Prof.

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ELETRNICA

NDICE
2 TRANSISTOR BIPOLAR
FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES
POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN
TRANSISTOR PNP
AS CORRENTES NO TRANSISTOR
MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR

3 POLARIZAO DE TRANSISTORES
RETA DE CARGA
TRANSISTOR COMO CHAVE
O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE
O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
CIRCUITOS DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM
REGRAS DE PROJETO
EXERCCIOS
EXERCCIOS COM RESPOSTA

4 AMPLIFICADORES DE SINAL
4.1 AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM
TEOREMA DA SUPERPOSIO PARA AMPLIFICADORES
CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC
RESISTNCIA CA DO DIODO EMISSOR
CA -GANHO DE CORRENTE ALTERNADA
4.2 AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO
4.3 REALIMENTAO
4.4 AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL
IMPEDNCIA DE ENTRADA
ESTGIOS EM CASCATA
4.5 AMPLIFICADOR BASE COMUM
4.6 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM
IMPEDNCIA DE ENTRADA
4.7 DISTORO
4.8 EXERCCIOS
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2 TRANSISTOR BIPOLAR
Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrnica que so muitos fracos, como por
exemplo, as correntes eltricas que circulam no corpo humano, o sinal de sada de uma cabea de
gravao, etc., e para transforma-los em sinais teis torna-se necessrio amplifica-los. Antes da
dcada de 50, a vlvula era o elemento principal nesta tarefa. Em 1951, foi inventado o transistor. Ele
foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de juno, como uma alternativa em relao
as vlvulas, para realizar as funes de amplificao, deteco, oscilao, comutao, etc. A partir
da o desenvolvimento da eletrnica foi imenso.
Dentre todos os transistores, o bipolar muito comum, com semelhanas ao diodo estudado
anteriormente, com a diferena de o transistor ser formado por duas junes pn, enquanto o diodo
por apenas uma juno.

FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES
O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutor dopado. Dois cristais tipo n e
um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O primeiro chamado de transistor npn e o segundo de
pnp. Na Figura 2-1 so mostrados de maneira esquemtica os dois tipos:


Figura 2-1
Cada um dos trs cristais que compe o transistor bipolar recebe o nome relativo a sua
funo. O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos outros dois cristais,
levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade recebe o nome de emissor por emitir
portadores de carga, fortemente dopado e finalmente o ltimo cristal tem o nome de coletor por
receber os portadores de carga, tem uma dopagem mdia.
Em resumo:
Base (B): dopagem leve e muito fina. Assim, a maioria dos portadores lanados do emissor
para a base, conseguem atravess-la dirigindo-se ao coletor;
Coletor (C): mediamente dopado, coleta (recolhe) os portadores que vm da base. Ele muito
maior que as outras camadas, pois nele que se dissipa a maior parte da potncia
gerada pelos circuitos transistorizados;
Emissor (E): fortemente dopado, tem por funo emitir portadores de carga para a base (e
-
no
transistor NPN e lacunas no PNP).

Apesar de na Figura 2-1 no distinguir os cristais coletor e emissor, eles diferem entre si no
tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes, uma entre o emissor a base, e outra entre a
base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda
comumente designado diodo emissor -base (ou s emissor) e o da direita de coletor -base (ou s
coletor).
Ser analisado o funcionamento do transistor npn. A anlise do transistor pnp similar ao do
npn, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so lacunas em vez dos
eltrons livres. Na prtica isto significa tenses e correntes invertidas se comparadas com o npn.





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TRANSISTOR NO POLARIZADO


Figura 2-2



Figura 2.2 A - Aspectos construtivos e smbolos dos transistores bipolares

A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo. Cada
camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V (silcio) em 25C.
Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo tem larguras
diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra pouco na regio do emissor,
bastante na base e mdio na regio do coletor. A Figura 2-2 mostra as camadas de depleo nas
junes do transistor npn.

POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN
As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente.

JUNES COM POLARIZAO DIRETA
A juno E B funciona como um diodo quando polarizada diretamente, ou seja, por
ela circula uma elevada corrente (
B
) de portadores majoritrios (e
-
), Figura 2.3. Existe uma
pequena corrente (corrente de fuga) em sentido contrrio, devido aos portadores
minoritrios.











Figura 2.3- Polarizao direta da juno E B
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JUNES COM POLARIZAO REVERSA
Polarizando-se reversamente a juno C B a barreira de potencial aumenta,
diminuindo o fluxo de corrente de portadores majoritrios, como mostra a Figura 2.4. Os
portadores minoritrios atravessam a barreira de potencial com facilidade no sentido
contrrio, produzindo uma corrente reversa desprezvel. A corrente eltrica circulando pequena
(corrente de fuga).













Figura 2.4 - Polarizao reversa da juno B C

JUNES COM POLARIZAO DIRETA -REVERSA
Na Figura 2-5 o diodo coletor est reversamente polarizado e diodo emissor diretamente
polarizado. A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta corrente no diodo
emissor. No entanto isto no acontece, nos dois diodos as correntes so altas.


Figura 2.5 - Polarizao completa do transistor bipolar

Como a base mais fina e menos dopada, os portadores do emissor saturam a base
atravs de recombinaes. Assim, uma pequena parte dos portadores saem pela base e a maioria
sai pelo coletor.
No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os eltrons do emissor
ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emissor (VBE) for maior que 0,7V,
muitos eltrons do emissor penetram na regio da base. Estes eltrons na base podem retornar ao
plo negativo da bateria B1, ou atravessar a juno do coletor passando a regio do coletor. Os
eltrons que a partir da base retornam a bateria B1 so chamados de corrente de recombinao. Ela
pequena porque a base pouco dopada.
Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno basecoletor.
Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores majoritrios do cristal de
base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres. Esses atravessam sem dificuldade a
camada de depleo penetram na regio de coletor. L os eltrons livres so atrados para o plo
positivo da bateria B2.
Em suma, com a polarizao direta do diodo emissor, injetado uma alta corrente em direo
a base. Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao plo negativo da
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bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o plo positivo da bateria B2. Ver
Figuras 2.5 e 2-6.
Obs. Considerar a tenso coletor - base (VCB) bem maior que a tenso emissor -base (VBE).


Figura 2-6


TRANSISTOR PNP
No transistor pnp as regies dopadas so contrrias as do transistor npn. Isso significa que as
lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres.
O funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte dessas
lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase igual a do emissor. A
corrente de base muito menor que essas duas correntes.
Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp. Basta
trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diodos e capacitores
polarizados. E o funcionamento ser idntico ao modelo npn.
Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados so sempre os com transistores
npn.


AS CORRENTES NO TRANSISTOR


Figura 2.7- Tenses e correntes nos transistores bipolares

A Figura 2-7 mostra o smbolo esquemtico para um transistor pnp e npn. A diferenciao a
nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A direo da seta mostra o fluxo de
corrente convencional. Na figura mostrado tambm o sentido das correntes convencionais IB , IC e
IE .
A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num n igual a soma
das que saem. Ento:
IE = IC + IB Eq. 2-1
A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base chamada de
ganho de corrente CC :
CC
=
B
C
I
I
Eq. 2-2
Em geral mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor
praticamente igual a corrente de coletor. O parmetro cc de um transistor indica a relao entre a corrente de
emissor e coletor:
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CC
=
E
C
I
I
Eq. 2-3
Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto o cc. Pode-se relacionar o cc com o
CC :
cc
CC
CC

=
1
Eq. 2-4

Efeito de amplificao
Aumentado-se a corrente
de base
aumenta o nmero de recombinaes, aumentando-se
a corrente I
C
, pois I
B
controla a corrente entre o emissor e o coletor.
Como I
B
<< I
C
, uma pequena variao em I
B
(i
B
), Figura 7.8, provoca uma grande
variao em I
C
(i
C
). Portanto, verifica-se que i
C
um reflexo amplificado de I
B
.

Figura 2.7 A - Efeito de amplificao no transistor NPN

Como o transistor possibilita a amplificao de um sinal, ele chamado de componente
ativo.
O efeito de amplificao do transistor chamado de ganho de corrente (), sendo
expresso pela equao 2.2

TESTE DE DIODOS E TRANSISTORES.
Uma maneira simples mostrada a seguir para se testar diodos e transistores utilizando um
ohmmetro.
Teste de funcionamento de um diodo com um ohmmetro.
1. Encosta-se a ponta de prova negativa no ctodo
2. Encosta-se a ponta de prova positiva no nodo. O ohmmetro deve indicar resistncia baixa.
3. Inverte-se as pontas de provas, a resistncia deve ser alta.

Teste de funcionamento de um transistor npn com um ohmmetro
1. Encosta-se a ponta de prova negativa na base do transistor
2. Encosta-se a ponta de prova positiva no coletor do transistor O ohmmetro deve indicar resistncia
alta.

3. Muda-se a ponta de prova positiva para o emissor do transistor O ohmmetro deve indicar
resistncia alta.
4. Invertem-se as pontas de provas, isto , encosta-se a positiva na base e repete os itens 2 e 3. As
resistncias devem ser baixas.
Isto vlido para os multmetros digitais. Em geral, nos multmetros analgicos, a ponta de prova positiva est
ligada ao plo negativo da bateria.



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CONFIGURAES BSICAS




Base Comum









Emissor Comum










Coletor Comum








MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR
Na Figura 2-8, o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao emissor. Neste
caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. Alm da montagem em emissor
comum, existem as montagens em coletor comum e base comum, analisadas mais a frente. O
circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que contm a tenso VBE e malha da
direita com a tenso VCE.
BE B S S
V I R V + = Eq. 2-5

CE C C CC
V I R V + =

Eq. 2-6


Figura 2-8



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RELAO IB VERSUS VBE
Existe uma relao entre IB e VBE, ou seja, para cada IB existe uma tenso VBE correspondente
(Figura 2-9). Naturalmente, esta curva semelhante a curva do diodo.











Figura 2-9


RELAO IC VERSUS VCE
A partir de VCC e VS possvel obter diversos valores de IC e VCE . a Figura 2-10 mostra esta
relao supondo um IB fixo.

Figura 2-10

A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem e o
joelho. A parte plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do VCE no influencia no
valor de IC. IC mantm-se constante e igual a IB CC. A parte final a regio de ruptura e deve ser
evitada.
Na regio de saturao o diodo coletor est polarizado diretamente. Por isso, perde-se o
funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena resistncia hmica entre o
coletor e emissor. Na saturao no possvel manter a relao IC=IBCC. Para sair da regio de
saturao e entrar na regio ativa, necessria uma polarizao reversa do diodo coletor. Como VBE
na regio ativa em torno de 0,7V, isto requer um VCE maior que 1V.
A regio de corte um caso especial na curva IC x VCE. quando IB =0 (equivale ao terminal
da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto designada por ICEO (corrente de
coletor para emissor com base aberta). Esta corrente muito pequena, quase zero. Em geral se
considera: Se IB=0 IC =0.
O grfico da Figura 2-10, mostra a curva IC x VCE para um dado IB. Habitualmente o grfico
fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos IBs. Um exemplo est na Figura 2-11.
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Notar no grfico que para um dado valor de VCE existem diversas possibilidades de valores
para IC. Isto ocorre, porque necessrio ter o valor fixo de IB. Ento para cada IB h uma curva
relacionando IC e VCE.
No grfico de exemplo, a tenso de ruptura est em torno de 80V e na regio ativa para um
IB=40A tem-se que o CC=IC/IB = 8mA/40A=200. Mesmo para outros valores de IB, o CC se
mantm constante na regio ativa.
O material semicondutor sensvel temperatura, ou seja, com o aumento da
temperatura ocorre a gerao de novos portadores.
Nos transistores, a variao de temperatura (T) altera o ganho de corrente (), a
tenso base-emissor (V
BE
) e a corrente de fuga (I
F
). O CC no constante na regio ativa, e
varia no apenas com a temperatura ambiente como tambm com IC. A variao de CC pode ser
da ordem de 3:1 ao longo da regio ativa do transistor. Na Figura 2-12 mostrado um exemplo de
variao de CC.

T grande variao em I
C
, sem variao em I
B
circuito instvel

Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores. Sendo a
corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada), designa-se os circuitos com
transistores na regio ativa de circuitos lineares. As regies de corte e saturao, por simularem uma
chave controlada pela corrente de base, so amplamente usadas em circuitos digitais.

Como I
C
>> I
B
, >> 1. Logo, o transistor na configurao EC, funciona como um amplificador
de corrente.
Como a inclinao da curva caracterstica de sada varia para cada valor de I
B
, o ganho de
corrente no constante. Os valores tpicos de so de 50 a 900.


Limites dos transistores
tenso mxima de coletor: V
CEmax
;
corrente mxima de coletor:
Cmax
;
potncia mxima de coletor: P
Cmax
;
para EC: P
Cmax
= V
CEmax
x
Cmax
;
tenso de ruptura da junes (BV):





















BV
CBO
= tenso de ruptura entre C e B, com E aberto;
BV
CEO
= tenso de ruptura entre C e E, com B aberto;
BV
CES
= tenso de ruptura entre C e E, com B em curto.
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Figura 2-11



Figura 2-12



O MODELO DE EBERS-MOLL
Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se dificuldade em trabalhar com o
transistor a nvel de malhas. Uma opo a de se criar um circuito equivalente para o transistor
usando componentes mais simples como fonte ou resistor.
O modelo de Ebers-Moll um circuito equivalente do transistor levando em considerao que
ele esteja trabalhando na regio ativa, ou seja: o diodo emissor deve estar polarizado diretamente; o
diodo coletor deve estar polarizado reversamente e a tenso do diodo coletor deve ser menor do que
a tenso de ruptura. Veja Figura 2-13.
O modelo faz algumas simplificaes:
1. VBE =0,7V
2. IC=IE
CC
E
B
I
I

=
3. despreza a diferena de potencial produzida pela corrente de base ao atravessar a resistncia de
espalhamento da base

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Figura 3-1

O conceito de reta de carga estudado no captulo sobre diodos, tambm se aplica a
transistores. Usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e VCE considerando a
existncia de um RC.
A anlise da malha esquerda fornece a corrente IC:
C
CE CC
C
R
V V
I

= (Eq. 3-1)
Nesta equao existem duas incgnitas, IC e VCE. A soluo deste impasse utilizar o grfico
IC x VCE. Com o grfico em mos, basta calcular os extremos da reta de carga:

VCE=0IC=VCC / RC ponto superior corrente de saturao(IMX) (Eq. 3-2).
IC=0VCE=VCC ponto inferior tenso de corte (Eq. 3-3).

A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE.

Exemplo 3-1 No circuito da Figura 3-1 suponha RB= 500 Construa a linha de carga no
grfico da Figura 3-2 e mea IC e VCE de operao.

SOL.: Os dois pontos da reta de carga so: V
CE
=0I
C
=V
CC
/R
C
=15/1k5=10mA (ponto
superior), e I
C
=0V
CE
=V
CC
=15V (ponto inferior). A corrente de base a mesma que atravessa o
resistor R
B
:
A
k
o
I
B
29
500
7 , 15
=

=
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Figura 3-2
Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC=6mA e
VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q ou ponto quiescente).
O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a regio
de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte. Ver Figura 3-3.
O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 conhecido como corte.Nesse ponto a
corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena (ICEO ).
A interseo da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) chamada saturao. Nesse ponto a
corrente de coletor mxima.

Figura 3-3

3.2 O TRANSISTOR COMO CHAVE
A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave, significando uma operao
na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de carga. Quando o transistor
est saturado, como se houvesse uma chave fechada do coletor para o emissor. Quando o
transistor est cortado, como uma chave aberta.

CORRENTE DE BASE
A corrente de base controla a posio da chave. Se IB for zero, a corrente de coletor
prxima de zero e o transistor est em corte. Se IB for IB(SAT) ou maior, a corrente de coletor mxima
e o transistor satura.
Saturao fraca significa que o transistor est levemente saturado, isto , a corrente de base
apenas suficiente para operar o transistor na extremidade superior da reta de carga. No
aconselhvel a produo em massa de saturao fraca devido variao de CC e em IB(SAT).
Saturao forte significa dispor de corrente da base suficiente para saturar o transistor para
todas as variaes de valores de CC. No pior caso de temperatura e corrente, a maioria dos
transistores de silcio de pequeno sinal tem um CC maior do que 10. Portanto, uma boa orientao
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de projeto para a saturao forte de considerar um CC(SAT)=10, ou seja, dispor de uma corrente de
base que seja de aproximadamente um dcimo do valor saturado da corrente de coletor.

Exemplo 3-2 A Figura 3-4 mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado por
uma tenso em degrau. Qual a tenso de sada?
SOL.: Quando a tenso de entrada for zero, o transistor est em corte. Neste caso, ele se
comporta como uma chave aberta. Sem corrente pelo resistor de coletor, a tenso de sada iguala-se
a +5V.

Figura 3-4

Quando a tenso de entrada for de +5V, a corrente de base ser:

mA
k
I
B
43 , 1
3
7 , 0 5
=

=
Supondo o transistor com um curto entre coletor e o emissor (totalmente saturado). A tenso
de sada vai a zero e a corrente de saturao ser:
mA I
Csat
2 , 15
330
5
= =

Isto aproximadamente 10 vezes o valor da corrente de base, ou seja, certamente h uma saturao
forte no circuito.
No circuito analisado, uma tenso de entrada de 0V produz uma sada de 5V e uma tenso
de entrada de 5V, uma sada de 0V. Em circuitos digitais este circuito chamado de porta inversora
e tem a representao abaixo:



Exemplo 3-3 Recalcule os resistores RB e RC no circuito da Figura 3-4 para um IC=10mA.

SOL.: Clculo de I
B
: Se I
C
=10mAI
B
(sat) = I
C
/
CC(SAT)
= 10m/10 = 1,0mA
Clculo de R
C
: ao considerar o transistor saturado, o V
CE
de saturao prximo de zero.
C
CC
c
I
V
R = = 5 /10mA = 500
Clculo de R
B

B
BE E
B
I
V V
R

= = 5 - 0.7 / 1mA = 4k3


0V5V
5V0V
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3.3 O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE
A Figura 3-5 mostra um transistor como fonte de corrente. Ele tem um resistor de emissor RE
entre o emissor e o ponto comum. A corrente de emissor circula por esse resistor produzindo uma
queda de tenso de IE RE.

Figura 3-5
A soma das tenses da malha de entrada da : VBE + IE RE - VS = 0 logo,
E
BE S
E
R
V V
I

=
Como V
BE
, V
S
, e R
E
so aproximadamente constantes, a corrente no emissor constante.
Independe de
CC
, R
C
ou da corrente de base.


3.4 O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

CIRCUITOS DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM
Fontes de alimentao e resistores polarizam um transistor, isto , eles estabelecem valores
especficos de tenses e correntes nos seus terminais, determinando, portanto, um ponto de
operao no modo ativo (o ponto de operao). A Figura 3.6 mostra o circuito de polarizao da base
j estudado anteriormente (Figura 3.4, transistor como chave), a principal desvantagem dele a sua
susceptibilidade variao do CC. Em circuitos digitais, com o uso de CC(SAT), isto no
problema. Mas em circuitos que trabalham na regio ativa, o ponto de operao varia sensivelmente
com o CC pois I
C=
CCIB
.




CIRCUITO DE POLARIZAO EC COM POLARIZAO DA BASE











Figura 3.6 - Circuito de polarizao EC com polarizao da base




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Para que transistor trabalhe na regio ativa:
juno E B: polarizada diretamente;
juno B C: polarizada reversamente

Para tanto, utilizam-se duas fontes de alimentao e resistores para limitar as
correntes e fixar o ponto Q do circuito. VBB a fonte que alimenta a malha B-E.
A notao VBB para distinguir a tenso da fonte da tenso VB.

Malha de entrada

B
BE BB
E C
B
BE BB
B BE B B BB
R
V V
I I
R
V V
I V I R V

= =

= = 0

Malha de sada:
C
CE CC
C CE C C CC
R
V V
I V I R V

= = 0


Pela equao da malha de entrada pode-se observar que a corrente quiescente totalmente
dependente do . Outra desvantagem o uso de duas fontes de tenso.


O mesma polarizao pode ser modificada obtendo-se o circuito abaixo.Neste circuito faz-se
R
B
> R
C
para garantir a polarizao direta da juno E B e reversa da juno B C elimina-se a
fonte de alimentao V
BB
simplificao do circuito e reduo de custo, porm o circuito continua
dependente do como visto na equao da malha de entrada












Circuito de polarizao EC com polarizao da base modificado

Malha de entrada

B
BE CC
E C
B
BE CC
B BE B B CC
R
V V
I I
R
V V
I V I R V

= =

= = 0

Malha de sada:
C
CE CC
C CE C C CC
R
V V
I V I R V

= = 0







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CIRCUITO DE POLARIZAO EC COM CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE
(REALIMENTAO DO EMISSOR)










Circuito de polarizao EC com corrente de emissor constante

Aumentando a temperatura, aumenta
C
,
E
, V
RC
e V
RE
, diminuindo V
CEQ
realimentao
positiva instabilidade;
Com o aumento de V
RE
, diminui V
RB
(V
BE
constante);
Com a diminuio de V
RB
, diminui
BQ
. Assim,
CQ
diminui compensando seu aumento
inicial;
O aumento de V
RE
gera uma realimentao negativa, que garante a estabilidade
do circuito e do ponto Q.

Malha de entrada:

B
E
BE CC
C
E B
BE CC
B B C E E E BE B B CC
R
R
V V
I
R R
V V
I I I I I R V I R V
+

=
+

= = = 0
Malha de sada:
E C
CE CC
C E C E E CE C C CC
R R
V V
I I I I R V I R V
+

= = 0



CIRCUITO DE POLARIZAO DO EMISSOR
- VEE
VCC
RC
RB
RE

Malha de entrada:

B
E
BE EE
C
E B
BE EE
B B C E EE E E BE B B
R
R
V V
I
R R
V V
I I I I V I R V I R
+

=
+

= = = 0
considerando ( )
E
BE EE
C EE B B
R
V V
I V I R

= 0

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Malha de sada:
E C EE E E CE C C CC
I I V I R V I R V = + 0

A anlise da malha de entrada desprezando a queda de tenso no resistor R
B
mostra que a
corrente de operao independe de , sendo um circuito estvel com a desvantagem de necessitar
de duas fontes de alimentao.



POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO

Figura 3-7

O circuito mais usado em amplificadores chamado de polarizao por divisor de tenso
mostrado na figura 3-7.
A principal evoluo do circuito em relao aos circuitos anteriores fixar uma tenso na
base, atravs do divisor de tenso formado pelos resistores R1 e R2 e utilizar apenas uma fonte de
alimentao. O valor de I deve ser bem maior que IB para a corrente IB no influenciar na tenso sob
R2. Como regra prtica, considerar a corrente I 20 vezes maior que IB.
Clculo da tenso em VR2 tambm chamada de tenso Thevenin(Vth): Supondo I>> IB
CC R
V
R R
R
V
2 1
2
2
+
=

Eq. 3- 4

* A tenso VR2 no depende de CC. Com o valor de VR2 simples o clculo de IE. Deve-se
analisar a malha de entrada:
E BE R
V V V + =
2
Eq. 3.5
como VE = IE RE
E
BE R
E
R
V V
I

=
2


Eq. 3- 6
Anlise da malha de sada:
E C
CE CC
C E E CE C C CC
R R
V V
I R I V R I V
+

= = 0
, onde IE = IC
Notar que CC no aparece na frmula para a corrente de coletor. Isto quer dizer que o
circuito imune a variaes em CC, o que implica um ponto de operao estvel. Por isso a
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polarizao por divisor de tenso amplamente utilizada.
CE E C C CC
V R R I V + + = ) (
Eq. 3.7

E C
CE CC
C
R R
V V
I
+

=
Eq. 3.8


Exemplo 3-4 Encontre o VB, VE, VCE e IE para o circuito da Figura 3.8.
SOL.: Clculo de VR2 a partir da Eq. 3.4
V
k k
k
V V
R B
85 , 3 30 .
1 8 6
1
2
=
+
= =
Clculo de IE a partir da Eq. 3-6
mA I
E
2 , 4
750
7 , 0 85 , 3
=

=

Clculo de VE:
VE = IE RE = 4,2m*750= 3,15V

clculo de VCE a partir da Eq. 3.7:
VCE = 30-4,2m*(3k+750)=14,3V



REGRAS DE PROJETO
Sempre ao polarizar um transistor, deseja-se manter o ponto Q de operao fixo
independente de outros parmetros externos. ou seja, espera-se um divisor de tenso estabilizado.
Para minimizar o efeito do CC, considerar:
R
2
0,01
CC
R
E
Eq. 3.9
onde o valor de CC o do pior caso, ou seja, o menor CC que o transistor pode ter.
O defeito desta regra, o fato de um baixo R2 influenciar negativamente na impedncia de
entrada. Ento como opo pode-se considerar
R
2
0,1
CC
R
E
Eq. 3- 10

assim R2 ser maior, mas com possibilidade de degradao na estabilidade do ponto Q. Quando se
segue a regra da Eq. 3-10 designa-se o circuito de polarizao por divisor de tenso firme e quando
se segue a regra da Eq. 3.9 polarizao por divisor de tenso estabilizado.
Na escolha do ponto de operao da curva IC x VCE, deve-se dar preferncia a um ponto
central, isto , VCE =0,5VCC ou IC =0,5IC(SAT). De forma que o sinal possa excursionar ao mximo tanto
com o aumento de IB quanto com a diminuio.
Por ltimo, aplicar a regra de VE ser um dcimo de VCC.
VE = 0,1 VCC Eq. 3- 11

Exemplo 3-5 Polarizar um transistor por diviso de tenso firme. Dados:
VCC= 10V, IC= 10mA e CC= 100
30V
Figura. 3.8
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SOL.: Clculo de RE aplicando a regra da Eq. 3-11
VE= 0,1*10=1V
IE= IC
RE= VE/ IE = 100
clculo de RC a partir da Eq. 3-8 e VCE= 0,5 VCC
=

= 400 100
10
5 10
m
R
C

clculo de R2 a partir da Eq. 3-10
R
2
0,1*100 * 100= 1000
R2 = 1000
clculo de R1 Eq. 3-4
10 *
1000
1000
7 , 0 1 .
1 2 1
2
2
R
V
R R
R
V
CC R
+
= + =
+
=
7 , 0 1
10000
1000
1
+
= + R
1000 4 , 5882
1
= R
R1 = 4882,4=4k7

3.5 EXERCCIOS
Ex. 3-1) No circuito da figura abaixo, encontre as tenses VB, VC, VE e VCE de cada estgio.

Ex. 3-2) Projete um circuito de polarizao por divisor de tenso com as seguintes especificaes:
VCC = 20V, IC = 5mA, 80< CC < 400. Considere VE = 0,1 VCC e VCE = VCC /2
Ex. 3-3) O transistor da figura abaixo tem um CC =80.
Qual a tenso entre o coletor e o terra?
Desenhe a linha de carga.
Para CC = 125, calcule a tenso na base, a tenso no emissor e a tenso de coletor.

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Ex. 3-4) Qual a tenso do emissor e do coletor (os dois em relao ao terra) para cada estgio do
circuito abaixo, sendo VCC = 10V.

Ex. 3-5) No exerccio anterior, suponha VCC = 20V e calcule de cada estgio: VB, VE, VC e IC .
Ex. 3-6) Ainda em relao ao exerccio 4. Considere VCC =20V.
Indique o que ocorre com a tenso do coletor Q1 (aumenta, diminui, no altera) se:
. 1k8 aberto
. coletor emissor do Q1 em curto
. 240 aberto
. 240 em curto
. 300 em curto
. 1k aberto
910 aberto
Indique o que ocorre com a tenso do coletor Q3 (aumenta, diminui, no altera) se:
1k aberto 1k em curto
180 aberto 180 em curto
620 aberto 620 em curto
coletor emissor de Q3 aberto coletor emissor de Q3 em curto
150 aberto 150 em curto



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3.6 EXERCCIOS COM RESPOSTA

1. Determinar as seguintes quantidades para a configurao da figura abaixo: I
B
, I
C
, V
CE
, V
B
e V
C
.
Resp.: B = 47,08 A - C = 2,35 mA VCE = 6,83 V VB = 0,7 V VC = 6,83 V






2. Para o circuito da figura abaixo, determinar: IB, IC, IE ,VCE, VB, VC e VE.
Resp.: B = 40,1 A - C =E = 2,01 mA VCE = 13,97 V VB = 2,71 V VC = 15,98 V VE = 2,01 V










3. Determinar o ponto Quiescente (Q) e a reta de carga para a configurao da figura abaixo.
Resp.: VCEQ = 12,22 V - CQ = 0,85 mA - Csat = 1,91 mA VCEcorte = 22 V


















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4. Determinar VC e VB para o circuito da figura abaixo.
Resp.: VC = - 4,48 V VB = - 8,3 V













5. Determinar VC e VB para o circuito da figura abaixo.
Resp.: VC = 8,53 V VB = - 11,59 V













6. Para o circuito dCriado por Stelamaris e RobertoCriado por Stelamaris e Robertoa figura abaixo,
determinar: I
C
, RC, RB e V
CE
.
Resp.: C = 3,2 mA RC = 1,87 k - RB = 282,5 k - VCE = 6 V








7. Para o circuito da figura abaixo, determinar: I
BQ
, I
CQ
, V
CEQ
, VC, VB e VE.
Resp.: BQ = 29,24 A - CQ = 2,92 mA - VCEQ = 8,59 V - VC = 12,99 V - VB = 5,08 V VE =
4,38V






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8. Para o circuito da figura abaixo, determinar: R
C
, R
E
, R
B
, V
CE
e V
B
.
Resp.: R
C
= 4,7 k - R
E
= 1,2 k - R
B
= 356 k - VCE = 0,2 V VB = 3,1 V







9. Para o circuito da figura abaixo, determinar: I
BQ
, I
CQ
, V
CEQ
, V
C
, V
B
e V
E
.
Resp.:
BQ
= 24,78 A -
CQ
= 1,98 mA - V
CEQ
= 6,9 V - V
C
= 8,28 V - V
B
= 2,05 V - V
E
= 1,35 V



















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4 AMPLIFICADORES DE SINAL

4.1 AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM
No captulo anterior foi estudado a polarizao dos transistores. Neste captulo considerase
os transistores devidamente polarizados com seus pontos de operao prximos a meio da reta de
carga para uma mxima excurso do sinal de entrada sem distoro.
Ao injetar um pequeno sinal ca base do transistor, ele se somara a tenses cc de
polarizao e induzir flutuaes na corrente de coletor de mesma forma e freqncia. Ele ser
chamado de amplificador linear (ou de alta-fidelidade -Hi-Fi) se no mudar a forma do sinal na sada.
Desde que a amplitude do sinal de entrada seja pequena, o transistor usar somente uma pequena
parte da reta de carga e a operao ser linear. Por outro lado se o sinal de entrada for muito
grande, as flutuaes ao longo da reta de carga levaro o transistor saturao e ao corte
Figura 4-1


Um circuito amplificador mostrado na Figura 4-2. A polarizao por divisor de tenso. A
entrada do sinal acoplada base do transistor via o capacitor C1 e a sada do sinal acoplada
carga RL atravs do capacitor C2. O capacitor funciona como uma chave aberta para corrente cc e
como chave fechada para a corrente alternada. Esta ao permite obter um sinal ca de uma estgio
para outro sem perturbar a polarizao cc de cada estgio.


Figura 4-2



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CAPACITOR DE ACOPLAMENTO
O capacitor de acoplamento faz a passagem de um sinal ca de um ponto a outro, sem perda
significativa do sinal. Por exemplo na Figura 4-3 a tenso ca no ponto A transmitida ao ponto B.
Para no haver atenuao aprecivel do sinal, a capacitncia reativa XC, comparada com a
resistncia em srie (RTH e RL ), precisa ser bem menor.
Figura 4-3
Quanto menor a reatncia capacitiva, melhor ser o acoplamento, naturalmente no possvel uma
reatncia nula. Se a reatncia for no mximo 10% da resistncia total tem-se um acoplamento
estabilizado. A frmula da reatncia capacitiva :

fC
X
C
2
1
=
Eq. 4- 1
Na Eq. 4-1, h duas incgnitas, a freqncia e a capacitncia. Num amplificador existe um
faixa de freqncias de operao, a escolha deve recair para o pior caso, ou seja, a menor
freqncia do sinal.
A resistncia total (R) a soma de RL e RTH. Para um acoplamento estabilizado X
C
R1,0 .
ento a capacitncia ser:
R f
C
MENOR
2 , 0
1

Eq. 4- 2

Exemplo 4-1 Suponha o projeto de um estgio com transistor na faixa de udio, 20 Hz a 20kHz. O
sinal de entrada entra no estgio via capacitor de acoplamento. Qual o valor mnimo para o capacitor
se ele perceber uma resistncia total de 10 k?
SOL.: Clculo do XC:
X
C
0,1.R =0,1*1000=100
A escolha da freqncia recai sobre a de menor valor f=20Hz.
F C

9 , 79
1000 . 20 . 2 , 0
1
=
A capacitncia deve ser igual ou maior que 79,9F

CAPACITOR DE DESVIO
Um capacitor de desvio semelhante a um capacitor de acoplamento, exceto que ele acopla
um ponto qualquer a um ponto aterrado, como mostra a Figura 4.4. O capacitor funciona idealmente
como um curto para um sinal ca. O ponto A est em curto com o terra no que se refere ao sinal ca.
O ponto A designado de terra ca. Um capacitor de desvio no perturba a tenso cc no ponto A
porque ele fica aberto para corrente cc.
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Figura 4-4
O capacitor C3 da Figura 4-2 um exemplo de capacitor de desvio. A sua funo no circuito
a de aterrar o emissor para sinais ca e no interferir na polarizao cc.
A menos que se diga o contrrio, todos os capacitores de acoplamento e desvio so
considerados estabilizados e segue a regra R X
C
1 , 0


TEOREMA DA SUPERPOSIO PARA AMPLIFICADORES
Num amplificador transistorizado, a fonte cc estabelece correntes e tenses quiescentes. A
fonte ca produz ento, flutuaes nessas correntes e tenses. O jeito mais simples de anlise do
circuito dividindo a anlise em duas partes: uma anlise cc e uma anlise ca. Em outras palavras,
aplica-se o teorema da superposio.
O teorema da superposio diz que se pode calcular os efeitos produzidos no diversos pontos
de um circuito para cada fonte de alimentao funcionando sozinha. O efeito total ser a soma de
cada efeito individual.


CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC.
O circuito da Figura 4-2 tem duas fontes de alimentao (VCC e VS). Cria-se o circuito devido
a fonte cc denominado equivalente cc. E depois o circuito devido a fonte ca denominado equivalente
ca.


EQUIVALENTE CC
Anlise do circuito considerando a fonte VCC e desprezando a fonte VS. Somente correntes cc
atuam neste caso e, portanto, os capacitores so desprezados. Seqncia:
. Reduzir a fonte ca a zero (considerar a fonte VS em curto).
. Abrir todos os capacitores.

A Figura 4-5 mostra o circuito equivalente cc.


Figura 4-5
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EQUIVALENTE CA
Anlise do circuito considerando a fonte VS e desprezando a fonte VCC. Somente correntes ca
atuam neste caso e, portanto, os capacitores so considerados em curto. Seqncia:
Reduzir a fonte cc a zero (considerar a fonte VCC em curto).
Todos os capacitores em curto. A Figura 4-6 mostra o circuito equivalente ca.

Figura 4-6
A corrente total em qualquer ramo a soma das correntes cc e ca. Igualmente a tenso total
em qualquer ponto soma das tenses cc e ca.


NOTAO
A partir daqui, conveniente distinguir os sinais contnuos dos alternados. Para isto as
variveis com suas letras e ndices passam a ter a seguinte conveno:
letra e ndices maisculos para as quantidades cc. IC, VE, VCC.
letras e ndices minsculos para as quantidades ca. ic, ve, vs.
sinal negativo para indicar tenses ou correntes senoidais 180 fora de fase como na Figura
4-7

Figura 4-7

RESISTNCIA CA DO DIODO EMISSOR
Ao polarizar corretamente o transistor, o modelo Ebers-Moll uma alternativa boa e simples
de representao do transistor. At agora, o VBE foi aproximado para 0,7V. O modelo continua vlido
para pequenos sinais alternados, com uma alterao no diodo emissor.
A Figura 4-8 mostra a curva do diodo relacionando IE e VBE. Na ausncia de um sinal ca o
transistor funciona no ponto Q, geralmente localizado no meio da linha de carga cc. Quando um sinal
ca aciona o transistor, entretanto, a corrente e a tenso do emissor variam. Se o sinal for pequeno, o
ponto de funcionamento oscilar senoidalmente de Q a pico positivo de corrente em A e, a seguir,
para um pico negativo em B, e de volta para Q, onde o ciclo se repete.
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Figura 4-8

Um sinal considerado pequeno quando a oscilao de pico a pico na corrente do emissor
(ie) for menor do que 10% do valor da corrente quiescente do emissor (I
E
).
Se o sinal for pequeno, os picos A e B sero prximos de Q, e o funcionamento
aproximadamente linear. O arco A e B quase uma linha reta. Logo, o diodo emissor para pequenos
sinais ca se apresenta como uma resistncia, chamada de resistncia ca do emissor e pela lei de
Ohm:
E
BE
e
I
V
r

=
'
Eq. 4- 3

onde:
e r
'
resistncia ca do emissor
V
BE
pequena variao na tenso de base-emissor
I
E
variao correspondente na corrente do emissor.

VBE e IE, na verdade so, respectivamente, uma tenso e uma corrente alternada. Reescrevendo:
e
be
e
i
v
r =
'
Eq. 4- 4
be
v tenso ca atravs dos terminais da base-emissor
e
i corrente ca atravs do emissor. A Figura 4-9 mostra o modelo ca Ebers-Moll.
Neste modelo, o diodo base-emissor substitudo pela resistncia ca do emissor.
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Figura 4-9

Uma outra maneira de se conseguir o valore de r e atravs da seguinte frmula:
E
e
I
mV
r
25
'
=
Eq. 4-5
Obs.: e r
'
depende s de I
E
de polarizao.
CA

- GANHO DE CORRENTE ALTERNADA

A Figura 4-10 mostra a curva IC x IB. CC a razo entre a corrente de coletor e a corrente de
base. Como o grfico no linear, CC depende do valor do ponto Q. O ganho de corrente ca
(chamado de ca ou simplesmente ) a relao entre a variao da corrente de coletor e a variao
da corrente de base para pequenos sinais em torno do ponto Q.
b
c
B
C
i
i
I
I
=

=
Eq. 4-6
Graficamente a inclinao da curva no ponto Q. Ele pode assumir diversos valores
dependendo da posio Q.


4.2 AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO
A Figura 4-11mostra um circuito com um capacitor de desvio ligado ao emissor. O capacitor
aterra o emissor em termos de ca. A fonte vs injeta uma pequena onda senoidal base do transistor
atravs do capacitor de acoplamento. Esta onda faz variar a tenso de vbe e pela curva da Figura 4-8
induz uma variao no ie. Como a corrente de coletor praticamente igual a corrente de emissor, h
uma queda de tenso proporcional no RC. Sendo mais preciso, um pequeno aumento na tenso vs,
aumenta a tenso de baseemissor, que por sua vez aumenta a corrente ie, como ic igual a ic, h
uma queda de tenso nos terminais do RC o que culmina com uma queda de tenso de vce. Em suma
uma variao positiva de vs produz uma variao negativa em vce, isto significa que os sinais de
entrada e sada esto defasados de 180. Veja a Figura 4-12.
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Figura 4-10



Figura 4-12
GANHO DE TENSO
O ganho de tenso :
entrada
sada
V
v
v
A =
Eq. 4- 7


Figura 4-13



Figura 4-11
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A Figura 4-13 mostra o circuito equivalente ca para o amplificador da Figura 4-11, o resistor
do coletor RC e R1 tem um dos lados aterrado, porque a fonte de tenso VCC aparece como um curto
em ca. Por causa do circuito paralelo na entrada, a tenso vs aparece diretamente sobre diodo
emissor. Na Figura 4-14 o mesmo circuito ao considerar o modelo Ebers-Moll.
A tenso de entrada aparece com uma polaridade mais -menos para indicar o semiciclo positivo. A
lei de Ohm aplicada em r
e
:

'
e
s
e
r
v
i =

'
Eq. 4- 8

e

Figura 4-14

Na Figura 4-14, a malha do lado direito tem dois resistores em paralelo RC e RL. O resistor
equivalente :
rC = RL // RC

A tenso de sada a tenso sobre o resistor equivalente rC.
c c sada
i r v =

Eq. 4- 9
ento o ganho
e e
c c
entrada
sada
V
i r
i r
v
v
A
'

= =
Eq. 4- 10
como a corrente do coletor aproximadamente igual a corrente do emissor o ganho com carga
'
e
L
' r
//R
C
e
c
V
R
r
r
A =

=
Eq. 4- 11

4.3 REALIMENTAO
Quando uma parte do sinal de sada de um circuito aplicado de volta entrada do mesmo,
dizemos que houve uma realimentao no circuito. Quando o sinal aplicado novamente entrada do
circuito possui a mesma fase que o sinal existente na entrada, este processo designado como
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realimentao positiva. Por outro lado, se o sinal reaplicado na entrada tiver fase oposta ao sinal j
existente na entrada, o nome dado realimentao negativa.
A realimentao negativa mais aplicada nos amplificadores e, a realimentao positiva, na
maioria dos circuitos osciladores.
A realimentao negativa em amplificadores tem como desvantagem a diminuio do ganho, dado
que ela subtrai parcialmente a tenso de entrada. A sua grande vantagem estabilizao do circuito.
O prximo item analisa um circuito com realimentao negativa, observando a questo do ganho e
da estabilidade

4.4 AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL
No amplificador de emissor comum a tenso de sada inversamente proporcional a r
e
. que
depende do ponto de operao. Isto um problema para a tenso de sada, pois, ela se torna
susceptvel as variaes de temperatura e troca de transistor.
Naturalmente nos amplificadores com controle de volume (tenso de entrada), o problema
contornvel. Mas nem todos o amplificadores tem este controle. Uma opo para estabilizar o ganho
de tenso deixar uma certa resistncia de emissor sem ser desviada. Esse resistor no desviado
recebe o nome de resistor de realimentao porque ele produz uma realimentao negativa. Veja
Figura 4-15.

Figura 4-15

A corrente ca do emissor deve circular atravs do resistor R
E1
antes de passar pelo capacitor
de desvio e pelo ponto de aterramento. Sem o resistor de realimentao o diodo emissor recebe toda
a tenso ca de entrada (como mostrado na Eq. 4-8). No entanto com a incluso do R
E1
, a tenso ca
aparece no diodo e no R
E1
. Ou seja:
1 RE BE s
v v v + =

ou
1 RE s BE
v v v =


Quando a tenso de entrada aumenta, a tenso no emissor aumenta. Isso implica que a
tenso de realimentao est em fase com a tenso ca de entrada. Como resultado, a tenso ca no
diodo emissor menor que antes. A realimentao negativa porque a tenso de realimentao
diminui a tenso ca no diodo emissor e portanto a corrente i
e
.
Prof. SantAnna 33


Figura 4-16

Na Figura 4-16 est o equivalente ca do amplificador com realimentao parcial. a equao da
corrente de emissor :
1
'
E e
s
e
r r
v
i
+
=

a tenso de sada o mesmo que da Eq. 4-9:
c c sada
r i v =

considerando ic=ie
1
'
E e
c c
entrada
sada
v
r r
i r
v
v
A
+

= =
Eq. 4- 12

Em geral o valor de r
E!
bem maior que o de r
e
e o ganho de tenso passa a no ser
influenciado pelas variaes de r
e
. Em contrapartida, quanto maior o r
E1
menor ser o ganho de
tenso. Em suma, existe um compromisso entre a estabilidade do ganho de tenso e o valor do
ganho.

IMPEDNCIA DE ENTRADA
No circuito da Figura 4-15 a tenso de entrada aplicada diretamente na base do transistor.
No entanto, na maioria das aplicaes a fonte vs tem uma resistncia em srie como mostrado na
Figura 4-17.

Figura 4-17
Prof. SantAnna 34

Para uma anlise mais detalhada do comportamento ca, deve-se primeiro criar o equivalente
ca como mostrado na Figura 4-18.
No circuito equivalente, pode-se ver um divisor de tenso do lado da entrada do transistor.
Isso significa que a tenso ca na base ser menor que a tenso vs.
O divisor de tenso formado pelo resistor RS e os resistores R1 //R2. Mas como na base do
transistor entra uma corrente ib, ela deve ser considerada. A resistncia ca vista da base conhecida
como impedncia de entrada da

base. Abaixo de 100kHz basta considerar os elementos puramente
resistivos.

Figura 4-18

A impedncia de entrada da base a razo entre a tenso aplicada na base (vb) e a corrente
ib.
b
b
base
i
v
z =
Eq. 4-13
Para descobrir a impedncia da base melhor aplicar o modelo de Ebers-Moll no circuito da
Figura 4-18.

Figura 4-19

atravs do circuito possvel saber o valor vb em funo de r e.
'
e e b
r i v =

e a partir da Eq. 4-13:

'
' '
e
b
e b
b
e e
b
b
base
r
i
r i
i
r i
i
v
z

= = = =

'
Eq. 4- 14
Prof. SantAnna 35


A impedncia de entrada do estgio (zent) a resultante do paralelo de R1, R2 e zbase.
'
e 2 1 base 2 1
r // //R //z //R R R z
ent
= = Eq. 4- 15

A tenso ca na base o divisor de tenso RS com a impedncia de entrada do estgio
ent s
s ent
b
z R
v z
v
+
=
.
Eq. 4- 16

No amplificador com realimentao parcial, aplica-se a mesma regra, a nica diferena a
impedncia de entrada da base. Ela ser:
( )
E e base
R r z + = '
Eq. 4- 17
ESTGIOS EM CASCATA
Para obter um maior ganho de tenso na sada de um amplificador, usual conectar dois ou
mais estgios em srie, como mostra a Figura 4-20. Este circuito chamado de estgios em cascata,
porque conecta a sada do primeiro transistor base do seguinte.
Abaixo uma seqncia de valores a serem calculados para anlise de um amplificador de
dois estgios:
1. O ganho de tenso de 2 estgio.
2. A impedncia de entrada do 2 estgio.
3. A resistncia ca do coletor do 1 estgio (carga do primeiro estgio=
2
//
IN CA
Z R .)
4. O ganho de tenso do 1 estgio.
5. A tenso de entrada do 1 estgio
6. O ganho de tenso total.


Figura 4-20

A polarizao cc analisada individualmente, os capacitores de acoplamento isolam os dois
estgios entre si e tambm da entrada vs e sada RL (o resistor de carga pode, por exemplo, estar
representando um terceiro estgio).
Os dois estgios so idnticos para polarizao cc.
VB= 1,8V VE= 1,1V IE= 1,1mA VC= 6,04V

com o valor de I
E
, tem-se '
e
r :
Prof. SantAnna 36

= = 7 , 22
25
'
E
e
I
mV
r

ANLISE DO PRIMEIRO ESTGIO

Figura 4-21

O equivalente ca mostrado na Figura 4-21:
O segundo estgio age como uma resistncia de carga sobre o primeiro. O valor desta carga a
impedncia de entrada do segundo estgio zentb. Supondo = 100:
= = = = 1k .22,7 //2k2//100 10 r // //R //z //R '
e 2 1 base 2 1
k R R z
ent



na Figura 4-21, RC est em paralelo com zentb:
rc=RC//zentb=3,6k//1k=783

o ganho de sada do primeiro estgio
AV=-783/22,7=-34,5

O primeiro e segundo estgios tem a mesma impedncia de entrada, assim
pp b
mV
k
mV k
v 625 , 0
600 1
1 . 1
=
+
=

logo a tenso ca de sada do primeiro estgio v
c
=-34,5*0,625=-21,6mVpp


ANLISE DO SEGUNDO ESTGIO
O equivalente ca para o segundo estgio mostrado na Figura 4-22:

Figura 4-22
Por causa do capacitor de acoplamento entre os dois estgios, a tenso ca na base do segundo
estgio igual a -21,6mVpp. O segundo estgio tem um ganho de tenso de
Prof. SantAnna 37

117
7 , 22
65 , 2
7 , 22
3,6k//10k
= = =
k
Av
por fim, a tenso de sada
sada
=-117*-21,6=2,53Vpp.

GANHO DE TENSO TOTAL
O ganho de tenso total a razo entre a tenso de sada do segundo estgio pela tenso
de entrada:
AVT = vsada 2 est./ventrada 1 est.=2,53/0,625m=4048

ou seja, o ganho de tenso total
AVT=AV1AV2 Eq. 4-18

4.5 AMPLIFICADOR BASE COMUM
A Figura 4-23 mostra um amplificador em base comum (BC), a base ligada ao referencial
comum (terra). O ponto Q dado pela polarizao do emissor. Portanto a corrente cc do emissor
dada por
E
BE EE
E
R
V V
I

=

Eq. 4- 19
O sinal de entrada aciona o emissor e a tenso de sada tomada do coletor. A
impedncia de entrada de um amplificador BC aproximadamente igual a
'
e ent
r z
Eq. 4-20

a tenso de sada
c c sada
R i v = Eq. 4-21

Ela est em fase com a entrada. Como a tenso de entrada igual a
'
e e ent
r i v =
O ganho de tenso
' '
e
c
e e
c c
v
r
R
r i
R i
A =
Eq. 4-22
'
O ganho de tenso o mesmo que do amplificador emissor comum sem realimentao
parcial, apenas a fase diferente.
Idealmente a fonte de corrente tem uma impedncia infinita, e ento, a impedncia de sada
de um amplificador BC
c sada
R z =

Eq. 4-23

Uma das razes para o no uso do amplificador BC quanto o EC sua baixa impedncia de
entrada. A fonte ca que aciona o amplificador BC v como impedncia de entrada
'
e ent
r z =

Eq. 4-24
que pode ter um valor bem baixo, em funo de IE.
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Figura 4-23
A impedncia de entrada de um amplificador BC to baixa que ela sobrecarrega quase
todas as fontes de sinais. Por isso, um amplificador BC discreto no muito utilizado em baixas
freqncias. Seu uso vivel principalmente para freqncias acima de 10MHz, onde as fontes de
baixa impedncia so comuns.

Exemplo 4-2 Qual a tenso de sada ca da Figura 4-24. RE=20k e RC=10k.


Figura 4-24
SOL.: A corrente cc no emissor
mA I
c
465 , 0
20
7 , 0 10

=
e a resistncia ca do emissor de
= = 8 , 53
465 , 0
25
'
mA
mV
r
e

a impedncia de entrada zENT=53,8
O ganho de tenso levando a carga em considerao
8 , 62
8 , 53
//5,1k 10
= =
k
A
v

A tenso de entrada no emissor
mV mV v
ent
518 , 0 1
8 , 53 50
8 , 53
=
+
=
portanto a tenso na sada
mV mV v A v
ent v sada
5 , 32 518 , 0 . 8 , 62
.
= = =


4.6 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM
Ao se conectar uma resistncia de carga em um amplificador EC, o ganho de tenso
diminu. Quanto menor a resistncia de carga, maior a queda do ganho. Esse problema chamado
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de sobrecarga. Uma forma de evitar a sobrecarga usar um amplificador cc (coletor comum),
tambm conhecido como seguidor de emissor. O seguidor de emissor colocado entre a sada do
amplificador EC e a resistncia de carga.
A Figura 4-25 mostra um seguidor de emissor. Como o coletor est no terra para ca, ele
um amplificador coletor comum (CC). O gerador de sinal est acoplado base do transistor por meio
de um capacitor de acoplamento.
Primeiramente a anlise cc para descobrir o valor da corrente de coletor. A malha externa
E E CE cc
R I V V + =

Figura 4-25

isolando a corrente de emissor
E
CE cc
E
R
V V
I

=
Eq. 4- 25
a Figura 4-26 mostra o circuito ca para o seguidor de emissor


Figura 4-26
o ganho de tenso dado por
( )
E e
E
E e e
E e
ent
sada
v
R r
R
R r i
R i
v
v
A
+
=
+
= =
' '
Eq. 4- 26
geralmente
'
e E
r R
. Ento
1
v
A
Eq. 4- 27

o uso da Eq. 4-26 ou da Eq. 4-27 depende da preciso desejada no circuito.
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IMPEDNCIA DE ENTRADA
Como visto antes, a base se comporta como uma resistncia equivalente de
( )
b
b
base ent
i
v
z =
Eq. 4-28
Do equivalente ca a corrente de emissor

E e
b
b
r r
v
i
+
=
'

A resistncia rE o equivalente do paralelo RE com RL.
Isolando vb
( )
E e b b
r r i v + = ' Eq. 4-29
inserindo a Eq. 4-29 na Eq. 4-28
( )
( )
b
E e b
base ent
i
r r i
z
+
=
'

como a razo entre a corrente de coletor e a de base aproximadamente igual
( )
( )
E e base ent
r r z + = '
Eq. 4-30

a impedncia de entrada do amplificador o paralelo de R1, R2 co a impedncia de entrada da base
( )
E e ent
r r R R z + = '
2 1
// //

como (r e +rE)>>R1//R2 ento::
2 1
//R R z
ent
=
Eq. 4-31
com base na Eq. 4-27 a tenso de emissor segue a tenso na base, sem amplificar. Ou seja a
tenso de sada igual a de entrada.
A vantagem de montagem o fato de ter uma alta impedncia de entrada se comparada com
emissor comum.


AMPLIFICADOR (TRANSISTOR) DARLINGTON

Figura 4-27

Um caso especial de amplificador coletor comum a conexo Darlington. Ela consiste na
ligao em cascata de dois seguidores de emissor, como mostra a Figura 4-27. A corrente da base
do segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor. Portanto, o ganho de corrente entre a
primeira base e o segundo emissor
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= 1 2 Eq. 4- 32
A principal vantagem da conexo Darlington a alta impedncia de entrada olhando para a
base do primeiro transistor. E
zent(base)= RE Eq. 4- 33
Os fabricantes podem colocar dois transistores montados em coletor comum em um mesmo
encapsulamento. Esse dispositivo de trs terminais como mostrado no lado direito da Figura 4-27
conhecido como transistor Darlington, opera com como um nico transistor com um CC entre 1.000
e 20.000. ele pode ser tratado como um transistor comum exceto pelo valor de e tambm pelo
valor de VBE que passa a ser a soma dos dois VBEs. Ou seja, aproximadamente igual a 1,4V.

4.7 DISTORO

A etapa de amplificao linear um circuito que amplifica sinais na entrada de tal maneira
que na sada se obtm um sinal amplificado semelhante ao sinal de entrada. Esta semelhana entre
o sinal de entrada e o de sada se denomina fidelidade e maior quanto maior a semelhana.
Quando o sinal de sada no segue fielmente as variaes do sinal de entrada, diz-se que h
distoro do sinal de sada.
Quatro fatores principais que podem alterar a fidelidade do amplificador:
1. Intensidade excessiva no sinal de entrada;
2. Ponto de trabalho inadequado:
3. Carga inadequada;
4. No linearidade da caracterstica de entrada do transistor.

Na realidade estes fatores esto relacionados entre si e somente um projeto baseado em
todos eles pode assegurar um mximo de fidelidade do amplificador.

Distoro de amplitude

O sinal fornecido entrada do amplificador produz um sinal de sada de certa amplitude,
que aumenta com um aumento do sinal de entrada at um certo limite. Uma amplitude
demasiadamente grande do sinal de entrada pode produzir saturao ou corte do transistor, ou
ambos, e ento o sinal recortado em sua parte superior ou inferior, ou em ambas.


No circuito em que o ponto quiescente foi escolhido na metade da faixa ativa, sinal
demasiado grande na entrada produzir na sada um sinal recortado simetricamente.



A escolha do ponto de trabalho deve assegurar a possibilidade de uma mxima
amplitude na sada. Este clculo se realiza de forma precisa, utilizando a caracterstica de sada e
levando em conta a carga, j que se esta for inadequada, muito grande ou muito pequena, limitar a
possibilidade da amplitude do sinal na sada, devido variao da inclinao da reta de carga.


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Distoro no linear

A falta de linearidade na caracterstica de entrada produz distoro do sinal de sada.
Esta falta de linearidade produz uma corrente de entrada que no uma senide pura, apesar de ser
fornecida uma tenso de entrada senoidal. Este fenmeno produz uma distoro semelhante na
corrente e na tenso de sada.

Distoro de freqncia

A distoro de freqncia produzida como conseqncia de uma resposta desigual do
amplificador e as ondas de diferentes freqncias. Sinais de freqncias distintas so amplificadas
de forma diferente.
Este fenmeno produzido devido presena de componentes reativas no circuito,
componentes que tem comportamento dependente da freqncia (capacitncias e indutncias).
Na faixa de freqncias mdias as diferentes capacitncias no influem no ganho, que
mximo.
Na faixa de freqncias baixas as capacitncias de acoplamento do circuito produzem
atenuao, enquanto na faixa de freqncias elevadas a atenuao produzida pelas capacitncias
do transistor e pelas capacitncias paralelas do circuito.
Na figura abaixo temos a curva de resposta do amplificador.



4.8 EXERCCIOS
Ex. 4-1) A fonte ca da figura abaixo pode ter uma freqncia entre 100Hz e 200Hz. Para ter um
acoplamento

Ex. 4-2) Na figura a seguir, desejamos um capacitor de acoplamento estabilizado para todas as
freqncias entre 500Hz e 1MHz. Que valor ele deve ter?

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Ex. 4-3) Desenhe o circuito cc equivalente para o amplificador da figura a seguir. Rotule as trs
correntes com a notao cc padronizada. A seguir, desenhe o circuito ca equivalente.



Ex. 4-4) Desenhe os circuitos cc e ca equivalente para a figura abaixo.




Ex. 4-5) Calcule o valor da tenso de sada no EX. 4-4 considerando uma entrada de 1,5mV
considerando igual a 150. Repita desprezando o .



Ex. 4-6)Repita o Ex. 4-5 para o circuito abaixo.

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Ex. 4-7)Se v
ent
= 1mV na figura abaixo, qual o valor de v
sada
?

Ex. 4-8)Os resistores do exerccio anterior, tem uma tolerncia de 5%. Qual o ganho mnimo de
tenso? Qual o ganho mximo de tenso?

Ex. 4-9) No circuito da figura abaixo calcule o ganho de cada estgio e o ganho total considerando
iguais a 100 .







Ex. 4-10) O transistor da figura abaixo tem um =80. Qual o ganho Av e a impedncia de entrada?
Repita para = 125.
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Ex. 4-11) Qual a tenso de sada do circuito abaixo, sendo V
CC
= 10V,
1
e
2
iguais a 150,
3
igual a
50 e uma fonte de sinal de 1,5V e impedncia de 50.