Interruptor Unilateral de Silicio SUS es un dispositivo de tres terminales (nodo,

ctodo y compuerta) el cual conduce en una sola direccin de nodo a ctodo cuando
el voltaje en el primero es mayor que en el segundo. Presenta caractersticas
elctricas muy similares a la de un diodo de cuatro
capas; sin embargo, la presencia de la terminal de
compuerta le permite controlar su voltaje de disparo.
Por su carcter unidireccional es utilizado para el
control de SCRs y para el control de TRIACS.
Este dispositivo comienza a conducir cuando el voltaje entre nodo y Ctodo alcanza
un valor Vs el cual tpicamente es de 6 a 10V. Despus de esto el voltaje cae
dependiendo de la corriente de conduccin. Hay que destacar que este dispositivo
seguir conduciendo mientras se mantenga un voltaje por encima de 0.7 y la corriente
de conduccin no caiga por debajo de la corriente de mantenimiento IH la cual
tpicamente es de 1.5mA. En el caso que se d una polarizacin inversa este
dispositivo no conduce, sin embargo tiene un lmite de voltaje inverso llamado VR el
cual puede estar por el orden de los 30V. Si se supera este voltaje entonces se
destruye el dispositivo.

Si aplicamos una diferencia de potencial entre la compuerta y el ctodo se puede
modificar considerablemente la curva de operacin del SUS. Una de las formas ms
clsicas de hacer esto es mediante un diodo zener, entre la compuerta y el ctodo. De
esta forma, el voltaje de Disparo (Vs) queda definido por:
Vs = Vz + 0.6 V

De lo observado hasta ahora podramos decir que el SUS es similar al UJT, sin
embargo, el SUS se dispara a una tensin determinada por el diodo zener, y su
corriente Is (corriente de activacin) resulta mayor y muy cercana a IH (corriente de
mantenimiento). Estos Datos limitan la frecuencia de trabajo del elemento para valores
altos y bajos.

En este circuito se controla el TRIAC mediante los disparos del SUS, que a su vez son
controlados por R1, R2 y C1





Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos
estados estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o
baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la
regin de alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado
apagado al de conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin
de conmutacin, denominada V
s
. La impedancia del diodo desciende bruscamente,
haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta
alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para
volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la
corriente de mantenimiento, denominada I
h
. En ese instante
el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms
la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales,
cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio
en la regin I (Punto A). La tensin inversa de avalancha es
denominada V
rb
.

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras
haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea
inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de
los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su
comportamiento es similar a una lmpara de nen.Los DIAC son una clase de tiristor,
y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor.
Existen dos tipos de DIAC:
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con
las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector.
Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose
un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados
en antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.

El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es
un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene
tres terminales denominados emisor ( ), base uno ( ) y base
dos ( ). Est formado por una barra semiconductora tipo N,
entre los terminales , en la que se difunde una regin tipo
P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que
determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de
resistencias o factor intrnseco.
Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos
contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican
como y respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura
p-n en el lmite de la varilla de aluminio y la placa de silicio
tipo n. El tercer terminal llamado emisor ( ) se hace a partir
de este material tipo-p. El tipo n est ligeramente
contaminado, mientras que el de tipo p est fuertemente
contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece
una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece
baja resistividad puesto que est fuertemente contaminado.

Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el
voltaje sobrepasa un valor de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de
modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la
resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin
se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso realimentado
positivamente, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace excelente para
conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajacin.
Operacin UJT se polariza normalmente segn se v en su curva de polarizacin. La
base se lleva a una tensin positiva (5VVBB30V). Por la
resistencia circula entonces una corriente :

El ctodo del diodo emisor se encuentra a una tensin:

El diodo puede presentar una polarizacin inversa si es inferior a por lo que se
presentar una corriente de fuga muy pequea. Por otro lado si es
superior , el diodo queda polarizado directamente y por ende circula una
corriente formada por portadores minoritarios que son depositados en . Esta se
anula disminuyendo su valor; por esto la tensin disminuye tambin, ahora si bien
si es constante, debe aumentar, lo que disminuye an ms a


Un SBS o Interruptor Bilateral de Silicio, por sus siglas en
ingls (Silicon Bilateral Switch) es un tiristor del tipo bidireccional, que
est compuesto por dostiristores unidireccionales o SUS conectados
en antiparalelo. Al igual que los tiristores UJT, PUT y SUS, el SBS es
utilizado en circuitos osciladores de relajacin para el control de disparo
de dispositivos que entregan potencia elctrica a una carga, como
los SCR y los TRIAC; la diferencia consiste en que pueden dispararse tanto en el
semiciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje de corriente alterna,
debido a que pueden polarizarse directa e inversamente.
Ventajas
Adems de su cada de voltaje ms drstica debido a su regin
de resistencia negativa, lo cual permite una conmutacin ms rpida, el SBS es
mucho ms estable trmicamente y ms simtrico que su familiar cercano, el DIAC.
Estabilidad trmica: Esto significa que ante incrementos de temperatura, el SBS
mantiene un voltaje muy estable; de acuerdo con la hoja de especificaciones de la
compaa POWEREX,
1
el modelo BS08D-T112 cuenta con un coeficiente
de temperatura de 0.01%/C. En otras palabras, por cada grado centgrado que vare
latemperatura del dispositivo, su voltaje de ruptura cambiar en un 0.01%,
convirtindolo en un dispositivo muy estable trmicamente hablando.
Simetra: Cuando se menciona que el SBS es simtrico, es porque los voltajes de
ruptura en los semiciclos positivos y negativos son iguales o casi iguales. Esto se
puede verificar en la seal de salida de un SBS: sus ngulos de disparo en los dos
semiciclos son prcticamente iguales.
Transistor monounin programable
El transistor monounin programable o PUT, es un dispositivo multi-unin que, con
dos resistencias externas, muestra caractersticas similares al UJT. Es un primo
cercano del tiristor y al igual que el tiristor se compone de cuatro capas PN. Tiene
un nodo y un ctodoconectado a la primera y la ltima capa, y una puerta conectada
a una de las capas internas. PUT no son directamente intercambiables con UJT
convencionales, pero realizan una funcin similar. En una configuracin de circuito
adecuado con dos resistencias de "programacin" para establecer el parmetro , se
comportan como un UJT convencional. El 2N6027 es un ejemplo de un dispositivo de
este tipo



En electrnica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina
dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par Darlington) en un nico
dispositivo.

Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que
dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington
es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico
tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un
mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah
que pueda convertirse fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es
mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de
silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlington se halla
multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla
multiplicando la intensidad de la base por la beta total.