Apostila Difusão

Estrutura e Propriedades dos Materiais Difuso Atmica
UFPA ITEC FEM Prof. Jorge Tefilo de Barros Lopes

144
8 DIFUSO ATMICA

8.1 Introduo
A difuso atmica pode ser definida como um mecanismo pelo qual a matria
transportada atravs da matria.
Os tomos em gases, lquidos e slidos esto em constante movimento.
Particularmente no caso dos slidos, o movimento atmico bastante restrito, em funo
das elevadas foras de ligao atmica e da existncia de posies de equilbrio bem
definidas nesse estado.
Todavia, as vibraes atmicas de origem trmica existentes em slidos permitem
movimentos atmicos limitados.
A difuso atmica em metais e ligas particularmente importante, pois a maioria das
reaes no estado slido, que so fundamentais em metalurgia, envolve movimentos
atmicos.
Exemplos de reaes de estado slido ocorrem: na nucleao e crescimento de novas
fases em slidos cristalinos, na cementao dos aos, na produo de semicondutores
(difuso de dopantes) etc.

8.2 Mecanismos de Movimentos Atmicos
Em um cristal, os tomos somente ficam estticos no zero absoluto (-273C). Nestas
condies, os tomos permanecem na posio correspondente ao mnimo de energia.
Acima desta temperatura os tomos comeam a vibrar e, medida que a temperatura se
eleva, as vibraes trmicas tornam-se mais intensas, fazendo com que os tomos se
dispersem ao acaso em torno da posio de menor energia.
Deslocamentos atmicos podem tambm ocorrer sob ao de campos eltricos ou
magnticos, se as cargas dos tomos interagem com o campo (tomos na forma de ons so
facilmente deslocados em um campo eltrico).
Movimentos atmicos para novas posies sero observados se a temperatura ou
campo aplicado for suficiente para fornecer a energia necessria retirada do tomo (ou
on) de sua posio original no reticulado.
Existem dois mecanismos bsicos de difuso de tomos em um slido cristalino, e
ambos envolvem defeitos pontuais: mecanismo substitucional ou de vazios e mecanismo

145
intersticial. Alm desses dois, o movimento atmico pode se d por meio do mecanismo de
anel, de ocorrncia mais difcil, pois envolve maior gasto de energia.

a) Mecanismo substitucional ou de vazios
Os tomos podem mover-se no interior do cristal, de uma posio atmica para outra,
se apresentarem energia de vibrao suficiente e se existirem posies atmicas vazias
(lacunas) ou outros defeitos cristalinos na estrutura atmica.
A energia de vibrao resultante da energia trmica dos tomos. Por outro lado, os
vazios ou vacncias em metais e ligas so defeitos de equilbrio e, assim, esto sempre
presentes para permitir o movimento atmico pelo mecanismo substitucional.
Em metais, com o aumento da temperatura, mais lacunas podem ser observadas (a
concentrao de vacncias termicamente ativada) e mais energia trmica estar
disponvel. Assim, a taxa de difuso atmica aumentar com a temperatura.
Na Figura 8.1, se um tomo prximo lacuna tem energia suficiente, ele poder
mover-se at essa posio vazia.

Figura 8.1 Mecanismos de vazios.

Percurso
de difuso
E
n
e
r
g
i
a


146
b) Mecanismo intersticial
O mecanismo intersticial em slidos cristalinos ocorre quando um tomo se move de
uma posio intersticial para outra posio intersticial vizinha, sem que exista
deslocamento de tomos da matriz cristalina, como mostra a Figura 8.2.

Figura 8.2 Mecanismo intersticial.

Para que o mecanismo de difuso intersticial seja ativo, o tamanho do tomo em
difuso deve ser pequeno comparativamente aos tomos da matriz. Pequenos tomos como
o hidrognio, o carbono, o nitrognio e o oxignio podem apresentar difuso intersticial em
alguns slidos cristalinos. O carbono, por exemplo, pode difundir-se intersticialmente na
rede do ferro- e na rede do ferro-.

c) Mecanismo de difuso em anel
Podem ocorrer movimentos em cristais no envolvendo defeitos pontuais. A difuso
em anel envolve o movimento simultneo de trs ou quatro tomos, como mostra a Figura
8.3. Este mecanismo mais raro devido s suas particularidades.
Percurso
de difuso
E
n
e
r
g
i
a


147
Uma simples troca entre dois tomos vizinhos teoricamente possvel; entretanto,
seria mais difcil que a difuso em anel, em funo da necessidade de altos nveis de
energia para ocorrer.

Figura 8.3 Mecanismo de difuso em anel. (a) Anel de trs tomos;
(b) anel de quatro tomos.

8.3 Energia de Ativao
Em condies uniformes, cada um dos tomos adjacentes lacuna tem a mesma
probabilidade de se mover para ela. Analogamente, o tomo intersticial tem a mesma
probabilidade de se mover em cada um dos interstcios sua volta.
Se os tomos devem mudar de posies, as barreiras de energia devem ser
superadas. Energia de ativao a energia requerida para superar tais barreiras, somada
energia de formao do defeito, quando houver.
Portanto, necessita-se de energia para retirar o tomo dos seus vizinhos originais; na
difuso intersticial necessita-se de energia para forar o tomo a um maior contato com os
tomos vizinhos, conforme o mesmo de move entre eles.
A energia de ativao varia com diversos fatores. Por exemplo:
Um tomo pequeno tem uma energia de ativao menor que um tomo grande ou
molcula;
Os movimentos intersticiais requerem mais energia que os movimentos de vazios;
So necessrias elevadas energias de ativao para a difuso em materiais fortemente
ligados e de alto ponto de fuso, como o tungstnio, o carbeto de boro e outros.


148
Autodifuso
Normalmente, no se observa difuso em um material puro, monofsico, j que os
movimentos atmicos so ao acaso e os tomos so todos idnticos; entretanto, por meio
do uso de istopos radiativos, possvel identificar a difuso dos tomos dentro de sua
prpria estrutura; a esse fenmeno d-se o nome de autodifuso.

8.4 Gradientes de concentrao
Embora haja a mesma probabilidade de um tomo individual se mover em qualquer
direo, o gradiente de concentrao favorece o movimento preferencial dos tomos,
conforme ilustra a Figura 8.4.

Figura 8.4 Esquema ilustrativo da difuso atmica em funo do gradiente de
concentrao de soluto (adaptada de VAN VLACK, 1977).

8.5 Distribuio de Energia Trmica
Os tomos de um material, em uma determinada temperatura, apresentam diferentes
nveis de energia, sendo esta uma distribuio estatstica como mostra a Figura 8.5.

S
u
p
e
r
f
c
i
e

S
u
p
e
r
f
c
i
e

S
u
p
e
r
f
c
i
e

0
1,0

%

d
e

s
o
l
u
t
o

Distncia
0
1,0 1,0
0

149

Figura 8.5 Distribuio estatstica dos nveis de energia atmica de tomos.

Assim, em um dado instante, muito poucos tomos tm energia nula, muitos tomos
possuem energias prximas energia mdia, e alguns tomos tm energias extremamente
altas, ou seja, possuem energia de ativao suficiente para saltar de suas posies
originais ou mover-se na rede cristalina.
Aumentando-se a temperatura do sistema, a energia de cada tomo aumenta, e alguns
tomos que na temperatura anterior no podiam saltar de suas posies, podem agora faz-
lo, pois tm energia maior que a energia de ativao.
Muito freqentemente necessita-se conhecer a probabilidade dos tomos possurem
mais energia que um dado valor especificado. Por exemplo, a frao dos tomos com
energia superior energia de ativao.
A soluo do problema foi elaborada por Boltzmann a partir do estudo do efeito da
temperatura na energia das molculas em um gs. Usando os fundamentos estatsticos
empregados por Boltzmann, pode-se calcular o nmero de tomos com energia maior que a
energia de ativao, como:

=
kT
E
exp a N n
A

onde n = nmero de tomos com energia maior que a de ativao; N = nmero total de
tomos do slido; a = constante tpica do sistema; E
A
= energia de ativao; T =
temperatura absoluta; k = constante de Boltzmann (1,38 x 10
-23
J/tomo.K).

150
8.6 Coeficiente de Difuso Atmica
A anlise estatstica de Boltzmann aplicada ao movimento atmico permite
estabelecer a intensidade de difuso atmica em materiais. A difuso de um material A
(soluto) dentro da estrutura de um material B (solvente) representada pelo coeficiente de
difuso (D), definido pela equao de Arrhenius:

=
RT
Q
exp D D
o

onde D = coeficiente de difuso; D
o
= constante do sistema soluto/solvente; Q = energia
de ativao; R = constante molar dos gases (8,314 J/mol.K ou 1,987 cal/mol.K); T =
temperatura absoluta.
A difusividade atmica depende de diversos fatores, sendo que os mais importantes
so:
a. Tipo de mecanismo de difuso (substitucional ou intersticial) dependendo dos
tamanhos atmicos envolvidos, o mecanismo de difuso influencia a intensidade de
difuso (tomos de tamanhos prximos tm difuso elevada quando o mecanismo
substitucional; quando os tomos apresentam tamanhos muito diferentes, o mecanismo
apropriado o intersticial);
b. Temperatura na qual a difuso ocorre como pode ser observado na equao, quanto
maior a temperatura, maior ser o coeficiente de difuso;
c. Tipo de estrutura cristalina do solvente estruturas compactas (CFC e HC) dificultam a
difuso atmica por serem mais compactas;
d. Tipo e quantidade de imperfeies presentes na rede cristalina defeitos como
discordncias e lacunas aumentam a intensidade de difuso.

A Tabela 8.1 apresenta os valores de Q e D
o
para vrios sistemas de difuso
(ASKELAND & PHUL, 2003):


151
Tabela 8.1 Valores de Q e D
o
para sistemas mais comuns.
Soluto Solvente
D
o

(cm
2
/s)
Q
(cal/mol)
Difuso intersticial
Carbono
Carbono
Nitrognio
Nitrognio
Hidrognio
Hidrognio
Ferro CFC
Ferro CCC
Ferro CFC
Ferro CCC
Ferro CFC
Ferro CCC
0,23
0,011
0,0034
0,0047
0,0063
0,0012
32.900
20.900
34.600
18.300
10.300
3.600
Autodifuso (em lacunas)
Chumbo
Alumnio
Cobre
Ferro
Zinco
Magnsio
Ferro
Tungstnio
Silcio
Carbono
Chumbo CFC
Alumnio CFC
Cobre CFC
Ferro CFC
Zinco HC
Magnsio HC
Ferro CCC
Tungstnio CCC
Silcio (covalente)
Carbono (covalente)
1,27
0,10
0,36
0,65
0,1
1,0
4,1
1,88
1800,0
5,0
25.900
32.200
49.300
66.700
21.800
32.200
58.900
143.300
110.000
163.000
Difuso em lacunas
Nquel
Cobre
Zinco
Nquel
Ouro
Prata
Alumnio
Alumnio
Oxignio
Magnsio
Oxignio
Cobre
Nquel
Cobre
Ferro CFC
Prata
Ouro
Cobre
Alumina
Alumina
xido de magnsio
xido de Magnsio
2,3
0,65
0,78
4,1
0,26
0,072
0,045
28,0
1900,0
0,249
0,000043
57.900
61.500
43.900
64.000
45.500
40.200
39.500
114.000
152.000
79.000
82.100

8.7 Primeira Lei de Fick
A taxa de difuso dos tomos ou ons em um material pode ser medida por meio do
fluxo J, o qual definido como o nmero de tomos que atravessa um plano de rea
unitria por unidade de tempo (Figura 8.6).


152

Figura 8.6 Fluxo de tomos por um plano de rea unitria.

O fluxo de tomos neste tipo de sistema pode ser representado pela equao:

dx
dc
D J =

onde J = fluxo de tomos; D = difusividade ou coeficiente de difuso; dc/dx = gradiente de
concentrao.
Dependendo da situao, a concentrao pode ser expressa em porcentagem atmica,
porcentagem em peso, porcentagem em mol, frao atmica ou frao molar. As unidades
do gradiente de concentrao e do fluxo tambm sero modificadas de acordo.
Tomando a direo x como referncia, o sinal negativo na equao mostra que o
fluxo de massa tem sentido contrrio ao aumento da concentrao, e usado porque o
fluxo de tomos ocorre no sentido do maior para o menor gradiente de concentrao,
tornando o termo dc/dx negativo para J positivo.
A equao acima denominada de primeira lei de Fick e define que para condies
estacionrias ou permanentes (concentraes constantes com o tempo), o fluxo de tomos
por difuso atmica igual difusividade D multiplicada pelo gradiente de concentrao.
No sistema SI tem-se:

m m
tomos
dx
dc
s
m
D
s m
tomos
J
3
2
2

rea unitria

153
O gradiente de concentrao mostra como a composio do material varia com a
distncia: c a diferena na concentrao ao longo da distncia x (Figura 8.7).

Figura 8.7 Gradiente de concentrao para regime estacionrio.

O gradiente de concentrao pode ser criado quando dois materiais de diferentes
composies so colocados em contato; quando um gs ou um lquido est em contato com
um material slido; quando estruturas fora do equilbrio so produzidas em um material
devido ao processamento; e por meio de outras fontes.
O fluxo em uma temperatura particular constante somente se o gradiente de
concentrao tambm constante, isto , a composio em cada lado do plano da Figura
8.7 permanece inalterada (regime estacionrio).
Entretanto, em muitos casos prticos a composio varia quando os tomos so
redistribudos e, portanto, o fluxo tambm muda (regime no-estacionrio).
Freqentemente, encontrado que o fluxo inicialmente alto e ento decresce
gradualmente medida que o gradiente de concentrao reduzido pela difuso.

Distncia

%

a
t
m
i
c
o

A

x
100
0
x
tomo B
tomo A
C
f
C
o
C


154
8.7 Segunda Lei de Fick
O movimento atmico em condies estacionrias no comum em engenharia de
materiais. Na maioria dos casos, este movimento ocorre em regime transitrio ou em
situaes onde as concentraes variam com o tempo. A Figura 8.8 mostra a variao da
concentrao, medida que o tempo de processamento aumenta.

Figura 8.8 Gradiente de concentrao em regime transitrio.

A segunda lei de Fick descreve a dinmica, ou o estado no-estacionrio, da difuso
de tomos, por meio da equao diferencial:

x
C
D
x t
C

Assumindo-se que o coeficiente de difuso D no funo da localizao x e da
concentrao C, a equao acima pode ser reescrita na forma da verso simplificada de
Fick, como:
t
3
> t
2
> t
1

t
3

t
2

t
1

Distncia
C
o
n
c
e
n
t
r
a
o

d
a
s

e
s
p
c
i
e
s

d
e

d
i
f
u
s
o

0 t > 0 x

155

A soluo desta equao depende das condies de contorno para uma situao
particular. A seguir sero estudados alguns casos mais comuns.

a) Cementao dos aos
Na construo de mquinas, freqente a necessidade de peas dotadas
simultaneamente de uma boa resistncia ao choque e uma dureza muito elevada para
resistir bem ao desgaste, como por exemplo, os dentes de engrenagens (Figura 8.9), certas
matrizes para estampagem, pinos mveis, eixos, articulaes esfricas, e outros elementos.

Figura 8.9 A superfcie dos dentes da engrenagem deve ser resistente ao desgaste, mas o
seu interior da pea deve ser dctil para poder absorver choques.

Essas duas propriedades so incompatveis pelo menos nos aos carbono. Mas como
a dureza que interessa sempre a superficial, basta que a pea tenha essa qualidade apenas
na parte perifrica. Isto se consegue com o auxlio do tratamento de cementao.
Esse processo permite, portanto, elevar o teor de carbono junto superfcie e, assim,
aumentar a dureza da camada perifrica, conservando, entretanto, a ductilidade no interior
da pea, cuja composio no ser alterada.
Para que isso seja possvel, o ao deve ser aquecido acima da zona crtica (900C a
1000C), permanecendo nesta temperatura por algumas horas, o que permitir que dissolva
mais carbono no estado slido, como tambm absorva este elemento por difuso quando
em contato com substncias ricas no mesmo, chamados de cementos.
x
C
D
t
C
2
2

156
Na cementao pelo carbono empregam-se, em geral, cementos slidos; entretanto,
quando o objetivo introduzir no ao tambm o nitrognio (ou somente este), so
empregados cementos lquidos (cianetos fundidos), gases carbonetantes ou nitretantes.
A Figura 8.10 mostra o processo difusional para o tratamento de cementao.

INCIO (t = 0) APS UM TEMPO t

Figura 8.10 Processo difusional esquemtico para o tratamento de cementao.

O tratamento de cementao dos aos por meio das equaes da difuso envolve o
emprego da funo erro.
A soluo da equao de Fick para esta situao dada por:

=
Dt 2
x
erf ) C C ( C ) t , x ( C
o s s

ou
Dt 2
x
erf
C C
) t , x ( C C
o s
s

C
o
C
s
t = 0

Distncia (x)

C
o
n
c
e
n
t
r
a
o

C(x,t
2
)
C(x,t
1
)
C(x,t
3
)
C
o
C
x
C
s
x

Distncia (x)

C
o
n
c
e
n
t
r
a
o

Composio
aps um tempo t

Composio inicial


157
onde C(x,t) = concentrao atmica na posio x a partir da superfcie, aps um tempo t;
C
s
= concentrao atmica constante na superfcie do material; C
o
= concentrao atmica
uniforme inicial no material.
Nestas equaes, assumido basicamente um modelo unidirecional, ou seja, tomos
ou outras espcies difusionais se movem somente na direo x.
A funo erro, erf, uma funo matemtica com valores tabelados.

Funo Erro (erf)
a. Definio:

= =

Z
0
5 3
u
...
! 2 5
Z
! 1 3
Z
Z
2
du e
2
) Z ( erf
2

b. Caractersticas:
erf(-Z) = erf(Z)
erf() = 1
erf(0) = 0
erf(+) = +1

c. Derivao:

d. Funo Erro complementar (erfc):

Aproximaes:

) Z exp(
Z
2
Z
) Z ( erf
2
=
) Z exp( Z
Z
4
Z
) Z ( erf
2
2
2
=
= =
Z
2
du ) u exp(
Z
2
) Z ( erf 1 ) Z ( erfc
Z
2
) Z ( erf 2 Z
1 ) Z ( erf 2 Z
<
>
) Z exp( ) cy by uy ( 1 ) Z ( erf
2 3 2
+ + =

158
onde

sendo: a = 0,348; b = - 0,096; c = 0,748; d = 0,471

e. Representao grfica esquemtica:

f. Valores tabelados da funo erro:

) 0 Z (
Zd 1
1
y >
+
=
0
+1
-1 +1 +2 -2
-1
erf(Z)
Z

159
Z erf (Z) Z erf(Z) Z erf(Z) Z erf(Z)
0,00 0,00000 0,26 0,2869 0,52 0,5379 0,78 0,7300
0,01 0,01128 0,27 0,2974 0,53 0,5465 0,79 0,7361
0,02 0,02256 0,28 0,3079 0,54 0,5549 0,80 0,7421
0,03 0,03384 0,29 0,3183 0,55 0,5633 0,81 0,7480
0,04 0,04511 0,30 0,3286 0,56 0,5716 0,82 0,7538
0,05 0,05637 0,31 0,3389 0,57 0,5798 0,83 0,7595
0,06 0,06762 0,32 0,3491 0,58 0,5879 0,84 0,7631
0,07 0,07886 0,33 0,3593 0,59 0,5959 0,85 0,7707
0,08 0,09008 0,34 0,3694 0,60 0,6039 0,86 0,7761
0,09 0,1013 0,35 0,3794 0,61 0,6117 0,87 0,7814
0,10 0,1125 0,36 0,3893 0,62 0,6194 0,88 0,7867
0,11 0,1236 0,37 0,3992 0,63 0,6270 0,89 0,7918
0,12 0,1348 0,38 0,4090 0,64 0,6346 0,90 0,7969
0,13 0,1459 0,39 0,4187 0,65 0,6420 0,91 0,8019
0,14 0,1569 0,40 0,4284 0,66 0,6494 0,92 0,8068
0,15 0,1680 0,41 0,4380 0,67 0,6566 0,93 0,8116
0,16 0,1790 0,42 0,4475 0,68 0,6638 0,94 0,8163
0,17 0,1900 0,43 0,4569 0,69 0,6708 0,95 0,8209
0,18 0,2009 0,44 0,4662 0,70 0,6778 0,96 0,8254
0,19 0,2118 0,45 0,4755 0,71 0,6847 0,97 0,8299
0,20 0,2227 0,46 0,4847 0,72 0,6914 0,98 0,8342
0,21 0,2335 0,47 0,4937 0,73 0,6981 0,99 0,8385
0,22 0,2443 0,48 0,5027 0,74 0,7047 1,00 0,8427
0,23 0,2550 0,49 0,5117 0,75 0,7112 1,10 0,8802
0,24 0,2657 0,50 0,5205 0,76 0,7175 1,20 0,9103
0,25 0,2763 0,51 0,5292 0,77 0,7238 1,50 0,9661

g. Valores tabelados da funo erro complementar:

Z erfc(Z) Z erfc(Z)
1,0 0,15730 1,6 0,02365
1,1 0,11980 1,7 0,01621
1,2 0,08969 1,8 0,01091
1,3 0,0,6599 1,9 0,007210
1,4 0,04777 2,0 0,004678
1,5 0,03389 - -


160
b) Tratamento de homogeneizao de fundidos
Esta abordagem aplicada na minimizao de microssegregao em peas obtidas
pelo processo de fundio.
Em geral, a microssegregao de solutos ocorre em torno de braos dendrticos, o
que leva o perfil de concentrao de solutos a apresentar uma variao senoidal, conforme
mostra a figura 8.11.

Figura 8.11 Perfil de concentrao de solutos em torno de braos dendrticos.

Assumindo-se que a concentrao de solutos antes do tratamento de homogeneizao
tem variao do tipo
+ = =
l
x
sen C ) 0 t , x ( C

,
a soluo desse processo de difuso dada por
+ =
2
2
l
Dt
exp
l
x
sen C ) t , x ( C

8.8 Difuso Atmica em Contornos de Gro e Discordncias
A existncia de defeitos cristalogrficos como discordncias e contornos de gro,
pode influir no transporte atmico por difuso.
Nos contornos de gro ocorre uma maior concentrao de lacunas, o que facilita o
movimento de tomo.
C
x = 0 x = l x = 2l
t =
t =
t = 0
Dendrita
Soluto

161
Nas regies onde existem discordncias, a rede cristalina sofre deformaes (fica
com a estrutura mais aberta), facilitando, da mesma forma, a difuso atmica.
Como conseqncia, os coeficientes de difuso em contornos de gro e nas
vizinhanas de discordncias so maiores. Porm, as regies associadas a contornos de
gro e discordncias so pequenas, comparadas como o volume de material, de modo que,
em geral, a contribuio desses defeitos pequena.
Em temperaturas elevadas, o coeficiente de difuso alto no cristal, facilitando o
movimento de tomos na rede, tornando desprezvel, portanto, a difuso em contornos de
gro. Por outro lado, se a temperatura baixa, a difuso na rede cristalina difcil e a
contribuio de contornos de gro passa a ser significativa, conforme pode ser observado
na Figura 8.12.

Figura 8.12 Curvas experimentais do coeficiente de auto-difuso na prata.

No caso das discordncias, essa contribuio , em geral, desprezvel nos materiais
recozidos (tratamento trmico para recuperar a ductilidade de um material), onde a
densidade desse defeito geralmente baixa. Em materiais com alto grau de deformao
plstica, a densidade de discordncias elevada e o efeito das mesmas na difuso atmica
pode ser significativo.


162
8.9 Deduo das Leis de Fick
a) 1 lei de Fick
O fenmeno da difuso atmica pode ser analisado considerando o movimento de
tomos entre duas regies em contato, como mostra a Figura 8.13.

Figura 8.13 Movimento de tomos entre duas regies rm contato.

Considerando que as concentraes C
1
e C
2
no se alteram com o tempo (regime
permanente), o processo de difuso provocado pelo gradiente de concentrao

(C
2
C
1
)/(x
2
x
1
).

O movimento de tomos por difuso atmica ocorre devido vibrao trmica dos
mesmos, a qual faz com que cada tomo permanea saltando de uma posio para outra.
O equacionamento do fluxo atmico em regime permanente, que dado pela 1 lei de
Fick, implementado pela definio das seguintes variveis:

x Espessura das regies;
A rea de contato entre as regies 1 e 2;
f Freqncia de saltos dos tomos (saltos/s), igual em todas as direes;
C
1
Concentrao de tomos de soluto na regio 1 (at/cm
3
);
C
2
Concentrao de tomos de soluto na regio 2 (at/cm
3
);
J Fluxo de tomos entre as regies 1 e 2 (at/cm
2
.s).
x

N
1,2
N
2,1
Regio 1 Regio 2

Plano de referncia
A
C
1
C
2
x


163
Considerando o movimento atmico no espao, um tomo tem possibilidade de saltar
nos dois sentidos das trs direes (seis possibilidades). Assim, entre as regies 1 e 2 da
Figura 8.13, a freqncia de saltos pode ser dada por f/6 e, consequentemente, em um
intervalo de tempo t, o nmero de tomos saltando da regio 1 para a regio 2
proporcional aos valores de C
1
, t, f e do volume da regio 1, que pode ser representado
por sua espessura, x, pois a rea de contato igual para as duas regies. Assim,

x t
6
f
KC N
1 12
=

onde k uma constante.

O fluxo de tomos entre as regies 1 e 2 dado pela diferena entre o nmero de
tomos que saltam da regio 1 para a regio 2 e aqueles que fazem o caminho inverso.
Assim,
x t
6
f
KC x t
6
f
KC N N t J
2 1 21 12
= =

ou
x
6
f
) C C ( K J
2 1
=

Desta equao possvel prever que, se as concentraes das regies 1 e 2 so iguais,
o fluxo de massa entre elas ser nulo. Por outro lado, se existe um gradiente de
concentrao de tomos de soluto, o fluxo de tomos ser diferente de zero. Uma relao
entre as concentraes C
1
e C
2
pode ser obtida se a concentrao contnua ao longo da
direo x (paralela ao fluxo de tomos), ou seja:
t
1 2
x
C
x C C

+ =

Substituindo o valor de C
2
na equao do fluxo, o fluxo de tomos entre as regies 1
e 2 torna-se igual a:
t
2
x
C
6
f
) x ( K J

=


164
Esta equao conhecida como a 1 lei de Fick, sendo o coeficiente de difuso
atmica, D, dado por:
6
f
) x ( K D
2
=

Se no sistema em difuso considerado no ocorrem reaes qumicas entre os tomos
de soluto e os de solvente, a diferena de concentrao entre as regies 1 e 2 resultar em
um fluxo atmico que vai do ponto de maior para o de menor concentrao. O fluxo de
tomos neste tipo de sistema pode ser representado pela equao:

=
x
C
D J

onde J o fluxo de tomos, D o coeficiente de difuso e x C o gradiente de
concentrao.

b) 2 lei de Fick
Considere uma barra de um material qualquer de concentrao C, exibindo transporte
de massa do soluto por difuso, como mostra o diagrama da Figura 8.14.

Figura 8.14 Distribuio de soluto em uma barra em funo da distncia e do tempo.

Considere tambm a existncia de um elemento de volume de largura x e rea de
seo transversal A. Suponha que em tal elemento est entrando um fluxo de massa J
1
e
saindo um fluxo de massa J
2
.
C
o
C
s
t = 0

Distncia (x)

C
o
n
c
e
n
t
r
a
o

C(x,t
2
)
C(x,t
1
)
C(x,t
3
)

165
Aps um intervalo de tempo t a variao na concentrao de soluto em tal elemento
dada por:
C x A t A J t A J
2 1
=

onde J = fluxo de tomos do soluto (at/cm
2
.s); A = rea (cm
2
); x = largura (cm); t =
intervalo de tempo (s); C = variao na concentrao de soluto (at/cm
3
).

Se o fluxo atmico contnuo ao longo de x, pode-se escrever:

x
x
J
J J
1 2

+ =

A substituio de J
2
na equao na equao anterior permite obter:

C x A t xA
x
J
t
=

Fazendo t tender a zero, tem-se:

x t
t
C
x
J

O fluxo de tomos pode ser dado pela substituio da 1 lei de Fick na equao
acima, obtendo-se:
x
C
D
x x
J

ou
2
2
x
C
D
t
C

Esta equao denominada 2 lei de Fick e aplicada a casos de difuso atmica em
regime transitrio.


166
8.10 Referncias bibliogrficas
ASKELAND, Donald R.; PHUL, Pradeep P. The science and engineering of materials.
4
.
ed. California: Brooks/Cole-Thomson Learning, 2003.

CALLISTER JR., William D. Cincia e engenharia de materiais: uma introduo. 5.ed.
Rio de Janeiro: LTC, 2002.

CARAM JR., Rubens. Estrutura e propriedades dos materiais. Apostilha de aula.
Campinas: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP), 2000.

SMITH, William F. Princpios de cincia e engenharia de materiais. 3.d. New York:
McGraw-Hill, 1998.

VAN VLACK, L.H. Princpios de cincia dos materiais. 3.d. So Paulo: Edgard Blcher,
1977.

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Estrutura e Propriedades dos Materiais Difuso Atmica

UFPA ITEC FEM Prof. Jorge Tefilo de Barros Lopes

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