources indpendantes internes) ne peut pas sappliquer
telle quelle pour caractriser un tel amplicateur.
On peut nanmoins conserver la modlisation simple laide de
quadriples en introduisant une source de courant et une source de
tension (gure 3) pour modliser globalement ce dcalage sur la
grandeur de sortie.
Un tage amplicateur pourra tre reprsent par un quadriple
de dcalage (V
d
, I
d
) et une source commande sans dcalage pr-
sentant ventuellement des imperfections (impdance ou admit-
tance dentre, impdance ou admittance de sortie, coefcient de
transfert inverse).
1.5 Sources commandes oprationnelles
Pour mettre en vidence lintrt de lusage de la rtroaction en
lectronique, considrons le schma bloc de la gure 4.
Le gain en boucle ferme de cette structure boucle est gal :
Si tend vers linni, le systme boucl a les proprits de 1/. En
particulier, on peut raliser la transmittance de raction partir de
composants passifs pour bncier de la bonne linarit de ces der-
niers en adoptant une des structures lmentaires du tableau 3 ra-
lisant un approche grossire de source commande partir de
composants passifs.
Le schma bloc de la gure 4 ne traduit pas explicitement lexis-
tence simultane des deux grandeurs duales : tension et courant.
Remplaons les blocs fonctionnels et par deux sources com-
mandes en adaptant la topologie la nature des grandeurs
dentre et de sortie. Ainsi, le prlvement dune tension (resp. dun
courant) en sortie sera obtenu en plaant le diple de sortie de lop-
rateur et le diple dentre de loprateur en parallle (resp. en
srie). De mme, si la grandeur dentre est un courant (resp. une
tension), la mise en parallle (resp. en srie) du diple dentre de
loprateur et du diple de sortie de loprateur permettra de ra-
liser lopration de sommation-soustraction.
Par exemple, pour raliser une SCIV, on peut adopter le schma
de la gure 5. La source commande (SCVI ralise partir de
composants passifs) comporte de nombreuses imperfections (struc-
ture bidirectionnelle prsentant des impdances dentre et de sor-
tie non idales...). Mais, on peut montrer [1] [2] [3] [4] que si le gain
de la source commande tend vers linni, ces imperfections sont
sans effet sur les performances du systme boucl qui tend alors
vers une source commande idale de type SCIV et de gain 1/.
(0)
s
e
---

1 +
----------------- =
Figure 3 Modlisation du dcalage en sortie dun amplicateur
continu
Figure 4 Rtroaction
Figure 5 Exemple de ralisation de SCI>V en utilisant
la rtroaction
+
+
Source
commande
sans dcalage
Z
g
E
g
V
s
V
d
I
d
a source entre rfrence
+
Z
g2
E
g2
+
+
Source
commande
sans dcalage
Z
g1
E
g1
V
s
V
d
I
d2
I
d1
b source entre diffrentielle
+

e s

s
e
1

1 +
=
+ +
J
g
G
g
Z
11
Z
22
Z
12
I
s
Z
21
V
e
Z
u
Z
SCI V
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 7
On appelle source commande oprationnelle toute source com-
mande unidirectionnelle dont le coefcient de transfert tend vers
linni. Sa matrice chane est gale la matrice nulle. Un tel quadri-
ple peut tre reprsent en introduisant les deux diples
pathologiques : nullateur et norateur dnis dans larticle Thorie
des circuits lectriques linaires [E 3 000], rf. [19] dont le comporte-
ment lectrique est rappel la gure 6.
Un nullateur est un diple dni par v = i = 0. Le norateur est un
diple parcouru par un courant et soumis une tension dtermins
par le circuit extrieur. Le nulleur, quadriple dont le diple dentre
est un nullateur et le diple de sortie est un norateur, est une mod-
lisation de source commande oprationnelle idale. Sa matrice
chane tant gale la matrice nulle, le fonctionnement de base de
cet ensemble intgr dans un systme boucl peut tre analys en
considrant que le norateur dlivre la tension et le courant
ncessaires pour asservir le courant et la tension dentre zro.
La limite de toute source commande relle mais unidirection-
nelle dont le coefcient de transfert tend vers linni est un nulleur.
Cette proprit suggre une solution pour raliser une approche
physique du nulleur. En pratique, le gain inni sera approch par un
gain trs lev.
Lorsquil est exploit en rgime linaire et dans des conditions
assurant la stabilit, lamplicateur oprationnel est une approxima-
tion particulire du nulleur. De mme, le transistor bipolaire peut
tre considr comme une SCII de gain idalement inni. Cest
donc galement une approche grossire de nulleur. Le comporte-
ment lectrique du modle nulleur propos la gure 6 est qui-
valent celui dune source de courant lie de gain unitaire. Le transistor
effet de champ constitue galement une approche de nulleur.
Tableau 3 Ralisation dapproches de sources commandes avec des composants passifs
Schmas Coefcient de transfert
pour R
g
<< R
1
+ R
2
et R
u
>> R
1
// R
2
pour R
g
<< R et R
u
<< R
pour R
g
>> (R
1
// R
2
) et R
u
<< R
1
+ R
2
pour R
g
>> R et R
u
>> R
SCV V
+
R
g
R
1
R
2
R
u
E
g
V
e
V
s
I
e
I
s
g
V
s
E
g
------
R
2
R
1
R
2
+
------------------- = =
SCV I
+
R
g
R
R
u
E
g
V
e
V
s
I
e
I
s
y
I
s
E
g
------
1
R
------ = =
SCI I
R
2
R
1
R
g
R
u
J
g
V
e
V
s
I
e
I
s
h
I
s
J
g
------
R
1
R
1
R
2
+
------------------- = =
SCI V
R
R
g
R
u
J
g
V
e
V
s
I
e
I
s
z
V
s
J
g
------ R = =
Figure 6 Diples pathologiques et nulleur
I
V
I et V dtermins
par le circuit extrieur
norateur b
I
V
I = V = 0
nullateur a
+

amplificateur oprationnel :
approximation du nulleur
d
I
e
I
s
V
e
V
e
I
e
V
s
I
s

0
0
0
0
V
s
=
nulleur c
i
b
= 0
i
2
i
e
transistor :
approche grossire du nulleur
e
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 8 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
2. Ralisation damplicateurs
faibles niveaux
Nota : le lecteur pourra utilement se reporter aux articles Thorie des circuits lectriques
linaires [E 3 000], rf. [19] et Diodes et transistors bipolaires discrets [20] dans le prsent
trait. On pourra galement se reporter aux ouvrages mentionns dans la bibliographie.
2.1 Ralisation laide damplicateurs
oprationnels
Lamplicateur oprationnel est un macrocomposant qui, par son
faible cot (de lordre de quelques francs) et sa facilit de mise en
uvre, constitue actuellement la solution privilgie pour raliser
des amplicateurs faibles niveaux en basse frquence.
2.1.1 Structures de base SCIV et SCVV
La transposition du schma-bloc de la gure 4 des sources
commandes associant un amplicateur oprationnel en chane
directe pour raliser loprateur et une des approches de sources
commandes du tableau 3 conduit quatre congurations. Les op-
rateurs SCVI et SCII sont difcilement exploitables car leur
charge nest pas rfrence la masse. En pratique, on retient donc
les deux structures de base SCIV et SCVV (gure 7).
La structure SCVV correspond au montage couramment appel
montage suiveur. Le cas limite o R
1
est innie et R
2
nulle corres-
pond une SCVV de gain unitaire frquemment utilise comme
adaptateur dimpdance.
Si on fait prcder la structure SCIV dune grande rsistance
(approche grossire de SCVI), on retrouve le montage inverseur
(gure 8 a). Les caractristiques dentre de ce dernier montage ne
sont pas idales (Z
e
non innie) car elles sont lies celle dentre
de la SCVI ralise grossirement par une simple rsistance.
2.1.2 Inuence des imperfections
de lamplicateur oprationnel
Par rapport au modle idal nulleur, les amplicateurs opra-
tionnels disponibles sur le march prsentent de nombreuses
imperfections qui se rpercutent sur les performances globales des
structures ralises.
Les dnitions des principales imperfections [6] [7] [8] [9] [10] tel-
les quelles apparaissent dans les feuilles de spcication pro-
poses par les constructeurs (cf. sites Web en [Doc. E 320]) sont
rsumes dans le tableau 4. Elles peuvent tre galement repr-
sentes sous la forme dun macromodle (gure 9).
Le tableau 5 donne, titre dexemple, linuence des imperfec-
tions linaires de lamplicateur oprationnel sur le comportement
global des deux sources commandes de base dnies sur la gure 7.
2.1.3 Autres applications de lamplicateur
oprationnel
Le domaine dapplication de lamplicateur oprationnel AO
dpasse lamplication de signaux faibles niveaux et le sujet de cet
article. Il peut tre utilis dans toutes les applications incluant implici-
tement la fonction amplication (oscillateur...) et traitant des signaux
basses frquences. La gure 8, qui prsente titre dexemple quel-
ques autres applications classiques, ne prtend pas tre exhaustive.
On trouvera de nombreux autres exemples dans les ouvrages [1] [4]
[5] [6] [16] [17] cits en bibliographie ainsi que dans les notes dappli-
cation proposes par les constructeurs (cf. [14] [15] et sites Web).
Lamplicateur oprationnel permet de mettre en uvre toute
synthse effectue base de nulleur et de raliser, en particulier, des
gyrateurs et des convertisseurs ou inverseurs dimpdances. La
synthse de ltres actifs constitue donc un domaine dapplication
important qui pourra tre approfondi par la lecture des articles
Thorie des circuits lectriques linaires [E 3 000], rf. [19],
Synthse et ralisation des ltres actifs [E 3 130], rf. [21], Filtres
capacits commutes [E 3 150], rf. [22]. De nombreuses applica-
tions non linaires sont galement possibles (amplicateur logarith-
mique, ralisation de non-linarits dnies par segment, trigger de
Schmidt...).
Figure 7 Principe de ralisation de SCI>V et SCV>V amplicateur oprationnel
J
g
G
g
V
s
SCOI V
SCV I
G
g
V
s
= RJ
g
J
g

+
R
R
2
R
1
+

V
s
= E
g
(R
1
+ R
2
)/R
1
+
E
g
R
g
R
1
V
s
SCOV V
SCV V
+
E
g
R
2
R
g
SCV V b SCI V a
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 9
V
s

+
+
+
E
g2
E
g1
R
g
R
2
R
g
R
1
R
3
V
s
= R
3
+
E
g1
R
1
E
g2
R
2
sommateur inverseur b
V
s
V
e

+
+
E
g
R
g
R
C
R
1
R
2
R
c
= R
1
//R
2
optionnelle
(rduit linfluence des courants de polarisation)
V
s
V
e
R
2
R
1
=
inverseur a
V
s

+
+
E
g1
+
E
g2
R
g
R
g
R
2
R
1
R
2
R
1
R
3
R
3
R
4
1 +
2R
3
R
4
V
s

R
2
R
1
amplificateur d'instrumentation d
V
s

+
+
E
g
R
g
R
C
V
s
E
g
() d

1
0
1
RC
intgrateur c
V
s
V
s
V
e
V
e

+
+
E
g
R
g
R R R R/2
R
redresseur double alternance de prcision (oprateur valeur absolue ) e
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 10 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
(0)
Figure 8 Exemples dapplication de lamplicateur oprationnel
V
s
+

V
e
+
E
g
R
g
R
1
R
2
V
s
V
e
trigger de Schmidt (comparateur hystrsis) f
C
1
C
2
V
s
+

V
e
+
E
g
R
g
R
1
R
2
C
C
R
1
R
2
R
3
R
0
R
0
V
s

+
V
s
E
g
1
1 + C
2
(R
1
+ R
2
) p + R
1
R
2
C
1
C
2
p
2
(p) =
1
2 R
0
C
f
0
=
oscillateur ( pont de Wien) h filtre actif (cellule de Sallen et Key) g
Tableau 4 Dnition des imperfections principales de lamplicateur oprationnel
Tension de dcalage ramene lentre (Input offset voltage)
Tension diffrentielle qui, applique lentre, annule la tension de sortie
La plupart des constructeurs fournissent galement la valeur de la drive de ce paramtre en fonction de la temprature (Input offset voltage drift)
Courant de polarisation dentre (Input bias current)
Valeur moyenne des courants I
b+
et I
b
circulant dans les deux entres de lamplificateur
La plupart des constructeurs fournissent galement la valeur de la drive de ce paramtre en fonction de la temprature (Input bias current drift)
Courant de dcalage ramen lentre (Input offset current)
Valeur absolue de la diffrence des courants I
b+
et I
b
circulant dans les deux entres de lamplificateur
Gain en tension (Open Loop Voltage gain)
Gain utile de lamplificateur vis--vis du mode diffrentiel (not A
d
au paragraphe 1.3)
Gnralement exprim en dB ou en V/V
Facteur de rjection de mode commun (Common Mode Rejection Ratio CMRR)
Rapport entre le gain utile vis--vis du mode diffrentiel et le gain vis--vis du mode commun (not F
r
= A
d
/A
c
au paragraphe 1.3)
Gnralement exprim en dB
Facteur de rjection dalimentation (Power Supply Rejection Ratio PSRR)
Rapport entre le gain utile de lamplificateur (vis--vis du mode diffrentiel) et le gain vis--vis des fluctuations dalimentation.
Gnralement exprim en dB
Impdances dentre (Input impedance)
Impdance vis--vis du mode diffrentiel (differential input impedance) : impdance vue des entres de lamplificateur lorsque celui-ci est atta-
qu en mode diffrentiel (e
+
= e

)
Impdance vis--vis du mode commun (common-mode impedance) : impdance vue des entres de lamplificateur lorsque celui-ci est attaqu
en mode commun (e
+
= e

).
Les constructeurs donnent gnralement la partie rsistive (rsistance dentre) et la partie capacitive (capacit dentre)
Bruit ramen lentre (Equivalent input noise)
voir paragraphe 5.3.5
Vitesse de balayage (Slew rate)
Valeur maximale des fluctuations du signal de sortie (dV
s
/dt max)
Gnralement exprime en V/s
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 11
(0)
2.2 Ralisation laide de transistors
2.2.1 Modlisation des transistors bipolaires
Pour raliser la fonction amplication, on peut utiliser des transis-
tors (bipolaires ou effet de champ) en sources commandes unidi-
rectionnelles. Ce rgime de fonctionnement suppose lexistence
dun rgime de repos (polarisation des composants dtaille dans
larticle Diodes et transistors bipolaires discrets [20]) auquel se
superpose un rgime de variations traduisant lamplication pro-
prement dite.
Le transistor est un composant fondamentalement non linaire
dont le comportement lectrique n peut tre analys laide de
modles non linaires complexes qui ne peuvent tre mis en uvre
que numriquement au sein de programmes de simulation lectri-
que (SPICE par exemple). Pour mener un calcul la main, il est
ncessaire de simplier ces modles. Ainsi, pour tudier des struc-
tures amplicatrices transistors, on dissocie gnralement le
rgime de polarisation du rgime des variations que lon peut alors
tudier en adoptant un modle linaire obtenu en confondant,
autour du point de polarisation, les caractristiques du transistor
avec leur tangente en ce point. Cette approximation est videmment
dautant plus exacte que lamplitude des variations est petite.
De nombreuses modlisations, plus ou moins simplies, sont
alors possibles. Les paramtres hybrides (paramtres h), dnissant
un schma quivalent sous la forme dun quadriple, ne sont prati-
quement plus utiliss. Pour reprsenter le comportement du transis-
tor bipolaire en rgime de variation, on prfre lheure actuelle
utiliser le schma naturel dEbers-Moll de la gure 10, simpli et
adapt au type dtude (tude du rgime de variations dans la
bande passante, tude de la bande passante, tude du bruit...) en ne
faisant intervenir que les phnomnes pertinents et en ngligeant
tout ce qui peut ltre.
Les valeurs des lments intervenant dans ce modle sont dter-
mins partir du courant de polarisation dmetteur I
E
et des carac-
tristiques du composant fournies par le constructeur.
r
e
, rsistance dynamique dmetteur, reprsente linverse de la
pente de la caractristique de la diode base metteur au point de
polarisation dnie pour V
BE
= V
BE0
:
avec k constante de Boltzmann (k = 1,38 10
23
J/K),
q charge de llectron (1,6 10
19
C),
T (K) la temprature absolue de la jonction.
Cette rsistance dynamique est lie la transconductance g
m
du
transistor par :
peut tre confondu aux basses frquences avec le gain en cou-
rant du transistor mont en base commune ( 1). On peut le relier
au paramtre fourni par le constructeur en utilisant la relation :
(1 )(1 + ) = 1
r
ce
reprsente limpdance de sortie du transistor et traduit leffet
Early :
o V
Early
reprsente la tension dEarly dont lordre de grandeur est
une centaine de volts. Son inuence est souvent masque par les
autres impdances du circuit (rsistance de charge) dans lequel le
transistor est insr. Elle est donc gnralement ngligeable.
C
bc
et C
be
ninterviennent que pour ltude de la bande passante
et du comportement frquentiel ( 3).
La variante issue dune transformation T- (modle de Giacoletto)
que lon rencontre parfois reprsente exactement les mmes ph-
Figure 9 Macromodle damplicateur oprationnel
Tableau 5 Inuence des principales imperfections
linaires de lamplicateur oprationnel
sur les performances des structures de base
SCV V SCI V
Tension de
dcalage
ramen en
entre
Dcalage en sortie Dcalage en sortie
Courants de
polarisation
Dcalage en sortie Dcalage en sortie
V
s
= RI
b
Facteur de
rjection de
mode commun
Erreur sur le gain
0
Gain fini Erreur sur le gain Erreur sur le gain
Impdance
dentre non nulle
Impdance de
sortie
Impdance de sortie non
nulle
Impdance de sor-
tie non nulle
Impdance
dentre
Impdance dentre finie Impdance
dentre non nulle
V
ec
/F
r
V
d
I
b
I
b +
+ +
V
s
+
A
v

R
s
S
R
cc +
R
cc
R
dd
C
s C
c +
C
c
C
d
E
+
E

V
s
R
1
R
2
+
R
2
------------------- V
d
= V
s
R R
g
+
R
g
----------------- V
d
=
V
s
R
1
R
2
+
R
2
------------------- R
g
I
b+
R
1
I
b
=
A
v
R
1
R
2
+
R
2
F
r
-------------------

A
v
1
A
----
R
1
R
2
+
R
2
-------------------


2
A
v
1
A
----
R
2
R // R
g
------------------

Z
e
R
1 A +
-------------- =
Z
s
R
s

R
1
R
2
+
AR
2
------------------- Z
s
R
s

R R
g
+
AR
g
-----------------
Z
e
R
dd
AR
2
R
1
R
2
+
----------------------
Z
e
1
1
R
dd
----------
1 A + ( )
R
------------------- +
------------------------------------ =
Exemple : 300 K, on a r
e
I
E
= 26 mV
r
e
1
dI
E
dV
BE
--------------


V
BE
V
BE0
=
------------------------------------------
kT
qI
E
--------- = =
g
m
dI
C
dV
BE
--------------


V
BE
V
BE0
=


r
e
----- = =
r
ce
dI
C
dV
CB
--------------


V
BE
V
BE0
=
V
Early
I
C
-------------- = =
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 12 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
nomnes. Dans la suite de cet article, nous nutiliserons donc que
des schmas quivalents de type Ebers-Moll.
2.2.2 Modlisation des transistors
effet de champ
Les transistors effet de champ grille isole (MOSFET) peuvent
tre tudis en utilisant des modles (gure 11) trs voisins de ceux
qui ont t proposs pour leurs homologues bipolaires.
On peut conserver la topologie des modles de la gure 10 en
assimilant 1. Limpdance dentre des transistors effet de
champ est en effet trs leve et essentiellement capacitive. Le cou-
rant statique dans la grille peut alors tre considr comme nul.
r
ce
est remplac par r
ds
reprsentant limpdance de sortie du
transistor et C
bc
et C
be
qui interviendront lors de ltude de la bande
passante et du comportement frquentiel sont remplacs par C
gs
et
C
gd
.
Pour un transistor effet de champ grille isole (MOSFET) en
rgime de pincement (rgime de fonctionnement exploit pour ra-
liser des tages amplicateurs), le courant drain-source I
DS
varie, au
premier ordre, selon une loi parabolique en fonction de la tension
grille-source V
GS
:
avec V
T
tension de seuil,
K paramtre li la gomtrie du composant.
La transconductance du transistor g
m
se dduit trs simplement
de lexpression prcdente :
Les transistors effet de champ prsentent une transconductance
plus faible que leurs homologues bipolaires.
Cette reprsentation propose par Schichmann et Hodges est voi-
sine du schma dEbers-Moll utilis pour modliser le transistor
bipolaire. Elle permet dtablir un parallle entre les structures
transistor bipolaire ou effet de champ et den dgager des propri-
ts indpendantes du type de composant. Nous utiliserons cette
reprsentation dans la suite de larticle. On rencontre toutefois cou-
ramment des modles structure en quivalents rappels pour
mmoire sur la fgure 11.
Figure 10 Modlisation du transistor bipolaire
B base C collecteur E metteur
C
E
B
i
e
= g
m
v
be
r
ce
r
e
i
e
v
be
C
b'c
C
b'e
C
E
B
i
e
= g
m
v
be
r
ce
r
e
i
e
i
b
i
c
v
be
C
C
b'c
C
b'e
E
B
i
e
= g
m
v
be
r
ce
r
e
i
e
v
be
C
b'c
C
b'e
E
B C
g
m
v
be
( + 1)r
e
r
e
v
be
modle simplifi du transistor bipolaire pour une tude de la bande
passante (structure en T dEbers-Moll)
b modle simplifi du transistor bipolaire pour une tude en petits
signaux dans la bande passante (structure en T dEbers-Moll)
a
modle simplifi du transistor bipolaire pour une tude
de la bande passante (structure en de Giacoletto)
d modle simplifi du transistor bipolaire pour une tude du bruit
(structure en T dEbers-Moll)
c
I
DS
K
2
---- V
GS
V
T
( )
2
=
g
m
dI
DS
dV
GS
---------------


V
GS
V
GS0
=
K V
GS0
V
T
( ) = =
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 13
2.2.3 Structures de base
Contrairement aux cas des amplicateurs oprationnels, il est
gnralement impossible de rpondre aux exigences du cahier dun
amplicateur faibles niveaux en utilisant un transistor unique asso-
ci quelques composants passifs. Pour obtenir des performances
convenables (bonne impdance dentre et de sortie, gain impor-
tant, large bande passante...), il est presque toujours ncessaire
dassocier plusieurs tages et, au sein mme dun tage, de faire
appel des structures composites (Darlington, paire paradoxale...)
pour rduire linuence des imperfections des transistors. Le nom-
bre de schmas possibles est pratiquement illimit. Ltude dtaille
des structures possibles est du ressort dun cours de conception
analogique [1] [2] [3] [7] [8] [9] [16] [18]. On se limitera ici au rappel
des caractristiques principales des structures de base.
2.2.3.1 Structures de base un transistor
Lanalyse des schmas quivalents en petits signaux simplis
lextrme (gure 12) rvle quun transistor en rgime de fonction-
nement linaire peut tre considr comme une SCII de gain uni-
taire (traduction directe de leffet transistor), une SCVI de
transconductance I/R en utilisant la rsistance dynamique dmet-
teur associe ou non une rsistance place dans lmetteur ou une
SCVV de gain unitaire.
Dans les deux premiers cas, le transistor se comporte comme une
source de courant commande dont le courant de sortie peut tre
converti en tension laide dune rsistance R
c
. Lensemble consti-
tue alors une SCVV (resp. une SCIV) au nom consacr par
lusage metteur commun (resp. base commune) : source com-
mune et grille commune dans le cas des transistors effet de
champ.
Suite une habitude prise par les lectroniciens de raisonner sur
les tensions, la structure base commune est parfois caractrise
comme une SCVV qui apparat alors comme mdiocre (imp-
dance dentre trs faible). Il est plus correct de lenvisager comme
un suiveur de courant (SCII de gain en courant voisin de 1 (en pra-
tique gal au gain en courant du transistor), dimpdance dentre
r
e
et dimpdance de sortie innie si on nglige linuence de la
rsistance r
ce
. Si on utilise en sortie une rsistance R
c
faisant ofce
de convertisseur courant-tension (approche grossire dune
SCIV), on peut galement considrer lensemble comme une
SCIV.
La structure SCVV de gain unitaire est galement appele met-
todyne. Elle correspond au montage collecteur (ou drain) commun.
Figure 11 Modlisation du transistor effet de champ
D drain G grille S source
D
S
G
g
m
v
be
r
ds
r
s
= 1/g
m
i
s
v
gs
C
gd
C
gs
D
S
G
g
m
v
gs
r
ds
r
s
= 1/g
m
i
s
i
d
v
gs
D
C
gd
C
gs
S
G
g
m
v
gs
r
ds
r
s
= 1/g
m
i
s
v
gs
C
gd
C
gs
S
G D
g
m
v
be
r
ds
v
gs
modle simplifi du transistor effet de champ pour une tude de la
bande passante (structure en T de Schichmann et Hodges)
b modle simplifi du transistor effet de champ pour une tude
en petits signaux dans la bande passante (structure en T de
Schichmann et Hodges)
a
modle simplifi du transistor effet de champ pour une tude
de la bande passante (structure en )
d modle simplifi du transistor effet de champ pour une tude
du bruit (structure en T de Schichmann et Hodges)
c
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 14 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
Si on utilise un modle nulleur (gure 6), ce montage sassimile
au montage adaptateur dimpdance amplicateur oprationnel
voqu prcdemment.
Les proprits essentielles des trois montages metteur commun,
collecteur commun et base commune sont rsumes par les
gures 13, 14 et 15. Les lments ncessaires pour polariser le
transistor en rgime de fonctionnement linaire nont pas t men-
tionns sur les schmas de principe. Ils sont y implicitement
reprsents par les composantes continues (E
g0
, V
s0
, V
b0
...).
2.2.3.2 Structure diffrentielle
La structure diffrentielle dont le schma de principe est donn
par la gure 15 est un exemple simple de source commande diff-
rentielle symtrique tudie au paragraphe 1. Les deux transistors,
supposs identiques et la mme temprature, sont polariss par
une source de courant ralise laide de transistors symbolise par
J
E
sur le schma de principe de la gure 16 a. Dans certains cas,
une grande rsistance R
E
peut faire ofce de source de courant.
Pour valuer les grandeurs A
dd
, A
dc
, A
cc
, A
cd
et F
r
, on tablit un
schma quivalent vis--vis du rgime de variations. Il peut alors
faire apparatre deux rgimes de fonctionnement (rgime de mode
commun et rgime de mode diffrentiel) partir desquels on pourra
dterminer simplement le fonctionnement global du systme par
application directe du principe de superposition. En rgime de
mode commun, une mme tension e
c
est applique sur les bases
des transistors. On remarque que si la source de courant polarisant
la structure est parfaite (R
E
innie) la tension de sortie de mode
commun est nulle. En rgime de mode diffrentiel, on applique sur
les bases des transistors, deux tensions opposes e
d
et e
d
. Si le
montage est parfaitement symtrique, le point A constitue une
masse virtuelle.
Les termes A
dc
et A
cd
sont nuls si le montage est parfaitement
symtrique. La dtermination de ces expressions dans le cas dune
structure prsentant des dissymtries donne lieu des calculs com-
plexes qui sortent du cadre de cet article.
2.3 Principe de ralisation
damplicateurs oprationnels
Un amplicateur oprationnel idal est une source commande
oprationnelle (coefcient de transfert inni). Les amplicateurs
oprationnels rels sont souvent raliss sous la forme de SCVV
entre diffrentielle et sortie rfrence. Lassociation en cascade
de plusieurs sources commandes dont la grandeur de sortie est
incompatible avec la grandeur dentre de la suivante (gure 17)
permet dobtenir un gain trs lev en utilisant un faible nombre
dtages lmentaires. Lutilisation de SCVI charge active est
alors trs courante.
Les amplicateurs oprationnels actuels sont pratiquement tous
raliss sous forme de circuits intgrs monolithiques, en technolo-
gie bipolaire ou MOS. Ils sont constitus de n tages de type SCVI
et dun tage nal suiveur de gain unitaire (SCVV) jouant le rle
dadaptateur dimpdance et dtage de puissance (on parle alors
souvent dAO n tages). Le meilleur compromis entre gain et rapi-
dit semble tre la structure deux tages couramment utilise
(SCVI + SCVI + SCVV en cascade). Les structures un tage
prsentent un gain modeste mais une bonne rapidit. Les structures
trois tages prsentent des performances de gain excellentes mais
sont difciles compenser en frquence ( 3). Elles demeurent donc
exceptionnelles.
La gure 18 donne un exemple simple de schma damplicateur
oprationnel ralis en technologie monolithique bipolaire. Le pre-
mier tage est une SCVI diffrentielle charge par un miroir de
courant permettant dobtenir un courant rfrenc i
s1
. Le deuxime
tage, SCVI charge active, est optimis pour avoir un gain trs
lev (voisin de 1 000) et impose la limitation en frquence. Ltage
de sortie push-pull (SCVV de gain unitaire fonctionnant en
classe B) rduit limpdance de sortie et permet de fournir un cou-
rant important. On trouvera dans les rfrences notes [2] [3] [6] [7]
[8] [9] et [18] de la bibliographie dautres exemples de structures
damplicateur oprationnel.
3. Comportement frquentiel
des amplicateurs
Si on reste dans le cadre des amplicateurs faibles niveaux dni
dans lintroduction, le comportement et les limitations dun ampli-
cateur vis--vis de la frquence des signaux sont linaires. Le gain
de ltage nest pas constant vis--vis de la frquence du signal
traiter et doit tre caractris par une transmittance indpendante
de lamplitude des signaux. Aprs avoir rappel lorigine et la mod-
lisation des phnomnes affectant la bande passante des tages
transistors, nous en valuerons les limitations frquentielles et nous
proposerons quelques solutions pour repousser ces limites. Nous
envisagerons ensuite le cas des structures boucles mettant en
uvre des amplicateurs oprationnels.
Figure 12 Utilisations possibles du transistor
v
e
v
s
v
s
= v
e

v
e
SCV V de gain 1 b
v
e
i
s
R
v
e
i
s
= v
e
/R
R
SCV I de gain 1/R a
i
e
i
e
i
s
i
s
= i
e
SCV I de gain 1 c
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 15
3.1 Origines et modlisation
des phnomnes ractifs
Si on exclut le cas o le concepteur a associ volontairement la
fonction ltrage la fonction amplication (cas des amplicateurs
slectifs, prsence de capacits de liaisons, de dcouplages...), les
limitations des dispositifs lectroniques vis--vis de la frquence
des signaux sont dues la prsence dimpdances ractives parasi-
tes qui sont associes aux composants utiliss et qui affectent la fr-
quence de coupure haute du systme. Si on se restreint un
domaine de frquence sufsamment faible (0 100 MHz environ)
pour que les paramtres des composants actifs puissent tre suppo-
ss constants et que leffet des inductances parasites puisse tre
nglig, la limitation en frquence provient essentiellement des
capacits parasites associes aux composants actifs.
Pour un calcul la main au premier ordre, le comportement des
transistors peut tre modlis en faisant intervenir ces lments
parasites dans les schmas quivalents proposs aux gures 10 et
11.
Ainsi le modle dEbers-Moll simpli du transistor bipolaire
pourra tre complexi (gure 10 b) en faisant intervenir les capaci-
ts de transition et de diffusion associes aux jonctions base-met-
teur et base-collecteur. En rgime de fonctionnement normal, la
capacit de diffusion de la diode base-collecteur polarise en
inverse peut tre nglige devant la capacit de transition. Le com-
portement ractif de la jonction base-collecteur peut donc tre
reprsent au premier ordre par une capacit C
bc
. La capacit de
diffusion de la diode base-metteur polarise en direct est prdomi-
Figure 13 Structure SCVI de gain 1/R (metteur commun)
+
E
g0
+ e
g
R
g
R
C
V
CC
V
EE
R
E
I
C0
+ i
c
I
E0
+ i
e
v
e
+
e
g
R
g
R
C
R
E
r
e
C
b'c
C
b'e
i
e
i
c
i
e
R
C
C
3
C
1
+ C
2
i
c
v
e
+
e
g
R
g
R
E
r
e
i
e
i
e
v
e
+
e
g
R
g
R
C
R
E
r
e
i
e
Z
e
i
c
i
e
Z
s
schma quivalent pour valuer les
performances dans la bande passante
b schma de principe a
schma quivalent pour valuer la bande passante
aprs application de la transformation de Miller
d schma quivalent pour valuer la bande passante c
G
c
= =
i
c
e
g

r
e
+ R
E
+ (1 ) R
g
Z
e
= = ( + 1)(r
e
+ R
E
)
r
e
+ R
E
1
Z
s
infinie si on nglige leffet de r
ce
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 16 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
nante sur la capacit de transition. Le comportement ractif de cette
jonction peut alors tre reprsent par une capacit C
be
dpendant
de la polarisation statique du transistor et lie la frquence de tran-
sition f
T
fournie par le constructeur par la relation :
avec r
e
rsistance dynamique dmetteur.
Pour traiter le cas des transistors effet de champ, on peut
complter le modle de Schichmann et Hodges et faire intervenir
deux capacits C
gd
et C
gs
. Les raisonnements et les rsultats tablis
dans le cas du transistor bipolaire se transposent alors sans dif-
cult.
Les modles proposs prcdemment sont trop simplistes pour
reprsenter correctement le comportement des structures fonction-
nant des frquences plus hautes (de lordre de 50 500 MHz). En
effet, de telles frquences, les rsistances daccs aux lectrodes,
les capacits parasites entre les bornes daccs, limpdance de sor-
tie de la source commande jouent un rle non ngligeable. Les
modles qui en rsultent sont alors plus complexes et demandent
des moyens de calcul importants (logiciels de simulation lectri-
que). Dans un calcul la main, ils peuvent tre avantageusement
remplacs par une reprsentation base dun quadriple traduisant
globalement le comportement du transistor. Les paramtres utiliss
(gnralement Y) dpendent du point de polarisation et de la fr-
quence du signal. Par consquent, ils ne sont utilisables simplement
que pour tudier des amplicateurs traitant des signaux haute fr-
quence bande troite.
Figure 14 Structure SCVV de gain 1 (collecteur commun)
v
e
v
s
+
e
g
R
g
R
E
r
e
C
b'c
C
b'e
i
e
i
e
C
1
v
e
+
e
g
R
g
R
E
r
e
i
e
i
e
v
e
v
s
+
e
g
R
g
R
E
r
e
i
e
Z
e
i
e
Z
s
schma quivalent pour valuer les
performances dans la bande passante
b schma de principe a
schma quivalent pour valuer la bande passante
aprs application de la transformation de Miller
d schma quivalent pour valuer la bande passante c
+
E
g0
+ e
g
R
g
V
CC
R
E
V
s0
+ v
s
A
vc
= 1 =
v
s
e
g
R
E
r
e
+ R
E
+ (1 ) R
g
Z
e
= = ( + 1)(r
e
+ R
E
)
r
e
+ R
E
1
Z
s
= r
e
+ (1 ) R
g

R
g
( + 1)
v
s
f
T
1
2r
e
C
b e
C
b c
+ ( )
---------------------------------------------- =
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 17
3.2 Inuence des lments ractifs
La limitation principale de la bande passante des sources com-
mandes est due aux capacits parasites associes aux points
dinterfaage. Nous allons tudier linuence de la capacit dentre,
de la capacit de sortie et de la capacit reliant lentre et la sortie
dune source commande.
La capacit dentre C
e
en parallle sur le diple dentre dune
source commande affecte leffet de diviseur de tension ou de cou-
rant vu au paragraphe 1.
Quelle que soit la grandeur dentre (tension ou courant), la pr-
sence de la capacit C
e
introduit un ple la frquence
.
Leffet de la capacit de sortie est identique car on retrouve en sor-
tie un effet de diviseur de tension ou de courant analogue. La pr-
sence de C
s
introduit donc un ple la frquence .
Considrons maintenant une source commande de nature quel-
conque dont lentre et la sortie sont relies par une capacit C
es
(gure 19).
Le courant i
Ces
parcourant la capacit C
es
est gal :
i
Ces
= C
es
p(v
e
v
s
)
Si on note A
v
le gain en tension de la source commande, on peut
exprimer i
Ces
en fonction de v
e
ou de v
s
:
i
Ces
= C
es
pv
e
(1 A
v
) = C
es
pv
s
(1 1/A
v
)
Vis--vis de lentre de la source commande, tout se passe
comme si la capacit C
es
tait remplace par une capacit C
1
de
valeur (1 A
v
)C
es
en parallle sur le diple dentre (son effet accen-
tue celui de C
e
). Lorsque A
v
est ngatif et de valeur absolue leve,
leffet de cette capacit est multipli par un facteur voisin de A
v
(effet
Miller) et devient prpondrant.
De mme, vis--vis de la sortie de la source commande, tout se
passe comme si la capacit C
es
tait remplace par une capacit C
2
de valeur (1 1/A
v
)C
es
en parallle sur le diple de sortie (son effet
accentue celui de C
s
).
Lapplication de la transformation prcdente (dite de Miller), qui
permet de remplacer une capacit entre lentre et la sortie dune
source commande par deux capacits connectes la masse,
ramne le calcul de lordre de grandeur de la frquence de coupure
ltude dun schma quivalent semblable celui de la gure 19.
Leffet conjugu des diffrentes impdances impliques linterface
entre deux tages introduit donc une frquence de coupure de
valeur :
o C
es1_s
(resp. C
es2_e
) dsigne la capacit de raction C
es
du pre-
mier tage ramene en sortie (resp. du second tage ramene en
entre).
Lorsque C
es
nintervient pas dans lexpression de A
v
, cette trans-
formation (dite de Miller) permet dvaluer simplement le compor-
tement frquentiel dun tage amplicateur. Nous allons lappliquer
au cas des tages amplicateurs de base transistors bipolaires
tudis au paragraphe 2. Le cas des transistors effet de champ se
traite de faon identique compte tenu de la similitude des modles
adopts.
Pour tudier le comportement frquentiel de la structure metteur
commun (SCVI charge par une rsistance), on peut adopter le
modle de la gure 13. An dvaluer la frquence de coupure de
cet tage, nous pouvons nous ramener un schma plus simple en
appliquant la transformation de Miller vue prcdemment, en
notant A
v
= R
C
/(r
e
+ R
E
) la valeur du gain en tension de ltage dans
sa bande passante et en considrant que :
Figure 15 Structure SCII de gain 1 (base commune)
A
ic
= = 1
i
c
j
g
R
g
r
e
+ R
E
Z
e
= r
e
Z
s
infinie si on nglige leffet de r
ce
schma de principe a
R
C
V
CC
V
BB
R
g
I
C0
+ i
c
I
E0
+ i
e
J
g0
+ j
g
(J
g0
< 0)
schma quivalent pour valuer les
performances dans la bande passante
b
R
C
r
e
i
e
Z
e
i
c
i
e
Z
s
R
g
j
g
R
C
r
e
C
b'c
C
b'e
i
e
i
c
i
e
R
g
j
g
schma quivalent pour valuer la bande passante c
1
2 R
g
// R
e
( )C
e
----------------------------------------
1
2 R
s
// R
u
( )C
s
----------------------------------------
1
2 R
s1
// R
e2
( ) C
s1
C
e2
C
es1_s
C
es2_e
+ + + ( )
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 18 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
C
be
peut tre remplace par une capacit C
1
place en paral-
lle sur lentre du transistor et de valeur :
C
bc
joue vis--vis de lentre le mme rle quune capacit C
2
de valeur :
C
2
= C
bc
(1 + A
v
)
Figure 16 Structure SCVI diffrentielle
+ +
E
g1
E
g2
R
g1
R
g2
R
C1
V
CC
V
EE
I
C1
R
C2
I
C2
+ +
e
g1
e
g2
R
g
R
g
R
C
i
c1
i
e1
R
C
R
E
r
e
r
e
i
c2
i
e2
i
e1
i
e2
R
g1
= R
g2
= R
g
R
C1
= R
C2
= R
C
R
E
impdance de la source de courant J
E
A
dc
= A
cd
= 0 si la structure est parfaitement symtrique
A
dd
= =
i
c1
i
c2
e
g1
e
g2

r
e
+ (1 ) R
g
e
g1
+ e
g2
= 0
A
cc
= =
i
c1
+ i
c2
e
g1
+ e
g2

r
e
+ 2R
E
+ (1 ) R
g
e
g1
e
g2
= 0
schma quivalent pour valuer les performances dans
la bande passante
b
schma de principe a
A
J
E
A
C
1
C
b e

r
e
r
e
R
E
+
------------------ =
Figure 17 Association de sources commandes incompatibles
Figure 18 Exemple damplicateur oprationnel
v
e1
v
s R
u
v
e2
r
e1
r
e2 A
v02
v
e2
g
m1
v
e1
r
s2
r
s1
+
SCV I SCV V
v
s
= A
v2
v
e2
= g
m1
(r
s1
//r
e2
) A
v2
v
e1
Si les sources commandes sont idales, r
s1
et r
e2
sont infinies ;
le gain en tension v
s
/v
e1
tend vers l'infini.
T
2
T
3
T
4
T
7
T
1
T
9
T
10
T
12
T
11
T
13
T
14
T
8
T
5
T
6
S
V
+
E
+
E

A B
C
T
4
T
7
T
10
T
13
T
14
T
5
S
V
+
E
+
E

A B
C
+
SCV I
diffrentielle
SCV V
de gain 1
(push-pull)
Miroir de courant SCV I
i
2
i
1 i
s1
= i
1
i
2
i
2
schma de principe simplifi b
schma interne a
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 19
C
bc
joue vis--vis de la sortie le mme rle quune capacit C
3
de valeur :
Les capacits mentionnes sur la gure 11 introduisent deux
ples
1
et
2
dans lexpression du gain.
Lapproximation de Miller permet dvaluer le ple prdominant

1
li la capacit globale dentre, limpdance interne du gn-
rateur et limpdance dentre de la structure tudie. La valeur du
second ple
2
ainsi obtenue est entache dune erreur importante
car lapproximation de Miller nest plus vraiment utilisable cette
frquence.
Dans le cas du montage collecteur commun (gure 14), compte
tenu du couplage entre lentre et la sortie (C
be
, r
e
), le comporte-
ment frquentiel de la structure (gure 14) dpend de la nature de
la charge et de lordre de grandeur des composants. Dans le cas
simple o la charge est purement rsistive, la frquence de coupure
de ltage est due la rsistance R
g
et limpdance dentre de la
structure. Cette dernire se compose dune partie rsistive
( + 1)(r
e
+ R
E
) et dune partie capacitive C
bc
+ C
be
r
e
/ (r
e
+ R
E
).
partir de lanalyse directe de la structure SCII de gain unitaire
(gure 15), on constate que la transmittance i
c
/j
g
de cette structure
possde :
un ple d la capacit dentre situ une frquence
trs leve et situe au-del de la frquence de
transition f
T
;
un ple d la capacit C
bc
et la charge la frquence
imposant la frquence de coupure de la structure.
Cette structure prsente donc une large bande passante car elle
nest pas affecte par leffet Miller.
3.3 Extension de la bande passante
Pour raliser des sources commandes prsentant la fois un
gain en tension lev et une large bande passante, il faut minimiser
leffet de la capacit reliant lentre et la sortie, cest--dire rduire
lerreur de courant C dV/dt introduite par cette capacit.
La solution immdiate consiste minimiser C par un choix judi-
cieux de composants, un cblage soign ou ladoption dune struc-
ture (type base commune) approprie.
On peut galement envisager de minimiser les variations de ten-
sion aux bornes de cette capacit en utilisant le courant comme
grandeur porteuse de linformation. La structure cascode dont le
schma de principe est donn la fgure 20 est une application
directe de cette remarque. On peut lanalyser comme lassociation
dune SCVI (transistor T
1
) charge par une SCII de gain unitaire
(transistor T
2
) qui isole le collecteur de T
1
des variations de tension
aux bornes de la charge R
C
. Le ple introduit par son impdance
dentre est situ une frquence voisine de f
T
. La frquence de
coupure est donc xe par R
c
et C
bc
. Le transistor T
1
fonctionne en
SCVI charge par une impdance trs faible (r
e2
). Son gain en ten-
sion dans la bande passante [r
e1
/(r
e1
+ R)] est galement trs faible.
Leffet Miller a donc t fortement attnu alors que le gain global
(v
s
/v
e
) reste pratiquement gal celui de la SCVV constitue par
T
1
charg directement par R
c
.
3.4 Comportement frquentiel
des structures boucles
amplicateur oprationnel
On a montr lintrt de la rtroaction en lectronique au
paragraphe 1.
Figure 19 Approximation de Miller
e
g1
C
R
e2
V
R
s1
+
R
u
C
1
= C
es
(1 A
v
)
C
2
= C
es
(1 1/A
v
)
e
g
R
g
Z
e
Z
s
+
v
e
v
s
= A
v
v
e
e
g
R
u
R
s
Z
e
Z
s
C
es
i
Ces
+
A
v
modlisation de l'interface entre deux sources commandes,
aprs transformation de Miller
b
calcul des capacits d'entre et de sortie quivalentes en utilisant
l'approximation de Miller
a
C
3
C
b c
1
1
A
v
---------- +


=
i
c
e
g
------
i
c
e
g
------


0 =

1
1
p

1
------ +


----------------------
1
1
p

2
------ +


---------------------- =
i
c
e
g
------


0 =

1 ( )R
g
r
e
R
E
+ +
-------------------------------------------------- =

1
1
C
b e

r
e
r
e
R
E
+
------------------ C
b c

R
C
R
E
r
e
+ +
r
e
R
E
+
------------------------------------ + R
g
// 1 + ( ) r
e
R
E
+ ( ) [ ]
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ =

C
b c
R
C
R
E
r
e
+ + ( )
---------------------------------------------------- =
1
2C
b e
r
e
// R
g
( )
-------------------------------------------
1
2C
b c
R
c
-------------------------
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 20 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
La transmittance dun amplicateur oprationnel boucl de gain
A
v
peut se mettre sous la forme :
correspond la transmittance idale obtenue quand le gain
Av est inni. Av est le gain en boucle ouverte obtenu en annulant
les signaux dentre, en coupant la boucle et en valuant la trans-
mittance de la boucle ouverte. Dans cette optique, les deux monta-
ges de base tudis prcdemment se ramnent celui de la
gure 21 avec = Z1/(Z1 + Z2).
Lamplicateur oprationnel est en pratique ralis laide de
transistors dont la bande passante est limite. Lorsque la frquence
augmente, A
v
diminue et la transmittance s/e scarte de la valeur
idale .
Pour tudier linuence de la frquence sur A
v
(f) et par
rpercussion sur s/e, nous considrerons dans un premier temps
que est rel et que A
v
possde un seul ple au dessus de laxe
0 dB.
pour f < f
0
Figure 20 Structure cascode
+
+
+
E
g
+ e
g
R
g
R
c
R
E
V
B0
T
2
T
1
V
cc
R
c
R
E

1
i
e1

2
i
e2
C
b'c1
C
b'c1
C
b'c2
C
b'c2
i
e1
r
e1
r
e2
i
e2
+
e
g
R
g
V
e
V
s
schma quivalent en rgime de variations b
schma de principe a
Figure 21 Structure boucle
Z
1
Z
2

+
1

f
0
f
c
f
T
0 dB
A
v

f
Gain en boucle
ferme
bande passante b
schma simplifi pour l'tude en boucle ouverte a
s
e
--- H

1 +
----------------- H


A
v

1 A
v
+
-------------------- = =
H

A
v
f ( )
A
v
0 ( )
1 j
f
f
0
---- +
------------------- =
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 21
Ltude en fonction de la frquence portera sur le module des
transmittances et on confondra au un premier ordre la courbe relle
et ses asymptotes.
Linuence de la frquence sur A
v
se ramne ltude de
lexpression :
Si A
v
(f) > 1, H
0
= 1/
Si A
v
(f) < 1, H
0
= A
v
(f)
On peut donc tudier A
v
(f) dans le plan de Bode ou 1/|| dans
le plan o on a dj report la courbe A
v
(f) fournie par le construc-
teur de lamplicateur oprationnel.
La frquence de transition f
T
de lamplicateur oprationnel cor-
respond au point o la caractristique de pente 20 dB/dcade
coupe laxe des 0 dB.
f
T
= A
v
(0)f
0
f
T
, caractristique de lamplicateur donne par les constructeurs,
est en gnral comprise entre 500 kHz et une dizaine de mgahertz.
On constate que la bande passante de la structure boucle est
dautant plus grande que son gain en boucle ferme est faible (la
frquence de coupure de la structure boucle est dsigne f
c
sur la
gure 21). Si la transmittance de lamplicateur oprationnel est du
premier ordre, le rapport f
c
/ reste constant.
4. Stabilit
4.1 Critre de stabilit
Dans la pratique, A
v
possde de nombreux ples (ples dus
lamplicateur oprationnel, ples dus aux capacits parasites et
). Le dphasage de A
v
peut donc atteindre pour une valeur nie
f. Si, cette frquence, le module de A
v
est suprieur 1, la struc-
ture boucle est instable.
Pour tudier la stabilit de la structure boucle, on pourrait utiliser
les mthodes gnrales de lautomatique. Cependant, en lectroni-
que, un systme est considr comme stable sil respecte les condi-
tions de stabilit dnies dans la thorie de la raction et si son
comportement est voisin de celui des systmes amortissement
optimal. Compte tenu de la faible prcision sur la position des ples
et des zros, on raisonne sur les tracs asymptotiques de A
v
et de
1/ et on utilise le critre simpli de stabilit suivant : le systme
boucl sera stable avec une marge de gain et de phase convenable
si les tracs asymptotiques des modules de A
v
et 1/ se coupent en
un point o la diffrence entre la pente du module de A
v
et celle du
module de 1/ est suprieure ou gale 20 dB/dcade (gure 22).
Le trac de 1/ doit ventuellement tenir compte des lments
parasites dstabilisants (capacits dentre et de sortie de lampli-
cateur oprationnel...).
La capacit parasite C
e
entre les entres de lamplicateur opra-
tionnel modie la transmittance de retour . Dans lexemple de la
gure 23, R
1
est alors remplac par .
devient alors .
Une capacit C
s
(capacit parasite ou partie capacitive de la
charge) place en sortie dun amplicateur oprationnel de rsis-
tance de sortie R
s
non nulle modie le gain en boucle ouverte A
v
et
tend dstabiliser la structure boucle.
Dans lexemple de la gure 24, 1/ devient :
4.2 Stabilisation et compensation
Lorsque le critre de stabilit nest pas rempli, on peut stabiliser le
montage :
en agissant sur la transmittance de lamplificateur opra-
tionnel ;
en agissant sur la transmittance de retour .
La premire solution est trs utilise et facile mettre en uvre
condition que lamplicateur oprationnel permette cette compen-
sation.
La deuxime solution est toujours possible et permet souvent
dobtenir les meilleures performances. Sa mise en uvre est cepen-
dant plus dlicate.
H
0
A
v
f ( )
1 A
v
f ( ) +
---------------------------- =
A
v
f ( )
A
v
0 ( )
1 j
f
f
0
---- +
------------------- =
R
1
1 R
1
C
e
p +
---------------------------
Figure 22 Critre de stabilit
1

1

0 dB
1

2

A
v


2
0

d
B
/
d

c
a
d
e

4
0

d
B
/
d


2
0

d
B
/
d

c
a
d
e


4
0

d
B
/
d

c
a
d
e
1

2

0 dB
1

1

A
v


2
0

d
B
/
d

c
a
d
e
+

2
0

d
B
/
d

c
a
d
e

4
0

d
B
/
d
c
a
d
e


4
0

d
B
/
d

c
a
d
e
systmes instables b
systmes stables a
1

---
R
1
R
2
+
R
2
------------------- 1 R
1
// R
2
( )C
e
p + [ ]
1

---
R
1
R
2
R
s
+ +
R
2
-------------------------------- 1 R
s
// R
1
R
2
+ ( ) [ ]C
s
p + [ ] =
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 22 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
4.2.1 Stabilisation par action sur A
v
Ce type de stabilisation, souvent appel compensation, consiste
modier la rponse en frquence de lamplicateur oprationnel en
agissant sur la position du premier ple ou du second. Plusieurs
solutions sont possibles mais, dans tous les cas, il est prfrable de
suivre les indications des notices techniques fournies par le cons-
tructeur.
Une solution simple consiste diminuer la premire frquence de
coupure de lamplicateur oprationnel pour repousser le second
ple du gain en boucle ouverte A
v
sous laxe 0 dB. Cette solution,
prconise pour la plupart des amplicateurs oprationnels poss-
dant des bornes de compensation, exploite gnralement leffet
Miller affectant ltage de plus grand gain. Elle se rduit alors au
cblage dune capacit entre les bornes de compensation.
Figure 23 Inuence de la capacit dentre
R
2
R
1

+
C
e
R
2
C
2
R
1

+
C
e
1

0 dB
A
v

f
sans compensation :
1

R
1
+ R
2
R
1
= [1 + (R
1
//R
2
)C
e
p]
avec compensation :
1

R
1
+ R
2
R
1
= si R
1
C
e
= R
2
C
2
compensation possible b
structure non compense a
rponse en frquence c
Figure 24 Inuence de la capacit de sortie
R
2
R
s
R
1

+
C
s
+
A
v

1

0 dB
A
v

A
v

f
1
C
s
(R
s
+ R
3
)
1
R
s
C
s
1
C (R
1
// R
2
)
R
s
R
1

+
C
s
C
3
+
A
v

R
2
R
3
compensation possible b
structure non compense a
rponse en frquence c
1

[1 + R
s
//(R
1
+ R
2
)C
e
p]
R
1
+ R
2
R
2
=
idal :
R
1
+ R
2 +
R
s
R
1
=
sans compensation :
R
1
+ R
2
R
2
=
[1 + (R
1
//R
2
)C
3
p] [1 + (R
3
+ R
s
)C
s
p]
1 + R
2
C
3
p + R
3
R
2
C
3
C
s
p
2
avec compensation :
Si R
3
<< R
1
et R
s
<< R
2
1

______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX


Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 23
Dans le cas damplicateurs oprationnels conus sur le principe
de celui de la gure 17, la premire frquence de coupure est voi-
sine de :
Les bornes de compensation (points nots A et B sur la gure 18)
permettent daccder lentre et la sortie de ltage imposant le
ple dominant pour augmenter la valeur de C
comp
par cblage dune
capacit externe de lordre de quelques dizaines de picofarads et
diminuer la frquence f
1
.
Les amplicateurs compenss intrieurement sont dots dune
capacit de compensation interne qui positionne le second ple du
gain A
v
de lamplicateur oprationnel sur laxe 0 dB et garantit
alors la stabilit de toute structure reboucle par un facteur de
retour rel et de module infrieur 1 (1/ > 0 dB). Les bornes de
compensation nexistent alors pas ncessairement.
Une tude plus ne de la rponse en frquence de lamplicateur
oprationnel montrerait que le deuxime ple contribue dstabili-
ser la structure boucle. Cette solution de compensation a pour effet
secondaire den augmenter la valeur (effet de rpulsion des ples ou
splitting pole) et damliorer la marge de phase.
Cette technique de compensation peut tre mise en uvre trs
simplement sans affecter le rseau de raction ralisant le facteur de
retour . Par contre, la vitesse de balayage de lamplicateur opra-
tionnel, inversement proportionnelle la capacit dentre du
second tage, se trouve diminue. Par ailleurs, la bande passante de
lamplicateur oprationnel est rduite et tend diminuer la prci-
sion du systme boucl.
On trouvera dans les ouvrages cits en bibliographie [5] [6],
dautres techniques de compensation plus complexes (compensa-
tion deux ples, compensation par avance de phase).
4.2.2 Stabilisation par action sur la transmittance
de retour
Pour stabiliser une structure reboucle instable, il est toujours
possible de modier la rponse en frquence du facteur de retour
pour que le critre de stabilit soit respect. Cette solution naffecte
pas les performances de lamplicateur oprationnel (vitesse de
balayage en particulier). En revanche, elle est moins systmatique
que les prcdentes car les solutions possibles dpendent de cha-
que rseau de raction particulier.
Considrons par exemple, le montage inverseur instable de la
gure 25. La droite 1/ coupe le trac asymptotique de A
v
en un
point o la pente vaut 40 dB/dcade. Pour stabiliser le montage,
on peut placer un condensateur C en parallle sur R
2
de faon ce
que ne soit plus constant et tel que la diffrence des pentes des tra-
cs asymptotiques de A
v
et 1/ soit de 20 dB/dcade.
Les gures 23 et 24 proposent, en complment quelques exem-
ples de solutions pour remdier leffet nfaste des capacits
dentre et de sortie.
5. Comportement
des amplicateurs vis--vis
du bruit
Nota : le lecteur pourra utilement se reporter larticle Bruit de fond et mesures
[E 1 150], rf. [23] dans le prsent trait et aux rfrences [11] [13] de la bibliographie.
On tudiera dans ce paragraphe linuence du bruit sur les perfor-
mances dun amplicateur faibles niveaux. On rappellera, dans un
premier temps, les diffrentes sources de bruit associes aux l-
ments passifs et actifs usuels (rsistances, transistors...) puis on
valuera linuence du bruit sur les performances dun tage ampli-
cateur transistor ou amplicateur oprationnel. On donnera,
enn, quelques indications pour le minimiser.
5.1 Mthodologie dtude
Ltude rigoureuse des bruits fait appel au modle mathmatique
de processus alatoire dni par la thorie des probabilits et des
statistiques.
La densit spectrale de puissance permet de caractriser la
rpartition de la puissance du signal dans le domaine frquentiel.
Pour la dnir, considrons un signal x(t) lentre dun ltre passe
bande centr sur f
0
et de largeur df. Lorsque df tend vers zro, la
valeur quadratique moyenne du signal dx
f
(t) ltr tend vers
zro mais le rapport reste ni et gal la densit
spectrale de puissance du signal x(t) au point f = f
0
. Elle sexprime en
A
2
/Hz ou en V
2
/Hz selon la nature de la grandeur lectrique qui porte
x(t).
f
1
1
2 R
s1
// R
e2
( ) A
v2
C
comp
-------------------------------------------------------------------- =
Figure 25 Compensation par action sur le facteur de retour
sans compensation :
1

R
1
+ R
2
R
1
=
avec compensation :
1

R
1
+ R
2
R
1
=
(R
1
// R
2
)C p + 1
R
2
C p + 1
rponse en frquence b
principe a
R
2
C
R
g

+
R
1
+
E
g
V
s
1

0 dB
A
v

A
v

f 1
R
2
C
1
(R
1
// R
2
)C
dx
f
2

S
x
f
0
( ) dx
f
2
df =
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 24 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
Dans une bande de frquences [f
0
df /2, f
0
+ df /2], le signal dx(t)
peut tre assimil un signal sinusodal de frquence f
0
et de valeur
efcace .
Pour tudier linuence du bruit, nous nous contenterons ici de
complter les modles de composants proposs prcdemment
(gures 10 et 11) en introduisant des sources de courant dlivrant
un signal alatoire que nous caractriserons par leur densit spec-
trale de puissance. La mthodologie adopter pour valuer la den-
sit spectrale de puissance du signal de bruit recueilli en un point
particulier du circuit peut donc se dcomposer comme suit :
1) modliser chaque composant lmentaire en introduisant dans
le schma quivalent en petits signaux les sources de bruit affectant
cet lment et dont les origines physiques seront dcrites dans le
prochain paragraphe ;
2) dans une bande de frquences [f
0
df /2, f
0
+ df /2], remplacer
chaque source de courant alatoire par une source sinusodale de
mme valeur efcace an de pouvoir utiliser les rsultats et les
mthodes dcrits dans la thorie des circuits linaires. Lorientation
de ces sources est sans importance car elles interviennent dans
lexpression de la densit spectrale du bruit en un point donn par
lintermdiaire de leur valeur quadratique moyenne ;
3) valuer la densit spectrale de puissance du signal en un point
particulier en tenant compte des ventuelles corrlations entre les
sources. Si on a pris soin dadopter une modlisation faisant inter-
venir des sources de bruit indpendantes ou peu correles, ce calcul
se ramne une somme quadratique des diffrentes contributions
lmentaires ;
4) calculer si besoin la valeur efcace du bruit en un point du cir-
cuit sur un intervalle de frquences [f
1
, f
2
] par intgration de la den-
sit spectrale de puissance.
5.2 Origine et modlisation
des phnomnes
Les diffrents bruits qui peuvent intervenir dans les montages
lectroniques ont des origines varies. On ne retiendra ici que les
trois plus importants qui sont : le bruit thermique, le bruit de gre-
naille et le bruit de scintillement.
Le bruit thermique est d lagitation thermique alatoire des
lectrons. Il reprsente la valeur minimale du bruit dans un lment
rsistif. Dans le domaine de frquences tudi, sa densit spectrale
de puissance disponible peut tre considre comme constante
(bruit blanc) et gale :
S(f) = kT
avec k constante de Boltzmann (k = 1,38 10
23
J/K),
T temprature absolue.
Le bruit de grenaille est d aux uctuations alatoires des cou-
rants dans les composants lectroniques actifs (diodes, transis-
tors...).
Dans le cas dune jonction PN, la loi de Shockley traduisant le
comportement lectrique macroscopique fait apparatre deux ux
de porteurs. Compte tenu de la quantication de la matire, chaque
ux nest pas rigoureusement continu. Pour traduire le franchisse-
ment alatoire de la barrire de potentiel, on peut associer chacun
de ces ux un bruit indpendant de lautre, de densit spectrale de
puissance S(f) = 2qI
x
. La densit spectrale de puissance du bruit
de grenaille constitu de ces deux composantes est donc gale :
avec I
s
courant de saturation,
q charge de llectron (1,6 10
19
C).
Elle dpend de la valeur du courant I qui polarise le composant.
Le bruit de scintillement appel parfois galement bruit en 1/f
existe dans tous les composants lectroniques actifs et dans cer-
tains composants passifs (rsistances au carbone...). Comme le
bruit de grenaille, ce bruit est toujours associ un courant continu
parcourant le composant et dpend donc de sa polarisation stati-
que. Sa densit spectrale de puissance est gale :
avec K coefcient dpendant de la technologie de
fabrication du composant,
I valeur du courant parcourant le composant
(polarisation statique),
a exposant compris entre 0,5 et 2.
5.3 Modlisation des composants
bruyants vis--vis du bruit
Le bruit intervenant dans un composant lmentaire (rsistance,
transistor...) peut tre modlis en incluant, dans le schma quiva-
lent en rgime de variations, des sources de courant alatoire tra-
duisant un mcanisme de bruit dcrit prcdemment.
Un systme lectronique est toujours plac dans un environne-
ment extrieur et recueille des signaux parasites qui se transmettent
lintrieur par conduction, couplage capacitif ou inductif. Ltude
de ces phnomnes, importants dans la pratique, est du ressort de
la compatibilit lectromagntique [E 3 750], rf. [24]. On nen tien-
dra pas compte dans la suite de cet article et on se limitera ltude
de linuence du bruit interne aux composants constituant le sys-
tme.
5.3.1 Rsistances
Une rsistance R la temprature T (K) est le sige dun bruit ther-
mique qui peut tre reprsent par une source de courant
(gure 26) dlivrant un signal alatoire i
R
dont la densit spectrale
est gale :
La puissance disponible de bruit P
d
est bien gale :
P
d
= kT df
Cette puissance ne dpend pas de la rsistance R.
On peut galement faire intervenir un bruit en 1/f dpendant de la
technologie de fabrication de la rsistance. La densit spectrale de
puissance du bruit devient alors :
Pour raliser des amplicateurs faible bruit, on privilgiera donc
les rsistances couches mtalliques qui prsentent de meilleures
caractristiques.
5.3.2 Transistor jonction
Plusieurs modlisations du bruit affectant le transistor bipolaire
sont possibles. On retiendra ici celle de la gure 10.
S
x
f
0
( )df
S f ( ) 2q I
s
exp
qV
kT
--------


I
s
+


2qI =
S f ( )
KI
a
f
--------- =
di
R
2

df
---------------
4kT
R
---------- =
di
R
2

df
---------------
4kT
R
----------
KI
2
f
--------- + =
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 25
Le bruit de grenaille nest pas reprsent directement par deux
sources de courant alatoire en parallle sur les diodes base-met-
teur et base-collecteur car, par effet transistor, ces sources de bruit
seraient fortement correles. On adopte donc une modlisation dif-
frente faisant intervenir deux sources de courant notes i
b
et i
c
qui
peuvent tre considres comme indpendantes.
La source i
b
comporte un terme reprsentant le bruit en 1/f :
avec K coefcient dpendant de la technologie de
fabrication du composant,
I
C
et I
B
valeurs du courant parcourant le collecteur et la
base (polarisation statique) (I
C
= I
B
),
a exposant compris entre 0,5 et 2.
5.3.3 Transistor effet de champ
Le canal dun transistor effet de champ tant rsistif, le bruit
principal affectant ce type de transistor sera le bruit thermique
modlis sur le schma de la gure 11 par la source de courant i
d
qui tient compte galement dun bruit en 1/f :
avec g
m
transconductance du transistor,
K coefcient dpendant de la technologie de
fabrication du composant,
I
D
courant parcourant le canal (polarisation
statique),
a exposant compris entre 0,5 et 2.
Cette modlisation peut tre adopte pour caractriser les transis-
tors effet de champ grille isole (MOSFET) ou jonction (JFET).
On notera cependant, qu lheure actuelle, le bruit en 1/f des pre-
miers est nettement plus important que celui des seconds.
5.3.4 Modlisation globale des bruits dun tage
amplicateur
Ltude dun amplicateur en faisant intervenir les sources l-
mentaires intervenant au niveau de chaque composant devient vite
trs complexe ds que le nombre de composants devient important.
Une telle approche qui ne peut tre mise en uvre quau sein dun
simulateur lectrique sur ordinateur ne permet pas non plus de
caractriser les performances globales de lensemble vis--vis du
bruit.
Les diffrentes sources lmentaires de bruit internes aux compo-
sants produisent en sortie dun systme linaire (tage amplica-
teur) un signal parasite qui se superpose au signal utile dlivr par
la source E
g
. Ces sources constituent des sources indpendantes
internes au quadriple quivalent dont on peut modliser globale-
ment leffet, comme nous lavons fait pour le dcalage en sortie, en
introduisant un quadriple de bruit.
On peut ainsi dissocier la gnration du bruit et la fonction princi-
pale du quadriple (amplication) en considrant dune part ltage
amplicateur sans source de bruit et un quadriple de bruit (v
b
, i
b
)
traduisant globalement vis--vis de la sortie leffet des sources de
bruit dues aux diffrents composants constituant ltage amplica-
teur (gure 27 a). Ces sources v
b
et i
b
peuvent tre correles ou
non. Elles sont indpendantes de la source (E
g
, R
g
).
Par transformation de Thvenin, on peut galement se ramener
une modlisation ne faisant intervenir quune source unique
(gure 27 b). Cette source quivalente de bruit ramen lentre
dpend alors de la valeur de limpdance de la source.
( si on nglige les corrlations ventuelles
entre v
b
et i
b
).
Cette modlisation globale peut tre utilise pour caractriser les
tages amplicateurs lmentaires transistors bipolaires ou effet
de champ dcrits prcdemment.
On peut montrer par exemple [11] [13] que le bruit de ltage l-
mentaire de type SCVI transistor bipolaire, tudi au
paragraphe 2.2.3.1, peut tre modlis par une source quivalente
de bruit ramen lentre v
eq
gale, si on nglige linuence du
bruit en 1/f, :
avec U
T
tension thermodynamique (= kT/q).
Figure 26 Modlisation du bruit dune rsistance
i
R R R
di
c
2

df
-------------- 2qI
C
=
di
b
2

df
--------------- 2qI
B
KI
B
a
f
---------- + =
di
d
2

df
--------------- 4kT
2
3
--- g
m
KI
D
a
f
---------- + =
Figure 27 Modlisation globale des bruits dun amplicateur
entre rfrence
i
b
+ V
s
v
b R
g
E
g
Source
commande
sans bruit
+ V
s
v
eq R
g
Source
commande
sans bruit
par une source de bruit quivalent ramen l'entre v
eq
b
par un quadriple de bruit (v
b
, i
b
) a
v
eq
2
v
b
2
R
g
2
i
b
2
+
dv
eq
2

df
------------------- 2q
I
C

----- R
g
R
E
+ ( )
2
2qI
C
U
T
I
C
-------
R
g
R
E
+ ( )

------------------------- +


2
4kTR
E
+ + =
AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
E 320 26 Techniques de lIngnieur, trait lectronique
Lorsque le transistor est polaris une valeur du courant collec-
teur gale I
Copt
, la densit spectrale de puissance de cette source
quivalente de bruit est minimale et gale :
pour
5.3.5 Amplicateur oprationnel
Les constructeurs caractrisent le bruit des amplicateurs opra-
tionnels laide dun quadriple quivalent de bruit ramen
lentre (gure 28), dont ils fournissent la densit spectrale de puis-
sance.
5.4 Facteur et temprature de bruit
Le facteur et la temprature de bruit sont deux autres reprsenta-
tions globales possibles des bruits dun amplicateur. Leur utilisa-
tion est frquente dans le cas des amplicateurs HF bande troite.
Considrons un quadriple rel Q la temprature T
0
attaqu par
une source de rsistance interne R
g
la mme temprature T
0
.
Notons G
d
le gain en puissance disponible de ce quadriple.
La puissance disponible de bruit N
g
de la rsistance R
g
dans une
bande de frquence de largeur f est gale :
N
g
= kT
0
f
La puissance disponible de bruit N
s
en sortie du quadriple (qui
peut se calculer en dterminant le schma quivalent de Thvenin
en sortie du quadriple) serait gale, si le quadriple Q tait non
bruyant, :
N
s
= G
d
kT
0
f
Q tant bruyant, la puissance disponible en sortie est sup-
rieure N
s
.
On appelle facteur de bruit F du quadriple Q, attaqu par un
gnrateur de rsistance interne R
g
, le rapport :
soit .
Le facteur de bruit peut sexprimer en fonction des sources v
b
et
i
b
intervenant dans le quadriple de bruit de la gure 26 a ou en
fonction de la source quivalente de bruit ramen lentre de la
gure 26 b.
Il caractrise donc le rapport entre le bruit total apport par le qua-
driple et la source et le bruit d uniquement la source. Il faut donc
tre trs prudent car le facteur de bruit peut tre minimal sans que
pour autant le bruit en sortie le soit. Il suft en effet daugmenter le
bruit apport par la source pour rduire le facteur de bruit sans am-
liorer pour autant les performances de lamplicateur.
Si on fait intervenir la puissance disponible S
g
du signal utile du
gnrateur et la puissance disponible de signal utile S
s
en sortie, on
peut crire :
S
s
= G
d
S
g
Le facteur de bruit peut alors sexprimer partir de la relation :
Si la source et le quadriple sont la mme temprature et si la
puissance disponible de bruit N
g
est uniquement due la rsistance
R
g
, le facteur de bruit F reprsente la dgradation du rapport signal
sur bruit. Cest une caractristique de lensemble quadriple rsis-
tance R
g
indpendante de la charge du quadriple.
Le bruit propre apport par le quadriple est gal :
N
Q
= (F 1) G
d
k T
0
f
On dnit alors la temprature quivalente de bruit T
eq
du quadri-
ple en posant :
N
Q
= G
d
k T
eq
f
cest--dire T
eq
= (F 1)T
0
.
Tout se passe comme si le quadriple ntait pas bruyant et que la
source tait la temprature T
0
+ T
eq
o T
eq
= (F 1)T
0
.
Lutilisation des notions de facteur et de temprature de bruit est
bien adapte au cas o la structure tudie est constitue de n qua-
driples placs en cascade et que leurs impdances dentre et de
sortie sont adaptes (conguration classique en amplication HF en
bande troite). En appelant F
n
le facteur de bruit et G
dn
le gain en
puissance disponible du n
e
quadriple attaqu par une source dont
limpdance interne est gale limpdance de sortie du (n 1)
e
quadriple, le facteur de bruit F de la chane complte sexprime par
la formule de Friis :
On remarque donc que si le premier quadriple a un gain en puis-
sance disponible lev, le facteur de bruit de la chane est pratique-
ment gal au facteur de bruit du premier quadriple (F F
1
).
5.5 Minimisation du bruit
Loptimisation des performances dun amplicateur vis--vis du
bruit consiste minimiser la puissance du bruit qui lui est inhrent,
dv
eq
2

df
-------------------


mm
4kT R
g
R
E
+ ( )
1 +
1 + 1
-------------------------- =
I
C
I
Copt
kT
q R
g
R
E
+ ( )
-----------------------------

1 +
----------------- = =
N
s

F
N
s

N
s
---------
=
N
s
FG
d
kT
0
f FG
d
N
g
= =
F
v
b
2
R
g
2
i
b
2
v
Rg
2
+ +
v
Rg
2

------------------------------------------------------------
v
eq
2
v
Rg
2
+
v
Rg
2

------------------------------------- = =
Figure 28 Modlisation globale des bruits dun amplicateur
entre diffrentielle
i
b1
i
b2
+ V
s
v
b R
g1
E
g1
+
R
g2
E
g2
Source
commande
sans bruit
F
S
g
N
g

S
s
N
s

------------------ =
F F
1
F
2
1
G
d1
---------------
F
3
1
G
d1
G
d2
--------------------- ...
F
n
1
G
d1
G
d2
...G
d n 1 ( )
------------------------------------------------ + + + + =
______________________________________________________________________________________________________ AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait lectronique E 320 27
calcul en sortie ou ramen en entre sous la forme dun quadriple
de bruit. Plusieurs niveaux daction sont possibles.
Tout dabord, en limitant la bande passante de lamplicateur au
strict minimum ncessaire, on limine par effet de ltrage les com-
posantes de bruit situes en dehors de la bande de frquence utile.
Cette action est gnralement simple mettre en uvre et peut
conduire une augmentation signicative du rapport signal/bruit.
On peut ensuite agir sur la structure globale de lamplicateur en
optimisant par exemple les performances de ltage situ le plus en
amont de la chane en relchant au besoin les autres caractristi-
ques de cet tage. Lors de la conception de ce premier tage, on vi-
tera lemploi de structures charges actives ou les polarisations par
pont de base, bruyantes par essence.
La tension de bruit ramen en entre quivalente v
eq
que lon
peut calculer en appliquant le thorme de Thvenin lensemble
source quadriple de bruit est gale :
En fonction de la valeur de la rsistance R
g
, on choisira le disposi-
tif technologique permettant de minimiser . Si R
g
est faible, on
choisira plutt un transistor bipolaire puisque car ce type de compo-
sant offre une valeur faible de v
b
. A contrario, si la valeur de R
g
est
leve, on cherchera minimiser i
b
. Le choix dun transistor effet
de champ sera alors mieux adapt.
La gure 29 propose un choix de dispositif technologique pour
une valeur de rsistance R
g
donne.
On pourra enn agir au niveau des sources lmentaires en inter-
venant sur les grandeurs dinuence qui leur sont associes [temp-
rature (bruit thermique), polarisation statique (bruit de grenaille et
bruit en 1/f), polarisation des transistors bipolaires I
Copt
] et sur la
qualit des composants (rsistances couche mtallique, transistor
faible bruit...) pour minimiser le coefcient K intervenant dans le
bruit en 1/f. Le choix dune alimentation sur pile ou accumulateur
permettra de se prmunir des bruits extrieurs issus du rseau lec-
trique (ondulation rsiduelle, parasites...).
v
eq
2
v
b
2
R
g
2
i
b
2
+
v
eq
2

Figure 29 Choix du type de composant en fonction de la rsistance
de source
10
10
R
g
() 10
9
10
8
10
7
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
MOSFET
JFET
Transistor bipolaire