Vous êtes sur la page 1sur 28

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Ing. JUAN TISZA CONTRERAS


Materiales semiconductores
Ms
Diferencias conductor
semiconductor
Semiconductores. Conduccin
intrnseca y extrnseca
Modelo de bandas de energa
Ley de accin de masas
Ley de la neutralidad elctrica
Corrientes de desplazamiento
Corrientes de difusin
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Descubrimiento de los semiconductores y primeras aplicaciones
Programa de bsqueda para sustituir los conmutadores electromecnicos con otros
basados en semiconductores.
1936 Bell T. Laboratories
Propone una teora de bandas del slido y el concepto de impurezas donadoras y
aceptoras.
1931 A. Wilson
Concepto de hueco como quasi-partcula de carga positiva 1931 W. Heisenberg
Postula que la resistividad de los semiconductores depende de T 1903 J. Koenigsberg
Descubre que la corriente elctrica en los metales es debida al movimiento de los
electrones
1901 V. E. Riecke
Descubrimiento del electrn
1897 J.J. Thomson
Primer diodo de vaco 1874 F. Braun
Descubre que la conductividad de algunos materiales aumenta con T 1833 M. Faraday
Introduce la palabra semiconductor 1782 A. Volta
Primer fotodiodo basado en la unin p/n de silicio 1940
Shockley: dispositivo amplificador basado en semiconductores 1939
Primera radio de transistor 1948
Invencin del transistor ( Bardeen, Brattain, Shockley ) 1947
Bardeen, Brattain e Shockley reciben el premio Nobel por la descubrimiento del
transistor.
1956
Western Electric: primer transistor comercial (amplificador para auriculares para
sordos)
1951
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Diferencias conductor semiconductor
Influencia de la temperatura en la resistencia
10
8
(Om)
-1

Cu
o
T
Efecto Hall
Fotoresistencia
T
10
6
(Om)
-1

o
Ge
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
V
H

J
v
a

F
B

-V
H

J
v
a

F
B
En semiconductores: silicio dopado con galio
En conductores
Efecto Hall
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
luz
Frecuencia radiacin
Energa de los fotones
F
o
t
o
c
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

d
e
l

G
e

Variacin de la conductividad por iluminacin
A
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Estructura de un metal
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
~10
29
e
-
libres/m
3

Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Estructura de un semiconductor
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Semiconductores. Conduccin intrnseca
T = 0 K
A 300 K: 1e

cada 10
9

tomos, 10
19
e

/m
3
T > 0 K
r
E
Ge
Concentracin de e
-
: (n)
Concentracin de h : (p)
n = p
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Semiconductores. Conduccin extrnseca
e

poco ligado
(0.03 -0.1 eV)

e

ocupa el hueco
(0.04 -0.12 eV)

Ga
tomo donador P,As,Sb: (N
D
)
A
s
tipo N

E
tomo aceptor B,Al,Ga,In: (N
A
)
tipo P
Portadores mayoritarios: n ~ 10
22
/m
3
Portadores minoritarios: p ~ 10
16
/m
3

Portadores mayoritarios: p ~ 10
22
/m
3
Portadores minoritarios: n ~ 10
16
/m
3

Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Donadores y aceptores para el silicio
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
6,941
4
Be
9,012
5
B
10,811
6
C
12,011
7
N
14,007
8
O
15,999
9
F
18,998
10
Ne
20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Donadores y aceptores para el germanio
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
6,941
4
Be
9,012
5
B
10,811
6
C
12,011
7
N
14,007
8
O
15,999
9
F
18,998
10
Ne
20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Estructura electrnica
Estados o niveles de
energa permitidos
E
N
E
R
G

A

D
E
L

e
-

+
p
Hidrgeno
+6
6
Carbono: 1s
2
2s
2
2p
2
aislante
14
Silicio: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
32
Germanio: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
2
semiconductores

50
Estao: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
6
4d
10
5s
2
5p
2
conductor
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energa
X
3
X
2
X
1
Grafito tomos aislados
Diamante
2s
2p
Niveles vacos
Niveles ocupados
d
E
BANDA
PROHIBIDA
BANDA
DE
CONDUCCIN
BANDA
DE
VALENCIA
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energa (continuacin)
BV
BC
E
g
= 10 eV
BV
BC
E
g
= 1 eV
BV
BC
Aislante Semiconductor Conductor
E
g
(Si) = 1,12 eV
E
g
(Ge) = 0,66 eV
T = 300 K
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
E
g
(Si) ~ 1,1 eV
E
g
(Ge) ~ 0,7 eV
E
g

E
T = 0 K
Banda de valencia
Banda prohibida
Banda de conduccin
n = p = n
i

T > 0 K
Modelo de bandas de energa. Conduccin
intrnseca
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energa. Conduccin
extrnseca (tipo n)
0.01 eV
T > 0 K
Nivel donante
T = 0 K
E
In de
impureza
donante
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energa. Conduccin
extrnseca (tipo p)
Nivel aceptor
E
0,01 eV
T = 0 K T > 0 K
In de
impureza
aceptora
Huecos en la BV
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Ley de accin de masas
n
i
(Ge, 300 K) = 2,410
19
port./m
3

n
i
(Si, 300 K) = 1,510
16
port./m
3

np = n
i
2

kT 2
E
2
3
i
g
e AT ) t ( f n

= =
n: nmero de electrones por unidad de volumen
p: nmero de huecos por unidad de volumen
n
i
: concentracin intrnseca
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Ley de la neutralidad elctrica
N
A
+ n = N
D
+ p
Intrnseco N
A
= N
D
= 0 p = n = n
i

Tipo n N
A
= 0; n ~ N
D

Tipo p N
D
= 0; p ~ N
A

D
2
i
N
n
p ~
A
2
i
N
n
n ~
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Concentraciones de portadores
N
A
+ n = p ; p >>>>> n; N
A
~ p
P
N
Iones de impureza aceptora INMVIL
Hueco dejado por electrn MVIL
Electrn trmico MVIL
Hueco trmico MVIL
N
D
+ p = n ; n >>>>> p; N
D
~ n
Iones de impureza dadora
INMVIL
Electrn liberado por dador MVIL
Electrn trmico MVIL
Hueco trmico MVIL
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
P
r
o
p
i
e
d
a
d
e
s

d
e
l

g
e
r
m
a
n
i
o

y

e
l

s
i
l
i
c
i
o

Ge Si
Nmero atmico 32 14
Masa atmica (g/mol) 72,6 28,08
Radio atmico (nm) 0,137 0,132
Estructura electrnica [Ar]4s
2
3d
10
4p
2
[Ne]3s
2
3p
2
Densidad kg/m
3
5323 2330
Temperatura de fusin 937,4 C 1410 C
Calor especfico J/kgC 309 677
Concentracin atmica at/m
3
4,4210
28
4,9610
28
Concentracin intrnseca (300 K) 2,3610
19
m
-3
1,510
16
m
-3
Constante A m
-3
K
-3/2
1,9110
21
4,9210
21
Anchura banda prohibida (300 K) 0,67 eV 1,1 eV
Movilidad electrones (300 K) 0,39 m
2
/Vs 0,135 m
2
/Vs
Movilidad huecos (300 K) 0,182 m
2
/Vs 0,05 m
2
/Vs
Resistividad intrnseca (300 K) 0,47 Om 2300 Om
Difusividad electrones 10,110
-3
m
2
/s 3,510
-3
m
2
/s
Difusividad huecos 4,910
-3
m
2
/s 1,310
-3
m
2
/s
Permitividad elctrica 15,7 12
Masa efectiva electrones 0,5 m
0
1,1 m
0
Masa efectiva huecos 0,37 m
0
0,59 m
0
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Conductividad de semiconductores
0
5
10
15
20
25
30
250 270 290 310 330 350 370
T (K)
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

(
S
/
m
)
Ge
Semiconductor extrnseco
0
1
2
0 100 200 300 400 500
T (K)
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

(
S
/
m
)
Si puro
N
D
=510
19
m
-3
N
D
=10
20
m
-3
A poca temperatura,
las impurezas se ionizan
rpidamente.
Los portadores procedentes de las
impurezas, ya ionizadas, no
aumentan sensiblemente.
A temperaturas altas, la
conduccin intrnseca se
hace significativa.
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Corrientes de desplazamiento
J = J
p
+ J
n
= q
e
(n
n
+ p
p
)E = oE
o = q
e
(n
n
+ p
p
)
E nq ) E )( q ( n v nq J
n e n e n n
r r
r
r
= = =
E pq v pq J
p e p p
r
r
r
= =
v
n
= -
n
E
r
r
J
n

r
J
p

r
v
p
=
p
E
r
r

E
ext

Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Corrientes de desplazamiento en SC
Intrnsecos
p = n = n
i


o = q
e
(n
n
+ p
p
)

o = q
e
n
i
(
n
+
p
)
p
p >> n
o ~ qp
p

n >> p
o ~ qn
n

n
Extrnsecos
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
C
o
r
r
i
e
n
t
e
s

d
e

d
i
f
u
s
i

n

Ley de Fick
D
n
Difusividad de electrones (D
n
Si = 3,510
-3
m
2
/s)
D
p
Difusividad de huecos (D
p
Si = 1,3110
-3
m
2
/s)
Vn = 0
r
J
dif
= -qDVn
Relacin de Einstein:
T
p
p
n
n
V
q
kT
D
D
= =

k (Constante de Boltzmann) = 1,3810


-23
JK
-1
V
T
(300 K) = 25,85 mV

dx
n d
n
r
= V
Ley de Ohm
r
J = -oVV
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Corrientes de difusin (continuacin)
J
n

N
Vn
r
r
J
n
= q
e
D
n
Vn
P
J
p

Vp
r
J
p
= -q
e
D
p
Vp
r
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
p = p(x)
x
2
x
1

0 x
en circuito abierto J
dif
+ J
desp
= 0
p(x
2
) p(x
1
)
0 E q p
dx
p d
qD
p p
= +
r
r
Relacin de Einstein:
p T p p
V
q
kT
D = =
sigue
Variacin de potencial en un semiconductor
con dopado no uniforme
r
E
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
dV Edx
p
dp
V
T
= =
V
T
(300 K) = 25.85 mV
p
2
1
T 1 2
p
p
ln V V - V =
T
1 2
V
V V
2 1
e p p

=
n
2
1
T 1 2
n
n
ln V V - V =
T
1 2
V
V V
2 1
e n n

=
Ejemplo: p
1
= 10
16
huecos/m
3
; p
2
= 10
22
huecos/m
3
Variacin de potencial en un semiconductor con
dopado no uniforme (continuacin)
Tema siguiente