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cada 10
9
tomos, 10
19
e
/m
3
T > 0 K
r
E
Ge
Concentracin de e
-
: (n)
Concentracin de h : (p)
n = p
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Semiconductores. Conduccin extrnseca
e
poco ligado
(0.03 -0.1 eV)
e
ocupa el hueco
(0.04 -0.12 eV)
Ga
tomo donador P,As,Sb: (N
D
)
A
s
tipo N
E
tomo aceptor B,Al,Ga,In: (N
A
)
tipo P
Portadores mayoritarios: n ~ 10
22
/m
3
Portadores minoritarios: p ~ 10
16
/m
3
Portadores mayoritarios: p ~ 10
22
/m
3
Portadores minoritarios: n ~ 10
16
/m
3
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Donadores y aceptores para el silicio
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
6,941
4
Be
9,012
5
B
10,811
6
C
12,011
7
N
14,007
8
O
15,999
9
F
18,998
10
Ne
20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Donadores y aceptores para el germanio
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
6,941
4
Be
9,012
5
B
10,811
6
C
12,011
7
N
14,007
8
O
15,999
9
F
18,998
10
Ne
20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Estructura electrnica
Estados o niveles de
energa permitidos
E
N
E
R
G
A
D
E
L
e
-
+
p
Hidrgeno
+6
6
Carbono: 1s
2
2s
2
2p
2
aislante
14
Silicio: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
32
Germanio: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
2
semiconductores
50
Estao: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
6
4d
10
5s
2
5p
2
conductor
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energa
X
3
X
2
X
1
Grafito tomos aislados
Diamante
2s
2p
Niveles vacos
Niveles ocupados
d
E
BANDA
PROHIBIDA
BANDA
DE
CONDUCCIN
BANDA
DE
VALENCIA
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energa (continuacin)
BV
BC
E
g
= 10 eV
BV
BC
E
g
= 1 eV
BV
BC
Aislante Semiconductor Conductor
E
g
(Si) = 1,12 eV
E
g
(Ge) = 0,66 eV
T = 300 K
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
E
g
(Si) ~ 1,1 eV
E
g
(Ge) ~ 0,7 eV
E
g
E
T = 0 K
Banda de valencia
Banda prohibida
Banda de conduccin
n = p = n
i
T > 0 K
Modelo de bandas de energa. Conduccin
intrnseca
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energa. Conduccin
extrnseca (tipo n)
0.01 eV
T > 0 K
Nivel donante
T = 0 K
E
In de
impureza
donante
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energa. Conduccin
extrnseca (tipo p)
Nivel aceptor
E
0,01 eV
T = 0 K T > 0 K
In de
impureza
aceptora
Huecos en la BV
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Ley de accin de masas
n
i
(Ge, 300 K) = 2,410
19
port./m
3
n
i
(Si, 300 K) = 1,510
16
port./m
3
np = n
i
2
kT 2
E
2
3
i
g
e AT ) t ( f n
= =
n: nmero de electrones por unidad de volumen
p: nmero de huecos por unidad de volumen
n
i
: concentracin intrnseca
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Ley de la neutralidad elctrica
N
A
+ n = N
D
+ p
Intrnseco N
A
= N
D
= 0 p = n = n
i
Tipo n N
A
= 0; n ~ N
D
Tipo p N
D
= 0; p ~ N
A
D
2
i
N
n
p ~
A
2
i
N
n
n ~
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Concentraciones de portadores
N
A
+ n = p ; p >>>>> n; N
A
~ p
P
N
Iones de impureza aceptora INMVIL
Hueco dejado por electrn MVIL
Electrn trmico MVIL
Hueco trmico MVIL
N
D
+ p = n ; n >>>>> p; N
D
~ n
Iones de impureza dadora
INMVIL
Electrn liberado por dador MVIL
Electrn trmico MVIL
Hueco trmico MVIL
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
P
r
o
p
i
e
d
a
d
e
s
d
e
l
g
e
r
m
a
n
i
o
y
e
l
s
i
l
i
c
i
o
Ge Si
Nmero atmico 32 14
Masa atmica (g/mol) 72,6 28,08
Radio atmico (nm) 0,137 0,132
Estructura electrnica [Ar]4s
2
3d
10
4p
2
[Ne]3s
2
3p
2
Densidad kg/m
3
5323 2330
Temperatura de fusin 937,4 C 1410 C
Calor especfico J/kgC 309 677
Concentracin atmica at/m
3
4,4210
28
4,9610
28
Concentracin intrnseca (300 K) 2,3610
19
m
-3
1,510
16
m
-3
Constante A m
-3
K
-3/2
1,9110
21
4,9210
21
Anchura banda prohibida (300 K) 0,67 eV 1,1 eV
Movilidad electrones (300 K) 0,39 m
2
/Vs 0,135 m
2
/Vs
Movilidad huecos (300 K) 0,182 m
2
/Vs 0,05 m
2
/Vs
Resistividad intrnseca (300 K) 0,47 Om 2300 Om
Difusividad electrones 10,110
-3
m
2
/s 3,510
-3
m
2
/s
Difusividad huecos 4,910
-3
m
2
/s 1,310
-3
m
2
/s
Permitividad elctrica 15,7 12
Masa efectiva electrones 0,5 m
0
1,1 m
0
Masa efectiva huecos 0,37 m
0
0,59 m
0
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Conductividad de semiconductores
0
5
10
15
20
25
30
250 270 290 310 330 350 370
T (K)
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d
(
S
/
m
)
Ge
Semiconductor extrnseco
0
1
2
0 100 200 300 400 500
T (K)
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d
(
S
/
m
)
Si puro
N
D
=510
19
m
-3
N
D
=10
20
m
-3
A poca temperatura,
las impurezas se ionizan
rpidamente.
Los portadores procedentes de las
impurezas, ya ionizadas, no
aumentan sensiblemente.
A temperaturas altas, la
conduccin intrnseca se
hace significativa.
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Corrientes de desplazamiento
J = J
p
+ J
n
= q
e
(n
n
+ p
p
)E = oE
o = q
e
(n
n
+ p
p
)
E nq ) E )( q ( n v nq J
n e n e n n
r r
r
r
= = =
E pq v pq J
p e p p
r
r
r
= =
v
n
= -
n
E
r
r
J
n
r
J
p
r
v
p
=
p
E
r
r
E
ext
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Corrientes de desplazamiento en SC
Intrnsecos
p = n = n
i
o = q
e
(n
n
+ p
p
)
o = q
e
n
i
(
n
+
p
)
p
p >> n
o ~ qp
p
n >> p
o ~ qn
n
n
Extrnsecos
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
C
o
r
r
i
e
n
t
e
s
d
e
d
i
f
u
s
i
n
Ley de Fick
D
n
Difusividad de electrones (D
n
Si = 3,510
-3
m
2
/s)
D
p
Difusividad de huecos (D
p
Si = 1,3110
-3
m
2
/s)
Vn = 0
r
J
dif
= -qDVn
Relacin de Einstein:
T
p
p
n
n
V
q
kT
D
D
= =
=
Ejemplo: p
1
= 10
16
huecos/m
3
; p
2
= 10
22
huecos/m
3
Variacin de potencial en un semiconductor con
dopado no uniforme (continuacin)
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