Complementary metal oxide semi-conductor

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Complementary metal oxide semi-conductor
Vue en coupe d'un transistor MOS
La technologie CMOS, ou Complementary Metal Oxide
Semiconductor, est une technologie de fabrication de composants
lectroniques et, par extension, l'ensemble des composants fabriqus
selon cette technologie. l'instar de la famille Transistor-Transistor
logic (TTL), ces composants sont en majeure partie des portes logiques
(NAND, NOR, etc.) mais peuvent tre aussi utiliss comme rsistance
variable.
Dans ces circuits, un tage de sortie est compos d'un couple de transistors MOSFET N et P placs de manire
symtrique et ralisant chacun la mme fonction. Du fait de leur caractristique de fonctionnement inverse, un
transistor est passant alors que l'autre est bloquant
[1]
(ils sont donc complmentaires, d'o l'appellation
complementary).
Technologie de fabrication de composant logique
schma d'un inverseur CMOS
Pour expliquer le fonctionnement, on peut prendre par exemple le
circuit le plus simple existant, l'inverseur CMOS (fonction NON),
compos de deux transistors, un N et un P. La table de vrit de
l'inverseur est la suivante :
Inverseur
Entre Sortie
0 1
1 0
Si on applique l'entre un niveau haut, le transistor N est passant et le P est bloqu. On place ainsi la sortie au
potentiel Vss (la masse), c'est--dire l'tat bas. Inversement, quand on met l'entre l'tat bas, le transistor P est
passant et le N est bloqu. La sortie est donc l'tat haut. On a donc bien ralis une fonction inversion.
En fonctionnement normal, il n'y aucun chemin entre Vdd (l'alimentation positive) et Vss (la masse) ; la
consommation lectrique est donc nulle en rgime tabli. Cependant, durant les transitions entre tats (passage du
niveau haut au niveau bas et inversement), les deux transistors sont simultanment conducteurs pendant un court laps
de temps, ce qui entrane une consommation d'nergie. C'est pour cela que plus la frquence de l'horloge d'un circuit
intgr CMOS est leve, plus ce circuit consomme d'nergie. De la mme manire, une frquence donne, plus un
circuit intgr CMOS comporte de transistors, plus il consomme d'nergie.
Complementary metal oxide semi-conductor
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porte CMOS NAND
On ralise de la mme manire toutes les portes : ET avec deux P en parallle et
deux N en srie suivis d'un inverseur, OU avec deux P en srie et deux N en
parallle suivis d'un inverseur, etc.
Circuit spcialis
Par extension, le terme CMOS est aussi employ pour dsigner un circuit
spcialis prsent dans les micro-ordinateurs. Ce dernier contient une petite
mmoire ainsi qu'une horloge maintenues en fonctionnement permanent grce
une pile ou un accumulateur (recharg automatiquement lorsque l'alimentation
est en service). La technologie CMOS est ici privilgie car, grce sa
consommation extrmement rduite (de l'ordre de 10A), elle permet de longues
dures d'interruption de l'alimentation principale. La mmoire contient quelques
dizaines d'octets, utiliss pour stocker des informations dcrivant la configuration
de l'ordinateur (dtail des disques durs), des donnes ncessaires au
fonctionnement de son BIOS et au systme d'exploitation, ainsi que l'heure et la
date. Ce composant est une cible intressante pour les virus car il reste allum mme lorsque l'alimentation est
coupe.
Historique
En 1930, Julius Edgar Lilienfeld, de l'universit de Leipzig, dposait un brevet dans lequel il dcrivait un lment
assez proche du transistor MOS et qui aurait pu constituer le premier transistor de lhistoire. Il fallut cependant
attendre le dbut des annes 1960 pour voir apparatre les premiers dispositifs MOS puis CMOS industriels, dont le
dveloppement avait t rendu possible par les progrs enregistrs dans le domaine des transistors bipolaires, et en
particulier la rsolution des problmes d'interface oxyde-semiconducteur
[2]
. Aujourd'hui, le transistor MOS
constitue, grce sa simplicit de fabrication et ses dimensions rduites, l'lment fondamental des circuits intgrs
numriques.
Notes et rfrences
[1] [1] , 3.1-3.11
[2] John Richard Davis, , d. Gordon & Breach Science Publishers, 1980
Sources et contributeurs de larticle
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Sources et contributeurs de larticle
Complementary metal oxide semi-conductor Source: http://fr.wikipedia.org/w/index.php?oldid=101139066 Contributeurs: Archambaud, ArsniureDeGallium, BadGoliath42, Bub's, Curry,
Daniel*D, DocteurCosmos, Drongou, Ecclecticus, Fab97, Fafnir, Francois Trazzi, Freewol, HB, Hercule, Herman, Jbw, L.C., Lebens, Lenaic, Linedwell, Litlok, Looxix, MagnetiK, Manu fred,
Marc Mongenet, Med, MetalGearLiquid, Nono64, Overmac, Palpalpalpal, Pano38, Pld, Pulsar, Rhadamante, Sam Hocevar, Serge Nueffer, SergeMoutou, Sitelec, Speculos, Tangdur, Toutoune25,
Versgui, Yves-Laurent, Zedh, Zubro, 19 modifications anonymes
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