TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

Luiyi Julio Minaya Manrique

RESUMEN:
El transistor de unin bipolar, es un dispositivo electrnico muy usual en todos los enseres
domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo,
hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en
electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la
tecnologa TTL o BICMOS.

SUMMARY:
The bipolar junction transistor, is a very common electronic device in all everyday household
goods: radios, televisions, tape recorders, audio and video players, microwave ovens, washing
machines, automobiles, refrigeration equipment, alarms, quartz watches , computers,
calculators, printers, fluorescent lamps, X-ray equipment, CT scanners, ultrasound scanners,
mp3 players, cell phones, etc..
Bipolar transistors are the most popular transistors and are generally used in analog but also in
some applications of digital electronics, such as TTL or BiCMOS technology electronics.

MARCO TERICO:
El transistor de unin Bipolar (sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico semiconductor
de estado slido, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), puede cumplir
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja, estos dispositivos
controlados por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. Los transistores bipolares
son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en la electrnica, est formada por
dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De
esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor: se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta
terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector: de extensin mucho mayor.


En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la
base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base,
porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado
de actividad.


TIPOS DE TRANSISTORES DE UNIN BIPOLAR (BJT)
Los ms conocidos en la actualidad son dos:
1.- NPN: es un tipo de transistor bipolar, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados
hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que
la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN
consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando
a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del
colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal
del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo
2.- PNP: Es otro tipo de transistor de unin bipolar, con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Los Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a
que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de
la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una
pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente
mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

Smbolo del transistor NPN
Smbolo del transistor PNP
ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR (BJT)
El transistor de unin bipolar tiene tres regiones
semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la
base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un transistor PNP, y
tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y
est compuesta de material semiconductor
ligeramente dopado y de alta resistividad.
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores,
no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que
intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor
deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en
modo inverso. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el
emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est
ligeramente dopado, La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin
normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de
inyeccin de portadores del emisor. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los
portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:
Regin activa en cuanto a la polaridad:
Corriente del emisor = ( + 1) I
b
; corriente del colector= I
b

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces
est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (I
b
), de (ganancia de corriente, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar
entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la
ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente
menor al presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (I
c
= I
e
= 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin
del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0), De forma
simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto, ya que la
corriente que lo atraviesa es cero.
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima (I
c
I
e
= I
max
)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de
las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta
cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor
umbral V
CE,sat
. Cuando el transistor est en saturacin, la relacin lineal de amplificacin
I
c
=I
b
(y por ende, la relacin I
e
= (+1) I
b
) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya que la
diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.








Transistor NPN Transistor PNP