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ANLISIS Y DISEO DE CIRCUITOS

ELECTRNICOS
ML-831/A
PREVION4
Amplificador Diferencial

Integrantes:
Bazn Yaranga Cristopher 20112501F
Diburga Villanueva Reynaldo Jess 20114545K


UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA MECNICA
Fecha de entrega:24-03-2014

INDICE

EQUIPOS E INSTRUMENTOS UTILIZADOS.. 3
PROCEDIMIENTO 13

EQUIPOS E INSTRUMENTOS UTILIZADOS

El saln de laboratorio es un espacio adecuadamente ambientado para realizar las
diferentes experiencias. Est equipado con mesas, las suficientes para todos los
grupos. Estos materiales se encuentran en el mismo ambiente, y nos son
proporcionados al momento de las experiencias.
En el presente experimento, los materiales que se nos proporcionaron fueron:

Materiales:

1 Osciloscopio digital







1 Multmetro digital










1 PROTOBOARD







1 GENERADOR DE ONDAS








2 TRANSISTORES 2N3904













2 Resistencias (10K, 8K, 1k a 1/2W)








1 FUENTE DC







Diagrama de Transistor NPN

Datos de algunos de los instrumentos utilizados:

LOS TRANSISTORES

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir
una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador
Transistor de contacto puntual
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido
que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector

Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en
ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y
los aislantes como eldiamante. Sobre el sustrato de
cristal, se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o
PNP, quedando formadas dos uniones NP.

Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin
(JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la prctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio de tipo N o P.
En los terminales de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un transistor de
efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.
Si se difunden dos regiones P en una barra de
material N y se conectan externamente entre s,
se producir una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a
la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto
su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente.





































PROCEDIMIENTO
1. Armar el circuito de la figura



















2. Medir



3. Si

no es igual a

, ajuste el valor de

hasta obtener la igualdad, llenar la


siguiente tabla.




No se modifique el valor de

durante el resto del experimento.



4. Modo Diferencial: seleccione en el generador de ondas una onda senoidal de
100mV pico a pico con una frecuencia de 1 Khz y conecte esta seal entre las
bases de

sin modificar ningn valor de resistencias y voltajes continuos.



5. Utilizando el osciloscopio medir las tensiones entre la base de

y tierra, as
mismo entre la base

y tierra, graficndola anotando sus valores.



6. Con el OSCILOSCOPIO medir las tensiones entre

y tierra, y

y tierra,
grafique, tambin entre E y tierra.

7. Calcule la ganancia de

siendo

la onda senoidal de 100mV.



8. Usando el osciloscopio medir el valor de la tensin entre

, y hallar la
ganancia en modo diferencial (Ad).

9. Modo Comn: en el circuito anterior sin modificar los valores de las resistencias
y las fuentes DC, conectar las bases de

.

10. Seleccione en el generador de ondas, una onda senoidal de 50 mV pico a pico
y conecte esta onda a la base de

y repetir los pasos 5,6 y 7.



11. Utilizando el osciloscopio medir el valor de la tensin entre

y hallar la
ganancia en modo comn (Acm).