Obtencion de Agua Del Aire

PROYECTO FIN DE CARRERA
OBTENCIN DE AGUA DULCE MEDIANTE

CONDENSACIN DE LA HUMEDAD
AMBIENTE PARA LA DEPRESIN DE
DANAKIL

AUTOR: GONZALO REVENGA GMEZ

MADRID, Septiembre 2005.

UNIVERSIDAD PONTIFICIA COMILLAS
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIERA
(ICAI)
Memoria

Obtencin de agua dulce mediante condensacin de la humedad ambiente para la depresin de Danakil

1
1.1.1 OBJETO DEL PROYECTO

Necesidades de agua de emergencia o en ciertas regiones las cuales estn
azotadas por grandes sequas, por ejemplo desiertos o ciertas depresiones, es
interesante el estudio del recurso hidrulico que nos proporciona la condensacin del
agua contenida en el aire ambiente. Cabe destacar que el aire no es un recurso que
ofrezca unos grandes caudales de agua, pero para situaciones de emergencia en
pequeas poblaciones aisladas y en ciertas poblaciones las cuales no disponen de un
recurso hidrulico permanente y asegurado, por ejemplo pueblos nmadas que se
desplazan de un pozo a otro a travs de grandes distancias, como ocurre en zonas
desrticas de frica, las elevadas temperaturas diurnas junto con humedades relativas
medias, dan lugar a humedades absolutas considerables, lo que hace que el aire se
presente como un recurso interesante desde el punto de vista de la obtencin de agua.

Cabe destacar que la realizacin de este proyecto est inspirada en la demanda
de agua potable que requiere el pueblo AFAR en la regin del DANAKIL (depresin
situada entre etiopia, eritrea y djbouti, cuya altitud media ronda los 100 m bajo el
nivel del mar). Pero dicha tecnologa se podra utilizar en muchas otras regiones de
nuestro planeta

A travs del presente proyecto se pretende el estudio de diferentes tecnologas,
todas ellas articuladas en torno a la obtencin de agua por condensacin de la
humedad ambiente, y cuya primaria de energa sea la energa trmica y la energa
solar fotovoltaica. La tecnologa que ser usada depender tanto de aspectos de
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2
rendimiento energtico de la instalacin, fiabilidad, la mano de obra no especializada
para su operacin y funcionamiento, los recursos disponibles por dicha mano de obra,
su situacin de funcionamiento y puesta en marcha, como del lugar de operacin y las
capacidades de transporte que son requeridas para su uso. Dicha tecnologa ser
elegida entre las siguientes posibilidades no excluyendo alguna otra forma que se vea
viable en el transcurso de la realizacin del mismo:

Se comprimir, accionando dicho compresor mediante la energa solar
obtenida, una masa de aire enfrindose en un intercambiador, para luego expandirse
en la vlvula, con lo cual la temperatura de salida de dicho aire ser utilizada para
enfriar un condensador, con el que se har precipitar la humedad ambiente. Otro
punto en el que se condensa la humedad ambiente del aire, es a la salida de la vlvula,
ya que en este punto se ha producido un descenso de la temperatura por debajo de la
temperatura de roco del aire ambiente, con lo cual precipita la humedad ambiente.

Por empleo de clulas peltier. Dicho sistema produce un bombeo de calor de
una parte de la clula hacia la otra parte. Debido a este bombeo, se genera en una cara
de la clula un foco fro, aprovechando todas las caras fras de dichas clulas, se
consigue una pared fra, donde se condensa la humedad ambiente. Cabe destacar la
robustez de dicho sistema por no disponer de partes con movimiento relativo entre si.

Utilizando el foco fro de un ciclo de refrigeracin por absorcin. La gran
ventaja de este sistema es la forma en la que se introduce trabajo al sistema. En los
ciclos convencionales de refrigeracin el trabajo requerido es el necesario para
Memoria


3
accionar el compresor, pero en los ciclos de refrigeracin por absorcin el principal
trabajo es el trabajo del separador, el cual se introduce en forma de calor, por lo que
se puede utilizar paneles solares trmicos, los cuales poseen un mayor rendimiento
que los fotovoltaicos, como fuente de energa.

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4
1.1.2 ESTADO DEL ARTE

El estado del arte de este proyecto va a centrarse por una parte en las tecnologas
que son utilizadas para la produccin de energa, es decir, los paneles solares
fotovoltaicos, para lo cual se introducirn unas nociones de cinemtica solar, y por
otra parte en las tecnologas para la obtencin de fro como son las clulas Peltier y
los ciclos de absorcin.

1.1.2.1 CINEMTICA SOLAR. ESTUDIO DE SOMBRAS
1.1.2.1.1 EL SOL
Desde un punto de vista fsico, el Sol es una esfera gaseosa de dimetro
aproximadamente 1,4.10
6
km, en cuyo interior existe un proceso de fusin nuclear en
el que fusionan aproximadamente unas 7. 10
8
toneladas de hidrgeno por segundo. La
energa es liberada en su interior a una temperatura de 4 .10
7
K, al pasar del ncleo a
la capa superior hay un enfriamiento progresivo hasta llegar a la fotosfera donde se
emite la mayor parte de la radiacin solar a unos 5700 K aproximadamente.

De esta forma, la cantidad de energa que se recibe del Sol anualmente se
estima en 1,49.10
8
kWh. El problema radica en como convertir esta energa para
poder aprovecharla, la tecnologa actual va dirigida en dos direcciones: conversin
trmica y conversin elctrica.

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5
1.1.2.1.2 TEMPERATURA EFECTIVA
Estudiando el espectro solar que llega a la tierra fuera de la atmsfera,
podemos asimilarlo al espectro de radiacin de un cuerpo negro calentado a 5762 K.
Comparacin de las fracciones de energa correspondientes a cada intervalo:

Ultravioleta Visible Infrarrojo
Longitud de Onda (m)
0,0
0,38
0,38
0,78
0,78

Sol 0,07 0,47 0,45
Cuerpo negro a 5762 K 0,09 0,46 0,45

En el siguiente diagrama se pueden observar los espectros de la radiacin solar
extraterrestre y a nivel del suelo:

1.1.2.1.3 LA CONSTANTE SOLAR
La energa que llega a la tierra medida en una superficie normal a la radiacin y
fuera de la atmsfera vara entre 1310 y 1400 W/m
2
. El valor medio de este parmetro
es la constante solar: I
CS
= 1353 W/m
2
.

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6
Se puede aproximar la variacin diaria de este valor mediante la siguiente
expresin:
+ =
365
. 360
cos 033 . 0 1
N
I I
CS S

donde N = nmero del da del ao.
En el siguiente grfico vemos la variacin de la radiacin solar extraterrestre a lo
largo del ao:

Sera de gran ayuda considerar el Sol como un foco puntual emisor. Al ser la
distancia media anual Sol-Tierra de 1,5 .10
8
km, la radiacin que incide en un punto
de la superficie terrestre estara contenida en un cono cuyo vrtice sera dicho punto y
que contendra al Sol en un ngulo de 32. De esta forma, la radiacin incidente
sobre este punto seguir todas las direcciones descritas por el cono, pero este ngulo
de divergencia ser insignificante en estudios de soleamiento y en los fenmenos de
absorcin de radiacin. Por lo tanto, podemos considerar que la radiacin solar
directa es homognea y de haz paralelo, y asemejarla a la que recibiramos de un foco
puntual radiante en el infinito, de la misma intensidad y espectro de emisin que el
sol.

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7
1.1.2.1.4 MOVIMIENTOS RELATIVOS SOL-TIERRA
Se pueden descomponer los movimientos de la Tierra en dos:
- movimiento de rotacin sobre su propio eje
- movimiento de translacin alrededor del Sol.
En el movimiento de translacin se describe una elipse, en uno de cuyos focos se
encuentra el Sol, con una velocidad inversamente proporcional al cuadrado de la
distancia a ste. Por tanto, la distancia Sol-Tierra es de 1,5 .10
8
km
+
/
-
1,7 %.
Movimiento relativo Sol-Tierra:

En esta figura observamos como incide la radiacin solar sobre el trpico de
cncer, el medioda del 21 de junio incide perpendicularmente y el 21 de diciembre
incide con un ngulo de = 2.
max
= 4654. Variando el resto del ao entre estos
valores.

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8
1.1.2.1.4.1 DECLINACIN
El plano del ecuador guarda la misma direccin a lo largo del ao,
manteniendo una inclinacin de 2327 sobre el plano de la rbita terrestre. La
declinacin solar, el ngulo entre la direccin del Sol con el plano del ecuador vara
entre 2327 en el solsticio de verano a -2327 en el solsticio de invierno. La
siguiente expresin da una declinacin solar aproximada a lo largo del ao:
+
=
365
284
. 360 . 45 , 23
N
sen
donde N = nmero del ao.
En la siguiente figura (en la que n=1 es el 21 de marzo) se aprecia la situacin en los
solsticios de verano y de invierno.

1.1.2.1.4.2 NGULO HORARIO
El ngulo horario mide la distancia en grados entre el meridiano de la tierra
que contiene al sol y el que contiene al lugar en estudio. Aceptando que la velocidad
de giro de la tierra es uniforme podemos dividir los 360 entre 24 horas, por lo tanto,
Memoria


9
a cada hora le corresponden 15. Por lo tanto, el ngulo horario vendr dado por la
siguiente expresin:
o
n
h w 15 . = , donde h
n
es el nmero de horas.

1.1.2.1.4.3 DETERMINACIN DE LA POSICIN DEL SOL
Para poder determinar la posicin del Sol utilizaremos el sistema de coordenadas
que consiste en considerar al observador como centro de una esfera para que el Sol
proyectado en ella se pueda considerar como puntual. La posicin del observador
estar referida a las coordenadas geogrficas terrestres y el plano de referencia, el
horizonte, est definido por los puntos cardinales (N, S, E, O). El eje de la esfera
celeste coincide con el eje de la Tierra, tambin coinciden los planos del ecuador y los
meridianos.

Altura Solar: h
La distancia angulas desde el plano del horizonte hasta la posicin del Sol sobre el
plano del horizonte.

Acimut: z
La distancia angular entre el meridiano que contiene al Sol y el eje sur visto desde la
posicin del observador.
Podemos relacionar estos parmetros mediante la siguiente expresin:
cos . cos . cos . w L sen senL senh + =

Altura de culminacin: h
c
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La altura de culminacin es la mxima que alcanza el Sol en el medioda.
( ) = L h
C
90

Duracin del da: T
d

El nmero de horas de sol, lo determinamos a partir de las horas de salida y puesta del
Sol, momentos n los que la altura solar ser h=0.
( ) tgL tg T
d
. arccos .
15
2
=

Cartas cilndricas:
Para la zona de Madrid, la carta cilndrica sera la siguiente:

Memoria


11
ngulo de incidencia: .
El ngulo de incidencia es aquel que forma la normal en ese punto a la superficie
considerada y la direccin de la radiacin solar. La radiacin que le llega a la dicha
superficie ser homognea y depender de dicho ngulo.

Irradancia.
La cantidad de energa que incide en una superficie normal a la radiacin solar por
unidad de tiempo es la intensidad instantnea de radiacin por unidad de superficie
(I
1
). El contorno de esta superficie describe un tubo de flujo que ser constante para
cada instante.

En el esquema anterior se aprecia que la siguiente expresin se cumple:
i i
S I S I . .
1 1
=
El parmetro I
i
que mide el flujo de radiacin que le llega a una superficie por unidad
de rea se le denomina irradancia (unidades de energa x tiempo
-1
x superficie
-1
):
cos .
1
I I
i
=
Memoria


12
Direccin de la Radiacin Directa.
Tomando como referencia el plano del horizonte del observador en una latitud L, el
ngulo de incidencia coincide con el ngulo complementario a la altura solar:
w L sen senL cos . cos . cos . cosh cos + = =

Considerando un plano inclinado un cierto ngulo , el ngulo de incidencia
de la
radiacin sobre l, sera el equivalente al plano del horizonte de un observador
situado en una latitud (L - ). Por lo tanto, la expresin queda de la siguiente forma:
( ) ( )
cos . cos . cos . cos w L sen L sen + =

Esta situacin se ve ms claramente en la siguiente figura:

Por ltimo, la direccin de la radiacin solar directa, relativa a cualquier plano
inclinado un ngulo , (giro sobre el eje E-O) y orientado un ngulo g, (giro sobre el
eje N-S), viene dado por la expresin:
Memoria


13
g sen L sen senL sen
g
cos . . cos . cos . . cos
,

=
senw seng sen
g w sen senL
w L
. . . cos
cos . cos . . . cos
cos . cos . cos . cos

+
+
+

donde:
: declinacin
L: latitud del lugar
w: ngulo horario
: inclinacin de la superficie
g: orientacin de la superficie.

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14
1.1.2.2 PANELES FOTOVOLTICOS
1.1.2.2.1 INTRODUCCIN Y BREVE RESEA HISTRICA

La energa solar es aquella energa radiante emitida por el sol y recibida por la
tierra en forma de ondas electromagnticas. La tierra del conjunto de energa que
emite el sol, intercepta 1.7x10
14
kW.

Una de las formas para el aprovechamiento de dicha energa que ser
estudiada en lo que sigue es la conversin fotoelctrica. El efecto fotoelctrico fue en
primer lugar descubierto por el fsico francs Edmundo Bequerel, en 1839, al
observar que ciertos materiales, en su caso clulas electrolticas, al ser expuestos a la
luz producan ciertas cantidades de corriente. Ms tarde, en 1877, esta misma
propiedad fue observada en slidos por Adams y Day. En 1883 Fritts describi la
primera clula solar. Unos aos ms tarde, en 1905, el fsico de origen alemn Albert
Einstein, describi dicho efecto como el efecto fotoelctrico (es el proceso por el cual
los fotones de la radiacin inciden sobre un material y liberan electrones.). Durante
las dcadas de los 30 y los 40 se realiz una gran actividad investigadora con Ge, y a
partir de 1941, donde fue descubierto el efecto fotoelctrico en el Si, tambin con el
silicio. Gracias al desarrollo de la tecnologa de difusin en 1954 Pearson, Fuller y
Chapin desarrollaron la primera clula de Si con una eficiencia del 6%. Ya en 1958
se consiguieron eficiencias de alrededor del 14%, o que indica una gran mejora en
pocos aos. Esto fue debido a que dicho esfuerzo estaba encaminado a la adaptacin
de dichos dispositivos como generadores en satlites. El primer satlite dotado de esta
tecnologa es un satlite sovitico lanzado al espacio en 1958, seguido unos meses
Memoria


15
despus por un satlite americano, el Vanguard I. En el ao 1954 tambin fueron
descubiertos nuevos materiales como el Cu-CdS
5
y una pelcula de CdS en contacto
con aluminio y oro. Por lo tanto se puede considerar dicho ao, el 1954 como el ao
en el que nacieron tanto las clulas de pelcula delgada como las clulas de Si. A
partir de este momento se desarrollaron rpidamente las clulas de Si, aunque las
clulas de pelcula delgada tenan ciertas caractersticas como su flexibilidad, que las
hacia muy interesantes. Cabe destacar pocas innovaciones hasta 1973, los avances
ms importantes son la obtencin de rendimientos del 13% en clulas de GaAs
(Arseniuro de galio), la aparicin de las primeras clulas de CdTe (Teluro de cadmio)
y las primeras clulas de CdS depositadas por aerosol, con eficiencias del 7%. Ambos
tipor CdTe y CdS dominaron hasta mediados de los 70 el panorama de las clulas de
pelcula delgada.

Un punto de inflexin fue experimentado por todas las energas no fsiles en
el ao 1973 debido a la crisis del petrleo de ese mismo ao. En ese mismo ao
Lindmayer invent la celda violeta de alta eficiencia, un 15%, y comenzaron a
vislumbrarse posibilidades ms reales para que los paneles solares pudieran entrar en
el mercado de las aplicaciones terrestres. En ese mismo ao fueron fundadas las
primeras compaas fabricantes de clulas solares.

Las clulas de pelcula delgada atrajeron la atencin por sus caractersticas de
bajo peso y flexibilidad, a pesar de su baja eficiencia y problemas de estabilidad,
alcanzando en clulas de CdS-Cu
2
S eficiencias del 10%. En 1975 se obtuvo la
primera clula de CuInSe
2
con una eficiencia del 12% y en el siguiente ao la primera
Memoria


16
clula de pelcula delgada de este material. En este mismo ao aparece el silicio
amorfo como material para la fabricacin de clulas, que aun siendo menos eficiente
que el silicio monocristalino o el policristalino, es mucho ms barato su proceso de
fabricacin.

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17
1.1.2.2.2 FUNDAMENTOS FSICOS DE LAS CLULAS SOLARES

Como ya fue indicado la energa solar que llega a la tierra puede ser
aprovechada a travs del efecto fotovoltaico. Para poder utilizar dicho efecto se
utilizan las clulas solares. Dichas clulas convierten la energa proveniente del sol
directamente en energa elctrica. Como la potencia, en un sistema elctrico de
corriente continua es igual a I U P = , se va a explicar como se generan tanto la U
como la I. Y a su vez I es el resultado de cargas en movimiento, por lo que ser
necesario comprender como se generan estas cargas y como se mueven en una
determinada direccin. Estas cargas ya se encuentran en el material utilizado para la
fabricacin de clulas, semiconductores, bajo la accin de la luz, estas cargas se
vuelven libres y se forma una corriente por el campo elctrico creado en la celda.

1.1.2.2.3 ESTRUCTURA DE BANDA DE LOS SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son materiales cuya resistividad elctrica est en torno a
10
-4
y 10
10
W/cm mientras que la resistividad de los metales vara entre 10
-4
y 10
-6

W/cm. Ejemplos de este material son el Si, Ge, P, As, o compuestos qumicos como
CuAlS
2
o el CuInS
2
. A muy bajas temperaturas estos materiales pueden comportarse
como aislantes, mientras que a altas temperaturas estos materiales pueden
comportarse como metales.

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18
Se va a estudiar el caso del Si debido a que es el material que a dia de hoy est
ms extendido a la hora de la fabricacin de clulas fotovoltaicas. Se va a partir de la
estructura electrnica de este semiconductor, la cual es:

Si
(14)
(1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
)

De los 14 electrones que posee, los 10 primeros estn fuertemente ligados al
ncleo, mientras que los 4 exteriores, llamados electrones de valencia, estn ligados
menos fuertemente y poseen una capacidad mayor de interactuar con los dems
elementos, estos electrones son los que juegan el papel ms importante en el efecto
fotoelctrico.

A la hora de formar un cristal de silicio, un gran nmero de tomos de Si se
enlazan mediante sus electrones de valencia (enlace covalente). En el slido
cristalino, cada tomo de Si comparte con los tomos adyacentes uno de sus 4
electrones de valencia en un enlace covalente con 4 de sus tomos adyacentes. El
slido consiste en unidades de 5 tomos, el tomo original, ms otros 4 con los cuales
comparte 1 electrn y de este modo se encuentra completo. Los enlaces se encuentran
por tanto saturados, como se puede observar en la siguiente figura (Fig. 1)

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19

En este caso, no hay electrones libres y si a bajas temperaturas se aplica un
campo elctrico al cristal de Si, la conductividad es cero (no hay corriente elctrica).
A temperatura ambiente, la conductividad no es cero ya que por efecto trmico se
rompen enlaces que dejan electrones libres y huecos, que contribuyen a la
conductividad del material. En este caso, el nmero de huecos es igual al nmero de
electrones libres y se habla de un semiconductor intrnseco o "tipo i".

En el caso anterior se ha considerado Si cristalino puro. Si se introduce una
impureza (un tomo diferente de los que conforman la red cristalina de Si), como por
ejemplo As o P, con 5 electrones de valencia, 4 de ellos se emplearn en los enlaces
con los tomos vecinos de Si y uno quedar dbilmente ligado. Este electrn de
valencia "libre" se comporta como un electrn de la banda de conduccin del cristal.
Puesto que hay un electrn donado por cada tomo de impureza, se habla entonces de
semiconductores donadores o "tipo n" (Fig. 2).

Memoria


20

De la misma manera, si se introduce un tomo de Al o B, que tienen 3
electrones de valencia, faltar un electrn para saturar un enlace covalente con un Si
vecino. Este "hueco" se comporta como una carga positiva y es relativamente libre de
moverse por el cristal. El semiconductor se denomina "tipo p" (Fig. 3).

En los tomos libres, los electrones ocupan niveles discretos de energa. Al
formarse el slido, la densidad de tomos es del orden de 10
22
tomos/cm
3
y los
tomos se aproximan entre s. Debido a la proximidad, los niveles discretos de
Memoria


21
energa de los tomos individuales se superponen formando zonas en donde los
niveles estn tan prximos que forman un continuum o banda. La figura 4 muestra la
estructura de bandas de energa de tres semiconductores.

En este diagrama de niveles de energa se observan tres bandas: la banda de
valencia cuyo borde superior es E
v
, la banda prohibida entre E
v
y E
e
, y la banda de
conduccin entre E
e
y E
vac
.

La banda prohibida se denomina as porque los electrones no pueden tener
energas dentro de los valores de la banda. Los electrones de la banda de valencia
pueden hacer transiciones a la banda de conduccin y viceversa. El ancho de la banda
prohibida Eg depende del semiconductor.
Memoria


22

En la Fig.4 se observa tambin el nivel de Fermi, E
f
, que es la energa a la cual
la probabilidad de ocupacin de estados es de 1/2. En un semiconductor tipo i, E
r
se
encuentra en la mitad de la banda prohibida mientras que en uno tipo n se ha
desplazado hacia el borde inferior de la banda de conduccin, debido a que los
electrones donados estn dbilmente ligados y por consiguiente, la energa necesaria
para llevarlos a la banda de conduccin es ms pequea que E
g
. Por el contrario, en
un semiconductor tipo p, E
r
est desplazado hacia E
v
. En el caso en que dos
semiconductores tipo p y n estn en contacto y en equilibrio trmico, E
r
es igual para
ambos semiconductores puesto que E
r
corresponde a la energa libre por electrn y
esta debe ser igual en ambos semiconductores.

Unin p-n

Memoria


23
La teora de bandas explica la conductividad elctrica de diferentes tipos de materiales. En los
semiconductores a temperaturas de 0K , todos los electrones se encuentran en la banda de
valencia y por sta razn no hay conductividad. Esta aumenta a medida que aumenta la
temperatura. La razn para ello es la presencia de electrones en la banda de conduccin, todos
excitados por efecto trmico. La conductividad elctrica de un semiconductor puede
aumentarse por accin de la luz, como se ver a continuacin.

1.1.2.2.4 INTERACCIN DE LA RADIACIN CON LA MATERIA

La radiacin proveniente del sol tiene una distribucin espectral como se da en
la Fig. 5. Puesto que la energa de los fotones que componen la luz y la longitud de
onda de la luz, estn relacionadas por la ecuacin E = h c/A (h: constante de Planck =
6.6210
34
J.s; c= velocidad de la luz = 310
8
m/s), su energa est dada por E =
1.24(m/A) eV.

Memoria


24

Los fotones ms energticos corresponden a las menores longitudes de onda (UV:
Ultra violeta y color violeta) y los menos energticos al infrarrojo y en el visible, al rojo.

Cuando un fotn interacta con un cristal, por ejemplo Si-i, hay una cierta
probabilidad de que sea absorbido por un electrn de la banda de valencia. Si la
energa absorbida por el electrn es superior a E
g
, el electrn salta a la banda de
conduccin convirtindose en un electrn de conduccin y dejando en la banda de
valencia un "hueco".Se produce entonces un par electrn hueco.

Los electrones excitados pierden rpidamente su energa en interaccin con la
red del slido mediante la emisin de fotones (termalizacin), decayendo a la base de
la banda de conduccin. En la base de la banda de conduccin, el electrn es capaz de
difundirse en el slido a distancias del orden de 10 mm. La longitud de difusin
depende de varios factores, como son la clase de semiconductor, pureza qumica y
grado de cristalinidad. De la base de la banda de conduccin, los electrones regresan a
la banda de valencia mediante la emisin de un fotn, si antes no son por ejemplo,
recolectados y conducidos a un circuito externo. Este efecto de recombinacin debe
ser reducido en la celda solar porque reduce la corriente y la eficiencia de la misma.
Se puede observar en la figura 6, los procesos elementales de un slido al recibir un
haz de luz.

Memoria


25

De acuerdo a lo anterior, es importante observar entonces que la
conductividad del material aumenta por efecto de la absorcin de radiacin de
longitud de onda adecuada (efecto de fotoconductividad). De esta manera se liberan
por efecto de la luz los electrones con los cuales se puede generar una corriente.
Existe por consiguiente una longitud de onda crtica por debajo de la cual la energa
de los fotones no alcanza a producir excitacin de electrones de la banda de valencia
a la banda de conduccin. Para el Si con un E
g
de 1.14 eV (Tab. 1), se tiene una
longitud de onda crtica de 1.09 mm. Fotones con energas inferiores a 1.14 eV
absorbidos por el material, se transforman en calor aumentando su temperatura. Esto
quiere decir que tanto la luz visible como el infrarrojo cercano excitan en este
material los electrones de la banda de valencia a la de conduccin.

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26
1.1.2.2.5 UNIONES PN

Cuando con dos materiales p y n se produce una juntura pn, los electrones que se
encuentran en exceso en el semiconductor n migran hacia el semiconductor p y los
huecos del semiconductor p al semiconductor n. De esta manera, se establece un
campo elctrico en la interfase de la juntura (Fig.7).Este campo elctrico en la
juntura es el responsable de establecer la corriente elctrica a partir de los electrones
que en su difusin en el slido alcanzan la regin de la juntura donde se encuentra el
campo elctrico.

El potencial asociado depende de la concentracin de impurezas y de
portadores intrnsecos. Para Si, con niveles de impurezas de 10
15
/cm
3
tanto en el n
como en el p, se tienen potenciales de 550 mV.
Memoria


27

Mediante la absorcin de fotones, se forman pares electrn-hueco tanto en el
semiconductor tipo p como en el n. Debido a la difusin, los portadores de carga
minoritarios en cada semiconductor alcanzan la juntura, en donde el campo elctrico
existente se encarga de desplazarlos a la regin donde estos electrones y huecos son
portadores de carga mayoritarios: la regin p se carga positivamente mientras la n
negativamente, dando lugar a una fuerza electromotriz y en un circuito exterior
acoplado, a una corriente. De esta manera se tiene el efecto fotovoltaico, fundamento
de las celdas solares.

La Fig. 8 muestra la estructura de bandas de energa para una juntura pn, los
procesos que producen el efecto fotovoltaico y los mecanismos de prdidas. Hay sin
embargo dos mecanismos de prdidas inherentes que limitan la conversin de energa
solar en electricidad: el exceso de energa de los fotones que se transforma en calor
por la termalizacin de los electrones y los fotones que no son absorbidos por el
material, por poseer energa inferior al ancho de banda.

Memoria


28

Puesto que en este caso se tiene el mismo material base para los
semiconductores n y p, se habla entonces de homojunturas pn.

Otros tipos de dispositivos que se pueden emplear para la recoleccin de estos
electrones son las heterojunturas pn, las junturas pin (i: material semiconductor
intrnseco entre los dos materiales p y n), las barreras Schottky y las junturas MIS
(Metal Insulator -Semiconductor: Metal-Aislante-Semiconductor). Las
heterojunturas aprovechan mejor el espectro solar mientras que las Schottky y MIS
disminuyen las prdidas por recombinacin superficial.

1.1.2.2.6 HETEROJUNTURAS

La heterojunturas, por tratarse de dos materiales diferentes, permiten
aprovechar mejor el espectro solar. La luz incidente debe ser absorbida en la vecindad
Memoria


29
de la zona de la juntura. La Fig.3.9 muestra el diagrama de bandas de una
heterojuntura, en la cual se tiene un dispositivo con "ventana" -"absorbedor". La luz
comienza a absorberse directamente en la juntura si el ancho de banda del
semiconductor n (ventana) es suficientemente grande.

Por tratarse de materiales diferentes, ellos deben tener varias caractersticas
fsicas comparables para que ajusten (similares constantes de red, coeficientes de
expansin trmica y afinidad electrnica) y para reducir las prdidas de voltaje.
Tambin es conveniente introducir capas intermedias (junturas pn, n+n) para
compensar las diferencias entre la ventana y el absorbedor.

Celdas de este tipo son las CIS (CuInSe
2
),CIGS -Cu(In,Ga)Se
2-.

Memoria


30
1.1.2.2.7 ELEMENTOS DE UNA CELDA DE SI-C

Desde el punto de vista comercial y del desarrollo del mercado, las celdas ms
importantes de acuerdo a la estructura cristalina son las de Si-c y Si-m (homojunturas
de Si; c: cristalino, m: multicristalino).

Los elementos esenciales de una celda tpica de Si-c son:

Un contacto-ventana superior que permite la recoleccin de cargas negativas y
la transmisin de una fraccin de la radiacin solar, los semiconductores tipo
n y p, y el contacto inferior colector de cargas positivas (Fig. 10).

Puesto que en la direccin de la radiacin se encuentra primero el n y luego el
p, esta configuracin es np(anteriormente las celdas comerciales de Si eran
pn).

El diagrama de bandas muestra el comportamiento de electrones y huecos en
la juntura.

Memoria


31

1.1.2.2.8 CARACTERISTICAS DE LAS CELDAS SOLARES
1.1.2.2.8.1 CARACTERSTICA I-V

La Fig.11 muestra la caracterstica IV (Intensidad contra voltaje V) de una celda
solar:

I = C R -Is [exp( qV /kT ) - 1] (1)

Donde:
C es una constante
Memoria


32
R es la irradiacin solar (W1m2)
Is es la corriente de saturacin del diodo
q la carga elctrica elemental (q=1.60 * 10-19Coulomb)
k la constante de Boltzmann (k= 1.38 * 10-23J/K)
T la temperatura absoluta en Kelvin.

Sin iluminacin, la caracterstica es la de un diodo.

La relacin entonces es:

Id=-Is [exp (qV/kT) - 1] (2)

Memoria


33
Dos importantes valores caractersticos de las celdas solares son el voltaje de circuito
abierto
Voe y la corriente de cortocircuito Ise.

Para circuito abierto I = 0 y entonces

Voe = ( kT / q ) * In [ ( e * R / Is ) + 1 ] (3)

Voc ( kT / q ) * In [ e * R / Is] (4)

Para corto circuito, V = 0 y por consiguiente

Isc =e *R (5)

La corriente Ise es entonces una funcin lineal de la irradiacin solar. Esta propiedad
permite emplear las celdas solares como sensores para la medicin de la irradiacin.

Memoria


34
1.1.2.2.8.2 POTENCIA

La potencia que suministra una celda es
P=IV (6)

Esta potencia es el rea bajo la curva IV definida por el V de operacin.

Si V = 0 , I= Ise y P= 0

Si V=Voe, I= 0 y P= 0

La potencia mxima que se puede obtener de la celda es el rea del mximo
rectngulo que se puede inscribir dentro de la curva IV (Fig. 11). Vmp es el valor del
voltaje para el cual se tiene Pmp

e Imp es la corriente correspondiente:
Pmp = Vmp * Imp (7)

Pmp puede calcularse tericamente a partir de las ecuaciones (7) y (2):
P = C R V -Is * V [exp( qV/kT ) - 1]

La condicin para mxima potencia se obtienen cuando dP/dV=0, o sea
Imp= Is * (q/kT) Vmp [exp (q VmplkT)] C R [1- (kT/q Vmp)] (8)

V mp = (kT/q) In [{(CR/Is)-1 }/{l +(q VmplkT)}]
V oe - (kT Iq) In {1+(q VmplkT)} (9)
Memoria


35

La potencia mxima Pmp se da entonces como
P mp = Imp Vmp CR [ Voc - (kT Iq) Ln {1+( q Vmp / kT)} kT / q]
= CR (Em / q) (1O)

en donde
Em = q [Voc - (kT / q) Ln {1 + (q Vmp / kT)} - kT / q] (11)

es la energa entregada por cada fotn a la carga en el punto de mxima potencia.

1.1.2.2.8.3 POTENCIA PICO
La potencia pico, Wp, es la potencia mxima entregada por la celda solar (o
mdulo) cuando el mdulo se expone a las condiciones estndar: 1000 W/ m2 de
irradiacin a incidencia normal, AM 1.5 y temperatura de celda de 25C

1.1.2.2.8.4 FACTOR DE LLENADO
El factor de llenado FF est definido como:
FF = V mp * Imp / (Voe Ise) (12)

FF es entonces el cociente entre la mxima potencia obtenible y el producto
VoeIse. FF es por lo tanto la desviacin que presenta una celda de la rectangularidad
y es una medida de la calidad de la celda (Fig. 12).

Memoria


36

1.1.2.2.8.5 EFICIENCIA DE LAS CELDAS SOLARES

La eficiencia de las celdas solares, , se define como
incidente Potencia
electr Potencia
max_ _
max_ _
= (13)

La eficiencia se da entonces como:
= Voc Ise FF / (A* R) (14)

Puesto que Ise es una funcin lineal de la radiacin solar R, entonces:
E= (C * FF / A) * (kT / q) * In [C *R / Is] (15)
Memoria


37

1.1.2.2.8.6 DEPENDENCIA DE ISC, VOC, P Y DE LA IRRADIACIN
La Fig. 13 muestra como varan Ise, Voe y como funciones de R en una
celda de CdS-Cu2S.

Es muy importante observar que el voltaje V alcanza cerca del 90% de Voc
con niveles muy bajos de irradiacin (20 mW/cm
2
) mientras que Ise es una funcin
lineal de R. Esta es una diferencia importante con los procesos de conversin
fototrmica en los cuales la eficiencia es una funcin creciente de R.

1.1.2.2.8.7 EFECTO DE LA TEMPERATURA
Al aumentar la temperatura:
Aumenta ligeramente la Intensidad de cortocircuito.
Disminuye la tensin de circuito abierto, aprox: -2.3 mV/C
Memoria


38
El Factor de Forma disminuye.
El rendimiento decrece con la temperatura.

1.1.2.2.8.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES
La Ec. (2) describe el circuito equivalente ideal de la celda solar (Fig.14a).
Pero en efecto se presentan resistencias de tal manera que la corriente generada se ve
disminuida. De acuerdo a la Fig. 4b, la celda solar es un generador de corriente (V
casi constante) cuya corriente I
L
es reducida por la corriente del diodo I
S
. Las cadas
de voltaje estn representadas por las resistencias en serie y en paralelo R
S
y R
Sh
.La
corriente est dada por:

I = I
L
-I
S
{exp [(q(V + I R
S
) / (kT) ]-1} - V/R
Sh
; I
L
= C R (16)

Memoria


39
1.1.2.2.8.9 EFICIENCIA MAXIMA Y PRDIDAS
La eficiencia mxima terica de las celdas solares ha sido calculada por
Loferski como funcin del ancho de la banda prohibida (irradiadas con el espectro
solar fuera de la atmsfera) (Fig. 15).

Se puede observar que entre los materiales ms prometedores figuran los
semiconductores compuestos como el GaAs, CdTe y AISb.

En el caso del Si, la diferencia que existe entre la eficiencia mxima terica y
la obtenida en la prctica es mnima, debido especialmente a que se trata de un
material muy bien caracterizado en la industria de semiconductores.

Las celdas solares tienen prdidas de diferentes tipos. Si se considera una
celda de Si cristalina, la cual es sensible al 44% de la energa que incide sobre ella,
Memoria


40
cerca de 16% de la energa se disipa en procesos internos, dando lugar a una
eficiencia lmite de 28%.

Recientemente se han introducido nuevos conceptos que han permitido la reduccin
de prdidas y que las celdas de Si-c alcancen cifras de eficiencia a nivel de laboratorio de 25
% .

1.1.2.2.9 MATERIALES UTLIZADOS EN LA ACTUALIDAD

Los materiales utilizados en la actualidad pueden ser englobados en 2 grupos
principales las clulas de silicio cristalino y las clulas de pelcula delgada.

Memoria


41
Las de silicio, tanto monocristalino como policristalino, son las que dominan
el mercado actual, ya que sus procesos de produccin, su tecnologa y su eficiencia
las hacen en estos momentos las dominadoras en el campo de energa solar
fotovoltaica. En este tipo de clulas se estn mejorando los costes utilizando
materiales bases de mayores calidades, aunque esto supone un precio mayor de
dichos materiales, el coste es reducido ya que se pueden tener procesos productivos
ms eficientes con lo cual se reduce el coste final. Se han conseguido clulas en
laboratorio con eficiencias de 24.7%, aunque las clulas comerciales estn por debajo
del 16%. Esto bsicamente es debido a que las clulas que son ensayadas en
laboratorio son de unos tamaos mucho menores, por lo que han sido fabricadas con
procesos distintos a las que son comercializadas, que tienen que ser fabricadas
industrialmente, con todo lo que esto supone.

1.1.2.2.10 PROCESO DE FABRICACIN DE PANELES SOLARES DE SILICIO

Las celdas de Si disponibles comercialmente en la actualidad son las de Si-sc
(Silicio-single cristal: Silicio monocristalino) y Si-mc (Si-multicristalino). Tambin
hay algunos fabricantes que suministran celdas de Si-a (Si-amorfo). Sin embargo, la
celda de Si-sc es sobre la que hay ms experiencia de campo.

Memoria


42
1.1.2.2.10.1 CELDAS DE SI-SC

El proceso de fabricacin de una celda de Si-sc es bastante complejo y consta
de las siguientes etapas: fabricacin del Si, cristalizacin y fabricacin de la celda
(Fig .l7).

El primer paso es la fabricacin de Si apropiado para la fabricacin de las
celdas. El Si es el segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre. El Si se
presenta como dixido de silicio (slica, SiO
2
) y silicatos (compuestos de Si y otros
elementos). La arena y el cuarzo son dos de las formas ms comunes. La arena
contiene demasiadas impurezas para ser procesada a Si. Los depsitos de cuarzita
pueden llegar a contener hasta 99% de Si. Esta slica es la que se procesa para obtener
el Si para las celdas solares.

Memoria


43
1.1.2.2.10.1.1 PRODUCCIN DE SI

La primera etapa consiste en la reduccin de la cuarzita a altas temperaturas
para obtener Si de grado metalrgico. En este proceso se agrega carbn en cantidades
controladas a altas temperaturas. El oxgeno presente en la cuarzita se remueve en la
forma de CO2.Otros procesos son necesarios para remover otras impurezas. El
producto obtenido es un bloque o barra de una sustancia gris metlica brillante que es
el Si policristalino de grado metalrgico, con una pureza de 99% (2 nueves).

El paso siguiente es la refinacin de Si metalrgico a Si grado semiconductor.
Este proceso es mucho ms costoso que el anterior. El Si se convierte mediante HCI
en clorosilanos:
Si + 3HCl => SiHCl
3
+ H
2

Debido al bajo punto de ebullicin del triclorosilano (31.8C), ste se puede
purificar muy efectivamente mediante la destilacin Fraccionada(proceso parecido al
empleado en las refineras de petrleo).

Luego es la reduccin del triclorosilano con H
2

Si H Cl
3
+ H
2
=> Si + 3 H CI

Memoria


44
Y la formacin de Si-policristalino empleando la tecnologa del CVD
(Chemical VapourDeposition). Este mtodo produce Si con una pureza> 99.9999% (6
nueves).

1.1.2.2.10.1.2 PRODUCCIN DE SI-MONOCRISTALINO

Para producir Si-se, primero se funde el Si-policristalino en un crisol a
temperaturas del orden de 1410C. En contacto con una "semilla" de Si
monocristalino, los tomos de Si del material fundido se adaptan a la estructura
cristalina de la semilla y a medida que se va solidificando, un monocristal de Si de
mayores proporciones va "creciendo" del Si fundido. Hay varios mtodos para la
produccin de Si monocristalino, expuestos a continuacin:

En el mtodo CZ (mtodo de crecimiento de Czochralski) una semilla se pone
en contacto con el Si fundido y luego es retirada lentamente. Con este mtodo se
obtienen lingotes cilndricos de Si-monocristalino de dimetros entre 10 y 15
centmetros, a una velocidad de 10 cm/hora y de longitud del orden de decenas de cm
(Fig.18).

Memoria


45

Fig. 18 Mtodo Czochralski de crecimiento de Si-sc

El mtodo FZ (Floating Zone) produce Si-se ms puro que el mtodo CZ
debido a que en este mtodo el Si no se contamina en el crisol como en el
CZ(Fig.4.4). En el mtodo FZ, se coloca la barra de Si-poli sobre una semilla. Una
bobina induce un campo elctrico, calentando la barra y fundiendo la interfase entre
la semilla y el material. A medida que se desplaza la bobina alejndose de la semilla,
el Si solidifica con la misma estructura de la semilla. El Si fundido se sostiene entre
las dos barras gracias a la tensin superficial.

Memoria


46

Fig. 19 Mtodo Floating Zone de crecimiento de Si-sc

1.1.2.2.10.1.3 PRODUCCIN DE OBLEAS

Posteriormente la barra de Si se cilindrada al dimetro de las celdas. A partir
de este cilindro se cortan las obleas (wafers o discos) con un espesor tpico de 300mm
(Fig.20). En este proceso se pierde el 20% de Si en forma de polvillo.

Memoria


47
Fig. 20 Cortado de obleas de Si

A pesar de que la tecnologa del Si est bien desarrollada, los mtodos CZ, FZ
y la fundicin de bloques de Si son procesos complejos y costosos. La idea de
producir directamente las obleas a partir del Si fundido simplificara notablemente el
proceso, los desperdicios y daos en la oblea ocasionados en el corte, y con ello, los
costos. Se han desarrollado especialmente dos mtodos.

En el mtodo EFG (Edge-defined Film-fed Growth), se produce una cinta de
Si cuando se solidifica el Si que fluye por entre bordes sumergidos en el Si fundido
(Fig.21). Los espesores obtenidos con esta tcnica estn en torno a los 0.25 mm,
siendo el rendimiento de alrededor del 11%.

Fig. 21 Proceso EFG

Memoria


48

El segundo mtodo para producir cristales planos de Si es el DW (Dendritic Web). En
este mtodo, dos semillas en forma de alambre (dendrticas) se sumergen en Si fundido
(Fig.22). Al extraer las semillas, se produce entre ellas una pelcula de Si lquido que
solidifica en la forma de una placa (oblea) con la estructura cristalina de las semillas. Este
mtodo produce celdas de alta calidad de mayor eficiencia que cualquier otro mtodo de
crecimiento pre-formado.

Fig. 22 Proceso DW

1.1.2.2.10.1.4 FABRICACIN DE CELDAS

La estructura de una celda de Si-sc consta esencialmente de los mismos
elementos aunque puede variar ligeramente entre los diferentes fabricantes (Fig23).
Consiste esencialmente de las siguientes capas: una capa conductora en la parte
superior, una pelcula antireflectiva o una superficie tratada, una pelcula delgada de
Memoria


49
Si-n de 0.3 mm (llamada colector), la juntura, un substrato Si-p de 250 ~ (0.25 mm) y
un contacto inferior.

Fig. 23 Estructura tpica de una clula de Si-sc

1.1.2.2.10.1.5 FABRICACIN DEL SUBSTRATO SI-MC

Cuando el Si est fundido (antes de crecer los lingotes), el material se dopa
con boro a un nivel de 10
16
tomos/cm3, obtenindose Si-mc, con una resistividad de
aproximadamente 1.5 Ohmcm. Las obleas entonces que se cortan son ya Si-mc.

Memoria


50
Debido al cortado, la red cristalina cercana a la superficie se altera (se daa la
cristalinidad y se contamina). Por tal razn es necesario remover estas capas daadas
(normalmente mediante cidos). El espesor de la capa removida es de unos 30 a 50
mm, quedando finalmente la oblea de Si de unos 250 a 300 m (250000 a 300000
nm).

Las obleas se introducen en un horno entre 800 y 900C, en donde se realiza
la difusin de los tomos de fsforo, a partir generalmente de vapores de
POCl
3
(Fig24). El tiempo de permanencia de la oblea en el horno depende de la
concentracin de impurezas requerido y al espesor que deba tener la capa de Si-n
(niveles tpicos de dopado de 10
20
tomos/ cm3, espesor de 0.2 a 0.4 mm).

Fig. 24 Difusin de los tomos de Fsforo

Memoria


51
Ya que en el proceso anterior la totalidad de la superficie de la oblea fue
recubierta con una capan, es necesario remover sta de una de las caras de la oblea.
Para ello es necesario cubrir una de ellas y remover qumicamente la otra

1.1.2.2.10.1.6 PELCULA ANTIREFLECTORA

El Si es un material gris brillante. Debido a que el ndice de refraccin del Si para la
radiacin solar vara entre 3.5 y 4, la reflexin es de aproximadamente 35%. Si la superficie
no se trata, el Si refleja ms del 30% de la luz incidente, pero si se deposita una pelcula de
SiO, la reflexin se reduce a 10%. Si se depositan otras pelculas, la reflexin se puede
reducir a 4%.

Otra manera es texturizar la superficie produciendo una estructura piramidal en la
superficie, de tal manera que se aumenta la absorcin por reflexin mltiple de la luz
(Fig.25). Esto se logra mediante decapado qumico. Si adems se agrega una pelcula
antireflectora, la reflexin puede disminuir a 2%.

Memoria


52

Fig. 25 Texturizado de celdas

1.1.2.2.10.1.7 CONTACTOS

Los contactos elctricos permiten el flujo de electricidad. El contacto inferior
(no expuesto al sol) es una capa de aluminio o molibdeno. El contacto superior es ms
complicado por estar ese lado expuesto al sol. Una capa metlica continua como la
inferior evitara el paso de la luz y tampoco sera conveniente utilizar contactos
laterales por la elevada resistencia elctrica de la capa superior en esta configuracin.

Usualmente el contacto superior consiste de una rejilla que cubre toda la
superficie (Fig. 26). Los finos elementos deben ser los suficiente gruesos y anchos
Memoria


53
para conducir bien la electricidad (baja resistencia) pero lo suficientemente
espaciados y angostos para no bloquear el paso de la luz. Estas suelen tener
transparencias superiores al 95 %.

Fig. 26 Contacto superior

Para su fabricacin se emplean generalmente dos procesos: metalizacin
(deposicin al vaco de metales evaporados) a travs de una mscara apropiada (Fig.
27) o pintndola por screen. Tambin se emplea fotolitografa, obtenindose rejillas
de alta calidad pero a mayores costos. Tambin se emplean pelculas continuas de
materiales conductores transparentes (como ITO: Indium Tin Oxide: xido de estao
indio).

Memoria


54

Fig. 27 Mscara para contacto superior

1.1.2.2.11 TECNOLOGIA DE FABRICACION CELDAS DE PELICULA
DELGADA

1.1.2.2.11.1 CELDAS DE SI-A

Las propiedades fsicas del Si-a (Silicio amorfo) hidrogenado difieren esencialmente
de las propiedades del Si-e, debido principalmente a: a) tiene un ancho de banda de
1.7 eV, que puede ser ajustado desde 1.3 hasta 2.2 eV mediante la formacin de
aleaciones con germano y carbono; y b) la movilidad de los portadores de carga est
fuertemente reducida en relacin con las del Si-c y por tal razn requiere de un campo
elctrico fuertsimo.

Mientras que en las celdas de Si-c (Si-se o Si-me) los portadores de carga
difunden en un material cuya estructura cristalina tiende a la perfeccin, reduciendo
de esta manera los defectos que producen una recombinacin de portadores de carga,
Memoria


55
en el Si-a la estructura es amorfa. Los portadores de carga en este material estn
condenados a recombinarse a menos que tan pronto se generen acte sobre ellos un
campo elctrico y la distancia de recorrido hacia las regiones donde son portadores
mayoritarios sea mnima. Estas condiciones se dan si los portadores de c arga de
generan ya dentro de un campo elctrico fuerte y la separacin (distancia que tienen
que recorrer los portadores de carga) entre las zonas que producen este campo es
mnima. Para tal efecto entonces
los semiconductores p y n no se encuentran en contacto sino que entre ellos se
encuentra una capa de semiconductor i (intrnseco) Guntura pin). De esta manera los
portadores tan pronto se generan se encuentran sometidos a la accin de un fuerte
campo elctrico.

La estructura anterior es posible gracias a que el Si-a absorbe la radiacin
solar con una eficiencia 40 veces superior a la del Si-e, requirindose tan solo una
pelcula de 1mm para absorber el 90% de la luz. Esta disminucin de la cantidad de
material asociada con procesos de deposicin de estas pelculas a bajas temperaturas
y sobre substratos baratos constituye el gran potencial de estas celdas. Pelculas de
espesores tan pequeos no son autoportantes y requieren ser depositadas sobre un
substrato.

Estructuralmente, los tomos de Si en el Si-a tienen solamente un
ordenamiento de corto rango y el material carece de u na estructura cristalina. Por lo
tanto tiene una enorme cantidad de defectos como los dangling bonds, que son
enlaces de Si no saturados por ausencia de tomos vecinos (Fig. 28). Tal material
Memoria


56
necesita ser estabilizado y sus defectos neutralizados. Estos defectos se neutralizan
notablemente cuando al depositar Si se adiciona de 5 a 10 % de hidrgeno. A pesar de
ello, la movilidad de los portadores de carga es muy inferior en este material a la
movilidad en Si-c. Por esta razn no es conveniente que los portadores de carga
tengan que desplazarse grandes distancias. La estructura de la celda es entonces una
juntura pin con un espesor de 1mm.

Fig. 28 Dangling bonds

Consiste de una pelcula superior altamente dopada tipo p
+
de 10 nm, una
pelcula semiconductora intrnseca de 500 nm y una pelcula inferior altamente
dopada tipo n
-
de 10 nm (Fig.29) (celda pin). Los fotones producen los pares electrn-
hueco en el semiconductor i y estos se encuentran dentro del campo elctrico
producido por las capas p
+
n_oPuesto que la banda de Si-a es de 1.7 eV, el Voc de
estas celdas es superior al de las celdas de Si-c. Este Voc compensa de alguna manera
la prdida de fotones con energas inferiores a 1.7 eV.
Memoria


57

Fig. 29 Estructura de una clula de Si-hidrogenado(TFSi-H)

Una de las principales ventajas de este tipo de celda es que pueden fabricarse
no solamente celdas sino mdulos en un proceso continuo. Se comienza con el
tratamiento de limpieza del substrato, luego con la deposicin de SnO
2
para formar el
contacto superior transparente, con un haz lser se cortan las celdas individuales,
luego se deposita la pelcula p
+
, seguida de la pelcula i y finalmente la n, para
posteriormente cortar la pelcula con el fin de depositar el contacto inferior reflectivo
de aluminio o plata y luego aislar cada celda dejando los contactos conectados en
serie. Posteriormente se prueba la celda, se lamina y se colocan los contactos finales.

El mtodo de deposicin de las pelculas semiconductoras es el conocido
como CVD (Chemical Vapour Deposition). Se emplea silano SiH
4
, el cual en la
descarga se ioniza como SiH
3
y se deposita sobre el substrato formando una pelcula
de silicio amorfo hidrogenado con un contenido de 10 % de hidrgeno. Esta es una
Memoria


58
pelcula semiconductora intrnseca. Si se adiciona diborina (B
2
H
6
) o fosfina (PH
3
)al
silano, se producen pelculas dopadas p y n.

Si bien esta tecnologa permite producir celdas y mdulos en serie y tiene la
ventaja del bajo consumo de materiales y energa, las celdas y mdulos tienen
problemas de estabilidad. La eficiencia desciende muy rpidamente entre un 10 y 20
%. El problema de controlarla estabilidad de los mdulos es muy importante.

1.1.2.2.11.2 CLULAS SOLARES DE TERCERA GENERACIN

Por clulas solares de tercera generacin se entienden aquellas clulas que no
siguen el principio de funcionamiento de una clula solar tradicional, y que por tanto
no est sujeto su rendimiento terico a los lmites del tipo de tecnologa de las clulas
solares convencionales.

Existen varias formas de superar dichos limites:

Clulas solares en tndem o multijuntura.

Clulas en tndem, ms tecnologa de concentracin solar.

Clulas bi-faciales.

Clulas de banda intermedia.
Memoria


59
1.1.2.2.11.2.1 CLULAS SOLARES EN TNDEM

El principio fundamental de este tipo de clulas es la colocacin sucesiva de
varias clulas solares unas tras otras con distintos espacios de banda. La colocacin
de cada una de las clulas debe ir en orden descendente en relacin a su espacio de
banda. La clula superior, capturar los electrones de ms alta energa, dejando pasar
el resto. Si se colocaran las celdas en orden inverso al que se ha expuesto, la primera
absorbera toda la radiacin que tuviese ms energa que su espacio de banda, pero
solamente aprovechara dicho espacio, por lo que el resto de la energa se invertira en
calentar la clula, con el pertinente descenso de rendimiento.

El arseniuro de galio (GaAs), es uno de los materiales que ms se est
investigando para la aplicacin en este tipo de clulas, para uno o incluso para varios
de los componentes que forman este tipo de clulas. Otros materiales que estn siendo
Memoria


60
investigados son el diseleniuro de indio con cobre (CuInSe
2
CIS) y el silicio
amorfo.

1.1.2.2.11.2.2 CLULAS BIFACIALES
Las clulas solares convencionales slo son activas por su cara frontal, no slo
porque la cara posterior de la clula est recubierta de un contacto metlico opaco,
sino tambin porque slo electrones bombeados en la proximidad de la superficie
frontal son entregados al circuito externo. Los pocos generados hacia el interior
vuelven a caer en la banda de valencia a travs de los procesos llamados de
recombinacin. Durante una dcada a partir de 1974 se lanz una investigacin
ambiciosa en la que se examinaron tres tipos de posibles clulas bifaciales. La
finalmente elegida para industrializarla se bas en usar un material de base menos
dopado de lo habitual, en el que la recombinacin era menor, y aadirle un dopaje de
Memoria


61
boro adicional en la cara posterior para asegurar un buen contacto a la banda de
valencia. El buen comportamiento de estas clulas sorprendi a sus inventores, y se
explico por un modo de operacin en alta inyeccin que no se aplicaba en la
fecha para la interpretacin de las clulas solares.
En la clula bifacial el contacto posterior, como es usual en el frontal, se haca
mediante una rejilla metlica para dejar pasar suficiente luz
La motivacin inicial para desarrollar las clulas bifaciales fue, en realidad, su
uso en concentradores estticos que ahorraran el costoso silicio. Estos concentradores,
sin rganos mviles, haban sido desarrollados recientemente para aplicaciones
trmicas por Roland Winston y sus colaboradores del Instituto Fermi de la
Universidad de Chicago. El uso de clulas bifaciales permita duplicar la concertacin
alcanzable que en teora poda llegar hasta alrededor de ocho. Se fabrico un prototipo
de concertador esttico con una concentracin de alrededor de cuatro.
Sin embargo se descubri pronto una solucin que pareca mucho mas simple
y apta para la comercializacin inmediata consistente en encapsular las clulas
bifaciales en mdulos semejantes a los de las clulas convencionales pero con la cara
posterior trasparente, y pintar de blanco el entorno en el que se iban a instalar los
mdulos. Son los llamados mdulos colectores de albedo. Una superficie nevada hace
caer en la cara posterior del mdulo el 80% de la energa incidente en la frontal, y un
diedro de dimensiones medianas colocado tras el mdulo da un albedo de ms del
50%., aunque en configuraciones tpicas ste no supera el 35%.
Memoria


62
Estas clulas, han sido objeto de un renovado inters desde 1995, ao en el
que se demostr la eficiencia, de 18.2% por la cara frontal y 19.1% por la posterior. A
partir de entonces los laboratorios de mayor reputacin desarrollaron clulas
bifaciales consiguiendo los mejores resultados el Instituto Faunhofer de Energa
Solar, en Friburgo, con mas del 20% por cada cara. Esto da lugar a rendimientos
efectivos (no considerando en el denominador la entrada de una energa posterior de
un 50% de la frontal) de ms del 30%, inalcanzable con silicio por otros medios
(rcord, 24.7 % en la UNSW, Sidney).

1.1.2.2.11.2.3 CLULAS DE CONCENTRACIN

El inters de la concentracin para aplicaciones fotovoltaicas radica en la disminucin
del rea de clula necesaria para conseguir un mismo valor de energa. De esta forma,
cuanto mayor es el factor de concentracin menor es el rea de clula necesaria.
Existen dos factores que limitan el valor mximo de la concentracin: el deterioro de
la eficiencia de la clula a concentraciones indefinidamente altas y la reduccin del
campo angular de visin de los concentradores. Este ltimo factor conlleva la
necesidad de usar estructuras de seguimiento del sol con una precisin que es tanto
mayor cuanto mayor sea el factor de concentracin. El aumento de precisin da lugar
a una elevacin de los costes del conjunto.

Sin embargo, aun existen terrenos sin explorar en la alta concentracin que
pudieran ser comercialmente viables. Ello es debido a que por un lado, los ltimos
Memoria


63
desarrollos de las clulas de AsGa han permitido obtener altas eficiencias a
concentraciones por encima de 1000 (es decir, a irradiancias de 100 Wcm-2) y a que
por otro lado este Programa ha creado mtodos nuevos de diseo de concentradores
que permiten trabajar en alta concentracin y con grandes campos angulares de
visin, cercanos al 98% del lmite termodinmico. De entre estos concentradores, el
ms caracterstico para las aplicaciones fotovoltaicas es el denominado RXI. Este
concentrador une a su capacidad de concentrar con gran campo angular, el hecho de
ser extraordinariamente compacto (su profundidad es menor que 1/3 del dimetro de
su apertura).

En el IES se han conseguido clulas solares de GaAs con ventana de AlGaAs
crecido por epitaxia de fase lquida CCPE con un rendimiento del 26,2% a 1000 soles
y del 25% a 2000 soles en colaboracin con el Instituto Ioffe de San Petersburgo.
Recientemente, se ha logrado de forma independiente un 22,5% a 3600 soles. Todos
los resultados anteriores han sido confirmados externamente por el National
Memoria


64
Renewable Energy Laboratory (NREL) de EEUU, y son los ms elevados del mundo
a estas concentraciones para clulas de una sola unin.
Adems de la introduccin del GaInP, se experimentarn otras estructuras
semiconductoras como la n sobre p, que al ser ms inmune a la resistencia serie que la
p sobre n, podra permitir la obtencin de rendimientos cercanos al 30% a 1000 soles.

1.1.2.2.11.2.4 CELULAS DE BANDA INTERMEDIA

Esta tecnologa est basada en la colocacin de una banda intermedia entre las
bandas de valencia y de conduccin. Esta banda intermedia permitira que un fotn de
los fotones de energa inferior a la banda prohibida del semiconductor pudiera
bombear un electrn desde de la banda de valencia a la de conduccin usando como
paso intermedio el bombeo a la banda intermedia. Esto se realizara utilizando dos
fotones de poca energa, un primero que sube un electrn desde la banda de valencia a
la banda intermedia y otro fotn lleva el electrn desde la banda intermedia a la de
conduccin.

Memoria


65
Mediante este tipo de clulas, no se est encerrado en los lmites establecidos
por Shockley y Queisser para clulas de un solo material. Como materiales posibles
para la banda intermedia se estn estudiando materiales del tipo Ga
4
X
3
M con X=As o
P, y M un metal de transicin.

En la regin central la banda intermedia permite la absorcin de fotones de baja energa. Dos de ellos
pueden causar, mediante pasos consecutivos por ejemplo, el bombeo de un electrn de la banda de
valencia a la de conduccin. Las zonas ordinarias de los extremos permiten contactos selectivos a las
bandas de valencia y de conduccin.

Memoria


66
1.1.2.3 CLULAS PELTIER
1.1.2.3.1 INTRODUCCIN
Un mdulo termoelctrico o enfriador Peltier (TE) es un componente
electrnico basado en un semiconductor que funciona como una pequea bomba de
calor. Aplicndole una baja tensin DC, el calor ser movido a travs del mdulo de
un lado al otro, es decir, una cara del mdulo ser enfriada mientras que la otra ser
calentada simultneamente. Es importante destacar que este fenmeno es reversible,
cambindole la polaridad de la fuente. Como consecuencia, un TE puede usarse para
calentar o enfriar, con una gran precisin en la temperatura deseada.

Los TE y los refrigeradores mecnicos estn gobernados por la misma ley
termodinmica. En un refrigerador mecnico, el compresor genera la presin en un
lquido refrigerante y la hace circular a travs del sistema. En el evaporador el
refrigerante hierve absorbiendo energa del medio, causando enfriamiento. El calor
absorbido en el evaporador es movido al condensador en el cual el lquido se
condensa, liberando la energa que haba absorbido en el evaporador. En un TE, un
semiconductor dopado, esencialmente toma el lugar del lquido refrigerante, el
condensador es remplazado por un disipador de calor, y el compresor por una fuente
DC.

Memoria


67
1.1.2.3.2 EL EFECTO TERMOELCTRICO

En 1834, Jean Peltier, un relojero francs y cientfico aficionado, descubri
que el pasaje de una corriente elctrica I a travs de una juntura A de dos conductores
similares X e Y en una cierta direccin produce enfriamiento, T
c
. Hay un
calentamiento, T
h
, muy distinto al efecto Joule, cuando la corriente pasa por la
juntura B, como se puede ver en la Figura 1-1.

Figura 1-1. Circuito efecto Peltier

Los experimentos de Peltier fueron seguidos a los de Thomas Seebeck, quien
en 1821 descubri que una fuerza electromotriz V
0
puede ser producida por el
calentamiento a una temperatura T
h
de una juntura B entre dos metales, X e Y. Se
puede apreciar en la Figura 1-2.

Memoria


68

Figura 1-2. Circuito efecto Seebeck

Cabe destacar que William Thompson (ms tarde Lord Kelvin) en 1855,
derivo una relacin entre los efectos anteriormente citados con argumentos
termodinmicos.
Supongamos primero que una diferencia de temperatura T = T
h
T
c
es
establecido entre los puntos B y A visto en la Figura 1-2, entonces una fuerza
electromotriz V
0
es desarrollada entre T
1
y T
2
. El coeficiente Seebeck, o poder
termoelctrico, es definido de la siguiente manera
0
XY
V
T
=

(1.1)

Ahora supongamos que las junturas son llevadas a la misma temperatura e,
insertando una batera entre T
1
y T
2
, una corriente I se hace fluir por el circuito como
se ve en la Figura 1-1. Si el resultado es una velocidad de calentamiento Q
h
en la
juntura B, entonces tiene que ser enfriado a la misma velocidad Q
c
en la otra juntura
A. El coeficiente de Peltier es

XY
Q
I
= (1.2)
Memoria


69
Definiendo el coeficiente Thompson para uno de los conductores, se supone
que, en adicin a la corriente I, hay un gradiente de temperatura dT/dx que induce a
una velocidad de calentamiento o enfriamiento dQ/dx por unidad de longitud.
Entonces

dQ dx
I dT dx
= (1.3)
Thompson obtuvo las dos ecuaciones, que conecta los tres coeficientes
termoelctricos aplicando la primera y la segunda ley de la termodinmica en un
simple circuito termoelctrico, asumiendo que es un sistema reversible. La validez de
esta aproximacin es cuestionable, pues el fenmeno termoelctrico est siempre
acompaado por el efecto Joule que es irreversible. Sin embargo, la aplicacin ms
razonable de la teora de la termodinmica irreversible es en este caso la siguiente
relacin

XY XY
T =

(1.4)
y
XY
X Y
d
T
dT
= (1.5)

La ecuacin (1.4) es de particular importancia en refrigeracin termoelctrica
pues la velocidad de enfriamiento puede ser expresado en trminos del coeficiente
Seebeck, en el cual es ms fcil de medir que el coeficiente Peltier.

Memoria


70
Mientras que el coeficiente Thompson ha sido definido para un conductor, los
coeficientes Seebeck y Peltier se refieren a una juntura entre dos materiales. Sera
ms conveniente si uno pudiera asignar coeficientes Seebeck y Peltier absolutos y
para cada material, con los coeficientes de juntura dados por
X
-
Y
y
X
-
Y
.
Entonces, si asumimos esto la ecuacin (1.5) puede ser rescrita de la siguiente forma

d
T
dT
= (1.5a)

para un conductor. Ecuacin (1.4) puede ser tambin rescrita para un conductor en
trminos de coeficientes absolutos
T = (1.4a)

Es fcil ver que cuantitativamente un buen material termoelctrico debe tener
un alto coeficiente Seebeck, una alta conductividad elctrica para minimizar el efecto
Joule, y una baja conductividad trmica para reducir el calor transferido entre el
origen del calor y el disipador. Lo que llam la atencin es que los semiconductores
tienen un coeficiente Seebeck mucho mayor que los metales.

1.1.2.3.3 TEORA DE LA REFRIGERACIN TERMOELCTRICA
Es bien conocido que las propiedades de los semiconductores son
generalmente muy dependientes de la temperatura. Es entonces esencial que esos
factores sean tomados en cuenta en un coeficiente de perfomance (COP). Sin
embargo, para el propsito de tener un criterio en la seleccin de materiales, es
Memoria


71
suficiente usar un modelo simple que asuma que los parmetros relevantes sean
independientes de la temperatura.

La Figura 1-3. muestra una simple termo-cupla, cada rama con los parmetros
1
,
1
,
1
y
2
,
2
y
2,
respectivamente, donde es el coeficiente Seebeck absoluto,
la conductividad elctrica, y la conductividad trmica. Dichas ramas tienen reas
transversales constantes A
1
y A
2
con un largo l
1
y l
2
. Estn unidos por un material que
tiene resistencia elctrica cero donde est la juntura fra. La temperaturas de la fuente
fra y del disipador son T
c
y T
h
, respectivamente. Asumimos que no hay calor
trasferido desde o hacia los alrededores que no sea en el foco fro o en el disipador.

Figura 1-3. Simple refrigerador termoelctrico

Calcularemos el COP para una dada diferencia de temperatura entre la juntura
fra y la caliente. El COP est definido como la relacin entre la velocidad de
enfriamiento en el foco fro y la energa elctrica.

La potencia de bombeo de calor en uno de los conductores i (i = 1 o 2) a una
distancia x del foco fro est dada por
Memoria


72
i i i i
dT
Q IT A
dx
= m (1.6)

Donde:
T es la temperatura absoluta en el plano sobre x y la potencia Peltier ha sido
expresada como
i
IT usando la ecuacin (1.4). El flujo de energa debido al efecto
Joule est dado por

2 2
2 i i
i i
I d T
A
A dx
= (1.7)

La ecuacin anterior puede ser resuelta con las condiciones de borde (T=T
c
)
x=0

y (T = T
h
)
x=l
. Entonces
( ) ( )
2
2
i i h c
i
i i
I x l A T T
Q
A l

= (1.8)

La potencia de enfriamiento Q
c
en el foco fro es la suma de las contribuciones
Q
1
y Q
2
a x = 0. Recordando que el flujo de corriente es en direccin opuesta en cada
una de las ramas (asumimos
2
>
1
),
( ) ( )
2
2 1
2
c c h c
I R
Q IT K T T = (1.9)
donde
1 2
1 1 2 2
l l
R
A A
= +
es la resistencia elctrica total de las ramas en serie y
Memoria


73
1 1 2 2
1 2
A A
K
l l

= +

es la conductividad trmica total de las ramas en paralelo. Es notable ver que la
energa perdida en la juntura fra es la suma de la conductividad trmica entre las dos
junturas y la mitad del efecto Joule.

La potencia elctrica en una rama esta dada por

( )
2 2
0
h i
c
T l
i
i i i h c
i i i i T
I l I
w IdT dx I T T
A A

= + = +

m
Entonces para ambas ramas
( ) ( )
2
2 1 h c
w I T T I R = + (1.10)

El coeficiente de perfomance igual a Q
c
/w es hallado desde las ecuaciones
(1.9) y (1.10)
( ) ( )
( ) ( )
2
2 1
2
2 1
2
c h c
h c
IT I R K T T
I T T I R

=
+
(1.11)

Hay dos valores para la corriente elctrica que tienen particular inters. Una
de esas, I
, pertenece al mximo COP

max
para una dada diferencia de temperatura.
Esa corriente es hallada haciendo d/dI igual a cero, dando
( )( )
( )
2 1
1 1
h c
M
T T
I
R T

=
+
(1.12)
Memoria


74
donde
( )
2
2 1
KR

=

y T
M
es la temperatura media, (T
h
+ T
c
)/2. El COP est dado por
max
1
.
1 1
M h c c
h c M
T T T T
T T T
+
=
+ +
(1.13)

La corriente elctrica I
q
para una mxima potencia de enfriamiento es obtenida
haciendo dQ
c
/dI igual a cero. Entonces se halla

( )
2 1 c
q
T
I
R

= (1.14)

y su correspondiente COP es
( )
2
2
c h c
q
h c
T T T
T T

= (1.15)

Ms claramente, si la juntura fra es removida, el COP cae a cero, y la diferencia de
temperatura asciende hasta
( )
2
max
2
h c c
T T T = (1.16)

Como la cantidad controla la mxima diferencia de temperatura segn la ecuacin
(1.16) y el COP para cualquier pequea diferencia de temperatura, es llamada figura
Memoria


75
de mrito. Como lo que se pretende es que tenga el valor lo ms alto posible, RK
debera tener un mnimo valor. Esto sucede cuando
1 1 2 2
2 2 1 1
opt
A l
A l

=

(1.17)

Cuando la ecuacin (1.17) es satisfecha, la figura de mrito est dada por
( )
( )
2
2 1
2
1 1 2 2
Z

=
+
(1.18)
A temperatura ambiente, se puede asumir que
2
i i
i
i
z

= (1.19)
Con:
2
2 1
z z
Z
+
=

(1.20)
Memoria


76
1.1.2.3.4 FUNDAMENTOS MICROSCPICOS DE LOS PARMETROS
TERMOELCTRICOS

La velocidad en el cual la funcin de distribucin de los electrones cambia
debido a los procesos de dispersin o scattering, es decir, por la colisiones entre los
electrones y los fonones (partcula asociada a la cuantificacin de los modos de
vibraciones de la red, muy dependiente de la temperatura) y entre los electrones y los
defectos de la red, est dado por la ecuacin de Boltzmann. En el estado estacionario,

0
col
f f df f f
k r
dt k r

= =

(1.21)

donde f
0
es la funcin de distribucin de Fermi-Dirac no perturbada,
1
1
E
kT
e

+
, que
da la probabilidad de que un estado a una energa E y temperatura T contenga un
electrn, y siendo la energa de Fermi, f es la funcin de distribucin perturbada,
es el tiempo de relajacin entre colisiones, y k y r son los vectores de onda y posicin
de los electrones, respectivamente.

Si se asume que f f
0
<< f
0
, podemos reemplazar f por f
o
en el lado derecho
de la ecuacin (1.21). Si tambin se asume que las superficies de energa constante
son esfricas, que la energa E es proporcional a k
2
, y que el campo elctrico y el
gradiente de temperatura viven a lo largo del eje x, la ecuacin (1.21) se reduce a
Memoria


77
0 0
f f f E T
u
E x T x

= +

(1.22)

siendo u la velocidad de los electrones en la direccin x.
El nmero de electrones por unidad de volumen en un dado rango de energa
E a E + dE es f(E)g(E), donde g es la densidad de estados,
( )
3 2
*
3
4 2m E
h
(1.22a),
m
*
es la masa efectiva definida por la relacin
2
* 2 2
1 1 E
m k
=
h
. Entonces, el flujo de
corriente elctrica es
0
j eufg dE
=

m (1.23)
donde el signo - es apropiado si los portadores son electrones casi libres y el signo +
si son agujeros. E es la carga del electrn o del agujero. El flujo de calor debido a los
electrones es:
0
( ) q u E fg dE
(1.24)

No hay flujo de carga ni de energa cuando f es igual a f
0
, entonces es legtimo
remplazar f en las ecuaciones (1.23) y (1.24) por f f
0
. Adems, si la velocidad
trmica excede la velocidad de deriva y es la misma en todas direcciones,
2
*
2
3
e
u
m
= .
Entonces, combinando ecuaciones (1.22) con (1.23) y (1.24),
*
0
2
3
o
f e E T
j g E dE
m E x T x

= +

m (1.25)
y
Memoria


78
2 0
*
0
2
3
f E T
q j g E dE
e m E x T x

= + +

(1.26)

Ahora hagamos cero el gradiente de temperatura, T/x en la ecuacin (1.25).
El campo elctrico es (/x)/e, entonces la conductividad elctrica es
2
0
*
0
2
3
f e
g E dE
m E

(1.27)

Alternativamente, hagamos cero el flujo elctrico. Entonces ecuacin (1.25)
nos muestra que
( )
0 0
0 0
1
0
f f T
g E dE g E E dE
x E T x E

+ =

(1.28)

Entonces el coeficiente Seebeck, que es igual a (/x)/e(T/x), es dado por
( )
( )
2
0
0
0
0
1
g E f E dE
eT
g E f E dE
(1.29)

El coeficiente Seebeck es negativo cuando los portadores son electrones casi libres y
positivos si son agujeros.

La conductividad trmica electrnica es igual a la relacin q/(T/x), cuando
el flujo elctrico es cero. Entonces, de las ecuaciones (1.26) y (1.28), se halla que:

Memoria


79
( )
( )
( )
2
2
0
0 3
0 *
0
0
0
2
3
e
g E f E dE
g E f E dE
m T
g E f E dE
(1.30)

En general, el tiempo de relajacin depender de la energa de los portadores
de acuerdo a cul de los diferentes procesos de dispersin es predominante. Se
supondr que la dependencia con la energa puede ser expresada de la siguiente
manera
0
E
= (1.31)

donde es una constante para cada proceso y
0
es una constante de
proporcionalidad. Ahora las integrales que estn envueltas en las ecuaciones (1.27),
(1.29) y (1.30) son de la forma

3 2
1 * 3 2 0 0
0 * 2
0 0
2 8 2
3 3
S S
S
f f T
K g E dE m T E dE
m E h E

+ + +

= =

(1.32)

usando las ecuacines (1.31) y (1.22a). Ahora, los parmetros pueden ser expresados
en trminos de las integrales K
S
como

2
0
e
K
T
= (1.33)

Memoria


80
1
0
1 K
eT K

=

(1.34)

2
1
2 2
0
1
e
K
K
T K

=

(1.35)
y segn (1.4a)
1
0
1 K
e K

=

(1.36)

Si el material es un metal, f
0
/E
Dirac
en , entonces K
1
/K
0
, dando el
valor de cercano a cero. Esto no es as si el material es un semiconductor, en el cual
f
0
/E es
E
kT
e
E

. Como est en el orden del eV, y K

1
/K
0
cercano a kT, >>
K
1
/K
0
, siendo entonces > 0. El coeficiente Peltier es negativo si los portadores son
electrones y positivos si son agujeros.

Memoria


81
1.1.2.3.5 PRINCIPIOS BSICOS
1.1.2.3.5.1 MATERIALES TERMOELCTRICOS
El material termoelctrico semiconductor ms usado en TE actualmente es una
aleacin de Bismuto Teluro (Bi
2
Te
3
) que es apropiadamente dopado para obtener
elementos tipo n y tipo p. Hay otros materiales, como son Telururo de Plomo (PbTe)
o Siliciuro de Germanio (SiGe), que sirven para otro tipo de situaciones especficas.
En la figura 2-1 se puede ver la figura de mrito de cada una, versus la temperatura

Figura 2-1. Figura de mrito de materiales ms comunes

Se puede ver que para temperaturas cercanas a la ambiente el Bi
2
Te
3
es el que
tiene mejor rendimiento. Los valores
[2]
de los parmetros termodinmicos a
temperatura ambiente son:
= 0,0002 V/K
= 10
5
1/m
= 1,5 W/Km
= 0,06 V
Memoria


82
dando Z = 2,67.10
-3
1/K

1.1.2.3.5.2 MODO DE FUNCIONAMIENTO
Un TE consiste de dos o ms elementos de material semiconductor que estn
conectados elctricamente en serie y trmicamente en paralelo. Esos elementos y sus
conectores estn montados entre dos sustratos de cermica. El sustrato sirve para
mantener mecnicamente la estructura y para aislar elctricamente los elementos
individuales y del montaje externo.

El funcionamiento puede entenderse como sigue, explicado coloquialmente:
los electrones pueden viajar libremente en el cobre, pero no as en los
semiconductores. Como los electrones abandonan el cobre y entran en el lado caliente
del tipo p, deben llenar un agujero para poder moverse a travs del material.
Cuando esto pasa, se libera energa. Esencialmente, los agujeros en el tipo p son
movidos desde la parte fra hacia la parte caliente. Luego, como los electrones
pasaron del tipo p al cobre, se absorbe energa en este proceso. Nuevamente, los
electrones se mueven libremente a travs del cobre, hasta que alcanzan la zona fra
del semiconductor tipo n. Al ingresar en ste, ellos deben aumentar el nivel de energa
para poder moverse a travs del semiconductor, absorbiendo energa. Finalmente,
cuando los electrones abandonan el lado caliente del tipo n, se pueden mover
libremente en el cobre, liberando energa.

Memoria


83

F

Figura 2-2. Esquema de un TE

Resumiendo: el calor siempre es absorbido en el lado fro de los tipos n y p.
Las cargas elctricas (agujeros o electrones) siempre viajan desde el lado fro al lado
caliente, y el calor siempre es liberado en el lado caliente. Todo lo dicho
anteriormente se puede observar en la figura 2-2.

Usando la ecuacin (1.4a) y tomando resultados anteriores ( positivo cuando
los portadores son agujeros y negativo cuando son electrones casi libres, de un
metal es mucho menor que el de un semiconductor), suponiendo que no hay gradiente
de temperatura T y viendo en la figura 2-2 las dos junturas fras,
Cu n Cu
q
=
( )
n n
p Cu p Cu
i i
q

=
=
( )
p
i i =

Memoria


84

Como
n
y
p
son iguales en mdulo pero de distinto signo, se puede ver que
en las junturas fras Cu-n y Cu-p se absorbe la misma energa. Anlogamente esto
ocurre en las junturas calientes.

1.1.2.3.5.3 APLICACIONES
Calormetros
Intercambiadores de calor compactos
Baos de temperatura constante
Generadores de potencia (pequeos)
Dispositivos de enfriamiento de precisin (LASERS)
Deshumidificadores
Punto fro de referencia
Detectores infrarrojos
Enfriadores de microprocesadores
Refrigeradores (Autos, hoteles, farmacutico)

Memoria


85
1.1.2.3.5.4 CUALIDADES ESPECFICAS
Pequeo peso y tamao
Capacidad de enfriar y calentar en el mismo mdulo
Control preciso de la temperatura ( 0,1 C)
Alta confiabilidad
Elctricamente estable (no genera ruido)
Opera en cualquier orientacin (no le afecta la gravedad)

1.1.2.3.5.5 COMPONENTES ESTRUCTURALES
1.1.2.3.5.5.1 DISIPADOR DE CALOR
Como en todo momento el calor es transferido desde la parte fra hacia la parte
caliente, es necesario que sta contenga un disipador de calor para expulsar hacia al
medio ambiente el calor bombeado por el mdulo, adems del efecto Joule,
justamente para que no se eleve la temperatura.

Un disipador perfecto tiene que ser capaz de absorber una ilimitada cantidad
de calor sin incrementar su temperatura. Como esto en la prctica es imposible, se
espera que tenga un buen flujo de calor, y su temperatura no sobrepase los 15 C de la
temperatura ambiente.

Una forma de evaluar el rendimiento es la siguiente

s a
S
T T
Q
Q
= (5.1)
Memoria


86
Donde:
Q
s
es la resistencia trmica en C / W
T
s
es la temperatura del disipador en C
T
a
es la temperatura ambiente o del refrigerante en C
Q es el calor ingresado al disipador en W
Mientras menor es Q
S
, mayor rendimiento de disipador. Q
S
igual a cero sera
el caso ideal.

Hay tres tipos de disipadores de calor:
Por conveccin natural
El calor es liberado en forma natural al medio ambiente. Son ms usados para
aplicaciones de baja potencia. Los valores de Q
s
estn entre 0,5 C / W y 10 C/W

Por conveccin forzada
El calor es liberado al medio ambiente, pero ayudado por un ventilador. En la
figura 5-1 se puede ver la forma de funcionamiento:

Figura 5-1. Funcionamiento de un disipador de calor forzado

Memoria


87
ste es probablemente el mtodo ms usado, pues son baratos y sencillos de
montar. El Q
s
ronda los 0,02 a 0,5 C / W.

Por lquido refrigerante
ste provee la ms alta eficiencia por unidad de volumen, y tiene una baja
resistencia trmica, aproximadamente entre 0,01 y 0,1 C / W. Generalmente estn
hechos de aluminio o cobre, con agua como lquido refrigerante.

1.1.2.3.5.5.2 FUENTE DE POTENCIA
Los TE pueden operar con una fuente no regulada DC, o hasta con un refinado
control de temperatura close loop. En aplicaciones en donde la carga trmica es
razonablemente constante, una fuente DC manual otorga un control de temperatura de
1 C en un perodo de varias horas. Cuando el control de la temperatura tiene que
ser preciso ( 0,1 C), se utiliza el sistema close loop dicho anteriormente. El
riple de una fuente DC no es muy importante, pero se recomienda que no sea mayor
al 5%. La figura 5-2 muestra una sencilla fuente DC para un TE de 6 A.

Figura 5-2. Fuente DC para un TE de 6 A

Memoria


88
La figura 5-3 ilustra un tpico controlador de temperatura closed-loop. Este
sistema es capaz de mantener la temperatura deseada y corregir variaciones.

Figura 5-3. Controlador de temperatura closed-loop

1.1.2.3.5.5.3 AISLANTE TRMICO
Para maximizar la eficiencia trmica, todos los objetos enfriados deben ser
adecuadamente aislados. La figura 5-4 muestra la relacin entre el calor perdido
(Q
leak
) por una superficie aislada versus el ancho de un aislante tpico (poliuretano).

Figura 5-4. Calor perdido versus ancho aislante

Memoria


89
Se puede observar que con un pequeo aumento del ancho se reduce bastante
la prdida de calor, pero a grandes valores cambia poco. Se debe aclarar que el calor
perdido est por unidad de rea y de temperatura, es decir, el calor total se puede
hallar de la siguiente manera

Q
tot
= Q
leak
S DT (5.2)

Dicho Q
leak
tiene varias contribuciones, como se muestra a continuacin:

Transferencia trmica desde la superficie al ambiente por conveccin :
Q h ADT = (5.3)
Donde:
Q es el calor trasferido hacia o desde el ambiente, en W
h es el coeficiente de transferencia de calor. Para aire turbulento se usa 85 a 113
W / (m
2
C), para otras condiciones, de 23 a 28 W / (m
2
C)
A es el rea de la superficie expuesta, en m
2

DT es la diferencia de temperatura entre la superficie expuesta y la ambiente, en
C

Transferencia trmica entre las paredes de un recinto aislante:
1
ADT
Q
x
K h
=
+
(5.4)
Donde:
Memoria


90
Q es el calor conducido a travs del recinto, en W
A es el rea externa del recinto, en m
2

DT es la diferencia de temperatura entre el interior y el exterior del recinto, en C
x es el ancho del aislante
K es la conductividad trmica del material, en W / (m C)
h es coeficiente de transferencia de calor, explicado anteriormente.

Transferencia trmica de un cuerpo por radiacin:

4 4
r h c
Q s AeT T =
(5.5)

Donde:
Q
r
es el calor perdido por radiacin, en W
s es la constante de Stefan-Boltzmann, 5,67.10
-8
W / (m
2
K
4
)
A es el rea de la superficie expuesta, en m
2

e es la emisividad de la superficie expuesta
T
h
es la temperatura absoluta de la superficie caliente, en K
T
c
es la temperatura absoluta de la superficie fra, en K

Memoria


91
1.1.2.4 ABSORCIN
1.1.2.4.1 INTRODUCCIN HISTRICA

Las primeras aplicaciones industriales de los principios termodinmicos de la
absorcin de un vapor por un lquido, con el fin de conseguir la refrigeracin de otro
lquido, datan de los primeros aos 30. La comercializacin a mayor escala de plantas
frigorficas de absorcin con ciclo Amoniaco-Agua comienzan en los 40 y la puesta
en el mercado de las primeras plantas con ciclo agua-Bromuro de Litio tiene lugar a
principio de los 50. Los ciclos de absorcin se basan fsicamente en la capacidad que
tienen algunas sustancias, tales como el agua y algunas sales como el Bromuro de
Litio, para absorber, en fase lquida, vapores de otras sustancias tales como el
Amoniaco y el agua, respectivamente.

1.1.2.4.2 FUNDAMENTOS FSICOS
A partir de este principio es posible concebir una mquina en la que se
produce una evaporacin con la consiguiente absorcin de calor, que permite el
enfriamiento de un fluido secundario en el intercambiador de calor que acta como
evaporador, para acto seguido recuperar el vapor producido disolviendo una solucin
salina o incorporndolo a una masa lquida. El resto de componentes e
intercambiadores de calor que configuran una planta frigorfica de Absorcin, se
utilizan para transportar el vapor absorbido y regenerar el lquido correspondiente
para que la evaporacin se produzca de una manera continua.

Memoria


92
En los ciclos de absorcin se habla siempre de agente absorbente, designando
as a la sustancia que absorbe los vapores, y de agente refrigerante, o agente
frigorfico, a la sustancia que se evapora y da lugar a una produccin frigorfica
aprovechable. Seran absorbentes el agua y la solucin de Bromuro de Litio, y
refrigerantes el Amoniaco y el agua destilada, en los ciclos de absorcin Agua-
Amoniaco y Bromuro de Litio-Agua, respectivamente.

Para conseguir una mejor compresin del funcionamiento de un ciclo de
absorcin, se har una comparacin entre este y un ciclo de refrigeracin por
compresin mecnica, de uso ms extendido y, por tanto mas conocido a todos los
niveles tcnicos.

En un ciclo de compresin mecnica, los vapores del agente frigorgeno
(como debe ser denominado) que se producen en el evaporador de la mquina dando
lugar a la produccin frigorfica, son aspirados por un compresor que ejerce las
funciones de transportar el fluido y de elevar su nivel de entalpa. El vapor
comprimido a alta presin y con un elevado nivel trmico se entrega a un
intercambiador de calor, el condensador, para que ceda su energa a otro fluido, que
no es utilizable para la produccin frigorfica, y cambie de estado, pasando a ser
lquido a alta presin y temperatura, y por lo tanto tampoco utilizable para la
produccin frigorfica. Este lquido relativamente caliente se fuerza a pasar a travs
de un dispositivo en el que deja parte de la energa que contiene, por friccin
mecnica fundamentalmente, y a partir del cual entra en una zona del circuito
frigorfico en la que la presin se mantiene sensiblemente mas baja, debido a que el
Memoria


93
compresor est aspirando de ella, que la presin de saturacin que correspondera en
el equilibrio a la temperatura a la que se encuentra el agente frigorgeno en estado
lquido. Este desequilibrio entre las presiones y temperaturas de saturacin y las
reales a las que el refrigerante se encuentra, origina la evaporacin parcial del lquido,
que toma el calor latente de cambio de estado de la masa del propio lquido,
enfrindola hasta la temperatura de saturacin que corresponde a la presin a la que
se encuentra, punto en el que la evaporacin se interrumpe. El refrigerante en estado
lquido a baja temperatura entra en el evaporador, donde se evaporar, cerrando as el
ciclo frigorfico.

En la mquina de absorcin se produce un proceso similar: El refrigerante,
agua o amoniaco, se evapora en el evaporador tomando el calor de cambio de estado
del fluido que circula por el interior del haz tubular de este intercambiador. Los
vapores producidos se absorben por el absorbente, agua o solucin de bromuro de
litio, en un proceso de disolucin endotrmico que requiere de refrigeracin externa
para que la solucin se mantenga en condiciones de temperatura correctas y no
aumente la presin en la cmara en la que se produce la absorcin y que se denomina
Absorbedor. En este circuito de refrigeracin externa se utilizan normalmente torres
de refrigeracin de agua de tipo abierto o cerrado. El agua enfriada en la torre se hace
circular a travs del interior del haz tubular de otro intercambiador que se encuentra
situado en el interior de la cmara del absorbedor y sobre el que se roca el absorbente
para facilitar el proceso de la absorcin.

Memoria


94
La masa de absorbente conteniendo el refrigerante absorbido se transporta,
mediante bombeo, hasta otro intercambiador de calor cuya funcin es separar el
refrigerante del absorbente, por destilacin del primero. Este intercambiador de calor
se denomina Concentrador o Generador y es de tipo inundado. Por su haz tubular se
hace circular el fluido caliente, normalmente agua o vapor de agua, que constituye la
fuente principal de energa para el funcionamiento del ciclo de absorcin, y que
procede como efluente de cualquier tipo de proceso en el que se genere calor residual.

En el concentrador se produce la ebullicin del refrigerante, que se separa del
absorbente y que como consecuencia aumenta su concentracin, en el caso de
solucin salina, o su pureza cuando se trata de agua, para que pueda ser utilizado de
nuevo en el proceso de absorcin. El flujo de absorbente vuelve al absorbedor
siguiendo un camino mas o menos diferente segn cada tipo de mquina, mientras
que el flujo de vapores del refrigerante destilado en el concentrador pasa, por simple
diferencia de presin, a otro intercambiador de calor por el interior de cuyo haz
tubular circula agua procedente tambin de la torre de refrigeracin, y que se
denomina condensador porque alrededor de su haz tubular se produce la
condensacin de los vapores del agente frigorfico para volver al estado lquido.

El lquido obtenido en el condensador se canaliza hacia la cmara de
evaporador, por gravedad y por diferencia de presin, ya que esta se encuentra a una
presin inferior a la de la cmara del condensador. Cuando el lquido llega a la
cmara del evaporador sufre un fenmeno idntico al comentado en la descripcin
Memoria


95
hecha del ciclo de compresin mecnica, y se evapora parcialmente, llevando la
temperatura de la masa del lquido a la temperatura de saturacin que corresponde a
la presin en la que la cmara del evaporador se encuentra. De esta forma, el lquido
fro est en condiciones de tomar calor del fluido que circula por el interior del haz
tubular del evaporador, hasta evaporarse, cerrando as su ciclo.

Si se comparan ambos ciclos, se comprender que en el de absorcin los
intercambiadores de calor del Absorbedor y del Condensador, junto con la bomba o
bombas que hacen la funcin de transporte del absorbente, equivalen a su trabajo al
compresor del ciclo de compresin mecnica. Mientras que en el evaporador,
condensador y dispositivo de expansin de las mquinas de absorcin se desarrollan
procesos similares, por no decir idnticos, a los que tienen lugar en sus homnimos
del ciclo de compresin mecnica. Sera vlido referirse al Concentrador y
Condensador de la mquina de absorcin como Sector de Alta Presin, y al
Absorbedor y Evaporador como Sector de Baja Presin, siguiendo la similitud con el
ciclo de compresin mecnica.

1.1.2.4.3 CRITERIOS ACTUALES DE DISEO
Cuando las primeras plantas de absorcin aparecieron en el mercado la
tecnologa electrnica estaba en sus albores, para su control y regulacin se utilizaron
dispositivos neumticos de forma generalizada. Con estos controles, an ejerciendo
correctamente su funcin, la hermeticidad de la mquina se haca mayor, si cabe, para
los operadores, y era laboriosa y complicada la interpretacin del comportamiento de
una mquina en unas condiciones de estado determinadas.
Memoria


96

Hoy en da estas dificultades de acceso e interpretacin se han eliminado
prcticamente, y es mucho ms sencillo e inmediato analizar el comportamiento de un
equipo en unas condiciones dadas. Este gran avance se debe, fundamentalmente al
desarrollo y perfeccionamiento de las aplicaciones de la microelectrnica al control y
gestin de la maquinaria en general, que tambin se ha hecho patente en las
mquinas frigorficas en los ltimos aos.

La aplicacin de dispositivos de control basados en microprocesadores,
permite la utilizacin de todo tipo de sensores de temperatura, presin y
concentracin, y la utilizacin de lgicas de control que: por una parte ponen al
alcance de los operadores, de manera inmediata, una informacin importantsima e
imprescindible para el manejo de la mquina, cuya obtencin era como mnimo, muy
laboriosa con los controles utilizados anteriormente; y por otra facilitan un
funcionamiento ms estable y seguro de las mquinas.

En materia de seguridad y estabilidad de funcionamiento, los nuevos criterios
que se aplican al diseo y la disponibilidad de tecnologas ms potentes, han aportado
grandes mejoras. As por ejemplo, se ha conseguido que los procesos de entrada en
carga, puesta en rgimen y parada de las mquinas, se desarrollen de manera
equilibrada y sin riesgo de que se produzcan fenmenos perturbadores. La temible
cristalizacin, causa de la mayora de las incidencias y paradas de equipos de
absorcin con ciclos Bromuro de Litio/Agua en el pasado, es hoy en da, un
fenmeno perfectamente controlable, y puede prevenirse sin demasiada dificultad
Memoria


97
mediante controladores de nivel y de concentracin y vlvulas automticas. La
presencia de inconfensables en el interior de la mquina, indeseable por el efecto
negativo que ejerce sobre la produccin frigorfica, es hoy fcilmente combatible
mediante el empleo de sistemas automticos de purga de elevadsima eficiencia.

Finalmente, la adaptacin de la produccin a la demanda energtica en cada
aplicacin se efecta en las mquinas de ltima generacin con gran efectividad,
mediante procesadores de accin P.I.D. Y convertidores de frecuencia para el
accionamiento de los motores de las bombas, con los que se consiguen mejoras
sustanciales de la eficiencia de los ciclos y de los coeficientes de operacin (C.O.P.)
de los equipos.

Desde el punto de vista de resistencia mecnica tambin se han conseguido
mejoras importantes. La utilizacin de aceros aleados de alta resistencia en la
fabricacin de las envolventes permite una construccin ms ligera, y el empleo de
tubos de materiales inoxidables o de alta resistencia a la corrosin, como el
cuproniquel, en la fabricacin de los haces tubulares de los intercambiadores de calor,
facilita mejores rendimientos en la transmisin de calor al tiempo que alarga la vida
til de las mquinas.

El conjunto de mejoras accesibles, gracias a la utilizacin de nuevas
tecnologas, junto con las ventajas que los ciclos de absorcin ofrecen en lo relativo al
aprovechamiento de energas residuales y su baja influencia en el deterioro del Medio
Ambiente, en comparacin con otros sistemas de refrigeracin como ms adelante
Memoria


98
comentaremos, hacen que la Refrigeracin por Absorcin sea hoy considerada como
opcin interesante para la solucin de problemas de refrigeracin en procesos
industriales y de climatizacin, para los que solo unos aos atrs era descartada.

1.1.2.4.4 INTERS ENERGTICO
En todo proceso de definicin de las posibles soluciones a un determinado
problema de aprovechamiento energtico, las consideraciones que ms fuertemente
influyen en la decisin de los proyectistas y de las propiedades son de ndole
econmica, fundamentalmente, aunque hoy en da las consideraciones de impacto
ambiental tienen tambin una importancia prioritaria.

Las relaciones entre el coste de la inversin inicial requerida y el beneficio
esperado y entre los costes y resultados de explotacin previstos, en resumidas
cuentas el cash flow del proyecto, son determinantes en la eleccin de la solucin
idnea.

A partir de estas premisas, es preciso analizar en detalle todas las posibles
soluciones teniendo en consideracin no solo el coste de los equipos a instalar, sino
tambin el coste de las energas a consumir, con una proyeccin de futuro sobre la
evolucin que, previsiblemente, puedan experimentar estos ltimos durante el
periodo que se establezca como plazo de amortizacin de la instalacin a realizar.
Este criterio, normalmente, reduce de forma drstica el abanico de posibles opciones.

Memoria


99
El coste inicial de una planta frigorfica de absorcin resulta, en la mayora de
los casos, superior al de un equipo de compresin mecnica de la misma capacidad.
La razn para esta diferencia est en la muy superior cantidad de materiales
metlicos que son necesarios para la fabricacin de los intercambiadores de calor, en
equipos que se basan en procesos termodinmicos sin prcticamente aportacin del
equivalente trmico del trabajo mecnico. Sin embargo, cuando se analizan los costes
de explotacin a partir del valor de las energas consumibles, la balanza puede
desplazarse a favor de los equipos de absorcin, si se dan las condiciones de partida
necesarias.

1.1.2.4.4.1 COP

El concepto de C.O.P. (Coefficient of Performance) en refrigeracin, es
sinnimo de Eficiencia Energtica en el evaporador. C.O.P. se define oficialmente
como: La cantidad de refrigeracin obtenida de una mquina dividida entre la
cantidad de energa que se requiere aportar para conseguir esta refrigeracin
(ASHRAE 1993)7. En este cmputo no se incluyen los consumos auxiliares de
energa elctrica necesarios para el funcionamiento de bombas y ventiladores.

Los C.O.P.s esperables de los ciclos de absorcin son tambin muy bajos
comparados con los de los ciclos de compresin mecnica. En mquinas de absorcin
de una etapa, con Bromuro de Litio, no se superan C.O.P.s de 0,7, en mquinas de
doble etapa se alcanzan valores que pueden ser hasta 1,5 veces a los esperables en una
etapa, es decir de hasta 1,2, esto significa que las mquinas de doble etapa
Memoria


100
aprovechan mejor la energa que las de etapa simple. En ciclos de baja temperatura
Amoniaco/ Agua se consiguen valores de C.O.P. de 0,5 y pueden alcanzarse
mximos de 0,8.

Por el contrario en equipos de compresin mecnica de gran cantidad, con
compresores centrfugos y de tornillo, se consiguen en la actualidad rendimientos
frigorficos entre 4,5 y 5,5 kW/kW (C.O.P.s en el evaporador de 4,5 a 5,5). A
igualdad de costes de las energas consumibles, estas diferencias tan espectaculares
habran convertido a las mquinas de absorcin, hace mucho tiempo, en piezas de
museo o curiosidades tecnolgicas.

Cul puede ser, entonces, la razn para que los ciclos de absorcin sigan
teniendo actualmente una aplicacin prctica?. La respuesta es bastante sencilla: El
coste de producir el trabajo mecnico necesario para obtener un kW de refrigeracin
por ciclo de compresin mecnica de vapor es, normalmente, superior al coste
necesario para recuperar la cantidad de calor a aplicar para obtener el mismo kW en
un ciclo de absorcin. El coste de la energa bsica es el nico factor que determina la
posible competitividad de los sistemas de absorcin frente a los de compresin
mecnica.

Por ejemplo: Si se compara un sistema de refrigeracin por compresin con
un C.O.P. esperable de 5,5, y un sistema de absorcin de doble etapa con un C.O.P.
de 1, en una aplicacin en la que se dispone de una fuente de calor recuperable cuyo
coste por kW recuperado es de 1 unidad mientras que el coste de la energa elctrica
Memoria


101
necesaria para hacer funcionar las mquinas de compresin es de 6 unidades, ser
evidente el inters de utilizar el sistema de absorcin, implemente a partir de los
costes de las energas, sin tener en consideracin otras posibles ventajas. Este es un
anlisis demasiado simplificado, ya que no se han tenido en consideracin los costes
energticos que implica el funcionamiento de las torres de recuperacin, las bombas
de agua de torre, ni las bombas de agua fra. Un estudio ms completo nos llevara a
la conclusin de que, teniendo en cuenta todos los consumos de todo tipo de energas
en una aplicacin dada, el coste de la energa elctrica debera ser de 8 a 9 veces
superior al de la energa trmica recuperada por hacer que la opcin por absorcin
fuera competitividad con la de compresin mecnica.

Lo que es evidente es que siempre que exista la posibilidad de utilizar energas
trmicas desechables, gratuitas, o de muy bajo coste, procedentes de energas
renovables, o efluentes de procesos industriales o de sistemas de cogeneracin, la
aplicacin de sistemas de absorcin para la produccin frigorfica ser competitiva e
interesante (Application Guide for absorption cooling/refrigeration using recovered
heat ASHRAE, 1995)

Tambin es preciso citar que an existen lugares en los que la disponibilidad
de energa elctrica para grandes potencias no est garantizada, o bien implica un
coste muy elevado, y sin embargo existen combustibles fsiles accesibles, gas natural
por ejemplo, a un precio aceptable. Esta es otra posibilidad de aplicacin de los
sistemas de absorcin, utilizando en estos casos mquinas con combustin directa que
consumen un combustible liquido o gaseoso directamente para la produccin de calor
Memoria


102
y fro de forma simultnea o alternativa, con C.O.P.s que pueden alcanzar valores de
1,5.

As mismo puede resultar interesante la aplicacin de sistemas hbridos,
que se basan en la instalacin de mquinas de absorcin en serie, o en paralelo, con
mquinas de compresin mecnica sobre el mismo circuito de agua enfriada. En
estos sistemas, las mquinas de compresin se utilizan para hacer frente a las cargas
trmicas bsicas, o en horas valle, mientras que las mquinas de absorcin se utilizan
exclusivamente en horas punta o para combatir las demandas punta. Esto permite
dimensionar las mquinas que consumen energa mas cara para condiciones de menor
carga, lo que repercute favorablemente en los costes de explotacin de la instalacin.

1.1.2.4.5 IMPACTO AMBIENTAL
Por ltimo, pero no por menos importante, se va a comentar las peculiaridades
de los equipos de refrigeracin por absorcin en lo relativo a la incidencia de su
utilizacin sobre el medio ambiente. El comentario se centrar en los ciclos Agua-
Bromuro de Litio, cuya influencia medioambiental es considerada menos conocida,
ya que los ciclos Amoniaco-Agua estn mas condicionados en su efecto
medioambiental por la presencia del Amoniaco como refrigerante, y su divulgacin
ha sido ms amplia por esta razn, al ser este agente frigorfico plenamente ecolgico,
sobre todo en lo relativo a su ODP (Potencial de Destruccin de Ozono) y GWP
(Efecto Invernadero). Los aspectos de impacto indirecto, en funcin de la
Memoria


103
contaminacin originada en la produccin de energa elctrica, y de TEl (Impacto
Ambiental Global), son prcticamente comunes a ambos tipos de ciclos y estn en
relacin directa con los COPs de cada mquina, para cada aplicacin concreta, por lo
que sern vlidas para el ciclo Amoniaco-Agua las consideraciones que se harn
sobre los ciclos Agua-Bromuro de Litio.

1.1.2.4.6 ABSORCIN VS COMPRESIN MECNICA.
Si se deja a un lado el impacto medioambiental de los agentes frigorficos, que se
tratar en el apartado siguiente, entre las mquinas frigorficas de absorcin y las de
compresin mecnica de vapor, existen diferencias muy significativas en cuanto a la
influencia de su utilizacin sobre el medio ambiente. Los expertos en esta materia,
han coincidido en que el factor que determina con mayor exactitud la incidencia sobre
el medio ambiente de una mquina o proceso, es el que se ha dado en denominar TEl
(Total Environmental Impact) que engloba todos los parmetros de influencia:

ODP (Potencial de destruccin de Ozono).
GWP (Potencial de calentamiento global-Efecto Invernadero)
Consumo de los equipos(COP).
Vida atmosfrica.
Carga de los equipos (Refrigerante).
Emisiones de los equipos.

De todos estos parmetros el de mayor importancia, cuando nos referimos a la
maquinaria frigorfica, resulta ser el consumo de los equipos, englobando tanto los
Memoria


104
consumos directos de energa de cada mquina como los de energas primarias y
fsiles necesarios para la produccin de la energa elctrica que despus se va a
consumir en ella, e incluyendo las emisiones de gases invernadero (CO2,
fundamentalmente) que van aparejadas con la produccin de esta energa.

La Agencia Internacional del Medio Ambiente ha determinado que el 98% del
TEl de una planta frigorfica se debe a la emisin de gases invernadero que se
originan en la produccin de la energa elctrica necesaria para su funcionamiento.
Solo el 2% restante se debe a las emisiones originadas por la propia mquina.

Si consideramos ahora que el consumo elctrico de una planta de absorcin es,
por trmino medio, un 7% del correspondiente a un equipo de compresin mecnica,
y que la energa trmica que consume, salvo en las aplicaciones de combustin
directa, procede como efluente de un proceso, es decir que su impacto
medioambiental se debe a otras necesidades ajenas a las de la produccin frigorfica,
concluiremos que el TEl de una planta de absorcin es tan solo el 7,15% respecto al
equipo de compresin mecnica equivalente.

Este valor se reduce hasta el 7% si tenemos en cuenta que un equipo de absorcin
no origina emisiones propias, ya que su interior, por principio, se encuentra en
depresin frente a la atmsfera, y que aun en el supuesto de que por una avera se
produjera algn vertido o emisin al exterior de sus fluidos interiores, esto no tendra
ningn efecto contaminante para el medio, dadas las caractersticas de estas
sustancias.
Memoria


105

En equipos que funcionan con combustin directa, el efecto de las emisiones
propias se acenta, no por lo que se refiere a las emisiones indirectas que se originan
en la produccin de energa elctrica que supondran un porcentaje e equivalente al
comentado para equipos actuados por vapor o agua caliente, sino por la emisin de
los productos de la combustin que se generan en la mquina. En este sentido,
considerando un COP medio de 1 en la produccin frigorfica, y un rendimiento en la
combustin de un 90%. con gas natural, alcanzaramos un valor de TEI prcticamente
idntico al que correspondera a un equipo de compresin de la misma capacidad
frigorfica accionado elctricamente y con un COP de 4,5. Esto sin tener en cuenta
los efectos debidos a los agentes frigorficos, que en caso de la absorcin seran nulos.

1.1.2.4.7 REFRIGERANTES
En lo que a agentes frigorgenos se refiere, la balanza se inclina
favorablemente a favor de la utilizacin de ciclos de absorcin frente a los de
compresin mecnica para la produccin frigorfica. Desde el punto de vista
medioambiental el inters de los primeros es evidente, por las siguientes razones:

En los ciclos Agua-Bromuro de Litio el refrigerante que se utiliza R-718 (agua
destilada), y el absorbente es una solucin de Bromuro de Litio.

En los ciclos Amoniaco- Agua se utiliza R-7l7(Amoniaco) como refrigerante
y agua destilada como absorbente. Las tres sustancias tienen un comportamiento muy
Memoria


106
favorable con el medio ambiente, como se resume en la tabla siguiente, si bien se
precisan precauciones especiales para la manipulacin y mantenimiento de los
equipos que trabajan con Amoniaco, dada la peligrosidad de esta sustancia para el ser
humano, sobre la que no es preciso abundar ya que es sobradamente conocida.

Por lo que respecta al agua, solo cabe sealar la necesidad de controlar su
pureza cuando se emplea como refrigerante, ms por lo que puede afectar al
rendimiento de los equipos que por sus efectos sobre las personas y el medio
ambiente para los que es completamente inocua.

La sal de Bromuro de Litio es, as mismo inocua, aunque en solucin acuosa
tiene efectos detergentes bastante acusados por lo que no debe ser ingerida y
conviene ser manipulada con la precaucin necesaria para evitar derrames que
pueden decolorar los suelos de madera y otros materiales orgnicos. No se requieren
ms prevenciones.
Memoria


107
1.1.3 MEMORIA DESCRIPTIVA
1.1.3.1 DESCRIPCIN DEL SISTEMA DE COMPRESIN
REFRIGERADA

El estudio de todos estos parmetros se realizar utilizando el programa EES.
Se va a exponer a continuacin todos los puntos de trabajo de la instalacin y la
explicacin de las lneas de cdigo utilizadas.

En el punto uno se sita la entrada del fluido de trabajo, el cual se encuentra
en condiciones ambiente. El punto dos est a la salida del compresor, cuyo proceso de
compresin modelamos por un proceso politrpico con un coeficiente de 1,3 lo que
sita a dicho proceso entre un adiabtico y un proceso isotermo, el cual posee la
misma humedad absoluta que el punto uno, debido a que en el proceso de compresin
se produce un incremento considerable de la temperatura, por lo que en ningn caso
se condensar la humedad ambiente entre ambos puntos, dicho punto dos ser
3
2 1
4
5 6
8
9
7
Memoria


108
modificado para estudiar el comportamiento de la instalacin bajo distintas presiones.
El punto cinco se encuentra a la salida del refrigerador, dicho punto dejamos la
libertad que pueda tener o bien menor humedad absoluta que el punto dos o bien la
misma, si es que en el proceso de enfriamiento no se ha llegado a la temperatura de
roco correspondiente a la presin del punto cinco, la cual ser igual a la del punto
dos menos la prdida de carga introducida en el refrigerador, y humedad ambiente.
En el punto cinco se variar su temperatura de salida para ver su influencia en el resto
de parmetros de la instalacin. El punto tres se encuentra en condiciones ambiente,
con la nica modificacin de estas en la presin, ya que este punto tendr su presin
igual a la ambiente ms la prdida de carga introducida en el refrigerador, la cual ser
suministrada por el ventilador. El punto cuatro se encuentra a presin ambiente,
humedad absoluta igual a la ambiente y su temperatura ser un parmetro de diseo
para minimizar la potencia necesaria por el ventilador, es decir minimizar el gasto
msico b. El punto seis est a la salida de la vlvula, el proceso de cinco a seis, al ser
una vlvula, es un proceso isentlpico, con lo cual la entalpa se tiene definida, la
presin est cercana a la presin del punto siete, es decir, la ambiente, ms la prdida
de carga introducida en el segundo intercambiador. En el punto 6 se considera que en
la vlvula ser produce un proceso de enfriamiento de tal manera que la humedad
absoluta de este punto es menor a la humedad absoluta del punto precedente, es decir,
el punto 5, por lo que la humedad relativa del punto 6 se considera igual a la unidad,
para que se pueda producir entre ambos puntos una condensacin. El punto siete se
encuentra a la misma presin que la ambiente, y temperatura de diez grados mayor
que la temperatura del punto seis, y con una humedad absoluta igual a la del punto
seis, ya que entre ambos se ha dado un proceso de calentamiento, por lo que no se ha
Memoria


109
podido dar el fenmeno de la condensacin entre dichos puntos. En cuanto al punto
ocho, se encuentra en las mismas condiciones que el punto tres. Por ltimo el punto
nueve posee diez grados ms de temperatura que la temperatura del punto de roco
correspondiente a las condiciones ambiente, e presin igual a la ambiente. Con
respecto a su humedad, basta decir que el fin del proceso que se da entre 8 y 9 en la
condensacin de la humedad ambiente del fluido que discurre entre ambos puntos,
por lo que la humedad relativa del punto 9 deber ser igual a la unidad, para que se
pueda dar entre dichos puntos una condensacin.

1.1.3.2 DESCRIPCIN DEL SISTEMA POR CLULAS PELTIER

El sistema estudiado en segundo lugar es aquel que se basa en las clulas
Peltier para la consecucin de un foco fro en el cual la humedad ambiente, pueda ser
condensada.
Para este estudio, se ha comenzado estudiando la potencia que es necesaria
para condensar un volumen de agua igual a 10000 litros. Dicha potencia ha sido
determinada mediante la superposicin de las potencias requeridas por dos efectos.
En primer lugar se ha determinado la potencia calorfica que se demanda para bajar la
temperatura desde la temperatura del aire ambiente, hasta la temperatura del punto de
roco para las condiciones ambiente estudiadas. La condensacin en si ha sido
estudiada en dos como dos problemas. Se ha considerado una atmsfera de vapor de
agua a la presin reducida equivalente, calculando la potencia necesaria para
condensar los 10000 litros de agua, y por otro lugar se ha calculado la potencia
Memoria


110
requerida para bajar de temperatura al aire que acompaa a dicho vapor de agua,
hasta la temperatura de condensacin que se ha fijado.
En cuanto al clculo de las clulas Peltier, se ha estudiado una clula, sacando
sus curvas de eficiencia, para de este modo poder controlar la zona en la cual opera
dicha clula y tenerla caracterizada. Dicha clula acta como una bomba de calor
entre sus dos focos, absorbiendo una cierta cantidad de calor, la cual es funcin de la
intensidad que pasa por ella, y de la diferencia de temperaturas entre sus caras.
Sabiendo la temperatura ambiente, y conociendo la temperatura de condensacin,
para las ondiciones estudiadas, se determina un punto de funcionamiento para la
clula. Una vez determinado dicho punto, se calcula la potencia total que ha de ser
disipada por el lado caliente de la clula y se calcula el disipador necesario para
dichas condiciones.
1.1.3.3 DESCRIPCIN DEL SISTEMA DE ABSORCIN

El sistema de absorcin tiene en comn con el sistema de condensacin
mediante clulas peltier, que la potencia de refrigeracin necesaria, ha sido calculada
del mismo modo.
El ciclo de absorcin utilizado, es un ciclo de absorcin de simple efecto. La
caracterstica principal que diferencia a este sistema es que la potencia elctrica
requerida para operar este tipo de mquina es muchsimo menor que la potencia
requerida para operar los otros dos sistemas. En los ciclos de absorcin se introduce
energa en forma de calor, la cual puede ser obtenida mediante paneles solares
trmicos, en los cuales la eficiencia de conversin de energa solar en energa
utilizable por el sistema es mucho mayor que en el caso de los paneles fotovoltaicos.
Memoria


111
Para el clculo de dicha instalacin, se parte de la potencia necesaria calculada
para condensar en pared fra, las temperaturas de cesin de calor, es decir del
evaporador y del absorbedor. Una vez que se resuelve dicho ciclo, teniendo siempre
muy en cuenta la forma en la que se introduce calor a la instalacin, se calcula la
potencia que debe ser entregada en dicho ciclo y la potencia que debe ser disipada.
Con la potencia que debe ser entregada son calculados los paneles solares requeridos,
y con la potencia que debe ser disipada el aero-refrigerador necesario.
Clculos


112
1.2 CLCULOS

1.2.1 PARMETROS REQUERIDOS

El primero es el volumen de agua necesario. Este dato se ha obtenido
partiendo de las necesidades de agua bsicas que determina la organizacin mundial
de la salud, como cantidades mnimas en situaciones de catstrofe por persona y da,
las cuales ascienden a 15 l/personadia. Estimando la poblacin en unas 600 personas,
obtenemos una cantidad necesaria de agua cerca de 10000 litros por da.
Determinando el tiempo de trabajo diario de la instalacin, el cual es de 12 horas,
obtenemos una cantidad cercana a 834 litros/hora. Por lo que el gasto de agua por
unidad de tiempo es de 0,231 kg/s, considerando la densidad del agua igual a 1000
kg/m
3
.

Las temperaturas y humedades tanto mximas, como mnimas, como medias,
las exponemos en la siguiente tabla:
JAN FEB MAR APR MAY JUN JUL AUG SEP OCT NOV DEC
highest maximun air temperature 37 39,5 36,9 42 44,5 45 44 43 37 40,5 37 36
Mean maximus air temperature 32,7 35 38,4 38,4 41,7 43,3 41,5 37,6 39,8 36,1 34,8 32,4
Lowest minimum air temperature 12 16,8 19 18 22 25,2 23 20,5 23,2 16,5 16 12
Mean minimux air temperature 19,2 21,1 23 23,8 24,8 28,6 27,6 25,8 25,3 20,2 18,8 18,2
Mean relative humidity 55,6 53,3 48 48 37,7 30,6 38,3 53,3 44,3 45,7 50 58

Se trabajar con las temperaturas diarias, ya que son las cuales nos interesan
debido a que las horas de funcionamiento de la instalacin sern de da. Por lo tanto
Clculos


113
nos centraremos en las temperaturas medias mximas y en las humedades relativas
medias.

1.2.2 CLCULOS FOTOVOLTAICOS

Se va a proceder a describir el proceso de clculo de la energa solar incidente
en una superficie inclinada un cierto ngulo, y la posterior optimizacin de dicho
ngulo para que la potencia incidente sea mxima.

Se comienza con los siguientes datos de partida, la radiacin diaria terrestre
media mensual y la radiacin diaria extraterrestre media mensual en cuanto a las
caractersticas de la radiacin en el lugar estudiado. En cuanto a su situacin se define
la latitud y en cuanto al mes se indica el da medio del mes, para tener en cuente los
das que tiene el mes estudiado.

1.2.2.1 DETERMINACIN DE LA RADIACIN SOLAR

Para la obtencin de los valores de radiacin diaria extraterrestre media
mensual, se recurre a la pgina web World Radiation Data Center, la cual dispone de
una gran cantidad de valores de radiacin para los distintos lugares del mundo. Se
toma como valores de referencia los relativos a Addis ababa. Se toman una muestra
de distintos aos, para la obtencin de las exposiciones globales medias mensuales,
como se puede observar a continuacin.

Clculos


114
Los aos elegidos son los siguientes: 1973, 1977, 1978, 1979, 1982 y 1988.
Exponiendo a continuacin los datos obtenidos en dicha pgina.

Los grficos representativos de la radiacin de cada uno de los aos
considerados se exponen a continuacin.
Radiacin diaria terrestre en 1973
0,00E+00
5,00E+06
1,00E+07
1,50E+07
2,00E+07
2,50E+07
3,00E+07
1 3 5 7 9 11
Mes
R
a
d
i
a
c
i
n
(
J
/
m
^
2
)
1973

Radicin diaria terrestre en 1977
0,00E+00
5,00E+06
1,00E+07
1,50E+07
2,00E+07
2,50E+07
1 3 5 7 9 11
Mes
R
a
d
i
a
c
i
n
(
J
/
m
^
2
)
1977

Clculos


115
Radicin diaria terrestre en 1978
0,00E+00
5,00E+06
1,00E+07
1,50E+07
2,00E+07
2,50E+07
1 3 5 7 9 11
Mes
R
a
d
i
a
c
i
n
(
J
/
m
^
2
)
1978

0,00E+00
5,00E+06
1,00E+07
1,50E+07
2,00E+07
2,50E+07
1 3 5 7 9 11
Mes
R
a
d
i
a
c
i
n
(
J
/
m
^
2
)
1979

0,00E+00
5,00E+06
1,00E+07
1,50E+07
2,00E+07
2,50E+07
1 3 5 7 9 11
Mes
R
a
d
i
a
c
i
n
(
J
/
m
^
2
)
1982

Clculos


116
0,00E+00
5,00E+06
1,00E+07
1,50E+07
2,00E+07
2,50E+07
3,00E+07
1 3 5 7 9 11
Mes
R
a
d
i
a
c
i
n
(
J
/
m
^
2
)
1988

Clculos


117

R
a
d
i
a
c
i
n

M
e
d
i
a

m
e
n
s
u
a
l
1
,
5
0
E
+
0
6
6
,
5
0
E
+
0
6
1
,
1
5
E
+
0
7
1
,
6
5
E
+
0
7
2
,
1
5
E
+
0
7
2
,
6
5
E
+
0
7
1
3
5
7
9
1
1
M
e
s
R a d i a c i n ( J / m ^ 2 )
Clculos


118
Para la obtencin de la radiacin diaria extraterrestre media mensual, se
aplica la siguiente ecuacin, que nos devuelve la radiacin solar extraterrestre media
mensual, para un determinado da del ao, una determinada declinacin y un cierto
punto de latitud.

( )
S S S SN O
W W senW L I H cos . . cos . cos . .
24
=

1.2.2.2 CLCULOS GEOMTRICOS

Primero se van a definir primero los parmetros que ms tarde van a ser
calculados.

Declinacin: Es el parmetro que nos identifica la situacin de la tierra a lo
largo del ao en su movimiento de translacin con respecto al sol. Puede ser
aproximado este valor por la ecuacin:

+
=
365
284
. 360 . 45 , 23
N
sen

Por lo que para cada mes que se estudie, se calcular N que es el da del ao, y
al estar discretizando por meses, se tomar el valor del da medio del mes
correspondiente.

Clculos


119
Angulo horario de salida-puesta de sol: El ngulo horario mide la distancia en
grados entre el meridiano de la tierra que contiene al sol y el que contiene al lugar en
estudio. Aceptando que la velocidad de giro de la tierra es uniforme podemos dividir
los 360 entre 24 horas, por lo tanto, a cada hora le corresponden 15. Por lo tanto, el
ngulo horario vendr dado por la siguiente expresin:
o
n
h w 15 . = , donde h
n
es el nmero de horas.

Duracin del da. Este parmetro se obtendr a partir de las horas de salida y
puesta del Sol, momentos n los que la altura solar ser h=0.
( ) tgL tg T
d
. arccos .
15
2
=

Altura solar, h: La distancia angulas desde el plano del horizonte hasta la posicin del
Sol sobre el plano del horizonte.

Acimut, z: La distancia angular entre el meridiano que contiene al Sol y el eje sur
visto desde la posicin del observador.

Podemos relacionar estos parmetros mediante la siguiente expresin:
cos . cos . cos . w L sen senL senh + =

Clculos


120
1.2.2.3 CLCULOS REFERENTES A LAS EXPOSICIONES SOLARES

Ahora se expondrn los clculos referentes a las exposiciones diarias
horizontales.

El primer parmetro definido en esta parte de los clculos, es el coeficiente de
transmisin total atmosfrica K
T
, el cual es la relacin entre la exposicin global
horizontal a nivel del suelo y la radiacin extraterrestre.

A continuacin se exponen los coeficientes de transmisin fraccionales (K
B
,
K
D
): Son el cociente entre las exposiciones directa o difusa, respectivamente, y la
global horizontal terrestre.
G
B
B
H
H
K =

G
D
D
H
H
K =
Ambas sern complementarias:
G D B
H H H = +
1 = +
D B
K K
Lui y Jordan establecieron la siguiente relacin como curva de correlacin vlida para
cualquier lugar en el que K
T
est comprendido entre 0,2 y 0,75 la siguiente:
3 2
. 11 , 3 . 53 , 5 . 03 , 4 39 , 1
T T T D
K K K K + =
Clculos


121

De este modo es determinado el coeficiente de transmisin de la radiacin
difusa.

Una vez determinados estos dos coeficientes, se obtienen las exposiciones
directas y difusas diarias horizontales. Las exposiciones son obtenidas del siguiente
modo; La exposicin difusa diaria horizontal H
mD
, se obtiene como el producto del
coeficiente de transmisin de la radicacin difusa por la radiacin diaria terrestre
media mensual. La exposicin directa diaria horizontal es obtenida como la diferencia
entre la radiacin diaria terrestre media mensual y la exposicin difusa diaria
horizontal.

Se sigue con la obtencin de parmetros puramente geomtricos como son la
altura solar real y el coseno del ngulo de incidencia. Tomando como referencia el
plano del horizonte del observador en una latitud L, el ngulo de incidencia coincide
con el ngulo complementario a la altura solar:

w L sen senL cos . cos . cos . cosh cos + = =

El coseno del ngulo de incidencia se obtiene, considerando un plano
inclinado un cierto ngulo , el ngulo de incidencia
de la radiacin sobre l, sera

el equivalente al plano del horizonte de un observador situado en una latitud (L - ).
Por lo tanto, la expresin queda de la siguiente forma:

Clculos


122
( ) ( )
cos . cos . cos . cos w L sen L sen + =

Tambin se contempla la posibilidad de tener un plano inclinado un ngulo ,
(giro sobre el eje E-O) y orientado un ngulo g, (giro sobre el eje N-S), lo cual viene
dado por la expresin:

g sen L sen senL sen
g
cos . . cos . cos . . cos
,

=
senw seng sen
g w sen senL
w L
. . . cos
cos . cos . . . cos
cos . cos . cos . cos

+
+
+

Donde:
: declinacin
L: latitud del lugar
w: ngulo horario
: inclinacin de la superficie
g: orientacin de la superficie.

Ahora se comienzan los clculos de las exposiciones horarias horizontales.
Esto se hace tomando como hora cero de referencia el medioda solar del lugar, y
siendo w
s
el ngulo horario de salida del Sol, el ngulo horario de puesta del Sol ser
el simtrico, -w
s
, y la duracin del da vendr dada por 2w
s
. As mismo se adopta
como ngulo horario representativo de cada hora el correspondiente de las medias
Clculos


123
horas. Por ejemplo, el ngulo horario representativo de la 1h. a las 2h. (w
1-2
), ser el
correspondiente a la 1,30h.
Al trabajar con valores promedios de exposicin diaria, las distribuciones
horarias de estos sern simtricas con respecto al medioda solar.

En estas condiciones, la distribucin horaria de la Exposicin Global Diaria, a
lo largo de un da de duracin 2w
s
y segn las horas, w
j
= ,1
1/2
... nos viene dado por
la expresin:
G
m Gh
G
h
H r H . = para h = j = ,1
1/2
...
siendo:
G
h
H : el valor de la exposicin global horaria
r
Gh
el coeficiente de distribucin horario pudindose hallar mediante la
siguiente frmula:
s s s
s j
j Gh
w w senw
w w
w b a r
cos .
cos cos
). cos . .(
24

+ =

Siendo:
a = 0,41 + 0,5.sen(w
s
- /3)
b = 0,66 + 0,48.sen(w
s
- /3).

De la misma forma, la distribucin horaria de la Exposicin Difusa Diaria, viene
dada por:
Clculos


124
D
m Dh
D
h
H r H . =
Pudindose leer r
Dh
, en el grfico anterior (lnea de puntos), o pudindose
hallar mediante la siguiente frmula:
s s s
s j
Dh
w w senw
w w
r
cos .
cos cos
.
24

=

La distribucin horaria directa
B
h
H , se obtiene por diferencia de las anteriores:
D
h
G
h
B
h
H H H = .

El ltimo bloque de clculos son los relativos a las exposiciones horarias
inclinadas-orientadas. Para los cuales se procede del siguiente modo. Se estudia la
relacin geomtrica entre la superficie inclinada orientada y su sombra proyectada,
expresndola en funcin de ngulo de incidencia y h la altura solar, se obtiene:
senh
g F
s
s
B

cos
) , (
2
1
= =
El factor de conversin F
B
(, g) dar en cada instante la exposicin directa en
una superficie cualquiera en funcin de la horizontal.
Aceptando como valor medio de este factor, el correspondiente a las medias
horas, la exposicin de las radiaciones horarias directas nos vendr dada por:
B
h
B
j
B
h
H g F g H ). , ( ) , ( =

Para el clculo de la radiacin difusa se utiliza el factor de forma de la
exposicin difusa, el cual est definido como:
Clculos


125

2 / ) cos 1 (
) (

+ =
D
F

Por lo que a la hora de calcular la exposicin horaria difusa inclinada-
orientada, se multiplicar este factor de forma de la exposicin difusa por la
exposicin horaria difusa correspondiente.

La radiacin reflejada que incidir sobre la superficie inclinada y orientada
ser proporcional a la cantidad de suelo que sta ve y al coeficiente medio de
reflexin del suelo que la rodea, siendo r el coeficiente de reflexin:
) .( ) , (
) (
D
h
B
h
R R
h
H H F g H + =

de donde:
2 / ) cos 1 .(
) (

= r F
R

No existiendo alrededor de la superficie inclinada elementos tales como agua
o nieve, se obtienen aproximaciones satisfactorias con valores de r del orden de 0,2 a
0,3. Por lo que para el clculo que se est haciendo tomaremos como valor de
referencia la media entre ambos, es decir 0,25.
Por ltimo para el clculo de la exposicin diaria global inclinada orientada,
se obtendr como suma de sus componentes.
) , ( ) , ( ) , ( ) , ( g H g H g H g H
R
h
D
h
B
h
G
h
+ + =

Clculos


126
1.2.2.4 OPTIMIZACIN DEL NGULO DE INCLINACIN DEL COLECTOR

En la instalacin diseada, se mantendr a lo largo de todo su periodo de
funcionamiento un cierto ngulo de inclinacin de los colectores, para hacer mximo
la cantidad de radiacin incidente a lo largo de todo el ao. Esto se consigue
discretizando los valores del ngulo de inclinacin y comparando los resultados para
cada uno de los ngulos.

A continuacin se expone la grfica de radiacin con respecto al ngulo de
inclinacin, y la tabla correspondiente a dicha grfica.

Radiacin- Inclinacin
7000
7100
7200
7300
7400
7500
7600
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Inclinacin
R
a
d
i
a
c
i
n

Clculos


127
ngulo Radiacin
40 7072,957533
39 7116,703924
38 7158,282498
37 7197,68059
36 7234,886199
35 7269,887991
34 7302,978441
33 7334,370953
32 7363,529344
31 7390,924636
30 7416,386775
29 7440,052744
28 7461,452401
27 7480,579228
26 7497,427397
25 7511,991777
24 7524,267932
23 7534,252122
22 7541,941306
21 7547,333141
20 7550,425986
19 7551,218897
18 7549,711635
17 7545,904657
16 7539,799123
15 7531,396893
14 7520,700527
13 7507,713283
12 7492,439117
11 7474,882681
10 7455,049323
9 7432,945085
8 7408,5767
7 7381,951591
6 7353,077868
5 7321,964326
4 7288,620443
3 7253,056375
2 7215,282957
1 7175,311693
0 7133,154759
Marcados en color amarillo estn los valores entre los cuales se encuentra el
mximo.

Clculos


128
1.2.2.5 VALORES MENSUALES

Por ltimo se expone los valores de cada uno de los apartados que se han
expuesto anteriormente y que aqu vuelven a ser recordados, para cada uno de los
meses estudiados.

Datos
Clculos
Geomtricos
Exposiciones diarias horizontales, (Julios/da-m
2
)
Exposiciones horarias horizontales (Julios/hora-m
2
)
Exposiciones horarias inclinadas-orientadas (Julios/hora-m
2
)
Clculos


129
Enero
Datos
Datos
Ho(radiacin diaria terrestre media mensual) 1,8263E+07
HmG(radiacin diaria extraterreste media mensual) 2,49E+07
Latitud 13,5
Dia medio del mes N (a contar desde el 1 de enero) 15,5
Inclinacin del colector 19
Orientacin del colector 0
Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) -21,2190 -0,3703
ngulo salida-puesta del sol, Ws (-rad) 84,6515 1,4774
Duracin del da (horas) 11,2868
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2
Angulo horario solar, Wj (rad) 0,131 0,393 0,654 0,916 1,178 1,440 1,702 1,963
Radiacin solar? (1=si; 0=no) 1 1 1 1 1 0 0 0

2
)
Exposiciones diarias horizontales
Coeficiente de transm total atmosfrica
KT 7,35E-01
Coeficiente de transm radiacin difusa,
KD 0,181
Exposicion difusa diaria horizontal, H
m
D
3,30E+06
Exposicion directa diaria horizontal, H
m
B
1,50E+07
Altura solar real, h () 54,51 48,85 39,39 27,86 15,21 0,00 0,00 0,00
Coseno ngulo de incidencia, cos(
) 0,955 0,892 0,771 0,600 0,390 0,000 0,000 0,000

,
) 0,955 0,892 0,771 0,600 0,390 0,000 0,000 0,000

2
)
Exposiciones horarias
horizontales
Coeficiente radiacin global, r
Gh
0,2 0,2 0,1 0,1 0,0
0,
0
0,
0
0,
0
Coeficiente radiacin difusa, r
Dh
0,1 0,1 0,1 0,1 0,0
0,
0
0,
0
0,
0
Exposicion horaria global, H
h
G
3.682.810
3.271.25
9
2.538.18
1
1.640.87
9
764.45
7
0,
0
0,
0
0,
0
Exposicion horaria difusa, H
h
D
452.887 418.820 353.009 259.938
145.95
0
0,
0
0,
0
0,
0
Exposicion horaria directa, H
h
B
3.229.923
2.852.43
8
2.185.17
1
1.380.94
0
618.50
6
0,
0
0,
0
0,
0
Clculos


130
2
)
inclinadas-orientadas
Factor conversin radiacin directa,
F
B
(,g) 1,17 1,18 1,21 1,28 1,49 0,00 0,00 0,00
Exposicin horaria directa inclinada-
orientada, H
h
B
(,g) 3.787.140 3.379.065 2.654.169 1.771.741 918.805, 0,00 0,00 0,00
Factor de forma radiacin difusa, F
D
() 0,97
Exposicin horaria difusa inclinada-
orientada, H
h
D
(,g) 440.550 407.411 343.393 252.857 141.975 0,00 0,00 0,00
Factor de forma radiacin reflejada,
F
D
() 0,01
Reflectividad superficie, r 0,25
Exposicin horaria reflejada inclinada-
orientada, H
h
R
(,g) 25.080 22.277 17.285 11.174 5.206 0,00 0,00 0,00
Exposicin horaria global inclinada-
orientada, H
h
G
(,g) 4.252.770 3.808.755 3.014.848 2.035.774 1.065.986 0,00 0,00 0,00

Exposicin directa diaria inclinada-orientada, Hm
B
(b,g) (Julios/da-m2) 25.021.843,6

Clculos


131
Febrero

Datos
Datos
Latitud 13,5

Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) -13,652 -0,238
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)
Coeficiente de transm total atmosfrica KT 6,56E-01
Coeficiente de transm radiacin difusa, KD 0,248
m
D
4,47E+06
m
B
1,36E+07
) 0,982 0,916 0,790 0,611 0,393 0,149 0,000 0,000

,
) 0,982 0,916 0,790 0,611 0,393 0,149 0,000 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,202 0,180 0,140 0,092 0,045 0,008 0,000 0,000
Dh
0,134 0,124 0,106 0,079 0,047 0,010 0,000 0,000
h
G
3.637.341 3.241.133 2.534.448 1.667.170 815.864 140.269 0 0
h
D
600.408 556.934 472.949 354.176 208.710 46.463 0 0
h
B
3.036.933 2.684.199 2.061.499 1.312.994 607.154 93.806 0 0

Clculos


132

2
)
F
B
(,g) 1,1 1,1 1,1 1,2 1,3 2,2 0,0 0,0
orientada, H
h
B
(,g) 3.381.056 3.007.133 2.344.890 1.543.591 778.086 204.677 0 0
Factor de forma radiacin difusa,
F
D
() 1
orientada, H
h
D
(,g) 584.052 541.763 460.066 344.528 203.024 45.198 0 0
F
D
() 0
Reflectividad superficie, r 0
Exposicin horaria reflejada
inclinada-orientada, H
h
R
(,g) 24.771 22.073 17.260 11.354 5.556 955 0 0
orientada, H
h
G
(,g) 3.989.879 3.570.968 2.822.215 1.899.473 986.667 250.830 0 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 22.518.866,3

Clculos


133
Marzo

Datos
Datos
Latitud 13,5
Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) -2,6166 -0,0456
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)
KT 7,24E-01
KD 0,190
m
D
4,21E+06
m
B
1,79E+07
) 0,990 0,923 0,793 0,610 0,385 0,134 0,000 0,000

,
) 0,990 0,923 0,793 0,610 0,385 0,134 0,000 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,20 0,18 0,14 0,10 0,05 0,01
0,0
0
0,0
0
Dh
0,13 0,12 0,10 0,08 0,05 0,02
0,0
0
0,0
0
h
G
4.455.379
3.985.70
1
3.146.53
6
2.113.16
8
1.092.38
6
271.85
0 0 0
h
D
549.503 511.636 438.483 335.029 208.325 67.004 0 0
h
B
3.905.876
3.474.06
5
2.708.05
3
1.778.13
9 884.061
204.84
6 0 0

Clculos


134
2
)
F
B
(,g) 1,0 1,0 1,0 1,1 1,1 1,2 0,0 0,0
orientada, H
h
B
(,g) 4.061.057 3.616.217 2.826.649 1.867.054 942.422 236.659 0 0
Factor de forma radiacin difusa, F
D
() 1
orientada, H
h
D
(,g) 534.534 497.699 426.539 325.903 202.650 65.179 0 0
F
D
() 0
Reflectividad superficie, r 0
Exposicin horaria reflejada inclinada-
orientada, H
h
R
(,g) 30.342 27.143 21.428 14.391 7.439 1.851 0 0
orientada, H
h
G
(,g) 4.625.933 4.141.059 3.274.616 2.207.348 1.152.511 303.689 0 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 22.518.866,3

Clculos


135
Abril

Datos
Datos
Latitud 13,5
Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad)
9,40881970
9
0,16421488
3
ngulo salida-puesta del sol, Ws (-rad)
92,2799853
9
1,61058957
9
Duracin del da (horas)
12,3039980
5
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2
Angulo horario solar, Wj (rad) 0,131 0,393 0,654
0,91
6
1,17
8
1,44
0 1,702 1,963

2
)
KT 5,84E-01
KD 0,303
m
D
5,77E+06
m
B
1,33E+07
Altura solar real, h () 81,59 67,58 53,06 38,47 23,91 9,40 -4,99 0,00
) 0,958 0,892 0,763 0,582 0,360 0,113 0,144 0,000

,
) 0,958 0,892 0,763 0,582 0,360 0,113 0,144 0,000

2
)
Exposiciones horarias horizontales
Gh
0,2 0,2 0,1 0,1 0,1 0,0 0,0 0
Dh
0,2 0,2 0,1 0,1 0,1 0,0 0,0 0
h
G
0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,0 0,0 0
h
D
0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,0 0,0 0
h
B
3.836.327 3.444.985 2.744.561 1.879.075 1.018.692 318.333 35.400

Clculos


136
2
)
Factor conversin radiacin
directa, F
B
(,g) 0,968 0,964 0,955 0,936 0,889 0,689 7,757
0,00
0
Exposicin horaria directa
h
B
(,g)
3.005.56
7
2.662.37
7
2.056.29
3
1.327.18
6 638.559
135.90
9
168.54
0 0
Factor de forma radiacin
difusa, F
D
() 0,973
Exposicin horaria difusa
h
D
(,g) 712.570 665.883 575.690 448.139 291.921
117.68
2 13.301 0
reflejada, F
D
() 0,007
h
R
(,g) 26.126 23.461 18.691 12.797 6.937 2.168 241 0
Exposicin horaria global
h
G
(,g)
3.744.26
3
3.351.72
1
2.650.67
5
1.788.12
2 937.418
255.75
9
182.08
2 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 19.988.865,1

Clculos


137
Mayo

Datos
Datos
Latitud 13,5

Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) 18,90305 0,32992
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)
KT 5,46E-01
KD 0,332
m
D
6,04E+06
m
B
1,21E+07
) 0,903 0,839 0,716 0,542 0,329 0,092 0,154 0,000

,
) 0,903 0,839 0,716 0,542 0,329 0,092 0,154 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,20 0,18 0,15 0,10 0,06 0,02 0,00 0,00
Dh
0,12 0,12 0,10 0,08 0,05 0,02 -0,01 0,00
h
G
3.653.860 3.290.647 2.639.667 1.833.087 1.027.260 364.906 41.479 0
h
D
749.386 702.227 611.123 482.282 324.485 148.486 16.623 0
h
B
2.904.473 2.588.420 2.028.544 1.350.805 702.775 216.420 24.856 0

Clculos


138

2
)
directa, F
B
(,g) 0,914 0,906 0,889 0,853 0,770 0,469 6,981 0,000
h
B
(,g) 2.654.275 2.346.357 1.803.398 1.152.283 541.171 101.592 173.531 0
F
D
() 0,973
h
D
(,g) 728.972 683.098 594.476 469.145 315.646 144.441 16.170 0
reflejada, F
D
() 0,007
h
R
(,g) 24.883 22.410 17.977 12.484 6.996 2.485 282 0
h
G
(,g) 3.408.131 3.051.865 2.415.850 1.633.911 863.813 248.518 189.983 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 17.545.212,2

Clculos


139
Junio

Datos
Datos
Latitud 13,5
Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) 23,3119 0,4069
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)
KT 7,35E-01
KD 0,181
m
D
3,30E+06
m
B
1,50E+07
) 0,955 0,892 0,771 0,600 0,390 0,000 0,000 0,000

,
) 0,955 0,892 0,771 0,600 0,390 0,000 0,000 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,20 0,18 0,15 0,10 0,06 0,02 0,00
0,0
0
Dh
0,12 0,12 0,10 0,08 0,05 0,03 0,00
0,0
0
h
G
3.102.154
2.797.59
5
2.251.37
4
1.573.70
1
895.04
1
334.63
0
39.31
7 0
h
D
759.491 712.623 622.082 494.037
337.21
5
162.30
3
18.74
7 0
h
B
2.342.663
2.084.97
2
1.629.29
2
1.079.66
4
557.82
5
172.32
7
20.57
0 0
Clculos


140

2
)
directa, F
B
(,g) 0,888 0,879 0,858 0,815 0,718 0,390 6,466 0,000
h
B
(,g) 2.080.666 1.833.212 1.398.306 880.301 400.776 67.127 133.007 0
F
D
() 0,973
h
D
(,g) 738.802 693.211 605.136 480.579 328.029 157.882 18.236 0
reflejada, F
D
() 0,007
h
R
(,g) 21.126,2 19.052,1 15.332,3 10.717,2 6.095,4 2.278,9 267,8 0,0
h
G
(,g) 2.840.594 2.545.475 2.018.774 1.371.598 734.901 227.287 151.511 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 13.586.791,4

Clculos


141
Julio

Datos
Datos
Latitud 13,5

Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) 21,4492 0,3744
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)
KT 4,17E-01
KD 0,446
m
D
6,20E+06
m
B
7,70E+06
) 0,883 0,821 0,700 0,529 0,319 0,086 0,156 0,000

,
) 0,883 0,821 0,700 0,529 0,319 0,086 0,156 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,20 0,18 0,15 0,10 0,06 0,02 0,00 0,00
Dh
0,12 0,12 0,10 0,08 0,05 0,03 0,00 0,00
h
G
2.791.955 2.516.392 2.022.317 1.409.683 796.782 291.666 33.728 0
h
D
764.096 716.548 624.692 494.787 335.688 158.235 17.978 0
h
B
2.027.859 1.799.845 1.397.625 914.896 461.094 133.430 15.751 0

Clculos


142

2
)
directa, F
B
(,g) 0,899 0,891 0,871 0,831 0,740 0,422 6,698
0,00
0
h
B
(,g)
1.823.21
4
1.603.32
9
1.217.72
0 760.522 341.242 56.310
105.49
2 0
difusa, F
D
() 0,973
h
D
(,g) 743.281 697.028 607.674 481.309 326.543
153.92
5 17.488 0
reflejada, F
D
() 0,007
h
R
(,g) 19.014 17.137 13.772 9.600 5.426 1.986 230 0
h
G
(,g)
2.585.50
9
2.317.49
4
1.839.16
7
1.251.43
1 673.212
212.22
1
123.21
0 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 11.815.657,9

Clculos


143
Agosto

Datos
Datos
Latitud 13,5

Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) 13,6527 0,2383
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)
KT 4,47E-01
KD 0,416
m
D
6,14E+06
m
B
8,63E+06
) 0,936 0,871 0,745 0,566 0,348 0,104 0,149 0,000

,
) 0,936 0,871 0,745 0,566 0,348 0,104 0,149 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,20 0,18 0,14 0,10 0,05 0,02 0,00 0,00
Dh
0,13 0,12 0,10 0,08 0,05 0,02 -0,01 0,00
h
G
2.971.927 2.672.219 2.135.472 1.471.437 809.858 268.991 29.968 0
h
D
771.471 721.817 625.893 490.236 324.091 138.780 15.439 0
h
B
2.200.455 1.950.401 1.509.579 981.201 485.767 130.211 14.528 0

Clculos


144

2
)
directa, F
B
(,g) 0,944 0,939 0,925 0,898 0,834 0,581 7,461 0,000
h
B
(,g) 2.077.245 1.830.502 1.397.078 881.413 405.141 75.623 108.390 0
F
D
() 0,973
h
D
(,g) 750.456 702.155 608.844 476.882 315.262 134.999 15.019 0
reflejada, F
D
() 0,007
h
R
(,g) 20.239 18.198 14.543 10.021 5.515 1.832 204 0
h
G
(,g) 2.847.940 2.550.855 2.020.465 1.368.316 725.919 212.455 123.613 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 13.550.786,6

Clculos


145
Septiembre

Datos
Datos
Latitud 13,5

Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) 2,2656 0,0395
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)
KT 5,09E-01
KD 0,361
m
D
5,80E+06
m
B
1,02E+07
) 0,982 0,915 0,785 0,602 0,377 0,126 0,134 0,000

,
) 0,982 0,915 0,785 0,602 0,377 0,126 0,134 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,20 0,18 0,14 0,10 0,05 0,01 -0,01 0,00
Dh
0,13 0,12 0,10 0,08 0,05 0,02 -0,02 0,00
h
G
3.232.204 2.896.048 2.295.013 1.553.841 819.782 226.641 25.918 0
h
D
748.544 698.016 600.403 462.358 293.288 104.716 12.662 0
h
B
2.483.661 2.198.032 1.694.610 1.091.483 526.494 121.926 13.256 0

Clculos


146

2
)

directa, F
B
(,g) 1,010 1,009 1,007 1,002 0,989 0,926 8,098 0,000
h
B
(,g) 2.508.673 2.218.002 1.705.986 1.093.280 520.673 112.951 107.352 0
F
D
() 0,973
h
D
(,g) 728.153 679.001 584.048 449.763 285.299 101.863 12.317 0
reflejada, F
D
() 0,007
h
R
(,g) 22.012 19.723 15.629 10.582 5.583 1.543 177 0
h
G
(,g) 3.258.838 2.916.726 2.305.663 1.553.625 811.555 216.358 119.845 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 16.533.835,5

Clculos


147
Octubre

Datos
Datos
Latitud 13,5
Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) -9,731 -0,170
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)

KT 7,04E-01
KD 0,208
m
D
4,21E+06
m
B
1,60E+07
) 0,989 0,923 0,795 0,613 0,392 0,144 0,000 0,000

,
) 0,989 0,923 0,795 0,613 0,392 0,144 0,000 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,20 0,18 0,14 0,09 0,05 0,01 0,00 0,00
Dh
0,13 0,12 0,11 0,08 0,05 0,01 0,00 0,00
h
G
4.071.968 3.633.754 2.851.654 1.890.620 945.071 191.099 0 0
h
D
559.146 519.390 442.588 333.973 200.947 52.577 0 0
h
B
3.512.822 3.114.364 2.409.067 1.556.648 744.124 138.522 0 0

Clculos


148

2
)

directa, F
B
(,g) 1,086 1,091 1,102 1,128 1,197 1,685
0,00
0
0,00
0
h
B
(,g)
3.814.29
5
3.396.45
4
2.655.23
9
1.755.45
8 890.410
233.34
4 0 0
difusa, F
D
() 0,973
h
D
(,g) 543.914 505.241 430.531 324.875 195.473 51.145 0 0
reflejada, F
D
() 0,007
h
R
(,g) 27.731 24.747 19.420 12.875 6.436 1.301 0 0
h
G
(,g)
4.385.93
9
3.926.44
2
3.105.19
0
2.093.20
9
1.092.32
0
285.79
0 0 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 25.490.399,5

Clculos


149
Noviembre

Datos
Datos
Latitud 13,5
Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) -19,110 -0,334
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)

KT 7,81E-01
KD 0,135
m
D
2,69E+06
m
B
1,73E+07
) 0,964 0,900 0,778 0,604 0,391 0,154 0,000 0,000

,
) 0,964 0,900 0,778 0,604 0,391 0,154 0,000 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,20 0,18 0,14 0,09 0,04 0,01 0,00 0,00
Dh
0,14 0,13 0,11 0,08 0,04 0,01 0,00 0,00
h
G
4.035.559 3.587.950 2.790.335 1.813.287 857.589 104.587 0 0
h
D
366.794 339.508 286.797 212.251 120.951 19.120 0 0
h
B
3.668.765 3.248.442 2.503.538 1.601.036 736.637 85.467 0 0

Clculos


150

2
)

directa, F
B
(,g) 1,155 1,166 1,192 1,251 1,422 3,543
0,00
0
0,00
0
h
B
(,g)
4.237.54
1
3.786.34
7
2.983.39
3
2.002.37
0
1.047.50
8
302.85
1 0 0
difusa, F
D
() 0,973
h
D
(,g) 356.802 330.260 278.984 206.469 117.657 18.599 0 0
reflejada, F
D
() 0,007
h
R
(,g) 27.483 24.435 19.003 12.349 5.840 712 0 0
h
G
(,g)
4.621.82
6
4.141.04
1
3.281.37
9
2.221.18
8
1.171.00
5
322.16
2 0 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 28.720.019,2

Clculos


151
Diciembre

Datos
Datos
Latitud 13,5
Clculos
Geomtricos
Geomtricos
Declinacin, (-rad) -23,347 -0,407
Hora solar, j (h) 1/2 1 1/2 2 1/2 3 1/2 4 1/2 5 1/2 6 1/2 7 1/2

2
)

KT 7,58E-01
KD 0,158
m
D
2,89E+06
m
B
1,53E+07
) 0,944 0,882 0,763 0,594 0,388 0,157 0,000 0,000

,
) 0,944 0,882 0,763 0,594 0,388 0,157 0,000 0,000

2
)
horizontales
Gh
0,20 0,18 0,14 0,09 0,04 0,00 0,00 0,00
Dh
0,14 0,13 0,11 0,08 0,04 0,00 0,00 0,00
h
G
3.674.920 3.261.000 2.524.001 1.622.630 743.580 55.240 0 0
h
D
398.098 367.801 309.273 226.502 125.128 12.060 0 0
h
B
3.276.823 2.893.199 2.214.728 1.396.128 618.452 43.180 0 0

Clculos


152

2
)

directa, F
B
(,g) 1,191 1,205 1,239 1,318 1,556 6,550 0,000 0,000
h
B
(,g) 3.903.002 3.485.968 2.744.436 1.839.991 962.503 282.821 0 0
F
D
() 0,973
h
D
(,g) 387.253 357.782 300.848 220.332 121.719 11.732 0 0
reflejada, F
D
() 0,007
h
R
(,g) 25.027 22.208 17.189 11.050 5.064 376 0 0
h
G
(,g) 4.315.283 3.865.958 3.062.473 2.071.373 1.089.286 294.929 0 0

B
(b,g) (Julios/da-m2) 26.437.443,9

Como resumen de los valores de exposicin directa diaria inclinada-orientada,
se pone una tabla resumen de dichos valores y un grfico representando el mes del
ao y la radiacin correspondiente.

Radiacin-Mes
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
35000
1 3 5 7 9 11
Mes
R
a
d
i
a
c
i
n

Clculos


153

Enero 25021,84361
Febrero 22518,86627
Marzo 27100,11774
Abril 19988,86505
Mayo 17545,21223
Junio 13586,79137
Julio 11815,65793
Agosto 13550,78661
Septiembre 16533,83554
Octubre 25490,39952
Noviembre 28720,01922
Diciembre 26437,44385

Irradiancia por metro cuadrado, medida en
2
m
W

Meses G ( W / m
2
)
Enero 743,321276
Febrero 603,610878
Marzo 643,717184
Abril 474,801476
Mayo 416,756662
Junio 322,73111
Julio 280,660849
Agosto 321,875878
Octubre 605,481066

Clculos


154
1.2.2.6 CLCULOS FOTOVOLTAICOS PARA UNA POTENCIA Y UNAS
CONDICIONES DADAS

Para el clculo de los paneles fotovoltaicos, se comienza definiendo las
caractersticas de cada uno de los paneles:

Parametros del Panel(condiciones nominales):
Mdulos Alta fiabilidad
Modelo BP 7185
Tipo de Clula
Material Bsico Silicio Policristalino
TFNC (temp. funcionamiento C) 25
Irradiancia nominal, G
nom
(W/m
2
) 1000
Nmero de clulas en serie en cada rama n
s
6
Nmero de ramas de celulas en paralelo del panel n
P
12
Tensin de vaco del panel panel, U
o
, (V) 20,2
Intensidad cortocircuito panel, I
cc
, (A) 5,5
Potencia maxima del panel P
max
(W) 185
Tension maxima del panel U
max
(V) 36,5
Corriente maxima del panel I
max
(A) 5,1
Dimensiones reales panel (m
3
) 1,593x0,79x0,05
Dimensiones del panel encajado (m
3
) 1,593x0,79x0,05
Superficie panel, S (m
2
) 1,258

Una vez definidas las caractersticas nominales y dimensionales del panel, se
tienen que tener en cuenta:
La radiacin por unidad de superficie
La temperatura superficial de la clula
La tensin de alimentacin
La potencia elctrica requerida

Clculos


155
Los parmetros anteriormente expuestos influyen de la siguiente manera. La
radiacin por unidad de superficie, por una parte es la energa que directamente llega
al panel, pero por otra, calienta a la clula, lo que hace que esta tenga un rendimiento
menor. La tensin de alimentacin, determina el nmero de paneles en serie que
deben ser colocados, para satisfacer esta demanda. Y la potencia elctrica requerida,
que establece junto con el rendimiento, el rea del panel y la radiacin, el nmero de
paneles necesarios.

La energa incidente por unidad de superficie es:
Meses G ( W / m
2
)
Enero 743,321276
Febrero 603,610878
Marzo 643,717184
Abril 474,801476
Mayo 416,756662
Junio 322,73111
Julio 280,660849
Agosto 321,875878
Octubre 605,481066

Para efectuar los clculos del nmero de paneles necesarios para cada una de
las instalaciones estudiadas, se requerirn nicamente las potencias mensuales
necesarias, ya que los dems parmetros permanecen constantes.

Los clculos se realizan de la siguiente forma:

Clculos


156
Partiendo de las caractersticas del panel elegido, se determina el rendimiento
nominal y real para las condiciones dadas, como sigue:
rea ia Irrandianc
nom Potencia
nom
nom
_
=

Y el rendimiento real, es decir corregido el nominal por la temperatura de la
clula:
=
clula nom
clula
nom real
T
T
_
0023 , 0 1

La temperatura de la clula se calcula segn:
ento funcionami amb cel
a Irradianci T T 03 , 0 + =

Nmero de paneles en serie:
cG
salida
serie
U
U
N =
Donde:
salida
U es la tensin de entrada del inversor
cG
U es la tensin del panel para las condiciones de irradiancia, y vale:
( )
clula nom clulas panel cG
T T U U
_ max_
0023 , 0 =

Nmero de paneles en paralelo
real serie
paralelo
a Irradianci Area N
electrica Demanda
N

_
=
Clculos


157

Numero total de paneles:
paralelo serie paneles
N N N =
Clculos


158
1.2.3 CLCULO DE LA POTENCIA NECESARIA PARA LA
CONDENSACIN MEDIANTE PARED FRA

Los clculos de las necesidades de agua han sido ya expuestos anteriormente,
simplemente recordar que dichos clculos son simplemente orientativos y son una
mera herramienta para la comparacin entre los distintos tipos de tecnologas.

Para el clculo mediante pared fra, se divide el problema inicial en 2 partes.
La primera de las cuales se basa en el enfriamiento del aire hmedo, y en la segunda
parte se simula el comportamiento de dicho aire hmedo, como una solucin de vapor
de agua a la presin reducida de dicho vapor en las condiciones en las que se tiene el
fluido de trabajo, ms una cantidad de aire que acompaa a este vapor y tambin
deber ser enfriada.

1.2.3.1 ENFRIAMIENTO DEL AIRE HMEDO

Se va a proceder a la explicacin de la primera parte, es decir, la relativa al
enfriamiento del aire hmedo hasta la temperatura de roco de dicho aire. Se
simularn distintos meses del ao, para tomar como mes representativo el mes mas
desfavorable, es decir aquel que suponga necesario una mayor longitud de
intercambiador para reducir la temperatura hasta la de saturacin de dicho aire.

Las condiciones iniciales del aire son las mismas que para el clculo de la tecnologa
de compresin-interenfriamiento-expansin-enfriamiento, las cuales son las
siguientes:
Clculos


159

JAN FEB MAR APR MAY JUN JUL AUG SEP OCT NOV DEC
highest maximun air temperature 37 39,5 36,9 42 44,5 45 44 43 37 40,5 37 36
Mean maximus air temperature 32,7 35 38,4 38,4 41,7 43,3 41,5 37,6 39,8 36,1 34,8 32,4
Lowest minimum air temperature 12 16,8 19 18 22 25,2 23 20,5 23,2 16,5 16 12
Mean minimux air temperature 19,2 21,1 23 23,8 24,8 28,6 27,6 25,8 25,3 20,2 18,8 18,2
Mean relative humidity 55,6 53,3 48 48 37,7 30,6 38,3 53,3 44,3 45,7 50 58

Se estudiarn todos y cada uno de los meses.

A continuacin se va a exponer el procedimiento de clculo para dicha parte.

Se parte de un intercambiador de aletas, el cual est compuesto por 2 placas a
una determinada temperatura, unidas por una serie de aletas de aluminio, para
reforzar la transferencia de calor entre las placas y el fluido refrigerado.

Clculos


160

Las medidas de dicho intercambiador son las siguientes:

B = 0,2 m
s = 0,001 m
t = 0 ,004 m
W = 1 m
Nmero de aletas = 250 aletas.

La longitud de la superficie aleteada ser la incgnita, dependiendo del mes
que se est estudiando. Dicho parmetro ser considerado crtico, por lo que el mes
ms desfavorable ser aquel que tenga una mayor longitud de aleta necesaria para
llegar al enfriamiento del fluido hasta la temperatura de roco de dicho aire.

W
t s
L
B
Clculos


161
Se parte de las propiedades del aire ambiente, las cuales son las siguientes,
tomando como temperatura de referencia la del aire a la temperatura media entre la
entrada y la salida del proceso de enfriamiento estudiado, la cual est en torno a los
300K.

Densidad 1,1614
Calor a p constante 1007
viscosidad dinmica 1,85E-05
Viscosidad cinemtica 1,59E-05
Conductividad 0,0263
Nmero de prandl 0,702

Con la simetra que existe alrededor del plano medio del conjunto de aletas, se
puede hacer una equivalencia a 2 conjuntos de aletas, con una longitud de aleta de
B/2 , por lo que en el plano medio se supondra una pared adiabtica. La transferencia
total de calor en el intercambiador se puede calcular como la suma de transferencias
de cada uno de ellos, o lo que es lo mismo 2 veces la transferencia de calor de uno de
los intercambiadores. Por lo que la ecuacin que indica la transferencia de calor es la
siguiente:
ml b t
A h q
, 0
2 =
Donde:
h es el coeficiente de conveccin promedio.

ml b,
el la diferencia logartmica media de temperaturas.
Asociadas a la longitud del intercambiador.

El rea total de la superficie de los intercambiadores ser:
Clculos


162
L N W L
B
N A A N A
t b f t
) (
2

2
+ = + =

Sabiendo que la eficiencia global del conjunto de aletas est determinada por
la expresin:
) 1 (
1
0
f
A
A N
t
f
=

Como el plano de simetra, como ya se ha indicado anteriormente,
corresponde a una superficie adiabtica, la eficiencia de la aleta queda como:
2
)
2
tanh(
B
m
B
m
f
=

Para evaluar
f
se debe determinar el coeficiente promedio de conveccin
asociado con el flujo en cada uno de los 250 canales rectangulares equivalentes. Con
uno dimetro hidrulico del canal el cual es calculado segn:
) ( 2
) ( 4 4
t S L
t S B
P
A
D
c
h
+

= =

Y un flujo msico:

c m
A u m = &

Se obtiene el nmero de Reynolds mediante:
Clculos


163

Re
1
c
h c m
D
A
D m A u
h
&
= =

De aqu se saca si el flujo de entrada por cada canal es laminar o bien es
turbulento. En los clculos posteriores que se han realizado, se han obtenido en todos
los casos flujos laminares. Suponiendo una temperatura superficial uniforme usando
la siguiente tabla, con una razn de las dimensiones del conducto de 20/3, se interpola
entre las relaciones iguales a 4 y a 8, obteniendo el nmero de Nusselt segn:

k
D h
Nu
h
D
=

Clculos


164
De lo cual, al suponer un flujo completamente desarrollado a lo largo de cada
uno de los canales:

D
h
Nu
D
k
h

Con:

2
1
2
1
) (
) (
+
=
=
L t k
L t
h
A k
P h
m
c

Una vez obtenido m, se obtendra mL/2, se sustituira en la ecuacin
que nos determina la eficiencia de cada aleta, y una vez obtenido esta
eficiencia, se pasara al clculo de la eficiencia global del intercambiador.

Para la obtencin de la diferencia de temperaturas logartmica media,
ml b,
, se debe determinar la temperatura de salida del aire,
o m
T
,
, la cual puede
ser determinada segn:

tot p
R c m
i m s
o m s
e
T T
T T

1
,
,
&

Donde:

s
T Es la temperatura superficial de las placas

o m
T
,
Es la temperatura del aire a la salida del intercambiador

i m
T
,
Es la temperatura del aire a la entrada del intercambiador

tot
R Es la resistencia trmica del intercambiador, la cual es obtenida
segn:
2
,o t
tot
R
R = , siendo ( )
1
0 ,

=
t o t
A h R . Esto es debido a que la transferencia de
Clculos


165
calor entre ambas placas debe incluir el efecto de ambos intercambiadores (se
recuerda que se han considerado como dos intercambiadores simtricos).

De todo esto se determina que:
( )

=
tot p
R C m
i m s s m
e T T T T

1
, 0 ,
&

Una vez calculada la temperatura del aire a la salida del intercambiador, se
calcula la diferencia de temperaturas logartmica media, para posteriormente
introducir dicha diferencia en la ecuacin que nos determina la potencia necesaria en
el intercambiador, obtenindola de este modo.

( ) ( )

=
i m s
m s
i m s o m s
ml b
T T
T T
T T T T
,
0 ,
, ,
,
ln

Se va a exponer a continuacin los resultados obtenidos para los meses
estudiados, y la explicacin de la eleccin del mes ms desfavorable.

Clculos


166
Enero
Dimensiones representativas
Dimensiones conjunto de aletas [m]
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
Espacio entre aletas 0,004
Longitud(parmetro a variar) 0,25
nmero aletas 250

Propiedades del aire
Propiedades aire
densidad 1,1614
calor a p constante 1007
conductividad 0,0263

Temperaturas
Temperatura entrada 305,85
Temperatura superficial 288,15
Temperatura punto rocio 298,38

Parmetros anteriormente expuestos:

rea total [m^2] 12,6875
Dimetro hidrulico [m] 0,00591133
Flujo msico [kg/s] 0,0034842
Reynolds 1,86E+03
Nusselt(Tabla adjunta) 6,5
Conductividad trmica [W/m^2K] 28,91904167
m [m^-1] 15,55493433
m(L/2) 1,555493433
Rend f 0,588036779
Rend o 0,797062453
Resistencia trmica [K/W] 0,003419383

Temperatura de salida [K] 297,236074

dif temp log media [K] 11,58791363
transferencia de calor [W] 6777,781262
Clculos


167

Por todo lo anterior, se determina la longitud del intercambiador para que la
temperatura de salida sea igual a la temperatura de roco del aire ambiente.

Longitud
Temperatura
final En C
0,1 302,2276909 29,07769087
0,2 299,3434687 26,19346869
0,3 297,0501591 23,90015915
0,4 295,2267004 22,07670042
0,5 293,7768305 20,62683047
0,6 292,6240089 19,47400888
0,7 291,7073766 18,55737663
0,8 290,9785434 17,82854342
0,9 290,3990331 17,24903311
1 289,9382525 16,78825253

Que expresado grficamente, se observa ms claramente la longitud necesaria.

longitud-temperatura
15
20
25
30
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
longitud
t
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

Se concluye que la longitud necesaria en el mes de enero es de 0,25 m.

Clculos


168
La potencia requerida es de 6,8 kW.
Clculos


169
Febrero
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas


rea total [m^2] 10,15
Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,56267888
m(L/2) 1,556267888
Rend f 0,587825381
Rend o 0,796958316


Clculos


170


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 303,4708122 30,32081219
0,2 299,8822867 26,73228668
0,3 297,1342806 23,98428056
0,4 295,0299279 21,87992787
0,5 293,7768305 20,62683047
0,6 292,184456 19,034456
0,7 291,2394809 18,08948093
0,8 290,5158437 17,36584371
0,9 289,9617012 16,81170124
1 289,5373534 16,38735342


Temperatura- longitud
0
5
10
15
20
25
30
35
0,1 0,3 0,5 0,7 0,9

Clculos


171

Clculos


172
Marzo
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas


rea total [m^2] 11,41875
Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,55837683
m(L/2) 1,555837683
Rend f 0,5879428
Rend o 0,797016158


Clculos


173


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 302,2276909 29,07769087
0,2 299,3434687 26,19346869
0,3 297,0501591 23,90015915
0,4 295,2267004 22,07670042
0,5 293,7768305 20,62683047
0,6 292,6240089 19,47400888
0,7 291,7073766 18,55737663
0,8 290,9785434 17,82854342
0,9 290,3990331 17,24903311
1 289,9382525 16,78825253


longitud- temperatura
0
5
10
15
20
25
30
35
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1


Clculos


174
La potencia necesaria es de 7,5 kW.

Abril
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas


Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,56267888
m(L/2) 1,556267888
Rend f 0,587825381
Rend o 0,796958316

Clculos


175



Longitud
Temperatura
final En C
0,1 306,0753503 32,92535026
0,2 301,8767754 28,72677542
0,3 298,6616083 25,51160826
0,4 296,1995156 23,0495156
0,5 294,3141089 21,16410889
0,6 292,8703135 19,72031352
0,7 291,7646927 18,61469269
0,8 290,9180371 17,76803714
0,9 290,2696904 17,11969045
1 289,7732035 16,6232035


0
5
10
15
20
25
30
35
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
longitud
t
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

Clculos


176


Clculos


177
Mayo
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas


Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,55374252
m(L/2) 1,555374252
Rend f 0,58806932
Rend o 0,797078483


Clculos


178


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 308,6032843 35,45328427
0,2 303,8126027 30,66260272
0,3 300,1440145 26,99401455
0,4 297,3347037 24,1847037
0,5 295,1834063 22,03340629
0,6 293,5359988 20,38599876
0,7 292,274457 19,12445705
0,8 291,3084014 18,15840135
0,9 290,5686212 17,41862115
1 290,0021168 16,85211681


0
5
10
15
20
25
30
35
40
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1

Clculos


179
La potencia necesaria ser de 9,9 kW.

Clculos


180
Junio
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas


rea total [m^2] 16,7475
Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,54742077
m(L/2) 1,554742077
Rend f 0,588241964
Rend o 0,797163529


Clculos


181


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 311,1312183 37,98121828
0,2 305,74843 32,59843002
0,3 301,6264208 28,47642084
0,4 298,4698918 25,3198918
0,5 296,0527037 22,9027037
0,6 294,201684 21,051684
0,7 292,7842214 19,6342214
0,8 291,6987656 18,54876557
0,9 290,8675519 17,71755185
1 290,2310301 17,08103012


0
5
10
15
20
25
30
35
40
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
longitud
t
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

Clculos


182

La transferencia de calor necesaria es de 12,8 kW.
Clculos


183
Julio
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas


rea total [m^2] 12,6875
Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,55493433
m(L/2) 1,555493433
Rend f 0,588036779
Rend o 0,797062453


Clculos


184


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 308,4500761 35,30007615
0,2 303,6952799 30,54527985
0,3 300,0541717 26,90417174
0,4 297,2659044 24,11590442
0,5 295,1307216 21,9807216
0,6 293,4956542 20,3456542
0,7 292,2435622 19,09356224
0,8 291,2847429 18,13474292
0,9 290,5505041 17,40050414
1 289,9882433 16,83824328


Temperatura - Longitud
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1

Clculos


185

Clculos


186
Agosto
Dimensiones conjunto de aletas [m] 0,2
Alto 1
Ancho 0,001
Grosor aletas 0,004
Longitud(parmetro a variar) 250
nmero aletas 0,2

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas
Temperatura punto roco 301,81


Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,56267888
m(L/2) 1,556267888
Rend f 0,587825381
Rend o 0,796958316


Clculos


187


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 305,4625178 32,31251777
0,2 301,407484 28,25748395
0,3 298,302237 25,15223703
0,4 296,061917 22,91191705
0,5 294,2087395 21,0587395
0,6 292,7896244 19,6396244
0,7 291,7029031 18,55290307
0,8 290,8707203 17,72072027
0,9 290,2334564 17,08345642
1 289,7454564 16,59545643


Temperatura-Longitud
0
5
10
15
20
25
30
35
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1

Clculos


188

La potencia necesaria es de 6kW.
Clculos


189
Septiembre

Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas


Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,55915911
m(L/2) 1,555915911
Rend f 0,587921446
Rend o 0,797005639


Clculos


190


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 307,1478071 33,99780711
0,2 302,6980355 29,54803549
0,3 299,2905079 26,1405079
0,4 296,6811106 23,53111055
0,5 294,6829017 21,53290173
0,6 293,1527254 20,00272544
0,7 291,9809564 18,83095636
0,8 291,0836462 17,9336462
0,9 290,3965095 17,24650953
1 289,8703182 16,72031824


0
5
10
15
20
25
30
35
40
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1

Clculos


191

La potencia necesaria es de 7,8 kW
Clculos


192
Octubre
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas


rea total [m^2] 12,6875
Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,55493433
m(L/2) 1,555493433
Rend f 0,588036779
Rend o 0,797062453


Clculos


193


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 304,3134569 31,16345686
0,2 300,5275624 27,37756245
0,3 297,628416 24,47841599
0,4 295,4083239 22,2583239
0,5 293,7082349 20,55823494
0,6 292,4063511 19,25635108
0,7 291,4094024 18,25940239
0,8 290,6459651 17,49596511
0,9 290,0613448 16,9113448
1 289,6136579 16,46365785


15
20
25
30
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
longitud
t
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

Clculos


194

Clculos


195
Noviembre
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas
Temperatura punto rocio 299


Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,55915911
m(L/2) 1,555915911
Rend f 0,587921446
Rend o 0,797005639


Clculos


196


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 303,3176041 30,16760407
0,2 299,7649638 26,61496382
0,3 297,0444378 23,89443776
0,4 294,9611286 21,81112859
0,5 293,3657844 20,21578444
0,6 292,1441114 18,99411144
0,7 291,2085861 18,05858612
0,8 290,4921853 17,34218527
0,9 289,9435842 16,79358422
1 289,5234799 16,37347988


temperatura - longitud
0
5
10
15
20
25
30
35
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1

Clculos


197

Clculos


198
Diciembre
Alto 0,2
Ancho 1
Grosor aletas 0,001
nmero aletas 250

Propiedades aire
densidad 1,1614

Temperaturas


Reynolds 1,86E+03
m [m^-1] 15,56471628
m(L/2) 1,556471628
Rend f 0,587769783
Rend o 0,796930928


Clculos


199


Longitud
Temperatura
final En C
0,1 301,4791066 28,3291066
0,2 298,3570894 25,20708941
0,3 295,9663241 22,81632409
0,4 294,1355372 20,98553724
0,5 292,7335681 19,58356815
0,6 291,6599767 18,50997672
0,7 290,8378484 17,68784841
0,8 290,208284 17,05828403
0,9 289,7261801 16,57618008
1 289,3569975 16,20699747


0
5
10
15
20
25
30
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1

Clculos


200


Se observa que el mes ms desfavorable, en cuanto a la potencia requerida es el mes
de junio, con el cual se proseguirn haciendo los siguientes clculos.

Clculos


201
1.2.3.2 CONDENSACIN

Para la simulacin del proceso de condensacin, se considera la solucin de
aire hmedo, en dos partes. Primero se estudia el comportamiento del agua, es decir,
vapor saturado a presin reducida, y por otra parte se considerar aire seco, el cual
tambin es necesario enfriar hasta la temperatura final de condensacin.

Se va a proceder a la explicacin del proceso llevado a cabo para el clculo de
la potencia requerida para la condensacin de la cantidad de agua requerida por la
instalacin, y las medidas del intercambiador utilizado.

Se parte de las condiciones del enfriador anteriormente utilizado, el cual se
trataba de un enfriador rectangular, de 1 metro de anchura, por lo que este
condensador, tendr esta misma dimensin, para no tener problemas con el fluido a
condensar. Dicho condensador constar de 2 placas verticales de anchura igual a 1
metro y longitud a determinar, para la obtencin de los 10000 litros de agua al da.
Una vez calculada la longitud para el mes ms desfavorable, se calcular el volumen
de agua que se obtiene para cada mes.

Como vapor:
Temperatura
Presin
Densidad
Clculos


202
Entalpia

Como lquido:
Temperatura
Presin
Densidad
Viscosidad
Conductividad
Cp

Se hacen los clculos, con la temperatura superficial de las placas constante e
igual a 15C, por lo que el agua como lquido se tomarn las propiedades de dicho
agua como las propiedades del agua a una temperatura media entre la temperatura
superficial de las placas y la temperatura de la atmsfera de vapor considerada.
Mientras que el agua como vapor se encuentra a la temperatura de punto de roco para
las condiciones ambiente estudiadas.

La presin, densidad, entalpa, y en el caso de agua como lquido, viscosidad y
conductividad, se han obtenido por tablas.

Se puede determinar la transferencia de calor mediante la ecuacin:

( )( )
s sat L
T T Area h q =

Clculos


203
Donde:

L
h es el coeficiente de conveccin medio
Area es el rea de cada placa

sat
T la temperatura de saturacin del vapor

s
T la temperatura superficial de la placa

Se supone condensacin de pelcula laminar sobre una superficie vertical, por
lo que para determinar el coeficiente de conveccin promedio, se utiliza la siguiente
ecuacin:
( )
( )
4
1
3
'
943 , 0
=
L T T
h k g
h
s sat
fg l v L L
L

Para determinar
fg
h' se utiliza el nmero de Jacobs, el cual a su vez es
determinado por:
( )
fg
s sat l p
h
T T c
Ja

=
,

Se sigue que:
( ) Ja h h
fg fg
68 , 0 1 ' + =

Obteniendo de este modo el coeficiente de conveccin promedio, con este la
potencia necesaria. Una vez determinada la potencia se calcula el flujo de
condensacin, mediante:
Clculos


204
fg
h
q
m
'
= &

Comprobamos que la suposicin de condiciones de condensacin de pelcula
laminar se puede verificar mediante:
fg
h
m
'
4
Re
&
=

Si es valor es mayor de 30, el cual es el lmite para que se encuentre dentro de
las condiciones para que sea totalmente correcta la aplicacin de las correlaciones
para pelcula laminar, se tendran que aplicar otras correlaciones, las cuales nos daran
valores ligeramente diferentes de Re, pero no es necesario utilizarlas ya que al utilizar
dichas correlaciones la cantidad de agua obtenida es mayor que en el caso de utilizar
las correlaciones para pelcula laminar, por lo que estas correlaciones sern
consideradas como un lmite inferior en los clculos realizados.

Teniendo en cuenta las consideraciones anteriores, se va a proceder a calcular
cada uno de los meses, diseando la instalacin para aquel mes el cual posea unas
condiciones ms extremas.

Clculos


205
Enero
Como vapor:
Temperatura = 25,23C
Presin = 3,231 kPa
Densidad = 0,0233 kg/m
3
Entalpa = 2547 kJ/kg

Como lquido:
Temperatura = 20,12 C
Presin = 2,356 kPa
Densidad = 999 kg/m
3

Viscosidad = 1040 Ns/m
2

Conductividad = 0,602 W/mK
Cp = 4183 J/kgK

Con estos datos de partida, se obtiene:
Potencia de refrigeracin: 602184 W
Cantidad de agua diaria: 10096 l/dia

La longitud requerida para obtener la cantidad de agua necesaria es: 12 m.

Clculos


206
En cuanto a la potencia requerida para extraer el calor del aire que acompaa
al agua disuelta, se parte de las siguientes premisas:

El aire se comporta como un fluido ideal, con lo que pueden ser utilizadas las
ecuaciones que modelan este comportamiento.
La cantidad de aire a enfriar, ser igual a la cantidad de agua obtenida, por la
relacin entre kg de agua por cada kg de aire.
El enfriamiento se realizar desde la temperatura de punto de roco, hasta la
temperatura de enfriamiento que se ha tenido en cuenta en la condensacin del vapor
de agua saturado de la primera parte.

Partiendo de estas consideraciones, se contina haciendo la potencia requerida como:
H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 4 , 13
0172 , 0
1
* 2312 , 0 = = &
W=71,39 kW

Sumando ambas cantidades, se tienen una potencia total de: 673,34kW

Clculos


207
Febrero
Como vapor:
Presin = 3,508 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,466 kPa
Densidad = 999 kg/m
3

Viscosidad = 0,000980 Ns/m
2

Cp = 4182 J/kgK

Potencia de refrigeracin: 612,718 kW
Cantidad de agua diaria: 10272 l/dia

La longitud requerida para obtener la cantidad de agua necesaria es: 12 m

Clculos


208


H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 6 , 13
0172 , 0
1
* 2378 , 0 = = &
W=72,64 kW


Clculos


209
Marzo
Como vapor:
Presin = 3,865 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,595 kPa
Densidad = 998 kg/m
3

2

Cp = 4184 J/kgK

Cantidad de agua diaria: 10349 L/dia


Clculos


210


H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 7 , 13
0172 , 0
1
* 2396 , 0 = = &
W=73,18 kW


Clculos


211
Abril
Como vapor:
Presin = 3,865 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,595 kPa
Densidad = 998 kg/m
3

2

Cp = 4184 J/kgK



Clculos


212


H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 7 , 13
0172 , 0
1
* 2396 , 0 = = &
W=73,18 kW


Clculos


213
Mayo
Como vapor:
Presin = 3,862 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,593 Kpa
Densidad = 998 kg/m
3

2

Cp = 4184 J/kgK



Clculos


214



H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 7 , 13
0172 , 0
1
* 2396 , 0 = = &
W=73,18 kW


Clculos


215

Junio
Como vapor:
Presin = 3,66 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,522 kPa
Densidad = 998 kg/m
3

2

Cp = 4182 J/kgK

Potencia de refrigeracin: 611.494kW
Cantidad de agua diaria: 10215 L/da


Clculos


216


H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 75 , 13
0172 , 0
1
* 2365 , 0 = = &
W=86,111 kW

Sumando ambas cantidades, se tienen una potencia total de: 697,605 kW

Clculos


217

Julio
Como vapor:
Presin = 3,865 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,294 kPa
Densidad = 998 kg/m
3

2

Cp = 4181 J/kg-K

Cantidad de agua diaria: 10877


Clculos


218



H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 63 , 14
0172 , 0
1
* 2312 , 0 = = &
W=99,164 kW

Sumando ambas cantidades, se tienen una potencia total de: 751, 452 kW

Clculos


219

Agosto
Como vapor:
Presin = 4,091 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,674 kPa
Densidad = 998 kg/m
3

2

Cp = 4181 J/kgK

Potencia de refrigeracin: 669702 kW

La longitud requerida para obtener la cantidad de agua necesaria es: 10m

Clculos


220



H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 01 , 15
0172 , 0
1
* 2583 , 0 = = &
W=105,25 kW


Clculos


221

Septiembre
Como vapor:
Presin = 3,919 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,674 kPa
Densidad = 998 kg/m
3

2

Cp = 4181 J/kgK


La longitud requerida para obtener la cantidad de agua necesaria es: 10

Clculos


222



H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 76 , 14
0172 , 0
1
* 254 , 0 = = &
W=101,217 kW

Clculos


223

Octubre
Como vapor:
Presin = 3,231 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,41 kPa
Densidad = 999 kg/m
3

2

Cp = 4182 J/kgK


La longitud requerida para obtener la cantidad de agua necesaria es: 11m

Clculos


224



H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 2 , 13
0172 , 0
1
* 2302 , 0 = = &
W=73,893 kW

Clculos


225

Noviembre
Como vapor:
Presin = 3,972 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,41 kPa
Densidad = 999 kg/m
3

2

Cp = 4182 J/kgK

Cantidad de agua diaria: 10533L/da


Clculos


226



H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
s
kg
m 17 , 14
0172 , 0
1
* 2438 , 0 = = &
W=77,465 kW

Clculos


227

Diciembre
Como vapor:
Presin = 3,252 kPa
3

Como lquido:
Presin = 2,41 kPa
Densidad = 999 kg/m
3

2

Cp = 4182 J/kgK


Clculos


228





Partiendo de estas consideraciones, se contina haciendo la potencia requerida
como:
H m W = &
Donde:
ambiente agua
HR m m & & =
T c H
p
=
De aqu se obtiene:
Clculos


229
s
kg
m 8 , 13
0172 , 0
1
* 2364 , 0 = = &
W=72,205 kW

Clculos


230
1.2.4 CLCULOS DE COMPRESIN REFRIGERADA Y EXPANSIN EN
VLVULA

1.2.4.1 PARMETROS OPTIMIZADOS
Van a ser estudiados varios puntos de trabajo, en los cuales se describirn los
distintos parmetros estudiados, para su posterior anlisis.

El primero de ellos ser el estudio mes a mes de la instalacin quedndonos
con aquel mes que resulte ms desfavorable desde el punto de vista de la obtencin de
agua.

En el segundo estudio se proceder variando las presiones de compresin, para
ver su influencia en las potencias necesarias tanto de compresin como de
refrigeracin, y a su vez de la temperatura de salida del fluido de trabajo.

Acto seguido se ensayarn las distintas variaciones de la temperatura de salida
de la refrigeracin previa a la expansin, y se analizarn las distintas variaciones de
potencia de refrigeracin y de temperatura de salida.
Se variar la temperatura de salida del punto cuatro, para ver su influencia en
la potencia requerida por el ventilador.

Ms tarde se observarn las variaciones de los parmetros estudiados, con
respecto a variaciones de temperatura de salida del fluido de trabajo.

Clculos


231
Sern determinadas las condiciones de trabajo de ambos ventiladores, si
resulta ms interesante hacer que den su caudal de diseo, con lo cual se estar en el
punto de funcionamiento nominal y por tanto de mayor rendimiento o si por el
contrario ser ms interesante mantener la temperatura de salida de los puntos cuatro
y siete constante y variar el caudal de los ventiladores, ya que la temperatura exterior
es menor.

Se acabar dicho estudio con la influencia que tienen unos parmetros de
diseo con respecto a los otros y seleccionando la configuracin ms apropiada para
la obtencin de la cantidad de agua requerida.

Clculos


232
1.2.4.2 ESTUDIO DE LAS DISTINTAS VARIABLES
1.2.4.2.1 VARIACIN DEL MES
Se va a estudiar mes a mes todos los parmetros, indicando para cada caso los
caudales de aire necesarios y la potencia requerida por el compresor y la potencia
total de accionamiento de la instalacin, en la cual se considerar la potencia de
accionamiento del compresor y la potencia de funcionamiento de los ventiladores, en
cada uno de los casos, quedndonos con el caso ms desfavorable.

Enero Feb Marzo Abril Mayo Junio Julio Agosto Sep Oct Nov Dic
Trab Compresor
[kW] 277,3 290,2 308,4 310,4 354,8 401,2 353,3 294 321,6 314,7 298,5 272
Trab kilogramo
[J/kg] 30,06 32,17 34,01 35,3 38,33 39,8 38,15 34,56 34,01 33,18 31,99 29,78
Gasto msico A
[kg/s] 7,689 7,516 7,557 7,329 7,714 8,4 7,718 7,09 7,879 7,902 7,776 7,611
Gasto msico B
[kg/s] 38,17 40,43 43,25 44,43 51,31 57,69 50,98 42,46 44,43 43,22 41,05 37,58
Gasto msico C
[kg/s] 11,44 10,07 10 8,615 10,16 13,52 10,21 7,503 11,79 12,11 11,56 11,02
Trabajo Total [kW] 627,7 646,9 684,5 685,1 789,1 904,2 785,5 647 718,7 705,5 670,1 615,3
Ventilador 1 [kW] 269,6 285,6 305,5 313,8 362,4 407,5 360,1 299,9 313,8 305,3 289,9 265,5
Ventilador 2 [kW] 80,78 71,14 70,66 60,85 71,78 95,5 72,08 53 83,27 85,54 81,66 77,8
Agua 1 6014 6292 6440 6659 6772 6820 6755 6740 6330 6246 6167 6022
Agua 2 3987 3709 3560 3342 3228 3181 3246 3261 3671 3755 3834 3979
Agua Total 10001 10001 10000 10001 10000 10001 10001 10001 10001 10001 10001 10001

Se observa que el mes ms desfavorable en cuanto a caudal(o gasto msico), a
potencia requerida por el compresor, y a potencia requerida por toda la instalacin es
Clculos


233
el mes de junio, por lo que para los siguientes clculos tomaremos este mes como mes
ms indicativo al poseer las peores condiciones.
Trabajo Total [kW] - Mes
500
600
700
800
900
1000
1 3 5 7 9 11
Mes
T
r
a
b
a
j
o

T
o
t
a
l

1.2.4.2.2 POTENCIA DE COMPRESIN
Se sigue con el estudio de la influencia en las presiones de compresin y su
influencia en las potencias requeridas tanto en el compresor como en los ventiladores
necesarios para la refrigeracin o para la condensacin en dicho proceso.

Se obtienen los valores que se encuentran en la pgina a continuacin:

Clculos


234

P
r
e
s
i
n
[
k
P
a
]
2
2
0
2
3
0
2
4
0
2
5
0
2
5
5
2
6
0
2
6
2
,
5
2
6
5
2
6
7
,
5
2
7
0
2
7
5
2
8
0
3
0
0
3
5
0
4
0
0
5
0
0
T
r
a
b
a
j
o

t
o
t
a
l

[
k
W
]
2
2
2
1
1
7
5
4
1
6
0
3
1
5
4
0
1
5
2
5
1
5
1
6
1
5
1
4
1
5
1
2
1
5
1
1
1
5
1
1
1
5
1
4
1
5
1
8
1
5
5
1
1
6
7
2
1
8
0
7
2
0
7
1
T
r
a
b
a
j
o

v
e
n
t
i
l
a
d
o
r

1
2
1
7
1
7
0
,
4
1
5
5
,
6
1
4
9
,
9
1
4
8
,
6
1
4
7
,
9
1
4
7
,
8
1
4
7
,
7
1
4
7
,
8
1
4
7
,
9
1
4
8
,
4
1
4
9
,
1
1
5
3
,
4
1
6
7
,
8
1
8
3
,
6
2
1
3
,
9
T
r
a
b
a
j
o

v
e
n
t
i
l
a
d
o
r

2
1
2
1
,
5
1
1
5
,
5
1
1
3
,
8
1
1
3
,
3
1
1
3
,
2
1
1
3
,
2
1
1
3
,
2
1
1
3
,
2
1
1
3
,
2
1
1
3
,
2
1
1
3
,
3
1
1
3
,
3
1
1
3
,
8
1
1
4
,
6
1
1
5
,
3
1
1
6
T
r
a
b
a
j
o

c
o
m
p
r
e
s
o
r
1
8
8
2
1
4
6
8
1
3
3
3
1
2
7
7
1
2
6
3
1
2
5
5
1
2
5
3
1
2
5
1
1
2
5
0
1
2
5
0
1
2
5
2
1
2
5
6
1
2
8
4
1
3
8
9
1
5
0
9
1
7
4
1
Clculos


235
Se puede apreciar claramente que el mnimo del trabajo necesario se encuentra
entre las presiones de 250 y 300 kPa, y siendo ms exactos, se puede observar que el
mnimo se encuentra en la presin de 267,5 kPa, por lo que este ser el punto de
trabajo en cuanto a presiones se refiere de la instalacin.

Trabajo total [kW]
267,5; 1511
0
500
1000
1500
2000
2500
200 250 300 350 400 450 500 550
Presin
T
r
a
b
a
j
o

La presencia de un mnimo en el trabajo de la instalacin era de suponer, ya
que obviamente, hasta que no se llegue a una presin determinada, no se conseguir
cantidad alguna de agua, hasta que se pase una cierta barrera de presin, en la cual se
comenzar a obtener agua pero con una inversin energtica muy grande. Una vez
superado este mximo, se comenzar a hacer necesaria una menor cantidad de energa
para la obtencin de la misma cantidad de agua. De la misma manera si se
comprimiera dicho aire hasta una presin muy grande, el rendimiento de la
instalacin se har prcticamente cero, por lo que se puede demostrar de una manera
trivial la presencia de un mnimo, una vez aceptados estos dos supuestos, ms que
razonables.
Clculos


236

Se observa en la tabla adjunta, que no solo es el trabajo total el que se hace
mnimo, si no que todas y cada una de las componentes de dicho trabajo se hacen
mnimas en torno a los 265 kPa. En los siguientes grficos se observa la influencia de
cada uno de los componentes de la instalacin en la potencia total requerida por la
instalacin. Como puede observarse el parmetro que condiciona de mayor manera el
trabajo total es el trabajo necesario para comprimir aire, siendo menor la influencia
del trabajo de los ventiladores, aunque se observa que el mnimo de las funciones que
determinan la potencia requerida por los ventiladores, se encuentra prximo al
mnimo de la potencia requerida por el compresor, por lo que el mnimo de la
instalacin se encontrar tambin en ese punto.

Trabajo compresor
267,5; 1250
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
200 250 300 350 400 450 500 550
Presin
T
r
a
b
a
j
o

Clculos


237
Trabajo ventilador 1
267,5; 147,8
100
120
140
160
180
200
220
240
200 250 300 350 400 450 500 550
Presin
T
r
a
b
a
j
o

Trabajo ventilador 2
100
105
110
115
120
125
130
135
140
145
150
200 250 300 350 400 450 500 550
Presin
T
r
a
b
a
j
o

Clculos


238
1.2.4.2.3 VARIACIN DE LA TEMPERATURA
Se proceder al ensayo de distintas temperaturas de enfriamiento del punto
cinco, para ver como nos influye en la potencia requerida. Los dems parmetros ya
especificados, es decir, el mes y la presin dada por el compresor, permanecern en
los valores antes calculados. Una vez se han modelado distintas temperaturas de
salida del enfriador se observa que cuanto ms prxima es la temperatura a la
temperatura del punto tres, es decir el foco fro del fluido refrigerante, menor es el
trabajo necesario para la obtencin del mismo caudal, siendo mnimo cuando la
temperatura de salida es igual a la temperatura de entrada del fluido fro. La nica
manera de conseguir esto seria en el caso de flujos en contracorriente y superficie de
intercambio tendiendo a infinito, lo cual obviamente es imposible, por lo que,
atendiendo a requerimientos de diseo, la temperatura del punto cinco la disearemos
igual a 7C mayor que la temperatura del foco fro, es decir el ambiente. Para el caso
particular del mes ms desfavorable se tiene que la temperatura de dicho punto es de
aproximadamente 50C.

Temperatura 45 47,5 50 52,5 55
Trabajo Total 1462 1486 1511 1538 1566
Trabajo ventilador 1 151,8 149,8 147,8 145,7 143,6
Trabajo ventilador 2 107,5 110,3 113,2 116,3 119,7
Trabajo compresor 1203 1226 1250 1276 1303

Clculos


239
Trabajo Total
1440
1460
1480
1500
1520
1540
1560
1580
40 42 44 46 48 50 52 54 56
Temeperatura
T
r
a
b
a
j
o

Se observa claramente que el trabajo total requerido es estrictamente creciente al
aumentar la temperatura del punto cinco.

La temperatura de salida del fluido de trabajo ser lo ms prxima a la
temperatura de la atmsfera para tener un menor gasto en el segundo intercambiador
debido a que de este modo el salto de temperatura en el fluido de trabajo ser mayor y
al no haber condensacin en este ya que solo se aumenta la temperatura sin variar
prcticamente la presin, la entalpa ser mayor cuanto mayor sea la temperatura por
lo que a mayor temperatura mayor salto entlpico lo que hace que el gasto msico
para conseguir la misma transferencia de calor sea menor lo que reduce el trabajo
requerido en los rganos mecnicos.

La temperatura de salida del fluido c, es decir el que pasa por el segundo
refrigerante tambin ser la temperatura relativa al punto de roco del aire ambiente
utilizado, menos 10 grados centgrados, los cuales son los suficientes para robar una
gran cantidad de agua al ambiente.
Clculos


240
Clculos


241
1.2.4.2.4 CONDICIONES FINALES
Se va a exponer las condiciones finales de operacin de la instalacin para el
mes ms desfavorable. Incluyendo una explicacin de todos y cada uno de los puntos,
adems de las funciones utilizadas a la hora de modelar aquellos puntos que se han
dejado con un grado de libertad.

La explicacin se hace siguiendo el orden llevado a la hora de implementar el
cdigo en EES.

Se comienza con la explicacin de las funciones utilizadas.

Funcin humabss:

La funcin humabss tiene como entradas la humedad absoluta del punto 1, ya
que entre los puntos 1 y 5 no ha habido variacin en la humedad absoluta, y la
humedad absoluta del punto 5
1
dando como salida la humedad absoluta real del punto
5.
Clculos


242
-0 10 20 30 40 50 60 70
0,000
0,005
0,010
0,015
0,020
0,025
0,030
T [C]
H
u
m
i
d
i
t
y

R
a
t
i
o
Pressure = 800,0 [kPa]
10C
15C
20C
25C
30C
35C
0,2
0,4
0,6
0,8
AirH2O
Punto 5
1
Punto 1

Se sigue con la descripcin de todos y cada uno de los puntos en las
condiciones antes determinadas, en el mes ms desfavorable. Se har la descripcin
siguiendo primero el fluido de trabajo, y exponiendo inmediatamente despus los
puntos utilizados para la refrigeracin del fluido y para el aprovechamiento del fro a
la salida del fluido de trabajo.

Punto 1
Condiciones
Clculos


243

Este punto se encuentra en las condiciones ambiente, estas condiciones son las
que han sido variadas a la hora de la determinacin del mes ms crtico para la
obtencin de agua. La presin, la temperatura y la humedad relativa se han
introducido teniendo en cuenta los parmetros obtenidos experimentalmente, mientras
que la humedad absoluta est determinada por estos otros tres datos, habiendo sido
obtenida por el propio programa una vez introducido los otros parmetros.

Punto 2
Condiciones

La presin del punto 2 ha sido determinada para la minimizacin de la
potencia requerida por la instalacin para la obtencin del caudal mnimo requerido
en el mes ms crtico. Este parmetro ha sido variado, viendo que el ptimo se
encontraba cercano a la presin de 11 bares. La temperatura del punto 2 se obtiene,
Clculos


244
conociendo el proceso que se ha producido entre los puntos 1 y 2 el cual es una
compresin. Para simular dicha compresin se ha utilizado un exponente politrpico
igual a 1,3 ya que por una parte si se hubiese utilizado un exponente igual a 1,4 se
hubiese simulado un proceso adibatico, lo cual debido a la alta temperatura que se
alcanza hubiese sido muy complicado hacer el aislamiento oportuno, y por otra parta
si si hubiese utilizado un exponente de 1 se habra simulado un proceso isotermo, lo
cual habra requerido una refrigeracin en el propio compresor cuasi imposible para
las condiciones de operacin en la que se encuentra la instalacin. La humedad
absoluta se ha determinado que es la misma que la humedad absoluta del punto 1
debido a que entre 1 y 2 se produce un proceso de compresin en el que aumentamos
grandemente la presin y por ende la temperatura, con lo cual una condensacin en
estas condiciones se presenta prcticamente imposible. Por ltimo la entalpa del
punto 2 al haber determinado 3 parmetros de dicho punto lo tenemos determinado,
por lo que nicamente se indica al programa que de ese dato.
Punto 5
Condiciones
Clculos


245

Se distinguen en la obtencin del punto 5, dos puntos, el 5 propiamente dicho,
y el punto 5
1
, el cual es utilizado como un punto de apoyo en la obtencin del punto 5
real.
Para describir la consecucin de dicho punto se van a exponer los 2 posibles
casos en el funcionamiento de la instalacin, en los cuales, en uno de ellos tendr
predominancia una de las posibles salidas de la funcin humabss, y en el otro caso la
salida que no ha salido en el primero de los casos. Previamente se va a explicar los
parmetros necesarios para la comprensin de ambos puntos.

En lo relativo a la presin cabe destacar que esta es igual a la presin de
compresin de la instalacin, es decir la presin del punto 2, menos las prdidas de
carga introducidas en la instalacin por la presencia del intercambiador que est
situado entre 2 y 5. La temperatura ha sido determinada mediante el ensayo de
distintas temperatura de inter-enfriamiento, dejando operar la instalacin con una
Clculos


246
temperatura de 7C mayor que la temperatura del foco fro (el ambiente). En el punto
5
1
, cabe destacar, que la humedad relativa es igual a la unidad, por si se hubiese
producido condensacin entre los puntos 2 y 5.

-0 10 20 30 40 50 60 70
0,000
0,005
0,010
0,015
0,020
0,025
0,030
T [C]
H
u
m
i
d
i
t
y

R
a
t
i
o
10C
15C
20C
25C
30C
35C
0,2
0,4
0,6
0,8
AirH2O
Punto 5
1
Punto 1

En este caso se observa que la humedad absoluta del punto 5 corresponde a la
humedad absoluta del punto 1, ya que la humedad absoluta mnima es la del punto 1,
debido a que entre los puntos 1 y 5 no se ha dado ningn aporte de humedad, en todo
caso se ha retirado humedad por el enfriamiento producido entre 2 y 5.
Clculos


247
-0 10 20 30 40 50 60 70
0,000
0,005
0,010
0,015
0,020
0,025
0,030
T [C]
H
u
m
i
d
i
t
y

R
a
t
i
o
10C
15C
20C
25C
30C
35C
0,2
0,4
0,6
0,8
AirH2O
Punto 1
Punto 5
1

En este otro caso, la humedad que se tendra en el punto 5 es la
humedad del punto 5
1
, ya que la humedad de este punto, es menor que la humedad
perteneciente al punto 1.
Clculos


248

Punto 6
Condiciones

) ) 1000 )(( (
) )( 287 )( ( 5 , 0
) ( 1020
2
6
2
2
10
2 2
10
P Area
T m
T
a
+

El proceso que se da entre los puntos 5 y 6, es una expansin en una
vlvula, es decir una expansin isentlpica, por lo que la entalpa a ambos lados de la
vlvula permanece constante. Se va a proceder a explicar el proceso que se da entre 5
y 6, para lo cual se considera como presin de salida de 6 la presin ambiente ms la
prdida de carga introducida en el segundo intercambiador.

Se parte de un fluido circulando por un conducto de rea constante el cual est
interrumpido por una vlvula que introduce una determinada prdida de carga lo que
se traduce en una disminucin de presin.
Clculos


249
Se estudian 2 puntos el punto 5 y el punto 6 que son los puntos relativos a la entrada y
a la salida de la vlvula respectivamente.
Se comienza con la expresin de la entalpa como funcin de la Presin, la
Temperatura y la velocidad del fluido.

2
2
6
6 6
6
6
2
5
5 5
5
5
V
T Cv
P V
T Cv
P
+ + = + +

Al tener un gasto msico determinado, y considerando el fluido como un gas perfecto,
es decir se cumple que:

T R
P
=

T R
P
A
m
V
&
=

Sustituyendo tenemos que:

2
2
6
6
6 6
6
6
6
2
5
5
5 5
5
5
5

+ + =
+ +
T R
P
A
m
T Cv
T R
P
P T R
P
A
m
T Cv
T R
P
P
& &

Clculos


250

Se sabe que:
Cv Cp R + =
Por lo que queda:

2
6
2 2
6
2
2
2
6 6
5
2 2
5
2
2
2
5 5
T R
P
A
m
T Cp
T R
P
A
m
T Cp
& &
+ = +

6
2 2
6
2 2 2
6 6
5
2 2
5
2 2 2
5 5
2

P A
T R m
T Cp
P A
T R m
T Cp
& &
+ = +

Al tener 2 Cp distintos, se va a determinar la variacin de estos en funcin de
la presin y de la temperatura para el aire hmedo.

Para ello se va a estudiar por separado la influencia en la variacin de Cp por
la variacin de la temperatura y de la presin. No teniendo en cuenta la influencia de
la humedad para este primera aproximacin, por lo que ser considerada como
constante e igual a la humedad de salida del punto 5, la cual es de 0,0074 kg/kg.

Como las temperaturas de trabajo de la instalacin varan entre los 250C y la
temperatura de salida de la vlvula, la cual la ser considerada como mayor de -50C,
estos 2 sern los lmites estudiados. La presin a la que haremos los clculos ser de 1
bar.

Clculos


251
Temperatura(C) Cp(kJ/kg K)
-50 1,013
-25 1,018
0 1,02
25 1,02
50 1,02
75 1,02
100 1,021
125 1,022
150 1,024
175 1,027
200 1,03
225 1,034
250 1,037
Se puede observar que para distintos valores de temperatura la variacin de Cp
es relativamente pequea.
En cuanto a las presiones, sern estudiadas las variaciones de Cp debidas a
presiones desde 1 bar, hasta 25 bares, como lmite superior. La temperatura a la que
se harn los clculos ser de 50C.
Presin(bar) Cp(kJ/kg K)
1 1,02
3 1,02
5 1,02
7 1,02
9 1,02
11 1,02
13 1,02
15 1,02
17 1,02
19 1,02
21 1,02
23 1,02
25 1,02

Clculos


252
Para la presin se observa que no varia la Cp.

Por ltimo se estudiar la influencia de la variacin de humedad en la
variacin de Cp. Como lmite superior de estudio se tomar 0,01 kg/kg por tratarse de
un valor superior al mximo de ese punto para las condiciones estudiadas. Y como
lmite inferior de 0,001 kg/kg, por ser considerado un valor lo suficientemente
pequeo. La presin ser de 1 bar, y la temperatura de 50C.

Humedad Cp(kJ/kg K)
0,01 1,025
0,009 1,023
0,008 1,021
0,007 1,019
0,006 1,018
0,005 1,016
0,004 1,014
0,003 1,012
0,002 1,01
0,001 1,009

Teniendo en cuenta las tablas anteriores y con el fin de simplificar en la
medida de lo posible los clculos, se tomar a Cp como un valor constante e igual a
1,02 kJ/kgK.

El otro parmetro que es fundamental en la reduccin de la temperatura del
punto 6, es el rea de los conductos. Para dicho rea se hace una primera
aproximacin, a una velocidad determinada con un gasto msico aproximado al gasto
msico final de la instalacin. Por lo cual queda un rea de 0,015 m
2
, lo que es igual a
Clculos


253
150cm
2
de rea de tubera. Considerando que se trata de tuberas redondas y teniendo
en cuenta que el rea es igual a pi por el radio al cuadrado, se tiene que el radio de las
tuberas es igual a aproximadamente 7cm.

Punto 7
Condiciones

La presin del punto 7 es igual a la presin ambiente, ya que el punto 7 es el
correspondiente a la descarga de la instalacin y esta descarga en el ambiente. La
temperatura es igual a la temperatura del punto 6 ms una diferencia de 10C para que
se produzca un salto entlpico entre 6 y 7, lo que produzca que se de condensacin en
el fluido que se est enfriando. La humedad absoluta de 7 est determinada, ya que, al
producirse entre 6 y 7 un proceso de calentamiento, esto hace que la humedad
presente en el punto 6 nunca se condense ya que la temperatura de 7 es mayor que la
de 6. El resto de parmetros al definir tres de ellos, ya estn determinados.

Punto 3
Condiciones
Clculos


254

Las condiciones del punto 3 son prcticamente las condiciones ambiente
exceptuando la presin de 3 que es igual a la presin ambiente ms la perdida de
carga producida en el intercambiador.

Punto 4
Condiciones

La presin de 4 es igual a la presin ambiente, ya que la descarga se produce
al ambiente. La temperatura de 4 es un punto diseado, para que el gasto requerido
para el enfriamiento del fluido de trabajo en el primer intercambiador sea mnimo. La
humedad absoluta del punto 4 es igual a la humedad ambiente, ya que, al producirse
un calentamiento entre los puntos 3 y 4 y prcticamente no variar la presin, la
humedad absoluta de 4 necesariamente tiene que ser igual a la de 3 ya que no se ha
podido producir un proceso de condensacin. Por ltimo se incluye tambin la
Clculos


255
ecuacin que nos relaciona los procesos que se han producido entre los puntos 2-5 y
los puntos 3-4, en los cuales se ha producido un proceso de cesin de calor desde los
puntos 2-5 hasta los puntos 3-4.

Punto 8
Condiciones

El punto 8 es el mismo que el punto 3.

Punto 9
Condiciones

Clculos


256
Se comienza determinado la temperatura del punto de roco, para las
condiciones ambiente, esto se produce para asegurar que entre 8 y 9 se da
condensacin, ya que si a presin ambiente se hace que la temperatura del punto 9
est por debajo de la temperatura de roco propia para esa presin y humedad, se
asegura la condensacin. Al asegurar la condensacin entre 8 y 9, se tiene
determinada unvocamente la humedad relativa de 9, la cual ser igual a la unidad.

El parmetro fundamental para la obtencin de agua es el relativo a la ltima
ecuacin presentada junto al punto 9, ya que es la que determina la cantidad de agua
que se va a obtener entre los 2 lugares donde se obtiene agua en la instalacin
diseada.

Por lo tanto los parmetros que definen la instalacin nos quedan:
Mes ms crtico: Junio
Presin de funcionamiento: 267,5 kPa
Temperatura de inter-enfriamiento ( T
5
): 50C
Temperatura de salida del fluido de trabajo (T
7
): T
ambiente
+10 C
Temperatura de salida del segundo intercambiador (T
9
): T
rocio
-10C
Prdidas de carga en los intercambiadores: 50 kPa
rea de los tubos: 150 cm
2
Dimetro de los tubos 14 cm

Clculos


257
Siendo el resultado el que sigue:
Potencia requerida por el compresor: 1250 kW
Potencia consumida por el ventilador 1: 147,8 kW
Potencia consumida por el ventilador 2: 113,2 kW
Gasto msico principal (m
A
): 12,46 kg/s
Gasto msico por el ventilador 1: 25,11 kg/s
Gasto msico por el ventilador 2: 19,23 kg/s
Caudal de agua mnimo: 10001 litros
Clculos


258
1.2.4.3 CLCULO DEL VOLUMEN DE AGUA OBTENIDO A LO LARGO DE
TODO EL AO

Para ello se mantendr la potencia requerida por la instalacin en el mismo valor y
calcularemos el volumen de agua que se obtienen en cada uno de los meses para las
distintas condiciones de funcionamiento.

Mes Enero Feb Marzo Abril Mayo Junio Julio Agost Sep Oct Nov Dic
Temperatura
ambiente 32,7 35 38,4 38,4 41,7 43,3 41,5 37,6 39,8 36,1 34,8 32,4
Humedad
ambiente 55,6 53,3 48 48 37,7 30,6 38,3 53,3 44,3 45,7 50 58
Volumen de
agua 17411 17886 17406 17406 13864 10001 14046 19598 16236 14993 16254 18224
Contribucin
porcentual 9,01 9,25 9,00 9,00 7,17 5,17 7,27 10,14 8,40 7,76 8,41 9,43

El volumen diario medio de agua es de 16110 litros resultando un volumen
total anual de algo menos de 6000 metros cbicos.

Clculos


259
Volumen de agua diario - Mes
0
5000
10000
15000
20000
25000
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Mes
V
o
l
u
m
e
n

d
e

a
g
u
a

[
L
]
Volumen de agua(diario)
Media anual

1.2.4.4 CLCULO DE LOS PANELES FOTOVOLTAICOS

Los parmetros requeridos para el clculo del nmero de paneles, son los
indicados en el apartado1.2.2.6, los cuales permanecen constantes para cada una de
las instalaciones estudiadas. El nico parmetro que vara, como ya fue indicado, es la
potencia requerida por la instalacin. En el caso de esta tecnologa, compresin
refrigerada y expansin en vlvula isentlpica para la obtencin de fro, las potencias
requeridas para cada uno de los meses, se hicieron iguales al mes ms desfavorable,
para as conseguir mayor cantidad de agua en los meses ms favorables, y la cantidad
mnima requerida en el peor mes para la obtencin de agua.

Potencia requerida = 1511 kW

Nmero de paneles para cada uno de los meses:

Clculos


260
Mes Nmero de paneles
Enero 11803
Febrero 14476
Marzo 13728
Abril 18381
Mayo 21010
Junio 27049
Julio 30877
Agosto 26752
Septiembre 22154
Octubre 14465
Noviembre 12870
Diciembre 13849

El nmero de paneles de la instalacin es el nmero de paneles requerido para
el mes ms desfavorable, el cual es el mes de Julio, y su nmero de paneles es de
30877 paneles.
Clculos


261
1.2.5 CLCULO DE LAS CLULAS PELTIER

1.2.5.1 DETERMINACIN DE LOS PARMETROS INICIALES

Tomando la mayor de las potencias requeridas para cada mes, por considerarla
la ms desfavorable, como la referencia, y considerando tambin el calor que es
necesario retirar del flujo para bajar la temperatura de este a la de punto de roco, se
obtiene una potencia total de:

775kW + 8kW = 783kW

Y un rea total de:
12m + 0,3, =12,3m 2 Placas = 24,6m

Con estas cuentas se obtiene una cantidad de disipacin de calor necesaria por
metro cuadrado de:

2
83 , 31
6 , 24
783
m
kW
=

1.2.5.2 ELECCIN DE LA CLULA

Consultando en catlogos de clulas peltier se obtienen los siguientes datos:

rea en el lado fro = 4cm 4cm = 16cm
2

Por lo que por cada m
2
, se colocaran 625 clulas
Clculos


262
Potencia mxima disipada por cada clula 78 W
Potencia mxima disipada por el conjunto 78 625 = 48,75kW

En principio con la clula escogida, la potencia mxima que es capaz de
disipar, es mayor que la potencia mxima requerida, por lo que se conseguira
cumplir esta condicin, para el rea calculada inicialmente.

Para comprobar si realmente dicha clula es capaz de disipar esa potencia, se
van a exponer las condiciones de operacin de la clula, es decir sus limitaciones a la
hora de operar.

En primer lugar, la potencia disipada por una clula cualquiera, es funcin de
la variacin de temperatura que se de entre sus dos caras, a mayor diferencia de
temperaturas, la clula es capaz de de bombear una cantidad menor de calor, que con
pequeas diferencias de temperaturas.

En segundo lugar, la clula peltier, para poder operar, tiene que ser alimentada
por una corriente a una tensin determinada, la cual es particular para cada clula, y
viene dada en las especificaciones tcnicas de esta. Debido a dicha caracterstica, en
el lado caliente hay que disipar la suma de la potencia evacuada del lado fro, ms la
potencia elctrica introducida en la clula para que opere.

Una vez aclaradas estas dos cuestiones, se va a proceder a calcular la potencia
trmica real que puede ser disipada por la clula seleccionada en las condiciones de
Clculos


263
operacin. Para ello se incluye una hoja con las caractersticas de dicho elemento a
continuacin.

1.2.5.3 DETERMINACIN DEL PUNTO DE TRABAJO DE LA CLULA
Se calculan las condiciones de operacin para un incremento de temperatura
determinado, y una potencia bombeada desde el lado fro al caliente determinada.

El incremento de temperatura es de 35C para que en el lado fro se tengan
15C, y en el lado caliente 50C.

Clculos


264
Para disear el punto de trabajo de operacin, se va a sacar la caracterstica de
la clula, para poder decidir en primer lugar una eficiencia razonable, para las
condiciones que queremos conseguir.
La caracterstica de la clula es:

T
f
T
f
T
f
T
f
T
f
T
f
T
f
T
f
T
f
T
f

I(A
) Qf= 0 Qf= 10 Qf= 20 Qf= 25 Qf= 30 Qf= 35 Qf= 40 Qf= 45 Qf= 50 Qf= 60 V(V)
0
0,5 12 0 0,5
1 23 0 8
50
0 2
1,5 31 0 17
14
8 3
29
6 4,5
2 39 0 26 63 13
12
5 8
15
6 2
18
8 8
2,5 46 0 33 32 21 64 16 80 10 96 3
11
2 12,5
3 51 0 40 19 28 37 22 46 17 56 11 65 5 74 18
3,5 56 0 45 12 35 23 29 29 23 35 17 41 11 47 7 52 24,5
4 60 0 50 7,8 40 16 34 20 28 23 23 27 16 31 12 35 8 39 32
4,5 63 0 53 5,5 43 11 39 14 32 16 28 19 21 22 17 25 13 27 1 33 40,5
5 66 0 56 4 46 8 42 10 36 12 32 14 26 16 21 18 17 20 6 24 50
5,5 68 0 58 3 49 6 45 7,5 39 9 34 11 30 12 25 14 20 15 11 18 60,5
6 70 0 60 2,3 51 4,6 48 5,8 42 6,9 36 8,1 32
9,
3 27 10 22 12 14 14 72
6,5 72 0 62 1,8 53 3,6 49 4,6 43 5,5 38 6,4 34
7,
3 29
8,
2 24
9,
1 16 11 84,5
7 73 0 63 1,5 54 2,9 49 3,6 44 4,4 39 5,1 35
5,
8 30
6,
6 25
7,
3 17
8,
7 98
7,5 73 0 64 1,2 55 2,4 50 3 45 3,6 40 4,1 36
4,
7 30
5,
3 26
5,
9 18
7,
1 112,5
8 72 0 63 1 54 2 49 2,4 44 2,9 39 3,4 35
3,
9 30
4,
4 25
4,
9 17
5,
9 128
8,5 70 0 61 0,8 52 1,6 48 2 43 2,4 38 2,8 34
3,
3 28
3,
7 25
4,
1 16
4,
9 144,5
9 69 0 59 0,7 50 1,4 46 1,7 41 2,1 36 2,4 32
2,
7 26
3,
1 23
3,
4 14
4,
1 162
9,5 66 0 57 0,6 48 1,1 43 1,4 39 1,7 34 1,9 29
2,
2 23
2,
5 21
2,
8 12
3,
3 190
10 64 0 54 0,4 45 0,8 40 1 36 1,3 31 1,5 26
1,
7 20
1,
9 18
2,
1
8,
5
2,
5 240

Se va a expresar grficamente las caractersticas incremento de temperatura
frente a intensidad, para una potencia de bombeo determinada, y las caractersticas
Clculos


265
eficiencia (incremento de temperatura, ya que se pueden ver en el mismo eje,
haciendo referencia tanto al rendimiento como a los grados) Intensidad.
Incremento de T - I
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10
I
I
n
c
r
e
m
e
n
t
o

d
e

T
Qf= 0
Qf= 10
Qf= 20
Qf= 25
Qf= 30
Qf= 35
Qf= 40
Qf= 45
Qf= 50
Qf= 60

Clculos


266
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
0 2 4 6 8 10
Qf= 10
E(Qf=10)
Qf= 20
E(Qf=20)
Qf= 25
E(Qf=25)
Qf= 30
"E(Qf=30)"
Qf= 35
"E(Qf=35)"
Qf= 40
"E(Qf=40)"
Qf= 45
"E(Qf=45)"
Qf= 50
"E(Qf=50)"
"E(Qf=60)
Qf=60

Clculos


267
Con estas grficas podremos seleccionar para un incremento de temperatura
dado por la instalacin, y una potencia requerida por las necesidades de condensacin
de un volumen de agua determinado, un compromiso entre la eficiencia de la clula y
el rea requerido por el conjunto de clulas, ya que para una potencia determinada, a
mayor eficiencia, e igual diferencia de temperatura entre las caras de la clula, supone
una menor cantidad de calor bombeada por cada clula instalada, con lo cual el rea
total de la instalacin aumentar.

La eficiencia con la que se van a comenzar los clculos es la del 30%, si se
determina el calor bombeado por la clula, se obtiene la diferencia de temperatura
entre los extremos de la clula. Suponiendo un calor bombeado de 30W, se obtiene
una diferencia de temperaturas de alrededor de 44C, al ser esta diferencia de
temperaturas grande para las condiciones de la instalacin, se supone una diferencia
de temperaturas mayor y se determina grficamente la potencia bombeada.

Diferencia de temperatura de 35C y un calor bombeado de 40W Se
observa que el rendimiento de la clula es de un 35 %. Lo cual es considerado
interesante.

Se determina la tensin y la intensidad, para caracterizar el punto de
funcionamiento:
I = 5,7 A
V= 11,6 V

Clculos


268
En el cual se obtiene:
C T 35 =
% 35 =
W Q 40 =

1.2.5.4 CLCULO DEL NMERO DE CLULAS NECESARIAS
Una vez determinado la diferencia de temperaturas entre ambas caras y el
calor bombeado por cada clula, sabiendo las condiciones en las que opera cada
clula, se calcula el nmero de clulas necesarias.

Se comenzar determinando el nmero de clulas necesarias para evacuar del
fluido refrigerado la potencia anteriormente calculada.
W
total
= 783 kW
W
por cada clula
= 40W
N de clulas = 19575 Clulas

Determinamos el rea total ocupada por todas las clulas.
rea de cada clula (Lado caliente) = 45 x 40 = 1800 mm
2
= 1,8 E-3 m
2

rea total = 1,8 E-3 x 19575 = 35,235m
2

Ahora se comprueba si con esa rea el lado caliente es capaz de disipar toda la
potencia que debe. Esta potencia es la suma de la potencia bombeada desde el lado
fro, ms la potencia elctrica introducida.
Clculos


269
W
Lado Caliente
= 40W + 5,7 x 11,6 = 40 + 66,12 W = 106,12 W

1.2.5.5 ELECCIN DEL DISIPADOR
Se contina, con la eleccin del disipador necesario para poder evacuar dicha
cantidad de calor con una diferencia de temperaturas determinada por la temperatura
superficial del lado fro y la diferencia de temperaturas entre ambos lados de la clula.

Al ser la diferencia de temperaturas igual a 13C (La temperatura superficial
es de 50 C y la ambiente de 35C), y la potencia a disipar de 106,12W, nos
calculamos la resistencia trmica que debe tener el intercambiador elegido. Una vez
calculada dicha resistencia nos vamos a un catlogo de intercambiadores y elegimos
el apropiado, para lo cual quizs tengamos que circular una corriente forzada de aire
por dicho intercambiador.

La resistencia trmica es de 0,1415C/W, por lo que se elegir el siguiente
modelo de disipador de la casa Cx Alpha:
Modelo: S20100-40
Para el cual la velocidad del aire necesaria ser de 4,5 m/s
Clculos


270
1.2.5.6 CLCULO DE LA ENERGA ELCTRICA NECESARIA
La energa elctrica necesaria total, ser la suma de la energa elctrica para
alimentar las clulas peltier, ms la energa elctrica para accionar los ventiladores
necesarios para provocar una conveccin forzada en los disipadores, y de este modo
poder bombear hacia el exterior, el flujo de calor requerido.

La energa necesaria para la alimentacin de las clulas peltier, es la siguiente,
para el mes ms desfavorable:
Potencia requerida por cada clula: 66W
Nmero de clulas: 19575
Potencia total: 1,2919 MW

La energa elctrica para el accionamiento de los ventiladores ser calculada
como el producto de la densidad por la velocidad del fluido elevada al cubo, por el
rea, y por un medio.

La velocidad del aire ha sido determinada por los requerimientos de potencia
disipada para el disipador seleccionado. La densidad, ser igual a la densidad del aire
ambiente. En cuanto al rea, se tomar como un rea representativa, el rea ocupada
por el conjunto de los disipadores. Sabiendo que el rea de cada disipador es de 0,01
m
2
, se tiene que el rea total del conjunto de disipadores es de 195,75 m
2
.
Introduciendo un rendimiento del 50% para el conjunto de ventiladores, se tiene que:

La potencia requerida por el conjunto de ventiladores, es de 21,44kW.
Clculos


271

La potencia total requerida por la instalacin es de 1,3 MW.

A continuacin se incluye una tabla con la necesidad elctrica del conjunto de la
instalacin, desglosando la energa necesaria para alimentar las clulas y la energa
necesaria para disipar el calor:
Mes Demanda clulas
Demanda
ventilador
Demanda
total
Enero 1122,297 10 1132,297
Febrero 1140,414 10 1150,414
Marzo 1151,601 10 1161,601
Abril 1151,601 10 1161,601
Mayo 1155,561 10 1165,561
Junio 1172,2425 10 1182,2425
Julio 1255,5675 10 1265,5675
Agosto 1291,95 10 1301,95
Septiembre 1265,7975 10 1275,7975
Octubre 1113,9645 10 1123,9645
Noviembre 1175,46 10 1185,46
Diciembre 1131,867 10 1141,867

Clculos


272
1.2.5.7 CLCULO DE LOS PANELES FOTOVOLTAICOS
Basando los clculos en el apartado de clculos fotovoltaicos, para los
requerimientos de potencia elctrica que presenta esta instalacin, los cuales han sido
expuestos en el apartado anterior, se obtiene un nmero de paneles, para cada uno de
los meses de:
Mes
Nmero de
paneles
Enero 8855
Febrero 11022
Marzo 10549
Abril 14124
Mayo 16214
Junio 21164
Julio 25861
Agosto 23045
Septiembre 18711
Octubre 10769
Noviembre 10098
Diciembre 10461

Se observa que el nmero mximo de paneles requerido para cada mes,
corresponde al mes de Julio, aun sin ser este el mes que mayor energa elctrica
demanda, pero debido a la baja radiacin incidente en dicho mes, el nmero necesario
de paneles es el mximo.

El nmero de paneles que sern colocados ser igual al mximo entre el
nmero de paneles requerido para cada mes.

Clculos


273
1.2.6 CLCULOS DEL SISTEMA DE ABSORCIN
1.2.6.1 INTRODUCCIN
Se va a comenzar explicando el ciclo de absorcin en si. El ciclo de absorcin
es un ciclo termodinmico similar a un ciclo inverso de Ranking. La nica diferencia
entre ambos ciclos es que el compresor mecnico presente en el ciclo de Ranking, es
sustituido por lo que vulgarmente se conoce como compresor trmico, en el cual el
proceso de compresin se realiza con una bomba, lo cual supone para la instalacin
un trabajo muchsimo menor de compresin. Para hacer posible dicho paso, el
refrigerante se absorbe en una solucin de transporte, de modo que atraviesa la bomba
en estado lquido. Una vez que se ha conseguido aumentar la presin de dicha mezcla,
el refrigerante se separa de la solucin aportando calor a dicha mezcla. Continuando
una vez que se ha separado el ciclo de Ranking inverso clsico, es decir, va hacia el
condensador.

El proceso de absorcin propiamente dicho, se lleva a cabo en una especie de
intercambiador de calor, llamado absorbedor, en el que entra tanto el refrigerante
que procede del evaporador, como la solucin de transporte que queda despus de
haber liberado el refrigerante. Para que la concentracin sea mayor, el refrigerante en
la solucin del absorbedor es refrigerado. La solucin as obtenida, rica en
refrigerante, sale del absorbedor y es bombeada hacia el generador, el cual es otra
especie de intercambiador de calor en el que aportando calor se separa el refrigerante
de la solucin. En esta separacin se producen dos sustancias, por una parte una
solucin pobre en refrigerante, la cual es conducida mediante una vlvula hacia el
Clculos


274
absorbedor, y por otra parte el refrigerante en fase vapor, el cual es dirigido hacia el
condensador.

El trabajo consumido por el ciclo, se limita al accionamiento de la bomba, el
cual al tratarse de aumentar la presin en un lquido es bastante pequeo. La forma
principal de energa consumida la constituye el calor que se debe aportar en el
generador, y que puede venir en forma de calores residuales,, o como va a ser en el
caso estudiado, proveniente de la energa solar, la cual ser aprovechada, mediante el
uso de colectores solares planos. El otro input de energa es constituido por el calor
que es demandado por el ciclo en el evaporador, y que precisamente es el efecto
buscado en esta instalacin. Esta entrada de energa se har mediante una placa plana,
en la cual exteriormente se estar condensando la humedad ambiente, con lo que se
conseguir de este modo la condensacin buscada.

El punto ms interesante de este tipo de configuracin es la forma en la que es
demandada la energa. Se recuerda que en los otros sistemas estudiados, la energa
primaria demandada por el sistema para la obtencin de un foco fro y su posterior
utilizacin para la condensacin de la humedad presente en el aire, es del tipo
elctrico, lo cual, al tratarse de una zona sin electrificacin, el desierto, haca posible
nicamente la utilizacin de aerogeneradores o paneles fotovoltaicos, cuyo
rendimiento en el mejor de los casos es no mayor del 15% en clulas comerciales,
para la posterior utilizacin de dicha energa en un proceso de compresin, el cual
energticamente es mucho mayor que un proceso de bombeo. Por todo esto desde el
Clculos


275
punto de vista de la energa, se puede vislumbrar un mejor comportamiento de este
tipo de instalaciones para la aplicacin deseada.

1.2.6.1.1 FLUIDOS DE TRABAJO

Bsicamente son dos los pares de trabajo con lo que operan las mquinas de
absorcin. Las mezclas de agua/Bromuro de Litio, y de Agua/Amoniaco. En ambos
casos el fluido citado en primer lugar acta como refrigerante, mientras que el
nombrado en segundo lugar acta como absorbente, encargado de transporta disuelto
el refrigerante.

El par Bromuro de Litio/Agua, presenta el inconveniente de que el agua no
puede condesar o evaporar por debajo de los 0,01C (punto triple del agua), por lo que
esta solucin no puede ser empleada en equipos de produccin de fro de baja
temperatura. Otra de las problemticas de la solucin anterior es la posibilidad de
cristalizacin de la sal bajo ciertas condiciones de operacin, debiendo detener el
equipo hasta su posterior fusin. La cristalizacin de la sal en si no daa al equipo,
pero si que puede obstruir conducto, boquillas,.., impidiendo de este modo el correcto
funcionamiento de la mquina. Para evitar este problema se dota a la mquina de un
sistema de control de las variables ms crticas.

El fenmeno de la cristalizacin en el bromuro de litio, hace que la diferencia
de temperaturas entre el medio de enfriamiento del absorbedor y la temperatura de
evaporizacin no pueda ser muy alta.
Clculos


276

Otra de las caractersticas del agua como refrigerante es su trabajo a presiones
de vaco para las temperaturas habituales de operacin. Esto obliga a diseos de
mquinas muy compactas para minimizar las prdidas de carga en tuberas.

Una de las ventajas del par Agua/Bromuro de Litio, es el valor despreciable de
la presin de saturacin de la sal, comparada con la del agua, lo cual facilita en gran
medida la accin del generador. Dicho de otro modo, la presin parcial del vapor de
agua en la solucin, coincide con la presin de la solucin, por estar el bromuro de
litio en estado lquido.

En el caso del par Agua/Amoniaco, el problema de la cristalizacin no est
presente, siendo posible as un margen de temperaturas ms amplio. Por otra parte, al
no haber restricciones debido a la cristalizacin, tanto el condensador como el
absorbedor pueden ser refrigerados por aire, sin miedo a producirse cristalizaciones.

Como inconvenientes ms destacables se tienen la toxicidad de dicha mezcla,
y la inflamabilidad. Los conductos utilizados no pueden ser de cobre, ya que son
atacados por el amoniaco, por lo que se utilizan conductos de hierro, los cuales son
atacados por el agua. La ltima ventaja reseable de este par, es que sus presiones de
saturacin son similares (algo mayor la del amoniaco), por lo que el funcionamiento
del generador se hace ms complicado, debindose incluir un enfriador superior para
condensar el agua que acompaa al amoniaco antes de que este sea conducido al
condensador.
Clculos


277
La ltima comparacin que se va a hacer entre ambas sustancias, es la
referente a los distintos valores de COP que presentan. En el caso del par
Agua/Bromuro de Litio, su valor es de aproximadamente 0,7 en ciclos de simple
efecto y de 1,2 en ciclos de mltiple efecto. Mientras que en el caso de
Agua/Amoniaco, el COP es del orden de 0,5, lo que hace que estas mquinas estn
relegadas a instalaciones en las que se requiera una baja temperatura.

1.2.6.1.2 COMPONENTES DEL CICLO DE ABSORCIN

En la figura adjunta (fig. 1), se muestran los equipos utilizados en el proceso,
los cuales van a ser descritos en lo que sigue.
Clculos


278

Dentro de la lnea discontinua se sita el compresor trmico, en el que
reside el proceso de absorcin-desorcin. La nica variacin que se observa con
respecto al proceso descrito anteriormente es la presencia de un regenerador. Este
elemento se debe a que como en el regenerador se debe aportar calor y en el
absorbedor liberarlo, resulta til que la solucin pobre ceda calor a la rica en el
regenerador, de forma que en el generador aya que aadir menos calor desde la fuente
externa, con la consiguiente mejora del COP, mientras que en el absorbedor haya que
Clculos


279
liberar una menor cantidad de calor, con lo cual se consigue una reduccin de tamao
de la instalacin.

Los conductos en el absorbedor y en el generador se ubican de tal manera que
la bomba aspire la solucin rica en estado de lquido saturado, y la solucin pobre
salga del generador como lquido saturado. De la misma manera, el refrigerante sale
del generador como vapor.

Respecto al ciclo de refrigeracin, como en el compresor trmico no puede
haber problemas de golpe de lquido el vapor que entra al absorbedor lo hace en
condiciones de saturacin. Tampoco se suele subenfriar el lquido a la salida del
condensador.

Cuando se recurre al par Agua/Bromuro de Litio, las presiones del circuito de
refrigeracin son muy bajas, por lo que se recurre a una disposicin muy compacta
para reducir las conexiones, producindose los cambios de fase en el exterior de los
tubos. Esta disposicin puede ser observada en la siguiente figura (fig. 2a)
esquemticamente, y una forma ms realista se puede observar en la figura 2b.

Clculos


280

Clculos


281

1.2.6.1.3 PROPIEDADES DE LOS FLUIDOS DE TRABAJO

En cuanto a las propiedades relativas a la solucin Agua/Bromuro de Litio, la
presin de saturacin del Bromuro es muy inferior a la del agua, por lo que ste se
encuentra siempre en fase lquida. Esto supone una simplificacin muy importante en
los diagramas, la cual no es posible realizar en el caso de la solucin compuesta por
Agua/Amoniaco.

Los diagramas requeridos para resolver los ciclos de absorcin son:

Clculos


282
-Diagramas de refrigerante. Los empleados en la resolucin del ciclo de
Ranking de refrigeracin: P-h, T-s, tablas,

-Diagramas del par: Se requiere conocer el estado de saturacin, la entalpa y
la densidad. Es conveniente que estos diagramas tengan el mismo origen que
los empleados para el refrigerante, o al menos que se conozcan ambos

El diagrama de saturacin relaciona la presin y la temperatura de la solucin
con la concentracin. Las lneas que aparecen en el se corresponden slo a estados
saturados, quedando los estados de lquido comprimido y vapor sobrecalentado fuera
de las citadas lneas. No obstante, como es habitual en las sustancias puras, el estado
de lquido comprimido puede aproximarse al de lquido saturado a igual temperatura
(y concentracin en este caso).

El diagrama de entalpa (tambin el de densidad), relaciona la entalpa con la
concentracin y la temperatura (o presin, pues ambas estn relacionadas por el
diagrama anterior).

Agua/Bromuro de Litio

En los siguientes diagramas la concentracin indica la fraccin msica de agua
(refrigerante) en la solucin. Se ha hecho esta eleccin para que la concentracin de
la solucin rica sea una cifra mayor que la de la pobre. Sin embargo, tambin resulta
Clculos


283
habitual referirse a la concentracin como el complemento a la definida aqu.
Evidentemente la relacin entre ambas es:

[ ] [ ] % 100 %
3 2
NH O H
X X =

Respecto al origen de entalpas, se ha tomado para el agua su punto triple como
lquido saturado, y el origen de la sal se ha tomado de tal manera que el solucin con
una concentracin del 50% a 0C tenga una entalpa nula.
Clculos


284

Clculos


285

Clculos


286

Clculos


287

Clculos


288

Clculos


289

Clculos


290
1.2.6.1.4 CLCULOS EN EL CICLO DE SIMPLE EFECTO CON
AGUA/BROMURO DE LITIO

La notacin que se va a emplear se refiere a la figura 1, que para mayor
comodidad va a ser repetida a continuacin.

Los datos desde los que vamos a partir son los siguientes:

Clculos


291
Temperatura de condensacin
K
T
Temperatura de evaporacin
E
T
La capacidad de refrigeracin
evap
Q
&

La temperatura de absorcin
a
T
La temperatura del generador
g
T
La eficiencia del regenerador
reg

Las temperaturas de condensacin, de evaporacin y de absorcin estn
determinadas por el medio empleador para refrigerar la mquina, que en el caso de la
instalacin diseada es el ambiente. La capacidad de refrigeracin es un dato que se
obtiene debido a que esta es la potencia necesaria para condensar el agua final, es
decir, el agua que va a ser consumida por los clientes de la instalacin. La
temperatura de generador estar fijada por el medio de accionamiento, esta
temperatura ser fijada en el caso de la instalacin que est siendo diseada, por la
temperatura de salida de los colectores solares que van a encargarse de calentar el
agua que ceda el calor a este proceso. Por ltimo la eficiencia del regenerador estar
fijada por las propias caractersticas del mismo.

La resolucin de los elementos es la siguiente:

Clculos


292
Ciclo de refrigeracin
Se asume que el agua abandona el evaporador como vapor saturado y el condensador
como lquido saturado.
) (
2
K O H Saturacin K
T P P =
) (
2
E O H Saturacin E
T P P =
) (
2
1 E O gH
T h h =
) (
2
4 K O gH
T h h =
) , (
2
2 K g O gH
P T h h =
4 1
h h
Q
m
evap
ref
=
&
&

Absorbedor
Se supone que la solucin rica sale en condiciones de saturacin, y que la
presin coincide con la de evaporacin. La concentracin se expone en tanto por
unidad.

) , (
5 E a r
P T X x x = =
) , (
5 r a
x T h h =
) , (
5 r a
x T =
5 10 1
h m Q h m h m
r a p ref
&
&
& & + = +
r r p p ref
m x m x m & & & = +
r p ref
m m m & & & = +
Clculos


293
Bomba
Se considera isentrpica.
5
5 6
E K
P P
h h

+ =
) (
5 6
h h m W
r b
= &
&

Regenerador
La entalpa del lquido comprimido se supone igual a la de lquido saturado.
De igual modo, se supone que la temperatura no cambia al paso por la bomba, es
decir
5 6
T T
7 9 6
h m h m h m h m
r p r g p
& & & & + = +
)] ( ), ( min[
) (
min
9 8 6
max
7
6 7
h h m h h m
h h m
p r
r
reg

=
& &
&

) , (
max
7 r g
x T h h =
) , (
min
97 p a
x T h h =
Generador
Se supone a la presin de condensacin
) , (
8 K g p
P T X x x = =
) , (
8 p g
x T h h =
8 2 7
h m h m h m Q
p ref r g
+ = + & &
&

Clculos


294
Operando se comprueba que:
ref
p r
p
r
m
x x
x
m &
=
1

ref
p r
r
p
m
x x
x
m &
=
1

De donde se deduce que la concentracin de la solucin rica ha de ser mayor
que la pobre. Fijadas las temperaturas de evaporacin, absorcin y condensacin eso
supone que la temperatura de generacin debe superar un cierto mnimo, que viene
dado por:
) , (
K r g
P x T T >

Los parmetros energticos del ciclo son:
evap
Q capacidad
&
=
b g
evap
W Q
Q
COP
& &
&
+
=
) ( _ _ _
4 2
h h m Q disipado in refrigerac de Calor
ref a
+ = &
&

Clculos


295
1.2.6.2 CLCULOS DE LA INSTALACIN

Se va a proceder a calcular los distintos parmetros que caracterizan la
instalacin. Para ello se parte de los siguientes datos:

Potencia del refrigerador: Este parmetro ha sido calculado partiendo de la cantidad
de agua que es necesaria para abastecer a una cierta poblacin (10000litros/da), y
calculando la potencia necesaria para condensar dicha cantidad de agua. Los clculos
estn expuestos en el apartado de necesidades de calor para la condensacin en pared
fra, y la potencia requerida es de 783kW, en el mayor de los casos, el cual ser
representado en el diagrama. Para una mayor precisin en los clculos, se calcularn
las potencias requeridas para todos y cada uno de los meses.

Temperatura de condensacin: Esta temperatura est determinada por las condiciones
ambiente

Temperatura de evaporacin: Se calcula la instalacin con una temperatura de
evaporacin igual a la temperatura de 15C, ya que esta temperatura es la que ha sido
tomada para el clculo de la cantidad de agua condensada.

Temperatura de absorcin: Esta temperatura tambin est determinada por la
temperatura ambiente.

Clculos


296
Temperatura de generacin: Esta temperatura, es determinada como la necesaria para
separar el agua del bromuro de litio, y es conseguida mediante colectores solares.

Eficiencia del regenerador: La eficiencia de este depende del intercambiador elegido.

Los parmetros ms crticos a la hora de disear este ciclo, como
consecuencia de la instalacin proyectada son, por una parte la temperatura del
condensador y del absorbedor, ya que al disipar la potencia de estos dos elementos al
ambiente, con la utilizacin del aire como fluido refrigerante, se debe conseguir la
mayor diferencia de temperaturas posible, para que la transferencia sea lo ms
eficiente posible. Por otra parte, como principal inconveniente se tiene la temperatura
de absorcin de calor en el separador. Esto es debido a la utilizacin de paneles
solares trmicos, los cuales en torno a 100C, tienen su lmite de funcionamiento, por
lo cual no podr alejarse en exceso esta temperatura de la temperatura requerida por
la instalacin.

Con todas estas consideraciones, se calcula el ciclo de absorcin, mediante el
programa EES, resultando, para una temperatura del condensador y del absorbedor de
60C,y una diferencia de temperaturas en el separador de 20C, el siguiente
resultado:
Clculos


297

Al requerir una temperatura del absorbedor muy elevada, se procede a
disminuir la temperatura de cesin del absorbedor y del condensador, y a reducir
tambin el incremento de temperatura del separador. Todas las temperaturas a las que
se ha hecho referencia, disminuirn su valor en 5C. Con lo que se obtiene:

Clculos


298

Se va a reducir aun ms la temperatura de absorcin de calor por parte del
separador, reduciendo el incremento de temperaturas del separador. Se reducir 5C
ms, con lo que el incremento de temperaturas quedar fijado en 10C. Con estas
nuevas condiciones, se obtienen los siguientes resultados:

Clculos


299

Al conseguir una temperatura cercana a los 110 C, como temperatura de
cesin en el separador, y 55C como temperaturas de cesin tanto para el absorbedor
como para el condensador, se valida dicho punto de funcionamiento de la instalacin.

Clculos


300
En cuanto al resto de meses se tiene:
Mes P evaporador[kW] P condensador[kW] P separador [kW] P absorbedor[kW]
Enero 680,3 733,7 1039 985,3
Febrero 691,1 744 1054 1000
Marzo 697,9 751,9 1065 1010
Abril 697,9 751,9 1065 1010
Mayo 700,3 755,3 1070 1015
Junio 710,1 765,9 1085 1029
Julio 760,7 820,5 1162 1102
Agosto 783 855,2 1038 1110
Septiembre 767,4 827,7 1172 1112
Octubre 675,08 728,1 1031 978,2
Noviembre 712,4 768,4 1088 1032
Diciembre 685,98 739,9 1048 994

Se continuar calculando los elementos necesarios para la construccin del
ciclo de absorcin estudiado.

Clculos


301
1.2.6.3 CLCULO DE LOS COLECTORES SOLARES

Para la obtencin del calor necesario en el separador, del ciclo de absorcin,
sern utilizados paneles solares que doten a la instalacin de independencia
energtica exterior, y que pueda autoabastecerse energticamente.

Para el clculo de dichos paneles, se conocen lo siguientes parmetros:

Temperatura ambiente para cada mes del ao
Radicacin media para cada mes del ao
Duracin media del da para cada mes del ao
El rendimiento de cada panel en funcin de T e I
Potencia necesaria

Se selecciona un panel (marca unipolar, modelo 4000), con las siguientes
caractersticas:

=
I
Ta Te
18 , 4 83 , 0
Dimensiones: 1050 x 2120 x 80,2 mm
Superficie til de captacin 2,13m
2

Se realiza una tabla con las temperaturas, irradiancia, y las necesidades que se
tienen potencia, calculando el rea requerida para cada uno de los meses.

Clculos


302
Para el clculo de la potencia diaria radiante se han seguido los mismos pasos
que para el clculo de la potencia obtenida mediante paneles fotovoltaicos, con la
excepcin que en los paneles fotovoltaicos la radiacin considerada nicamente era la
radiacin directa, mientras que en los paneles solares trmicos, es considerada tanto la
radiacin directa como la radiacin difusa.

El ngulo ptimo para los paneles solares trmicos es calculado del mismo
modo que el ngulo para los paneles fotovoltaicos, es decir, calculando la energa que
llega al cabo de todo el ao, y comparndola con la que llega con otro ngulo,
quedndose la instalacin diseada con el ngulo que mayor potencia da a lo largo de
todo el ao.

ngulo Radiacin
30 312,291584
28 312,700949
26 313,028964
25 313,162338
24 313,275231
23 313,367611
22 313,439449
20 313,521418
19 313,531524
18 313,521038
17 313,489963
16 313,438309
15 313,366092
14 313,273333
13 313,160061
12 313,02631
11 312,872121
10 312,697541
9 312,502624
8 312,287428

Quedando la grfica que representa la potencia en funcin del ngulo asi:
Clculos


303
Radiacin- Inclinacin
312,2
312,4
312,6
312,8
313
313,2
313,4
313,6
5 10 15 20 25 30 35
Inclinacin
R
a
d
i
a
c
i
n

Los clculos del rea de paneles necesaria, se han hecho como sigue:

Se calcular la potencia requerida mensual media para cada mes, sabiendo esta
potencia, la radiacin mensual media y el rendimiento de cada panel para unas
condiciones dadas, se calcula el rea necesaria para cada mes.

Se tomar el rea mxima de las calculadas, y una vez calculado dicho rea se
calcular el nmero de paneles necesarios, conociendo el rea de cada uno de los
paneles.

Clculos


304
Mes
T
Ambiente
T
requerida Rendimiento Irradiancia[W/m^2]
Nesidades
Trmicas[kW]
Necesidades
Trmicas
mensuales[J] rea
Enero 32,7 112 0,479317458 719,0948215 1039 4,23E+10 692,55
Febrero 35 112 0,451364583 646,6906919 1054 4,40E+10 735,65
Marzo 38,4 112 0,5105602 732,6826529 1065 4,56E+10 742,13
Abril 38,4 112 0,437258554 595,9340491 1065 4,72E+10 781,43
Mayo 41,7 112 0,424045112 550,6868041 1070 4,85E+10 823,93
Junio 43,3 112 0,356681385 461,5622397 1085 5,00E+10 838,46
Julio 41,5 112 0,29392547 418,2067741 1162 5,31E+10 816,68
Agosto 37,6 112 0,310512377 455,4333724 1038 4,63E+10 707,70
Septiembre 39,8 112 0,385257657 516,2449761 1172 5,11E+10 874,63
Octubre 36,1 112 0,48732851 704,3538984 1031 4,34E+10 713,33
Noviembre 34,8 112 0,512466878 773,1350927 1088 4,47E+10 721,17
Diciembre 32,4 112 0,488811937 741,9016874 1048 4,23E+10 690,49

Con lo cual se puede observar que el rea en las peores condiciones, es el rea
correspondiente al mes de Junio, y tiene un valor de 838,46m
2
.

Al tener cada uno de los paneles solares seleccionador una superficie til de
captacin de 2,13 m
2
, se puede concluir que son necesarios 394 paneles solares.

Clculos


305
1.2.6.4 CLCULO DE LA POTENCIA ELCTRICA REQUERIDA POR LA
INSTALACIN

La potencia elctrica total requerida por la instalacin ser la suma de las
potencias requeridas por:
La mquina de absorcin en si
Los ventiladores del aero-refrigerador

La potencia requerida por la instalacin de absorcin, est en funcin de las
condiciones ambiente y de la mquina seleccionada para cumplir los requerimientos
de potencia de refrigeracin.
=
absorcin electrica
P
_
6,8 kW

La potencia requerida por el aero-refrigerador, se obtiene mediante el catlogo
de dicho elemento, y asciende a:
kW P
aero
36 =

Sumando ambos trminos, se obtiene que la potencia total es de 42,8kW.

Clculos


306

1.2.6.5 CLCULO DE LOS PANELES SOLARES FOTOELCTRICOS

Basando los clculos en el apartado de clculos fotovoltaicos, para los
requerimientos de potencia elctrica que presenta esta instalacin, los cuales han sido
expuestos en el apartado anterior, se obtiene un nmero de paneles, para cada uno de
los meses de:
Mes
Nmero de
paneles
Enero 363
Febrero 451
Marzo 418
Abril 561
Mayo 649
Junio 825
Julio 946
Agosto 825
Septiembre 682
Octubre 451
Noviembre 396
Diciembre 429

El nmero mximo de paneles corresponde al mes de julio, y asciende a 946
paneles.

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PROYECTO FIN DE CARRERA

OBTENCIN DE AGUA DULCE MEDIANTE

cos . cos . cos . cos w L sen L sen + =

, pertenece al mximo COP

. Como est en el orden del eV, y K

Transferencia trmica de un cuerpo por radiacin:

de la radiacin sobre l, sera

cos . cos . cos . cos w L sen L sen + =

) 0,955 0,892 0,771 0,600 0,390 0,000 0,000 0,000

) 0,982 0,916 0,790 0,611 0,393 0,149 0,000 0,000

) 0,990 0,923 0,793 0,610 0,385 0,134 0,000 0,000

) 0,958 0,892 0,763 0,582 0,360 0,113 0,144 0,000

) 0,903 0,839 0,716 0,542 0,329 0,092 0,154 0,000

) 0,955 0,892 0,771 0,600 0,390 0,000 0,000 0,000

) 0,883 0,821 0,700 0,529 0,319 0,086 0,156 0,000

) 0,936 0,871 0,745 0,566 0,348 0,104 0,149 0,000

) 0,982 0,915 0,785 0,602 0,377 0,126 0,134 0,000

) 0,989 0,923 0,795 0,613 0,392 0,144 0,000 0,000

) 0,964 0,900 0,778 0,604 0,391 0,154 0,000 0,000

) 0,944 0,882 0,763 0,594 0,388 0,157 0,000 0,000

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