UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA UFSC

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA DEEL

TAREFA 5
Dimensionamento dos semicondutores, snubber
e capacitor do filtro de sada do conversor push-pull


EEL7200 Eletrnica de Potncia II











Lucas Stfano de Souza Pelegrino
Vincius Neto Trucco






FLORIANPOLIS, SC
2013
1

1. Dimensionamento dos semicondutores
1.1. Dimensionamento das chaves.

Ao dimensionar as chaves, foi considerado que o snubber diminuir a tenso de
pico at a faixa e 250V. Consideramos tambm, conservadoramente, que a temperatura
de operao da chave em torno de 100C, com temperatura ambiente em torno dos
60C. Devido a estas caractersticas, utilizaremos a chave do tipo MOSFET IRF730,
que conta com os seguintes parmetros:

Resistncia dreno-source da chave ligada:

()
Tempo de subida na comutao:

Tempo de descida na comutao:

Resistncia trmica de juno-encapsulamento:

Resistncia trmica de encapsulamento-dissipador:

Resistncia trmica de juno-ambiente:

Com esses parmetros e os valores calculados e de simulao do circuito de
potncia, temos as perdas por conduo e comutao (BARBI, 2007):

Onde:

Onde:

Para o clculo do dissipador, temos:

Considerando:

Percebe-se que somente a resistncia juno-ambiente do componente seria
suficiente, mas por medida de segurana resolvemos utilizar um dissipador.
Utilizaremos o dissipador HS 1509, com resistncia trmica de 19,8C/W, resultando
em uma temperatura de juno aceitvel de 67,87C.


2

1.2. Dimensionamento dos diodos retificadores

Segundo os clculos e as simulaes do conversor utilizado, chegamos nos
seguintes parmetros requeridos para os diodos:

Tenso reversa mxima aplicada no diodo:

Corrente de pico aplicada ao diodo:

Corrente direta mdia no diodo:

Com tais especificaes em mos e segundo a disponibilidade dos componentes,
foi escolhido o diodo retificador MUR450 com os seguintes parmetros:

Queda de tenso em conduo direta:

Corrente reversa de pico no diodo:

Tempo de pico corrente reversa:

Resistncia juno-ambiente:

As perdas de conduo e comutao do diodo so:

O diodo usado no aceita o acoplamento de um dissipador, mas fazendo os
clculos trmicos, percebemos que a resistncia trmica de juno-ambiente suficiente
para dissipar o calor. Para a temperatura T
a
=60C, temos a temperatura de juno:

3

1.3. Calculo do snubber

O esquema abaixo demonstra como o snubber foi empregado no circuito.


A mnima capacitncia a ser escolhida para o snubber, segue a seguinte
formulao :


Onde L a indutncia de disperso do transformador, I a corrente mxima que
passa na chave no instante que ela abre e Vds a mxima tenso que aceitamos nos
terminais da chave.
A indutncia de disperso que temos no transformador de aproximadamente
20mH, a corrente mxima que passa na chave antes dela abrir de aproximadamente
0.9A ( esta corrente foi obtida nas simulaes do circuito ) e a mxima tenso na chave
duas vezes a tenso na fonte E (72V) mais 50% deste valor, totalizando Vds= 216V.
Assim obtemos a capacitncia mnima de Cs=0.3472nF.

Foi escolhido ento uma capacitncia de 1.5nF.


A mxima resistncia do snubber segue a seguinte formulao:


Onde t
on
o tempo mnimo de conduo do transistor e Cs a capacitncia
escolhida para o snubber.
C L
I
V
ds
|

\
|
|
.
2
:=
V
ds
V
ds
R
t
on
3.Cs
:=
Cs
4

Ento obtemos a mxima resistncia do snubber Rs=7.778k. Para o projeto
foi escolhido Rs=7.5k

Os resultados so os seguintes:
Sem o snubber obtemos as seguintes tenses nas chaves :

Observa-se que a tenso na chave atinge valores muito altos nas simulaes.
E com o snubber obtemos as seguintes tenses nas chaves:

Observa-se que as tenses no so iguais, pois as indutncias de disperso no
so iguais. E em relao tenso, observamos que no momento em que a chave abre a
tenso no ultrapassa 200V.

As perdas no snubber:
A perda no resistor do snubber obtida pela seguinte formulao:

As perdas em comutao se do pela seguinte formula:



P
r
0.5C
s1
2 E ( )
2
f 0.311W = :=
P
1
I
2
t
fI
2

f
24 C
s1

1.8 10
4
W = :=
5


Onde t
fI
o tempo de fechamento da chave. Para o IFR730 t
fI
=20ns
Escolha do diodo do snubber:
Via simulao obtemos a mxima tenso no snubber de Vdp=123.6V, tenso
mdia de Vdm=39.38V e corrente mdia Im=5.164mA. De vemos escolher um diodo
de alta velocidade para o snubber.
O diodo que mais se adequa a essas especificaes o MUR120/3. Este diodo
tem tenso de conduo entre 0.71 e 0.875 V, tempo de recuperao de 25ns, corrente
reversa de no mximo 50uA, mas a tenso reversa mxima de 200V.

1.4. Capacitor da sada

A ondulao de tenso de sada do projeto ser de V= 1%, ento o capacitor
ter a capacitncia dada pela seguinte formulao:


n=0.8; E=72V;D=0.8;L=2.33mH; V=0.48V;f=20kHz;
obtemos ento C < 845nF
A tenso de sada fica assim:


C
n E D 1 D ( )
8 L AV f
2

:=
AV AV
6

2. Bibliografia

BARBI, I. . Projetos de Fontes Chaveadas. 1. ed. Florianpolis: Edio do
Autor, 2001. v. 1000. 332p .

MARTINS, D. C.. Eletrnica de Potncia: Semicondutores de Potncia
Controlados, Conversores CC-CC Isolados e Conversores CC-CC a Tiristor
(Comutao Forada). Florianpolis, SC: Editora Copyflo, 2006 (Apostila
Tcnica).