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Tipos de Ligao Qumica

Ligao inica
Ligao covalente
Ligao metlica
Inicas Covalentes Metlicas
Ligaes qumicas
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Representaes de Lewis
Numa ligao qumica s intervm os eletrons de valncia, ou
seja, os eletrons da camada mais externa do tomo. Para os
representar utilizamos as representaes de Lewis ou notao de
Lewis.
Consistem no smbolo do elemento (que representa o ncleo
mais as camadas internas, ou cerne do tomo) e um ponto (dot)
por cada eletron de valncia.
Exemplos:
metais alcalinos: Li ; Na oxignio: O
carbono: C halogneos: F
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Ligaes Inicas
Estruturas de Lewis de compostos inicos
Ligaes Inicas
Interaes eletrostticas
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DEFINIES
Retculo Cristalino: conjunto de ons
positivos e negativos, extremamente
organizado, que apresenta um arranjo
definido ao redor de cada on, bem
como uma distncia constante que
separa quaisquer ons vizinhos.
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Cela Unitria: conjunto mnimo de ons que
deve corresponder menor subdiviso
possvel do cristal, que ainda mantm as
caractersticas tais como nmero de
vizinhos e distncia entre os mesmos.
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Equao de Born-Land:
U = ANZ
+
Z
-
e
2
(1 - 1)
r n
onde:
A a constante de Madelung ( somatrio de todas as interaes
geomtricas presentes no retculo),
N o nmero de Avogadro de pares de ons por mol de retculo
cristalino,
Z
+
a carga do on positivo,
Z
-
a carga do on negativo,
e a carga do eltron,
r a soma dos raios de cada um dos ons envolvidos no retculo
n uma varivel conhecida como expoente de Born (representa a
resistncia que os ons oferecem quando so forados a se
aproximar mais intimamente uns dos outros e, desta forma, devem
ser obtidos a partir de dados de compressibilidade)
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Ciclo de Born-Haber
Ciclos de Born-Haber e aplicao da Lei de
Hess
H
atm
Na + H
atm
Cl + H
1a IE
+ H
1a EA
+ H
rede
= H
formao
Rearranjando-se para encontrarmos a energia de rede:
H
rede
= H
formao
- (H
atm
Na + H
atm
Cl + H
1a IE
+ H
1a EA
)
Os ciclos de Born-Haber so usados para calcular para
determinar valores das energias associadas s formaes
dos compostos inicos.
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enthalpy H
NaCl (s)
Na
+
(g) + Cl
-
(g)
H
lattice
association
Na (s) + Cl
2
(g)
H
formation
H
atomisation
Na (g) + Cl
2
(g)
H
atomisation
Na (g) + Cl (g)
Na
+
(g) + e
-
+ Cl (g)
H
first ionisation energy
H
first electron affinity
H
atm
Na + H
atm
Cl + H
1st IE
+ H
1st EA
+ H
lattice
= H
formation
Apply
Hesss
Law:
Ciclos de Born-Haber e aplicao da Lei de
Hess
Born-Haber Cycles
There are two routes from
enthalpy H
NaCl (s)
Na
+
(g) + Cl
-
(g)
H
lattice
association
Na (s) + Cl
2
(g)
H
formation
H
atomisation
Na (g) + Cl
2
(g)
H
atomisation
Na (g) + Cl (g)
Na
+
(g) + e
-
+ Cl (g)
H
first ionisation energy
H
first electron affinity
elements to ionic compound
H
atm
Na + H
atm
Cl + H
1st IE
+ H
1st EA
+ H
lattice
= H
formation
Apply
Hesss
Law:
: applying Hesss Law
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U
rede
/kJ.mol
-1
T
fuso
/C
__________________________
LiCl 853 801
LiF 1036 845
MgO 3791 2800
___________________________
Previso de formao de compostos inicos pelo ciclo de Born-Haber
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Previso de formao de compostos inicos pelo ciclo de Born-Haber
Previso de formao de compostos inicos pelo ciclo de Born-Haber
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U
rede
/kJ.mol
-1
T
fuso
/C
__________________________
LiCl 853 801
LiF 1036 845
MgO 3791 2800
___________________________
Propriedades dos Compostos tipicamente Inicos
1) Os compostos inicos so muito duros devido resistncia que os
ons oferecem ao se tentar mov-los de sua posio de equilbrio.
Porm, eles so quebradios, pois quando se desloca uma camada
em relao adjacente, os ons de mesma carga repelem-se
fortemente, rompendo o cristal.
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Propriedades dos Compostos tipicamente Inicos
1) Os compostos inicos so muito duros devido resistncia que os
ons oferecem ao se tentar mov-los de sua posio de equilbrio.
Porm, eles so quebradios, pois quando se desloca uma camada
em relao adjacente, os ons de mesma carga repelem-se
fortemente, rompendo o cristal.
2) Os compostos inicos so, em geral, maus
condutores de eletricidade no estado slido, pois
os ons esto restritos s suas posies de
equilbrio na rede cristalina e no podem deslocar-
se. Por outro lado, os compostos inicos fundidos
ou em soluo podem conduzir eletricidade.
3) As fortes interaes multidirecionais, aliadas
estrutura rgida do retculo cristalino, fazem com
que os compostos inicos necessitem de uma
grande quantidade de calor para desorganizar
todo este arranjo. Assim sendo, os pontos de
fuso e ebulio dos compostos inicos so
elevados.
Propriedades dos Compostos tipicamente Inicos
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4) Os compostos inicos so solveis em solventes
polares que apresentam alta permissividade ou
constante dieltrica.
No processo de dissoluo de uma espcie
em determinado solvente, estamos separando os
ons uns dos outros e assim temos que
interpretar este fenmeno a partir da energia de
atrao entre estas espcies:

o
a resistncia que o meio oferece unio dos dois ons.
Assim, quanto maior for a constante dieltrica do meio
mais dificilmente os ons tendero a ficar unidos, menor
ser a atrao entre os mesmos e maior ser a interao
com o solvente.
r
e Z Z
E
o
4
2 +
=
Propriedades dos Compostos tipicamente Inicos
DEFEITOS EM SLIDOS INICOS
Ao estudar os materiais cristalinos, tem-se admitido que existe uma
perfeita ordem em escala atmica
Contudo esse tipo de slido idealizado no existe, todos os materiais
contm grandes nmeros de uma variedade de defeitos e imperfeies
As propriedades de alguns materiais so profundamente influenciadas
pela presena de imperfeio no slido cristalino
Por defeito cristalino designada uma irregularidade na rede
cristalina
O tipo e o nmero de defeitos dependem do material, do meio
ambiente, e das circunstncias sob as quais o cristal processado
Mesmo sendo poucos eles influenciam muito nas propriedades dos
materiais e nem sempre de forma negativa
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Classificao dos defeitos
DEFEITOS PONTUAIS
Lacunas ou vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Frenkel
Impurezas
Ocorrem em slidos inicos,
ou seja materiais cermicos
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FRENKEL
Envolve um par composto por uma
lacuna de ction e um ction
intersticial
Pode ser considerado como sendo
formado por um ction que deixa sua
posio normal e se move para o
interior de um stio intersticial
No existe alterao da carga, pois o
ction mantem a mesma carga
positiva como um tomo intersticial
(Defeito estequiomtrico).
DEFEITOS PONTUAIS
SCHOTTKY
Consiste em um par que composto por
uma lacuna de ction e uma lacuna de
nion
Pode ser considerado como sendo
formado pela remoo de um ction e
um nion do interior do cristal, seguido
pela colocao de ambos os ons em
uma superfcie externa
Uma vez que tanto os ctions como os
nions possuem a mesma carga, e que
para cada lacuna de nion existe uma
lacuna de ction, a neutralidade do
cristal mantida (Defeito estequiomtrico).
DEFEITOS PONTUAIS
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VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante a
solidificao do cristal
ou como resultado das
vibraes atmicas (os
tomos deslocam-se de
suas posies normais).
O nmero de vacncias
aumenta com o aumento
da temperatura.
INTERSTICIAIS
tomo intersticial pequeno
tomo intersticial grande
Gera maior distoro na rede
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Defeitos no-estequiomtricos