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Rapport du stage de fin dtude

2007-2008
1
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
Sommaire
Introduction gnrale
Partie I
I. Prsentation Centre dEtudes Nuclaires de la Mamora C.E.N.M.
I.1. Prsentation :
I.2. Prsentation du site de C.E.N.M :
I.3. Situation gograpi!ue :
I.". #rganigramme :
II. Prsentation des Modules de C.E.N.M.
II.1. Module $ : applications Mdicales et %iologi!ues :
II.2. Module & : les ra'onnements ionisants au ser(ice de lindustrie et
de len(ironnement :
II.3. Module S : S)ret et Scurit :
II.". Module * : +estion des dcets radioacti,s :
II.-. Module . : applications dans les sciences de la terre et de
len(ironnement :
Partie II
I. Prsentation du su/et de stage
Introduction :
I.1.Spectroscopie danniilation de positons
I.1.a. Notion du positon :
I.1.a.1. Positons rapides :
I.1.a.2. Positons lents :
I.1.%. Interaction positon0mati1re
2
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i. &ermalisation
ii. Implantation
iii. *i,,usion
i(. .nniilation du positon
I.2. $a spectromtrie dlargissement *oppler
I.3. Identi,ication des d,auts
II. Prsentation et description du programme utilise
1. &2IM
2. 3EP4I&
III. $a tace e,,ectuer
III.1. Ecantillons tudis
III.1.a. 4ractions danniilation de positons S et 5 en ,onction de leur
nergie incidente dans les cantillons de +ermanium polis et non recuits
a(ant et apr1s implantation et irradiation : S6E7 et 56E7
III.1.% Mesure de S6E7 56E7 dans les cantillons (ierges 8 399 :
i. 2eproducti%ilit
III.1.c. Irradiations a(ec des ions 'drog1nes dans +e
i. Description des chantillons et des conditions dirradiation
ii. Mesure de S(! et de "(! dans les chantillons de #er$aniu$
irradis a%ec des &'drog(ne ) *00 +
ii.1. Effet de la fluence de H
+
dans les chantillons de Germanium sur
S(E) et W(E)
ii.2. Irradiation A Trs fai!le fluence " 1.1#
1$
H. cm%2
ii.&. Effet de la fluence sur S(E) et W(E7
III.1.d. Implantation a(ec des ions ";e de -9 <e3
i. Ecantillons tudis et conditions dimplantation
*
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ii. Mesures de S(! et " (! ) *00 + dans les
chantillons i$plants
,
&e de -0 .e/
iii. ffet de la fluence de
,
&e dans les chantillons de #er$aniu$ sur
S(! et "(!
iii.1. Im'lantation ( la fluence " 1.1#
1)
cm
%2
iii.2. Im'lantation ( la fluence " *.1#
1)
cm%2
Conclusion
Conclusion et perspecti(e
,
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Introduction gnral :
+a technolo,ie standard dans le domaine de la micro et la nanolectroni-ue utilise le
silicium comme matriau de !ase. +.au,mentation des 'erformances des circuits int,rs
e/i,e0 de la 'art de leurs conce'teurs0 de fa!ri-uer des transistors de 'lus en 'lus 'etits. 1ette
miniaturisation entra2ne ce'endant de nou3eau/ 'ro!lmes (ralisation des 4onctions0
la!oration de nou3eau/ o/5des (forte et fai!le constante dilectri-ue)).
6our continuer les 'ro,rs dans ce domaine0 les chercheurs ont d3elo'' de
nou3eau/ matriau/ et architectures. 6armi les matriau/ susce'ti!les de r'ondre au/
!esoins accrus de l.industrie de la microlectroni-ue nous retrou3ons le ,ermanium0 semi%
conducteur -ui a t tudi dans les annes 7# a3ant l.h,monie du Si et -ui est rest dans
l.om!re 'endant -uel-ues annes. Il re3ient au4ourd.hui sur le de3ant de la scne car il
'rsente0 en 'articuliers0 de fortes mo!ilits des 'orteurs (lectrons et trous) et du fai!le ,a'
du ,ermanium 'ar ra''ort au silicium (#07* contre 101 e8). 6ar ailleurs il 5 a des recherches
-u.ont dmontr -u9en a4outant une couche de trois nanomtres de ,ermanium sur les
su!strats de silicium0 la mo!ilit des lectrons au,mente sans induire d9effets secondaires
n,atifs.
Il man-ue ce'endant des informations fondamentales concernant les effets des
im'urets et des dfauts sur le com'ortement lectri-ue du matriau : informations 3itales
'our a3oir une connaissance com'lte du matriau et surtout o'timiser les 'erformances
fonctionnement des com'osants lectroni-ues ( !ase de Ge.
+e tra3ail -u.il reste ( raliser dans ce domaine est im'ortant: comme 'ar e/em'le0
l.identification des dfauts lacunaires natifs et induits 'ar irradiation et;ou im'lantation dans
le Germanium. Il est aussi im'ortant d.tudier les im'urets0 comme les contaminants ou les
do'ants et l.interaction dfauts < im'urets en 'articulier 'our com'rendre les 'rocessus
d.acti3ation des do'ants ou le r=le des im'urets0 ( titre d.e/em'le le r=le de l.o/5,ne est
encore mal connu. +es tudes sur les effets de l.im'lantation et des irradiations doi3ent >tre
'oursui3ies afin de dterminer les 'ro'rits des dfauts crs mais aussi leur 3olution en
-
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fonction des traitements thermi-ues sous 3ide et sous atmos'hre ArH
2
dans deu/ t5'es de fours con3entionnels 'ermettant chacun un t5'e de traitement s'cifi-ue.
1ette tra3ail est consacr ( 'rsenter les 'rocdures e/'rimentales utilises d.une 'art
'our la caractrisation des dfauts induites 'ar im'lantation ou irradiation ( diffrentes
fluences dans le Germanium0 et d.autre 'art 'our tudier de l.3olution des 'aramtres de
maille. +es diffrentes ta'es de 'r'aration des chantillons ainsi le 'rinci'e des mthodes
de caractrisation utilises dans le cadre de ce 'ro4et " S'ectrosco'ie d.annihilation de
'ositons (6AS)0 la diffraction de ra5on ? (@A?).
0
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6a
Prsentati
on
Du Lieux De Stage
.
6artie I
La prsente partie aura pour lobjectif la
prsentation de lorganisme et les modules existants
au sien de lorganisme
7
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1hapitre 22
Prsentation
Du Sujet
Trait Pendant
La Priode
Du Stage.
6artie II
La prsente partie a pour objet la description
du contexte ainsi que tache effectu.
8
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I. Prsentation du sujet de stage
Introduction :
@ans le cas des semi%conducteurs0 les interactions des 'articules 'eu3ent modifier les
'ro'rits lectroni-ues. 1es modifications 'eu3ent >tre utiles dans certains cas ou a3oir des
r'ercussions trs nfastes sur le fonctionnement des com'osants lectroni-ues. +.intr>t des
modifications a''ortes 'ar l.ion au sein de la matire dans la ralisation de com'osants est
multi'le. En effet0 l.im'lantation ioni-ue est dsormais couramment utilise dans l.industrie
des semi%conducteurs oB elle 'ermet d.im'lanter des ions dans des Cones !ien 'rcises d.un
com'osant. @ans le cas du do'a,e0 c.est l.acti3it lectri-ue de l.ion im'lant dans le semi%
conducteur -ui est recherche. @ans d.autres cas0 on s.intresse 'lut=t au/ dfauts crs 'ar
l.ion. 1es dfauts 'ermettent0 'ar e/em'le0 de contr=ler la dure de 3ie des lectrons et des
trous d.un semi%conducteur. @ans tous les cas0 il est im'ortant de conna2tre les mcanismes
d.interaction des 'articules sur la matire et de les ma2triser.
@ans notre tra3ail0 nous nous intressons au/ dfauts crs 'ar im'lantation d.hlium
ou !ien 'ar irradiation dans le Germanium. 6our tudier l.effet de la fluence d.hlium ou !ien
de h5dro,ne sur la formation des diffrents t5'es de dfauts dans le Ge0 certaines
chantillons Ge 'olis ont t soit irradis a3ec des ions H
+
de 12 De80 ( diffrentes fluences0
soit im'lants a3ec des ions
&
He de *# Ee8 afin d.tudier l.effet de la nature de la 'articule
incidente0 et de la fluence sur la formation des diffrents t5'es de dfauts dans ces
chantillons. 6our cela nous a3ons caractris ces dis-ues irradis au 1EAI;1FAS (Grlans)
'ar s'ectrosco'ie d.annihilation de 'ositons d.une 'art0 et d.autre 'ar la diffraction de
ra5on ?.
2.1. Spectroscopie dannihilation de positons
@s les annes 1H*#0 les techni-ues d.annihilation de 'ositons taient utilises
'our sonder la structure lectroni-ue des matriau/. A 'artir des annes 1H7#0 la dcou3erte
du 'i,ea,e des 'ositons 'ar les dfauts lacunaires a 'ermis de d3elo''er une nou3elle
3
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techni-ue d.tude et de caractrisation de dfauts -ui est la s'ectrosco'ie
d.annihilation de 'ositons. 1ette techni-ue 'ermet de dterminer les 'ro'rits des dfauts
lacunaires (
l.chelle atomi-ue " t5'e de dfaut (monolacune0 !ilacune0 trilacuneI)0 sa char,e
et son en3ironnement chimi-ue. +a s'ectrosco'ie d.annihilation de 'ositons est une techni-ue
non destructi3e -ui 'eut >tre utilise 'our les matriau/ conducteurs ou isolants0 cristallins
ouamor'hes0 dans le 3olume d.chantillons massifs0 'rs de la surface ou au/ interfaces 'eu
'rofondes ,rJce au d3elo''ement d.im'lanteurs de 'ositons lents.
2.1.a. 4otion du positon 5
+e 'ositon anti'articule de l.lectron0 a t thori-uement 'r3u 'ar @irac en
1H&# K1L et 'h5si-uement dtect 'our la 'remire fois en 1H&2 K2L. +a dtection du
'ositon a t un des ,rands 3nements de la 'h5si-ue moderne. Il 'ossde les m>mes
caractristi-ues -ue l.lectron ( l.e/ce'tion de sa char,e et de son moment ma,nti-ue
-ui sont de si,nes o''oss. +es 'ositons sont mis lors de la dcroissance d.un no5au
radioactif M
+
(
22
Fa0
)$
1u0
1H
Fe0
*N
1o0 I). @ans le 3ide0 le 'ositon est sta!le (tem's de
3ie su'rieur ( $02.1#
2&
ans). 6ar contre0 dans la matire0 il 'eut intera,ir a3ec un
lectron. 1ette interaction conduit ( l.annihilation des deu/ 'articules a3ec mission de
deu/ 'hotons ,amma -ui em'ortent l.ner,ie et la -uantit de mou3ement de la 'aire
e e
+

. +es ,randeurs mesures rensei,nent donc sur la structure lectroni-ue 3ue


'ar le 'ositon dans les solides.
+a source de 'ositons utilise est le
22
Fa1l0 -ui donne des 'ositons d.ner,ie
ma/imum de *$# Ee8. En 'lus de Oa0 le
22
Fa a la caractristi-ue d.mettre des ra5onnements
P d.ner,ie 102N De80 -ui tmoi,nent de la naissance d.un 'ositon. 1ette 'articularit de
cette source 'ermet de mesurer ( la fois dans l.chantillon " tem's de 3ie de 'ositon et
distri!ution en ner,ie de la raie d.annihilation -ui re'rsente 'h5si-uement la distri!ution
des -uantits de mou3ement des 'aires lectrons%'ositons -ui s.annihilent.
10
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i. 6ositons rapides 5
En ,nral0 ils sont mis lors de la dcroissance du radioisoto'e
Na
22
. Qn sel Fa1l
a5ant une haute acti3it s'cifi-ue est d'os sur une feuille mtalli-ue trs fine (Al entre & et
) Rm). +a source est 'lace entre deu/ chantillons identi-ues0 de m>mes caractristi-ues0
'our -ue tous les 'ositons mis 'ar la source s.annihilent dans le matriau ( tudier. +es
'ositons mis 'ntrent immdiatement dans les chantillons. +eur distri!ution en
ner,ie est lar,e (E keV *$# ). 1es 'ositons0 dits ra'ides0 'ermettent d.tudier les
caractristi-ues dans le 3olume d.un chantillon. Ils sondent des chantillons 'ais.
ii. 6ositons lents 5
@ans les semi%conducteurs0 l.tude de fines couches et des dfauts 'rs de la surface et
des interfaces est 'rimordiale : dans ce cas0 la 'ntration des 'ositons dans la matire doit
>tre fai!le K&L. 1ette condition 'eut >tre o!tenue ,rJce ( l.em'loi d.un faisceau de 'ositons
monner,ti-ues de fai!le ner,ie ( 'ositons lents). Qn tel s5stme e/'rimental a t
construit et d3elo'' au sein du la!oratoire 1EAI. 1e dis'ositif0 ca'a!le de contr=ler
l.ner,ie des 'ositons0 est a''el acclrateur de 'ositons lents K$L. Son 'rinci'e est illustr
sur la fi,ure sui3ante "











Modrateur
(W)
Source
22
4a
6ositons
(S & e8)
7cclration
#%2*Ee8
8olume
chantillon
Surface
chantillon
7nnihilation
Amission e
+

Emission 6s
Etat de
surface
Ti,. , 5 Schma de 'rinci'e du faisceau de 'ositons lents du 1EAI.
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@ans ce tra3ail0 nous a3ons utilis0 au 1EAI d.Grlans0 l.acclrateur de 'ositons lents
a3ec une ner,ie com'rise entre #0* et 2* Ee80 afin de faire 3arier la 'rofondeur de
'ntration et ainsi d.o!tenir des 'rofils .
2.1.8. 2nteraction positon-$ati(re
+.interaction de 'ositons a3ec la matire se fait en -uatre 'hases " Thermalisation0
Im'lantation0 @iffusion0 Annihilation.
i. 9her$alisation
@urant la 'ntration dans le matriau0 les 'ositons sont freins en raison des
interactions entre leur char,e lectri-ue et celles des lectrons atomi-ues et du no5au1es
interactions 'ro3o-uent deu/ 'hnomnes " un non radiatif0 -ui corres'ond (
l.ionisation (ou sim'le e/citation) des atomes et l.autre radiatif0 -ui donne lieu ( l.mission
d.un ra5onnement ? : l.ner,ie cinti-ue des 'ositons diminue alors ra'idement. +a 'remire
'hase de 'ntration dans la matire est une 'hase de ralentissement trs ra'ide0 de l.ordre de
1 'icoseconde K*L. +e 'ositon de3ient thermalis 'ar la suite de chocs lasti-ues et
inlasti-ues a3ec les no5au/ et les lectrons du milieu. +e tem's de thermalisation dans un
semiconducteur ou un mtal est trs fai!le de3ant le tem's de 3ie du 'ositon. +a section
efficace d.annihilation 3arie comme l.in3erse de la 3itesse de l.lectron. +a 'ro!a!ilit
d.annihilation a3ec les lectrons dans cette 'hase est donc 'lus fai!le -ue la 'ro!a!ilit de
diffusion.
ii. 2$plantation
@e'uis la 'ntration du 'ositon dans le matriau 4us-u.( son arr>t dfinitif ( une
'rofondeur donne0 l9ner,ie du 'ositon s.attnue au fur et ( mesure de sa 'ro,ression. +e
'rofil d9im'lantation d'end du t5'e de source de 'ositons.
6our un faisceau de 'ositons mononer,ti-ues0 le 'rofil d.im'lantation des 'ositons
est donn 'ar la dri3e d.une fonction ,aussienne de la forme sui3ante K)0 7L "
( )

,
_

,
_

2
#
z
z
e
dz
d
z P
12
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+a 'rofondeur d.arr>t mo5enne des 'ositons d'end du matriau.
Elle est donne 'ar la relation"

( )
n
! z " cm z
#
NN) #
a3ec
1
]
1


1
]
1

&
2
H* 2
#g.cm $
n
.keV #g.cm "

et n U107
iii. Diffusion
Qne fois le 'ositon thermalis0 il 3a diffuser dans la matire dans la r,ion
interatomi-ue ( cause du 'otentiel 'ositif des no5au/ des atomes. +e 'ositon 'ntre donc 'eu
dans les couches lectroni-ues internes de l.atome0 ce -ui im'li-ue -u.il ne rencontre a 'riori
-ue les lectrons les moins lis. @.a'rs la relation de Fernst%Einstein et l.a''ro/imation du
tem's de rela/ation0 le coefficient de diffusion du 'ositon @
+
s.crit K)L"

relaxation
b
b
m
% k
% k
e
&

+
+
+

oB V
+
est la mo!ilit du 'ositon0 E
!
la constante de WoltCmann0 T la tem'rature en X0
e la char,e lmentaire de l.lectron0 m
+
la masse effecti3e du 'ositon et
rela/ation
le tem's de
rela/ation 'our sa diffusion.+a lon,ueur de diffusion effecti3e des 'ositons dans un matriau
est donne 'ar KN0HL "

1
1
]
1

+
+

+
b
'
d
(
&
)
L
2 1
a3ec d le tau/ de 'i,ea,e dans les dfauts d et L le tau/ d.annihilation du
'ositon dans le rseau.En l.a!sence de dfauts (
# d
)"
1
]
1

+
L
'
&
)
L
2 1
i%. 7nnihilation du positon
+9annihilation du 'ositon a3ec un lectron corres'ond ( une con3ersion s'ontane de
'aire lectron%'ositon en un ra5onnement lectroma,nti-ue ,amma "
e e
+
+
n. +e
'rocessus d.annihilation conser3e l.ner,ie0 le s'in0 la char,e et la -uantit de mou3ement de
la 'aire. +e nom!re de 'hotons mis0 n0 d'end de l.tat de s'in S de la 'aire lectron%'ositon
et de la 'rsence d.autres 'articules ou no5au/ au 3oisina,e 'roche du site de l.annihilation "
1*
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+.annihilation ( un 'hoton (nU1) se 'roduit 'our des 'ositons
d.ner,ie cinti-ue su'rieure ( 1 De8 -ui 'eu3ent donc s.a''rocher suffisamment d.un
no5au 'our -ue ce dernier 'artici'e ( la conser3ation de l.ner,ie et de la -uantit de
mou3ement. 1e t5'e d.annihilation ne se'roduit 'as dans nos conditions car l.ner,ie
ma/imale des 'ositons est de *$#Ee8 'our des sources de
22
Fa.
Y +.annihilation ( deu/ ,ammas (nU2) 'ossde la section efficace la 'lus
im'ortante. Elle a lieu 'our un s'in S U #.
Y +es annihilations ( trois ,ammas ou 'lus (n &) ont des sections efficaces
fai!les. +a section efficace diminue lors-ue le nom!re de 'hotons au,mente.
@ans les matriau/ denses comme les mtau/ ou les semi%conducteurs0 le 'rocessus
dominant est l.annihilation ( 2 P.+.annihilation du 'ositon a3ec un lectron du milieu tra3ers
'eut a3oir lieu ( 'artir de deu/ tats de la 'aire lectron <'ositon "
Y un tat li!re " le 'ositon est en interaction a3ec le milieu sans >tre li a3ec un
lectron en 'articulier
Y un tat li " le 'ositon forme a3ec un lectron un atome de t5'e h5dro,noZde a''el
'ositronium (6s).
2.2. :a spectro$trie dlargisse$ent Doppler
+e 'rocessus d.annihilation d.une 'aire lectron%'ositon conser3e l.ner,ie0 le
s'in et la -uantit de mou3ement. +.annihilation s.accom'a,ne tou4ours de l.mission
d.un ra5onnement lectroma,nti-ue ,amma P. +e nom!re de 'hotons mis d'end de
l.tat de s'in de la 'aire lectron%'ositon et de la 'rsence d.autres 'articules au
3oisina,e 'roche du site de l.annihilation.
+e 'rinci'e de la s'ectromtrie d.lar,issement @o''ler rside dans la mesure
de l.ner,ie des P mis lors de l.annihilation en 'articulier de la raie d.annihilation (
*11 Ee8. 1ela ncessite une cha2ne de s'ectromtrie ,amma de haute rsolution .
1,
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Ti,. - 5 Schma de 'rinci'e d.une cha2ne de mesure d.lar,issement @o''ler de la
raie d.annihilation ( *11 Ee8
+e s'ectre d.lar,issement @o''ler se com'ose de deu/ distri!utions 'lus ou moins
'rononces l.une 'ar ra''ort ( l.autre selon la -uantit de mou3ement de l.lectron a3ec
le-uel le 'ositon s.annihile. +es lectrons de c[ur ont une -uantit de mou3ement 'lus
im'ortante -ue les lectrons de 3alence ou de conduction. +.lar,issement @G66+EA traduit
donc l.im'ortance des annihilations a3ec des lectrons de c[ur et res'ecti3ement les lectrons
de 3alence.
1-

Annihilation
G Prampli
Sta8ilisateur
de pic
Echantillon
ACote
+i-uide
PC
GQT GQT
IN IN
GQT
IN
7$plifi-
cateur
Codeur
ADC
&aute
9ension
;*-00/
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+es deu/ 'arties -ui com'osent l.lar,issement @G66+EA sont "
Qne 'remire 'artie est due au/ lectrons de c[ur -ui ont un fort moment
cinti-ue0 elle occu'e les 'arties !asses de la raie d.annihilation -ui sont
a''eles les ailes de la distri!ution.
Qne seconde 'artie est due au/ lectrons de 3alence et de conduction0 elle
occu'e la 'artie haute de la raie d.annihilation0 'rs du centroZde de la raie
d.annihilation.
6our calculer ces fractions0 il est ncessaire de dfinir une fen>tre en ner,ie au centre
de la raie ( *11 Ee8 K% E
S
0 E
S
L 'ermettant le calcul de S et deu/ fen>tres sur les ailes du 'ic0
s5mtri-ues 'ar ra''ort au centre0 K% E
W1
0 % E
W2
L et KE
W2
0 E
W1
L0 -ui 'ermettent le calcul de W. S
et W sont dfinis comme des ra''orts entre le nom!re d.3nements dans leurs inter3alles
res'ectifs et le nom!re total d.3nements dans le 'ic d.annihilation.
%otal
s s
N
! ! N
*
) : (

et
%otal
+ + + +
L ,
N
! ! N ! ! N
+ + +
) : ( ) : (
2 1 2 1
+
+
Fotons -ue S+W\1
2.*. 2dentification des dfauts
+ors-ue le matriau solide com'orte des dfauts de structure0 la
distri!ution en ner,ie des lectrons est modifie localement. A cha-ue t5'e de
10
<ig. 0 5 @termination des fen>tres S et W ( 'artir
d.un s'ectre @o''ler
W W
S
Energie
(keV)
1
o
u
'
s
511
Dfat
!"ea
# E
W1
# E
W$
E
W1
E
W1
# E
%
E
%
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dfauts sont associs des 3aleurs de S et W caractristi-ues. +.3olution des
fractions d.annihilation S et W nous 'ermet d.a3oir une ide sur le t5'e de
dfauts cres0 'ar e/em'le "
+ors-ue un 'ositon 'i, dans une lacune u un com'le/e lacunaire0
neutres ou n,atifs oB la densit des lectrons de c[ur est fai!le
s.annihile a3ec une ner,ie des 'hotons 'roche de *11 Ee8. +a 3aleur
mesure de * au,mente et celle de + diminue.
@ans le cas d.un 'i,ea,e du 'ositon autour d.un dfaut char,
n,ati3ement a''el ] ion n,atif ^ -ui est centre attractif 'our les
'ositons0 deu/ cas d.annihilation 'eu3ent >tre o!ser3s "
i. @ans le cas oB la densit lectroni-ue autour du dfaut n,atif est
com'ara!le ( celle du rseau (e/em'le les dfauts As% dans la matrice de GaAs)0
les m>mes 3aleurs de S et W -ue celle du rseau sont o!tenues.
ii. 6ar contre si la densit lectroni-ue autour du dfaut n,atif dont la
densit est !eaucou' 'lus im'ortante -ue celle de rseau ('ar e/em'le les
dfauts Si%G%G
%
0 Si%G
%
0 G
2
crs dans SiG
2
a'rs im'lantation)0 des 3aleurs de S et
W res'ecti3ement infrieures et su'rieures ( celles du SiG2 3ier,e sont
o!tenues.
17
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
II. Prsentation et description du programme utilise
1. TAID


<ig. 7 5 3ue du 'ro,ramme TAID
TAID (TAans'ort of Ions in Datter) est un 'ro,ramme -ui rsulte du tra3ail ori,inal
effectu 'ar _.6.WiersacE sur des al,orithmes de ,amme et _.T.`ie,ler sur la thorie de
'ou3oir d.arr>t. +e lo,iciel TAID 'eut calculer entre autres la 'rofondeur d.arr>t d.ions
im'lants 4us-u.( 2 Ge8;u.m.a0 mais aussi la distri!ution des lacunes dans la matrice. A 'artir
de ce 'ro,ramme0 nous 'ou3ons a3oir ( la fois la distri!ution finale en trois dimensions des
ions incidents0 et tous les 'hnomnes cinti-ues lis au/ 'ertes d.ner,ies de ces ions "
ner,ie de domma,e de la ci!le0 'rofondeur d.im'lantation des ions0 'rofondeur des lacunes0
leurs dis'ersions. 6rcisons -ue le 'ro,ramme TAID 'ermet de calculer tous les
d'lacements m>me 'our les 'aires de TranEel 'roches0 sans tenir com'te de leur diffusion0
de la recom!inaison ou de l.a,,lomration -ui 'eu3ent se 'roduire 'endant l.im'lantation.
18
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
1e calcul effectu est trs efficace en em'lo5ant les al,orithmes
statisti-ues -ui 'ermettent ( l9ion de faire des sauts entre les collisions calcules et 'uis faire
la mo5enne des
rsultats de collision au%dessus de l9es'ace inter3enant. 6endant les collisions0 l9ion et l9atome
ont une collision e/amine de coulom!0 5 com'ris l9chan,e et les interactions de corrlation
entre les co-uilles de recou3rement d9lectron. +9ion ( des interactions de lon, terme crer des
e/citations et des 'lasmons d9lectron dans la ci!le. 1eu/%ci sont dcrits en incluant une
descri'tion @e la ci!le: la structure lectroni-ue collecti3e de s et la structure en escla3a,e
interatomi-ue -uand le calcul est install (des ta!les des 3aleurs nominales sont fournies).
+9tat de char,e de l9ion dans la ci!le est dcrit utilisant le conce't de la char,e efficace0 -ui
inclut e/aminer d9tat d'endant de char,e de 3itesse et de lon, terme db ( la mer collecti3e
d9lectron de la ci!le.
2. /6<29
13
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
<ig. 8 5 3ue de 'ro,ramme 3e'fit
+e 'ro,ramme con3ena!le 8E6TIT a t 'rolon, a3ec des a''lications fonctionnant
sous l9en3ironnement de Dicrosoft Windocs facilitant l9entre et le rendement du module
con3ena!le de 8E6TIT. Il a t e/'loit de l9interface utilisateurs ,ra'hi-ue de Dicrosoft
Windocs en se ser3ant des fen>tres de dialo,ue0 des scroll !ars0 des !outons de commande0
etc. +9utilisateur communi-ue a3ec le 'ro,ramme sim'lement en cli-uant sur et le
d'lacement a3ec le dis'ositif de 'ointa,e de souris. @es actions de cla3ier sont limites ( un
minimum. +ors de chan,er un ou 'lusieurs 'aramtres .@.entre les rsultats de la
modlisation du S%'aramtre et des fractions de 'icoseconde contre l9ner,ie d9im'lantation
de 'ositron sont mis ( 4our et montrs. 1ette action 'eut >tre considre comme 'remire
ta'e du 'rocd con3ena!le sur le-uel l9utilisateur 'eut dcider d9ada'ter 'lus loin les
'aramtres d9entre ou d9e/'dier ces 'aramtres en tant -ue 3aleurs initiales ( la routine
con3ena!le. +9ta'e de modlisation s9est a3re utile 'our conce3oir des e/'riences de
faisceau de 'ositron.
7nal'se de %epfit 5
+.intr>t d.utiliser un faisceau de 'ositons mononer,ti-ues est de mesurer les S et
W en fonction de l.ner,ie E. +es rsultats de ces mesures donnent une information sur la
distri!ution de dfauts en 'rofondeur. +es mesures d.lar,issement @o''ler sont anal5ses (
l.aide d.un 'ro,ramme d.a4ustement et de modlisation des cour!es e/'rimentales0 le
'ro,ramme 8e'fit KHL. 1elui%ci utilise0 'our dcrire l.chantillon0 un modle de structure en
em'ilement de couches homo,nes dans les-uelles les caractristi-ues d.annihilations
'eu3ent diffrer. +.im'lantation est modlise ( 'artir du 'rofil d.im'lantation dit
DaEho3ian.+es 3aleurs de S et de W 'our une ner,ie donne sont "
( ) ( ) ( )

+
n
i
surface surface i i
* ! f * ! f ! *
1
et
( ) ( ) ( )

n
i
surface surface i i
+ ! f + ! f ! +
1
20
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
a3ec f
i
(E) la fraction d.annihilation des 'ositons im'lants ( une ner,ie E
dans la r,ion homo,ne i et f
surface
(E) la fraction d.annihilation des 'ositons d.ner,ie E ( la
surface. +.a4ustement des cour!es e/'rimentales S(E) et W(E) 'ermet de remonter au/
caractristi-ues de cha-ue couche i " S
i
0 W
i
0 la lon,ueur de diffusion effecti3e des 'ositons +
+
i
eff
et l.'aisseur de cha-ue couche d
i
.
III. La tache effectuer
222.1. chantillons tudis
222.1.a. <ractions dannihilation de positons S et " en fonction de leur
nergie incidente dans les chantillons de #er$aniu$ polis et non
recuits a%ant et apr(s i$plantation et irradiation 5 S(! et "(!
6our les diffrents chantillons de Ge 'olis et non recuits a3ant et a'rs im'lantation
et irradiation0 nous a3ons mesur 'ar s'ectromtrie d.lar,issement @o''ler de la raie ( *11
Ee80 la fraction d.annihilation des 'ositons res'ecti3ement de fai!le et de fort moment S et W
en fonction de l.ner,ie des 'ositons fi/e entre #0* et 2* Ee80 ,rJce ( l.acclrateur de
'ositons lents du 1EAI. 1es mesures ont t ralises ( tem'rature am!iante. Fous ra''elons
-ue la 'rofondeur mo5enne d.im'lantation des 'ositons de 2* Ee8 dans Ge est de l.ordre de
1#*# nm. A cette ner,ie0 les 'ositons sondent 'rinci'alement une r,ion situe entre et nm
de 'rofondeur.
21
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
Profil d'implantation de positons mononergtiques dans le 6H-SIC
0
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
0.01
0 150 300 450 600 750 900 1050 1200 1350 1500 1650 1800 1950 2100 2250 2400 2550 2700 2850 3000
Profondeur (nm)
P
r
o
f
i
l

d
'
i
m
p
l
a
n
t
a
t
i
o
n
5 keV
9 keV
14 keV
20 keV
25 keV
<ig.3 5 6rofil d.im'lantation des 'ositons lents mononer,ti-ues dans Ge
222.1.8. Mesure de S(! "(! dans les chantillons %ierges ) *00 +
@ans ce 'ara,ra'he0 Fous 'rsentons les rsultats des anal5ses concernant les
chantillons 3ier,es effectues ( &## X.
=%olution de S et " en fonction de
@ans la <ig.10> 'our S0 entre #.& et H.* Ee80 S au,mente ra'idement de #0$2N ( #0$$H
'uis au,mente l,rement 4us-u.( 2*Ee8 de #0$$H ( #.$*N. 6our W0 entre #0& et H.* Ee80 W
22
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
diminue ra'idement de #0#*)#* ( #0#*##H et a'rs diminue l,rement
4us-u.( #0#$N#2 'our atteindre une 3aleur de 'lateau 4us-u.( 2*Ee8.
=%olution de S("!
@ans la <ig.11 la cour!e S (W) dfinie un se,ment de droite. 1ette droite im'li-ue deu/
tats d.annihilation a3ec des fractions d.annihilation -ui 3arie en fonction de l.ner,ie
incidence de 'ositons.

0 4 8 12 16 20 24 28
0.048
0.050
0.052
0.054
0.056
0.058


h
i
g
h

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

W
Energy(eV!
0.430
0.435
0.440
0.445
0.450
0.455
0.460



"
o
#

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

$
<ig. 10 " E3olution des 'aramtres S et W en fonction de l.ner,ie des 'ositons 'our
un chantillon de Ge rfrence Fd1. +a li,ne en trait continue est la cour!e thori-ue issue de
l.a4ustement 'ar 8e'fit.
2*
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
0.048 0.050 0.052 0.054 0.056 0.058
0.425
0.430
0.435
0.440
0.445
0.450
0.455
0.460



"
o
#

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

$
high momentum fraction W
<ig.11 5 E3olution des 'aramtres S en fonction de W 'our un chantillon de Ge.
+i,ne en trait continue est la cour!e thori-ue issue de l.a4ustement 'ar 8e'fit.
7nal'se /epfit
+e 'ro,ramme 8e'fit K1#L a3ec un modle ( une couche homo,ne a t utilis 'our
a4uster correctement les cour!es thori-ues au/ cour!es e/'rimentales o!tenues dans les
chantillons Ge rfrence Fd 1. +.a4ustement de la cour!e e/'rimentale d!ute ( 1 Ee8. +es
3aleurs caractristi-ues S et W de l.chantillon ainsi -ue les lon,ueurs effecti3es de diffusion
des 'ositons sont re'orts dans le ta!leau sui3ant "
echantillons de Ge S
8e'fit
W
8e'fit
+
+
(nm)
Afrence Fd1 #.$)#2N #.#$7NN 1$*
2,
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
9a8leau 1 5 1aractristi-ues d.annihilation de 'ositons
res'ecti3ement de fai!le et fort moment corres'ondant ( l.chantillon de rfrence.
i. Reproducti8ilit
6our les chantillons Ge0 les fractions d.annihilation de fai!le moment S(E) et de fort
moment W(E) en fonction de l.ner,ie ont t mesures afin de 3rifier la re'roducti!ilit des
rsultats. Fous a3ons trou3 les m>mes com'ortements 'our S(E) et W(E). @ans ce
'ara,ra'he0 nous 'ressentons la re'roducti!ilit o!ser3e sur ces chantillons.
E(olution de S et 5 en ,onction de E
+es cour!es S(E) et W(E) o!tenues 'ar la s'ectrosco'ie d.annihilation de 'ositons
dans ces deu/ chantillons de Ge 'olis et non recuits ont une allure similaire.
0 4 8 12 16 20 24 28
0.048
0.050
0.052
0.054
0.056
%ef &'1
%ef &'2



Energy(eV!
"
o
#

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

$
h
i
g
h

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

W
0.425
0.430
0.435
0.440
0.445
0.450
0.455
0.460
0.465


<ig.12 5 E3olution des 'aramtres S et W en fonction de l.ner,ie des 'ositons 'our
deu/ chantillons de Ge rfrence 2 et 1. +a li,ne en trait continue est la cour!e thori-ue
issue de l.a4ustement 'ar 8e'fit.
2-
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
222.1.c. 2rradiations a%ec des ions h'drog(nes dans #e
iii. Description des chantillons et des conditions dirradiation
6our ces t5'es d.e/'riences0 des chantillons de Ge t5'e F (do' S!) d.'aisseur &##
Vm et 'olis une face 4us-u.( 1 Vm 'uis dca's chimi-uement 'endant 1* seconde0 ont t
irradis 'ar des ions H
+
de 12 De80 ( des fluences 3arient de 1.1#
1$
( 70).1#
1$
H
+
.cm
%2
trs
fai!le fluence (TTU1#
1$
H.cm
%2
)0 fai!le fluence (+TU1#
1*
H.cm
%2
)0 mo5enne fluence (DTU1#
1)

H.cm
%2)
0 forte fluence (TTU70).1#
1)
H.cm
%2
).
1es irradiations ont t ralises ( l.aide du c5clotron du 1EAI;1FAS ( Grlans. +es
conditions e/'rimentales d.irradiation sont dtailles dans le ta!leau sui3ant "
echantillon 6articule
Ener,ie
(De8)
Tluence
H
+
.cm
%2
6arcours
(Vm)
Tem'rature
D+GEF2E1#E11 H 12 1#
1$
*H# \$#
D+GEF1ENEH H 12 1#
1*
*H# \$#
D+GEF2E1$E1* H 12 1#
1)
*H# \$#
D+GEF2E&E$ H 12 70).1#
1)
*H# \$#
9a8leau 2 5 +iste et conditions d.irradiation des chantillons dcou's du 'la-uette de
t5'e F irradi a3ec des ions H5dro,ne.
Calculs &2IM pour ;'drog1ne de 12 Me3
+e 'rofil d.im'lantation de H
+
dans Ge a t calcul 'ar TAID K1#L. +e 'arcours
mo5en (A') des ions H
+
de 12 De8 est de *H# Rm. @ans ces conditions d.irradiation0 les ions
H tra3ersent nos chantillons -ui ont une 'aisseur de l.ordre de &## Vm. +e 'rofil de lacunes
cres 'ar l.irradiation dans nos chantillons en fonction de la 'rofondeur a t calcul 'ar
TAID0 en utilisant les ner,ies de d'lacement des atome de Germanium E
d
(Ge)U2* e8.
20
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
@ans ces chantillons0 la concentration de dfauts lacunaires 'r3u
'ar TAID reste -uasi constante en fonction de la 'rofondeur. 6rcisons -ue le 'ro,ramme
TAID 'ermet de calculer le 'rofil de lacunes sans tenir com'te de leur diffusion0 de la
recom!inaison ou de l.a,,lomration -ui 'eu3ent se 'roduire 'endant l.im'lantation (8oir
Ti,.).
0 200 400 600
0
5(10
17
1(10
18
2(10
18
2(10
18
3(10
18
3(10
18
4(10
18
4(10
18

)e
*
i
+
,
"
a
c
e
m
e
n
t

,
e
r

a
t
o
m

(
*
,
a
!
)
e

c
o
n
c
e
n
t
r
a
t
i
o
n
-
c
m
3
*e,th (.m!
0.0
5.0(10
18
1.0(10
19
1.5(10
19
2.0(10
19
2.5(10
19
3.0(10
19

/acancy
0%12 +imu"ation
<ig.1* 5 Gra'hi-ues o!tenus 'ar calcul SAID d.im'lantation H
+
d.ner,ie 12 De8 et
de fluence de 1#
1)
H
+
.cm
%2
dans le Germanium. +e 'rofil de lacunes calcul ne 'rend 'as en
com'te la diffusion des lacunes0 la recom!inaison ou l.a,,lomration 'ou3ant se 'roduire
'endant l.im'lantation.
i%. Mesure de S(! et de "(! dans les chantillons de #er$aniu$
irradis a%ec des &'drog(ne ) *00 +
Fous 'rsenterons dans ce 'ara,ra'he les rsultats de mesures d.lar,issement
@o''ler dans les chantillons de Ge irradis a3ec des ions H
+
de 12 De8 ( des fluences
3arient de 1.1#
1$
( 70).1#
1$
H
+
.cm
%2
.
27
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
@ans ce 'ara,ra'he0 nous allons tudier l.influence de la fluence de l.irradiation sur
l.3olution des fractions d.annihilations de 'ositons de fai!le et de fort moment S(E) et W(E)
dans les chantillons irradis a3ec des ions H
+
. +es mesures ont t effectues ( tem'rature
am!iante. +es 3aleurs caractristi-ues d.annihilation de 'ositons S et W dans les dis-ues
3ier,es 'olis sont illustrs dans le ta!leau sui3ant "
echantillons de Ge S
8e'fit
W
8e'fit
+
+
(nm)
8ier,e #.$)2NH7H* #.#$)$*N#& 1$*
9a8leau * 5 1aractristi-ues d.annihilation de 'ositons res'ecti3ement de fai!le et
fort moment corres'ondant ( l.chantillon de rfrence.
ii.1. E,,et de la ,luence de ;
=
dans les cantillons de +ermanium sur S6E7 et 56E7
@ans ce 'ara,ra'he0 l.effet de la fluence des ions H
+
de 12 De8 sur l.3olution des
fractions d.annihilations de 'ositons de fai!le et de fort moment S et W en fonction de
l.ner,ie des 'ositons a t tudie dans les chantillons Ge t5'e F.
ii.2. Irradiation . &r1s ,ai%le ,luence : 1.19
1"
;. cm02
@ans ce 'ara,ra'he0 on 3a tudier l.chantillon Ge t5'e F (nomm D+GeF1E1#E11)
'olis et irradis a3ec des ions H
+
de 12 De8 ( trs fai!le fluence (TT "1.1#
1$
H
+
.cm
%2
). +es
rsultats d.un chantillon sont re'rsents sur la Ti,.
=%olution de S et " en fonction de
@ans la <ig.1,0 6our une ner,ie des 'ositons su'rieure ( #07 Ee80 S;S
ref
(E) et
W;W
ref
(E) au,mente et diminue res'ecti3ement0 ( la fois -uand la fluence et -uand la
'rofondeur sonde 'ar les 'ositons au,mentent. 1e'endant on 'eut noter -ue l.au,mentation
28
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
en S et la diminution en W sont 'lus ra'ides 'our des ner,ies
infrieures ( ) Ee8 et au del( sont 'lus lents
=%olution de S en fonction de "
+a fi,ure0 la cour!e S(W) dfinie un seul se,ment0 cela im'li-ue deu/ tats
d.annihilation a3ec des fractions d.annihilation dans chacun -ui 3arie en fonction de l.ner,ie
incidente de 'ositons.
0 3 6 9 12 15 18 21 24
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
1.25

/ierge
10
14
)cm
32


)
i
g
h

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

W
Energy (eV!
0.92
0.93
0.94
0.95
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
1.01
1.02


4
o
#

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

$
23
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
<ig.1, 5 8ariation de la fraction d.annihilation S; S
ref
et W; W
ref
en
fonction de l.ner,ie incidente des 'ositons 'our l.chantillon Ge t5'e F nomm
D+GeF1E1#E11 'olis et irradis a3ec des ions H
+
de 12 De8 ( la fluence 1.1#
1$
H
+
.cm
%2
0.95 1.00 1.05 1.10 1.15 1.20 1.25
0.92
0.94
0.96
0.98
1.00
1.02
"
o
#

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

$
high momentum fraction W
<ig.1- 5 8ariation de S;S
ref
en fonction de la fraction d.annihilation de fort moment
W;W
ref
'our l.chantillon Ge t5'e F nomm D+GeF1E1#E11 'olis et irradis a3ec des ions
H
+
de 12 De8 ( la fluence 1.1#
1$
H
+
.cm
%2
7nal'se %epfit 5
*0
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
+e 'ro,ramme 8e'fit K1#L a3ec un modle ( une couche
homo,ne a t utilis 'our a4uster correctement les cour!es thori-ues au/ cour!es
e/'rimentales o!tenues dans les chantillons Ge irradis a3ec des ions H
+
( la
fluence1#
1$
H
+
.cm
%2
. +.a4ustement de la cour!e e/'rimentale d!ute ( 1 Ee8. 6our les
diffrentes fluences0 les 3aleurs caractristi-ues S et W de l.chantillon irradi ainsi -ue les
lon,ueurs effecti3es de diffusion des 'ositons sont re'orts dans le ta!leau sui3ant "
chantillon Vepfit * f Vepfit
* *
Ae
;
Vepfit + f -- Vepfit + + Ae ;
+ L
(nm)
TT "1#
1$
H
+
.cm
%2
#.$))N& 1.##N$H$$& #.#$*)2 #.HN1H)1*7 H*.72
8ier,e #.$)2NH7H* 1 #.#$)$*N#& 1 1$)
9a8leau ,5 Tractions d.annihilations S et W0 et lon,ueur de diffusion effecti3e +
+
des
'ositons de la couche caractristi-ue des chantillons Ge irradis ( trs fai!le fluence0
dtermines 'ar a4ustement de la cour!e e/'rimentale ,rJce ( 8e'fit a3ec un modle ( une
couche homo,ne0 S
ref
et W
ref
sont les 3aleurs o!tenues 'our le chantillon 3ier,e.
ii. 3. E,,et de la ,luence sur S6E7 et 56E 7
Fous 'rsentons dans ce 'ara,ra'he les rsultats d.annihilation de 'ositons o!tenus
dans les chantillons Ge t5'e F irradis 'ar des ions H
+
de 12 De8 a3ec des fluences 3ariant
de 1.1#
1$
et 70).1#
1)
H
+
.cm
%2
.
%olution de S et " en fonction de
+a Ti,.1* montre -ue les cour!es S;S
ref
(E) et W;W
ref
(E) o!tenues 'our les chantillons
de Ge irradis H
+
( diffrentes fluence 'rsentent la m>me allure. 6our une ner,ie des
'ositons su'rieure ( 10# Ee80 S;S
ref
(E) et W;W
ref
(E) au,mente et diminue res'ecti3ement0 (
*1
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
la fois -uand la fluence et -uand la 'rofondeur sonde 'ar les 'ositons
au,mentent. 1e'endant on 'eut noter -ue l.au,mentation en S et la diminution en W sont 'lus
ra'ides 'our des ner,iesinfrieures ( ) Ee8 et au del( sont 'lus lents
%olution de S en fonction de "
+a Ti,.1)0 re'rsente la fraction d.annihilation de fai!le moment S;S
ref
(E) et en
fonction de la fraction d.annihilation de fort moment W;W
ref
(E).6our des ner,ies
su'rieures ( 1&.* Ee80 tous les 'oints (S0 W) dcri3ent un se,ment de droite -ui 'asse 'ar le
'oint (101) corres'ondant ( l.annihilation dans l.chantillon 3ier,e considre comme
rfrence.
*2
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
0 3 6 9 12 15 18 21 24
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
H
i
,
h

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

W
l
o
c


m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

S
E n e r , 5 (Xe8)


0.92
0.94
0.96
0.98
1.00
1.02
1.04
1.06
1#
1$
H cm
%2
1#
1*
H cm
%2
1#
1)
H cm
%2
7.) 1#
1)
H cm
%2


<ig.1-5 8ariation de la fraction d.annihilation de fai!le moment S;S
ref
et de fort
moment W;W
ref
en fonction de l.ner,ie incidente des 'ositons 'our les diffrentes fluences
d.irradiation.
**
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.92
0.94
0.96
0.98
1.00
1.02
1.04
1.06
TT
+T
DT
TT
l
o
?

$
o
$
e
n
t
u
$

f
r
a
c
t
i
o
n

S
high $o$entu$ fraction "


<ig.10 5 8ariation de S;S
ref
en fonction de la fraction d.annihilation de fort moment
W;W
ref
'our les diffrentes fluences d.irradiation
7nal'se /epfit
+e 'ro,ramme 8e'fit K1#L a3ec un modle ( une couche homo,ne a t utilis 'our a4uster
correctement les cour!es thori-ues au/ cour!es e/'rimentales o!tenues dans les
chantillons Ge irradis a3ec des ions H
+
( diffrentes fluences. +.a4ustement des cour!es
e/'rimentales d!ute ( 1 Ee8. 6our les diffrentes fluences0 les 3aleurs caractristi-ues S et
W des diffrentes chantillons irradis ( des fluences diffrentes ainsi -ue les lon,ueurs
effecti3es de diffusion des 'ositons sont re'orts dans le ta!leau sui3ant "
*,
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
echantillon
Vepfit * f Vepfit
* *
Ae
;
Vepfit + f -- Vepfit + + Ae ;
+ L
(n
m)
TT " 1#
1$
H
+
.cm
%2
#.$))N& 1.##N$H$$& #.#$*)2 #.HN1H)1*7 H*.72
+T " 1#
1*
H
+
.cm
%2
#.$7&&2 1.#22*1$N #.#$&#H #.H27*#&N1 NH.1)
DT "1#
1)
H
+
.cm
%2
#.$N1N7 1.#$#HN*&H #.#&H2$ #.N$$)&&&2 )#.)7
TT " 70).1#
1)
H
+
.cm
%2
#.$N7&$ 1.#*2N#22* #.#&7$ #.N#*#27)N $&.H2
8ier,e #.$)2NH7 1 #.#$)$*N 1 1$*
9a8leau -5 Tractions d.annihilations S et W0 et lon,ueur de diffusion effecti3e +
+
des
'ositons de la couche caractristi-ue des chantillons Ge irradis0 dtermines 'ar a4ustement
des cour!es e/'rimentales ,rJce ( 8e'fit a3ec un modle ( une couche homo,ne0 S
ref
et
W
ref
sont les 3aleurs o!tenues 'our le chantillon 3ier,e.
Fous constatons dans les chantillons irradis0 S (et res'ecti3ement W) est tou4ours
su'rieur (infrieur) ( la 3aleur S
ref
(W
ref
) de l.chantillon de rfrence0 ce -ui indi-ue la
'rsence des dfauts lacunaire. A la fois -uand la fluence au,mente0 les 3aleurs de S (et
res'ecti3ement W) au,mente (diminue) a3ec la fluence des ions irradis0 et ainsi la lon,ueur
de diffusion effecti3e +
1+
des 'ositons diminue. 1ela -ui su,,re -ue la concentration ou le
t5'e de dfauts chan,e -uand la fluence au,mente.
@.a'rs l.anal5se des <ig.- et 0 re'rsente la 3ariation de S en fonction de W0
-uel-ue soit la fluence0 tous les 'oints e/'rimentau/ et ainsi trou3s 'ar le 8e'fit
corres'ondants au/ chantillons irradies sont ali,ns sur le m>me droite. 1eci 'eut >tre
e/'li-u de deu/ faOons "
6re$ier cas " +e m>me t5'e de dfauts lacunaires dtects dans tous les chantillons
irradis ( diffrentes fluences.
Deu@i($e cas " 6lusieurs t5'es des dfauts dtectes dans tous les chantillons irradis
( diffrentes fluences a3ec leurs distri!ution est homo,ne. +e tau/ de 'i,ea,e X
i
de cha-ue
*-
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
dfaut @
i
chan,e a3ec la fluence mais les ra''orts de ces tau/ restent
constants -uand la fluence chan,e. @ans ce cas0 il est im'ossi!le d.identifier la nature de ces
dfauts et leurs concentrations.
@.a'rs les rsultats de mesures de tem's de 3ie ( &## X sur ces chantillons irradis
(3oir le ta!leau ))K12L0 nous constatons -ue le 'remier cas n.est 3rifie -ue 'our la fluence
1#
1$
H
+
.cm
%2
0 car la com'osante lon,ue
2
o!tenue dans cette chantillon est de 2H2 's0 ce -ui
'roche de la 3aleur o!tenue dans le monolacune de Ge dans le Germanium (2N* ( 2H# 's)
K1&L. Tandis -ue le deu/ime cas est 3rifie 'our les autres fluences0 car la com'osante lon,ue

2
o!tenue dans les chantillons irradis ( des fluences 3ariants de 1#
1$
( 70).1#
1$
H
+
.cm
%2
0
au,mente a3ec la fluence de 2HH ( &1) 's.
6our lchantillon irradi ) la fluence 7>0.10
10
&
;
.c$
-2
0 nous constatons d.une 'art0
les 3aleurs de ra''orts f Vepfit
* *
Ae
;
U1.#*2(N) et f Vepfit
+ +
Ae
;
U#.N#(*) o!tenues dans cette
chantillon sont com'ara!les au/ 3aleurs o!tenues dans la !ilacune dans le silicium (S
82
(Si);
S
!
(Si)U1.#*($) W
82
(Si);W
!
(Si)U#.7N(2) K12L0 et d.autre 'art0 la mesure de tem's de 3ie mesur
( &## X sur le m>me chantillon est de &1) 's0 et cette 3aleur corres'ond e/actement la 3aleur
o!tenue dans le !ilacune de Ge dans le Germanium K1$L0 et ainsi le ra''ort
2
;
lattice
est ,ale
1.&N -ui est com'ara!le ( celle o!tenue 'our la !ilacune de Si dans le silicium

82
;
lattice
U1.&)(2) K1$L. 1es rsultats im'li-uent -ue nous a3ons dtect un seul t5'e de
dfauts dans tous l.chantillon irradi ( la fluence 70).1#
1)
H
+
.cm
%2
et -ui est la !ilacune de Ge.
6our les chantillons irradis ( deu/ fluences 1#
1*
et 1#
1)
H
+
.cm
%2
0 nous a3ons la
com'osante de tem's de 3ie lon,ue "
2
(1#
1$
H
+
.cm
%2
0 monolacune) \
2
(1#
1*
et 1#
1)
H
+
.cm
%2
)
\
2
(70).1#
1)
H
+
.cm
%2
0 !ilacune)ce -ui nous 'ermet de 'enser de 'enser -ue les com'le/es
lacune%im'uret a t dtect dans les chantillons irradis ( deu/ fluences1#
1*
et1#
1)
H
+
.cm
%2
.
*0
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
1.00
1.01
1.02
1.03
1.04
1.05
1.06


W
fit
-W
ref
$
f
i
t
-
$
r
e
f
<ig.175 8ariation de S
fit
;S
ref
en fonction de la fraction d.annihilation de fort moment
W
fit
;W
ref
'our les diffrentes fluences d.irradiation H+ d.ner,ie 12 De8.
Fom TluenceH
+
.cm
%2

mo5

1
Er
1

2
Er
2
I
2
f ErI
2

2
;
3ier,e
8ier,e 227.H 227.H
TT 1#
1$
2&&.) 1HN $ 2H1 7 &# * 1.2N
+T 1#
1*
2*&.H 1*$ $ 2HH 2 )H 2 1.&1
DT 1#
1)
27H.& 17& N &#2 2 N2 2 1.&2
TT 70).1#
1)
2N$.H 227 1& &1) 7 )$ H 1.&N
9a8leau 0 " Tem's de 3ie mesurs ( &## X a3ec des 'ositons ra'ides dans Ge irradis
H
+
d.ner,ie 12 De8K1$L
222.1.d. 2$plantation a%ec des ions ,&e de -0 .e/
i%. chantillons tudis et conditions di$plantation
*7
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
@ans ce tra3ail0 nous a3ons im'lant deu/ morceau/ d.une 'la-uette de
Ge 'olis t5'e F a3ec des hliums
$
He de *# Ee8 ( deu/ fluences 1.1#
1)

et *.1#
1)

$
He cm
%2
. +es
im'lantations ont t ralises au la!oratoire de 6h5si-ue des Datriau/ de 6oitiers0 en
utilisant l.acclrateur 8an Graff (6oitiers). +a tem'rature d.im'lantation n.est 'as
connue. gg
Si/ chantillons utiliss dans cette tude ont t dcou's dans les deu/ morceau
'rcdent. +es dtails sur les conditions e/'rimentales d.im'lantation sont 'rsents dans le
ta!leau sui3ant"
chantillon 6articule
Ener,ie
(Ee8)
Tluence
He.cm
%2
6arcours
(nm)
Tem'rature
H+GeE1a
H+GeE1!
H+GeE1c
$
He *# 1.1#
1)
2N$
g
H+GeE2a
H+GeE2!
H+GeE2c
$
He *# *.1#
1)
2N$
g
9a8leau 7 " 1onditions d.im'lantation et d.irradiation dans les chantillons de Germanium.

Calculs &2IM pour ;lium de -9 <e3
+e 'rofil d.im'lantation de He
2+
dans Ge a t calcul 'ar TAID K1L. +e 'arcours
mo5en (A') des ions He
2+
de *# Ee8 est de &&# nm . +e 'rofil de lacunes cres 'ar
l.irradiation dans nos chantillons en fonction de la 'rofondeur a t calcul 'ar TAID0 en
utilisant les ner,ies de d'lacement des atome de Germanium E
d
(Ge)U2* e8. 1e 'rofil de
lacunes su,,re la 'rsence de trois Cones dans le chantillon de Ge " une Cone des traces
(`T)0 une Cone des cascades (`1) et une Cone non im'lante (`F). @ans la Cone des traces
des ions0 le nom!re de lacunes formes cro2t lentement 4us-u.( une 'rofondeur mo5enne
de 1## nm. @ans la Cone des cascades situe entre1## nm et $N# nm de 'rofondeur0 la
concentration de dfauts lacunaires atteint un ma/imum 'uis diminue et de3ient nulle.
6rcisons -ue le 'ro,ramme TAID 'ermet de calculer le 'rofil de lacunes sans tenir com'te
*8
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
de leur diffusion0 de la recom!inaison ou de l.a,,lomration -ui 'eu3ent
se 'roduire 'endant l.im'lantation (8oir Ti,.1N).
0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 440 480
0
1(10
20
2(10
20
3(10
20
4(10
20

)e
*
i
+
,
"
a
c
e
m
e
n
t

,
e
r

a
t
o
m

(
*
,
a
!
)
e

c
o
n
c
e
n
t
r
a
t
i
o
n
-
c
m
3
*e,th (nm!
0.0
2.0(10
21
4.0(10
21
6.0(10
21
8.0(10
21
1.0(10
22
1.2(10
22
1.4(10
22

/acancy
0%12 +imu"ation
<ig.18 " calcul du 'rofil d.im'lantation d.hlium et du 'rofil de lacunes cres 'ar
im'lantation de l.hlium 'ar le TAID.
%. Mesures de S(! et " (! ) *00 + dans les chantillons i$plants
,
&e
de -0 .e/
6our dtecter les dfauts lacunaires crs 'ar l.im'lantation d.ions
$
He
++
dans les
chantillons Ge issus de deu/ morceau/ de 'la-uette Ge t5'e F0 nous a3ons ralis de
mesures d.lar,issement @o''ler cou'les a3ec l.acclrateur de 'ositons lents du
1EAI;1FAS%Grlans. Fous ra''elons -ue la 'rofondeur mo5enne d.im'lantation de 'ositons
de 2* Ee8 dans Ge est de l.ordre de g nm et ( cette ner,ie0 les 'ositons sondent
'rinci'alement les trois Cones su,,re 'ar le 'rofil de lacunes donne 'ar le TAID.
*3
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
%i. ffet de la fluence de
,
&e dans les chantillons de
#er$aniu$ sur S(! et "(!
@ans ce 'ara,ra'he0 l.effet de la fluence des ions
$
He de *# Ee8 sur l.3olution des
fractions d.annihilations de 'ositons de fai!le et de fort moment S et W en fonction de
l.ner,ie des 'ositons a t tudie.
iii.1. Implantation 8 la ,luence : 1.19
1>
cm
02

Fous a3ons trou3 les m>mes 3olutions de S(E) et W(E) dans les deu/ chantillons
mesurs de Ge im'lants
$
He ( la fluence de 1.1#
1)
He.cm
%2
0 et seuls les rsultats o!tenus 'our
un chantillon sont re'rsents sur la fi,ure.
=%olution de S et " en fonction de
+a <ig.130 montre -ue les 3aleurs de S;S
ref
(E) et W;W
ref
(E) o!tenues dans
l.chantillon im'lant a3ec des ions He de *# sont res'ecti3ement su'rieure et infrieure (
celle o!tenue dans l.chantillon 3ier,e. 1es rsultats indi-uent -ue des dfauts lacunaires sont
dtects dans l.chantillon im'lant.
=%olution de S en fonction de "
@ans la <ig.200 la cour!e S(W) dfinie deu/ se,ments de droites de 'entes diffrentes0
un 'remier
1 &
entre 1 et Het un deu/ime
2 &
dfini ( 'artir de H 4us-u. ( 2* Ee8. Sur la
droite
1 &
0 S au,mente et W diminue de'uis la surface 4us-u.( l.ner,ie H Ee8. 6our la droite
2 &
0 S diminue et W au,mente.
,0
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
0 3 6 9 12 15 18 21 24
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
10
16
)e.cm
32
/ierge


)
i
g
h

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

W
E n e r g y (eV!
0.93
0.94
0.95
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
1.01
1.02


4
o
#

m
o
m
e
n
t
u
m

f
r
a
c
t
i
o
n

$
<ig.13 " 8ariation des fractions de Snor et Wnor en fonction de l.ner,ie des 'ositons
dans le su!strat Ge im'lant ( la fluence 1#
1)
He.cm%
2
. +i,ne en trait continue est le cour!e
thori-ue issue de l.a4ustement 'ar 8e'fit.
,1
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
0.043 0.044 0.045 0.046 0.047 0.048 0.049 0.050 0.051
0.445
0.450
0.455
0.460
0.465
0.470
4
o
#

m
o
m
e
n
t
u
m

5
r
a
c
t
i
o
n

$
)igh momentum 5raction W

<ig. 20 " 8ariation des fractions de S en fonction de W dans le su!strat Ge im'lant (
la fluence 1#
1)
He.cm%
2
. +i,ne en trait continue est la cour!e thori-ue issue de l.a4ustement
'ar 8e'fit.
7nal'se /epfit
+e 'ro,ramme 8e'fit associ ( un modle K1$L ( trois Cones homo,nes 'ermet d.a4uster
correctement la cour!e thori-ue ( la cour!e e/'rimentale. +.a4ustement de cour!e
e/'rimentale d!ute ( 1 Ee8. +es trois Cones dtermines 'ar l.a4ustement 'ar anal5se de
3e'fit sont illustrs dans le ta!leau. @.a'rs les rsultats de 'ro,ramme 8e'fit0 on a trois
Cones homo,nes.
9a8leau 8 5 A4ustement des fractions d.annihilations S et W0 de la 'rofondeur et de la
lon,ueur de diffusion effecti3e
+ L
des 'ositons des diffrentes r,ions caractristi-ues du
su!strat Ge (1#
1)

&
He. cm
%2
).
A,ion `one (Rm) S S;S f -- Ae W W;W f -- Ae
+ L
1 #%1## #.$77&H 10#&7 #.#$2#H #0NN 1$.&$
2 1##%$N# #.$N)2$ 10#*) #.#&7&) #07N1 1*N
KAFIL #h$N# #.$)$H* 10#1# #.#$*2$ #0H$) 1*#
,2
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
iii.2. Implantation 8 la ,luence : -.19
1>
cm02
Fous a3ons trou3 les m>mes 3olutions de S(E) et W(E) dans les deu/
chantillons mesurs de Ge im'lants
$
He ( la fluence de *.1#
1)
He.cm
%2
0 et seuls les rsultats
o!tenus 'our un chantillon sont re'rsents sur la fi,ure.
=%olution de S et " en fonction de
@ans la <ig.210 entre #0* et & Ee8 S diminue l,rement de #0$&1HH ( #0$2H)7 et (
'artir de 20* 4us-u.( 1&0* Ee80 la tendance s.in3erse0 S au,mente ra'idement 4us-u.( 70* Ee8
de #0$2NH* ( #0$&1* 'uis 'lus lentement 4us-u.( 1&0* Ee8 oB S atteint un ma/imum de
#0$&&HN. 6our des ner,ies su'rieures ( 1$ Ee80 S diminue 3ers la 3aleur de #0$2)&) ( 2*
Ee8. Entre #0* et 2 Ee8 W diminue l,rement de #0#*#NH ( #0#$H#)N0 ( 'artir de 20*Ee80 W
diminue d.a!ord ra'idement 4us-u.( 70* Ee8 de #0#$)*)# ( #0#$&#H 'uis 'lus lentement
4us-u.( 1&0*Ee8 oB W atteint un ma/imum de #0#$1&H. 6our des ner,ies 'lus le3es0 W
au,mente 4us-u.( #0#$&* ( 2* Ee8.
=%olution de S en fonction de "
@ans la <ig.22> la cour!e S(W) dfinie trois se,ments de droites de 'entes diffrentes0
un 'remier
1 &
entre 20* et 70* et un deu/ime
2 &
dfini ( 'artir de 70* 4us-u. ( 1&0* Ee8 et
le troisime & & dfini ( 'artir de 1* Ee8. Sur la droite
1 &
0 S et W diminuent de'uis la
surface 4us-u.( l.ner,ie 20* Ee8. 6our la droite
2 &
0 S au,mente et W diminue. 6our la
droite & & 0S diminue et W au,mente res'ecti3ement et tendent 3ers les 3aleurs de S et W du
su!strat a3ant l.im'lantation -uand l.ner,ie des 'ositons au,mente
,*
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
0 3 6 9 12 15 18 21 24
0.042
0.044
0.046
0.048
0.050
n e r g ' (.e/!


0.440
0.445
0.450
0.455
0.460
0.465
0.470
0.475
0.480
H
i
,
h

D
o
m
e
n
t
u
m

T
r
a
c
t
i
o
n

W
+
o
c

D
o
m
e
n
t
u
m

T
r
a
c
t
i
o
n

S


<ig.21 " 8ariation des fractions de S et W en fonction de l.ner,ie des 'ositons dans le
su!strat Ge im'lant ( la fluence *.1#
1)
He.cm%
2
. +i,ne en trait continue est la cour!e
thori-ue issue de l.a4ustement 'ar 8e'fit.
,,
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
0.041 0.042 0.043 0.044 0.045 0.046 0.047 0.048 0.049 0.050
0.445
0.450
0.455
0.460
0.465
0.470
0.475
0.480
+
o
c

m
o
m
e
n
t
u
m

T
r
a
c
t
i
o
n

S
Hi,h momentum Traction W

<ig.22 " 8ariation des fractions de S en fonction de W dans le su!strat Ge im'lant (
fai!le fluence *.1#
1)
He.cm%
2
. +i,ne en trait continue est la cour!e thori-ue issue de
l.a4ustement 'ar 8e'fit.
7nal'se /epfit
+e 'ro,ramme 8e'fit associ ( un modle K1$L ( trois Cones homo,nes 'ermet d.a4uster
correctement les cour!es thori-ues au/ cour!es e/'rimentales. +.a4ustement des cour!es
e/'rimentales d!ute ( 1 Ee8. +es rsultats de l.a4ustement 'ar anal5se de 3e'fit sont
illustrs dans le ta!leau. @.a'rs les rsultats de 'ro,ramme 8e'fit0 on a trois Cones
homo,nes.
9a8leau 3 5 A4ustement des fractions d.annihilations S et W0 de la 'rofondeur et de la
lon,ueur de diffusion effecti3e
+ L
des 'ositons des diffrentes r,ions caractristi-ues du
su!strat Ge (*.1#
1)
He. cm
%2
)0 rf * et rf + sont les 3aleurs o!tenues 'our les couches.
A,ion
`one
(Rm)
S
S;S
f -- Ae
W
W;W
f -- Ae
+ L
1 #%1## #.$)#)$ #.HH2 #.#$)1N 1.##N 1H.1)
2
1##%
$N#
#.$)H*7 10#12 #.#$2H* #0H&7 $).&)
KAFIL h$N# #.$)*#7 10##2* #.#$*2H #0HNN2 1$*
,-
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2007-2008
Conclusion
+es mesures d.lar,issement @o''ler et de tem's de 3ie des 'ositons ralises sur les
chantillons de Ge t5'e F irradis a3ec des ions H
+
de 12 De8 montrent -ue l.irradiation
induit des dfauts lacunaires. 1es dfauts lacunaires chan,ent leurs tailles a3ec la fluence0 et
d.a'rs les rsultats nous a3ons conclu -ue ces dfauts sont des monolacunes de Ge 'our la
fluence 1#
1$
H
+
.cm
%2
et des !ilacunes ( 70).1#
1$
H
+
.cm
%2
et 'our autres fluences " 1#
1*
et
1#
1)
H
+
.cm
%2
0 nous a3ons su,,r la dtection des com'le/es lacune%im'uret
@ans les chantillons im'lants a3ec des ions
$
He de *#Ee8 ( diffrentes fluences0 les
mesures d.lar,issement @o''ler montrent la cration de dfauts dans la Cone 'arcourue 'ar
l.ion. @eu/ Cones endomma,es 'eu3ent >tre distin,ues dans les-uelles la nature et la
concentration de dfauts lacunaires d'endent de la fluence
,0
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2007-2008
Conclusion et Perspective :
& apr.s les tude effectues" durant cette priode de stage au sien du
Centre National de lEnergie" des Sciences et des &echniques Nuclaires
/0.N.!.*.%.!.N1" on arri2e 3 dtecter et dfinir les dfaut lacunaire induit par
lirradiation et)ou l implantation . ses dfauts peu2ent 4tre class selon leur
t5pes et leur tailles que se 2arie en fonction du fluence
Reference :
,7
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008
K1L @irac 6.A.D0 6oc. 1am!. 6hil. Soc. Dath. 6h5s. Sci. 20 (1H&#) &)1.
K2L Andreson0 Science 70 (1H&2) 2&N.
K&L SchultC 6._.0 +5nn X.G.0 Ae3iecs of Dodern 6h5sics 000 & (1HNN).
K$L 6. @es,ardin0 +. +isEa50 D.%T. Warthe0 +. Henr50 _. Wriaud0 D. Saillard0 +. +e'olotec0 1.
1or!el0 G. Wlondiau/0 A. 1older0 6. Darie0 D. +e3alois0 Dater. Sci. Torum *0*-*0- (2##1)
*2&.
K*L 6.Hauto4ar3i0 1. 1or!el0 i6ositron s'ectrosco'5 of defects in metals and semiconductorsi0
in 6ositron s'ectrosco'5 of solids0 edited !5 A. @u'as-uier and A. 6. Dills _r (1HH*) $H$.
K)L +.Henr5 iStructure atomi-ue et acti3it lectroni-ue des dfauts natifs et induits 'ar
irradiation dans le car!ure de silicium )H%Si1 dtermines 'ar annihilation de 'ositonsi
Thse de l.uni3ersit d.Grlans (1HHH).
K7L 8alEealahti S.0 Fieminen A.D.0 A''l. 6h5s. A *- (1HN$) *1.
KNL 8an 8een A.0 Schut H.0 @e 8ries _.0 HaE3oort A.A. et I4'ma D.A.0 i6ositron Weams for
Solids and Surfacesi0 dit 'ar SchultC 6._.0 Dasooumi G. A. and Sim'son 6._.0 Fec jorE
AI6 (1HH#) 171.
KHL Qedono A.0 Itoh H.0 Ghshima T.0 AoEi j.0 joshiEaca D.0 Xacano I.0 GEumura H.0
joshida S.0 Dori5a T.0 Xacano T. 0 Tani,aca S.0 _'n. A''l. 6h5s. *- (1HH)) *HN).
K1#L _.T. `ie,ler0 _.6. WiersacE0 Q. +ittmarE0 kThe Sto''in, and Aan,e of Ions in Solids0
edited !5 _.T. `ie,ler0 6er,amon 6ress0 Fec jorE (1HN*).
K11L 8an 8een A.0 Schut H.0 @e 8ries _.0 HaE3oort A.A. et I4'ma D.A.0 i6ositron Weams for
Solids and Surfacesi0 dit 'ar SchultC 6._.0 Dasooumi G. A. and Sim'son 6._.0 Fec jorE
AI6 (1HH#) 171.
K12L 6.@es,ardin0 DT.Warthe0 Aa''ort ] tude de dfauts induits 'ar im'lantation d.ions
lourds dans des chantillons Ge 'ar annihilation de 'ositons ^
K1&L Xrausse%Aeh!er, A0 H.S.+ei'ner k6ositron annihilation in semi%conductorsl 'a,e 1N&
K1$L6anda W.X0 +iDin, W0 Tun, S0 Welin, 1.@ (1HH7)" 6h5s.Ae3.W *)0 7&*)
,8
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2007-2008
annexes
,3
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Liste de figure :
<ig. 1 5 Eta!lissement 'u!lic ( autonomie financire cre en 1HN) 'lac sous la tutelle
DEST1AS.
<ig. 2 5 6lan de situation du 1.E.F.D
<ig. * A or,ani,ramme de l.entre'rise
<ig. , 5 Schma de 'rinci'e du faisceau de 'ositons lents du 1EAI.
<ig. - 5 Schma de 'rinci'e d.une cha2ne de mesure d.lar,issement @o''ler de la raie
d.annihilation ( *11 Ee8
<ig. 0 5 @termination des fen>tres S et W ( 'artir d.un s'ectre @o''ler
<ig. 7 5 3ue du 'ro,ramme TAID
<ig. 8 5 3ue de 'ro,ramme 3e'fit
<ig.3 5 6rofil d.im'lantation des 'ositons lents mononer,ti-ues dans Ge
<ig. 10 " E3olution des 'aramtres S et W en fonction de l.ner,ie des 'ositons 'our un
chantillon de Ge rfrence Fd1. +a li,ne en trait continue est la cour!e thori-ue issue de
l.a4ustement 'ar 8e'fit.
<ig.11 5 E3olution des 'aramtres S en fonction de W 'our un chantillon de Ge. +i,ne en
trait continue est la cour!e thori-ue issue de l.a4ustement 'ar 8e'fit.
<ig.12 5 E3olution des 'aramtres S et W en fonction de l.ner,ie des 'ositons 'our deu/
chantillons de Ge rfrence 2 et 1. +a li,ne en trait continue est la cour!e thori-ue issue
de l.a4ustement 'ar 8e'fit.
<ig.1* 5 Gra'hi-ues o!tenus 'ar calcul SAID d.im'lantation H
+
d.ner,ie 12 De8 et de
fluence de 1#
1)
H
+
.cm
%2
dans le Germanium. +e 'rofil de lacunes calcul ne 'rend 'as en
com'te la diffusion des lacunes0 la recom!inaison ou l.a,,lomration 'ou3ant se 'roduire
'endant l.im'lantation.
<ig.1, 5 8ariation de la fraction d.annihilation S; S
ref
et W; W
ref
en fonction de l.ner,ie
incidente des 'ositons 'our l.chantillon Ge t5'e F nomm D+GeF1E1#E11 'olis et irradis
a3ec des ions H
+
de 12 De8 ( la fluence 1.1#
1$
H
+
.cm
%2
-0
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<ig.1- 5 8ariation de S;S
ref
en fonction de la fraction d.annihilation de fort
moment W;W
ref
'our l.chantillon Ge t5'e F nomm D+GeF1E1#E11 'olis et irradis a3ec
des ions H
+
de 12 De8 ( la fluence 1.1#
1$
H
+
.cm
%2
<ig.10 5 8ariation de S;S
ref
en fonction de la fraction d.annihilation de fort moment W;W
ref

'our les diffrentes fluences d.irradiation
<ig.175 8ariation de S
fit
;S
ref
en fonction de la fraction d.annihilation de fort moment W
fit
;W
ref

'our les diffrentes fluences d.irradiation H+ d.ner,ie 12 De8.
<ig.18 5 calcul du 'rofil d.im'lantation d.hlium et du 'rofil de lacunes cres 'ar
im'lantation de l.hlium 'ar le TAID.
<ig. 20 " 8ariation des fractions de S en fonction de W dans le su!strat Ge im'lant ( la
fluence 1#
1)
He.cm%
2
. +i,ne en trait continue est la cour!e thori-ue issue de l.a4ustement 'ar
8e'fit.
<ig.13 " 8ariation des fractions de Snor et Wnor en fonction de l.ner,ie des 'ositons dans le
su!strat Ge im'lant ( la fluence 1#
1)
He.cm%
2
. +i,ne en trait continue est la cour!e thori-ue
issue de l.a4ustement 'ar 8e'fit.
<ig.21 " 8ariation des fractions de S et W en fonction de l.ner,ie des 'ositons dans le
su!strat Ge im'lant ( la fluence *.1#
1)
He.cm%
2
. +i,ne en trait continue est la cour!e
thori-ue issue de l.a4ustement 'ar 8e'fit.
<ig.22 " 8ariation des fractions de S en fonction de W dans le su!strat Ge im'lant ( fai!le
fluence *.1#
1)
He.cm%
2
. +i,ne en trait continue est la cour!e thori-ue issue de l.a4ustement
'ar 8e'fit.
-1
Rapport du stage de fin dtude
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Liste des tableaux :
9a8leau 1 5 1aractristi-ues d.annihilation de 'ositons res'ecti3ement de fai!le et fort
moment corres'ondant ( l.chantillon de rfrence.
9a8leau 2 5 +iste et conditions d.irradiation des chantillons dcou's du 'la-uette de t5'e F
irradi a3ec des ions H5dro,ne.
9a8leau * 5 1aractristi-ues d.annihilation de 'ositons res'ecti3ement de fai!le et fort
moment corres'ondant ( l.chantillon de rfrence.
9a8leau ,5 Tractions d.annihilations S et W0 et lon,ueur de diffusion effecti3e +
+
des
'ositons de la couche caractristi-ue des chantillons Ge irradis ( trs fai!le fluence0
dtermines 'ar a4ustement de la cour!e e/'rimentale ,rJce ( 8e'fit a3ec un modle ( une
couche homo,ne0 S
ref
et W
ref
sont les 3aleurs o!tenues 'our le chantillon 3ier,e.
9a8leau -5 Tractions d.annihilations S et W0 et lon,ueur de diffusion effecti3e +
+
des
'ositons de la couche caractristi-ue des chantillons Ge irradis0 dtermines 'ar a4ustement
des cour!es e/'rimentales ,rJce ( 8e'fit a3ec un modle ( une couche homo,ne0 S
ref
et
W
ref
sont les 3aleurs o!tenues 'our le chantillon 3ier,e.
9a8leau 0 " Tem's de 3ie mesurs ( &## X a3ec des 'ositons ra'ides dans Ge irradis H
+

d.ner,ie 12 De8K&L
9a8leau 7 " 1onditions d.im'lantation et d.irradiation dans les chantillons de Germanium.
9a8leau 8 5 A4ustement des fractions d.annihilations S et W0 de la 'rofondeur et de la
lon,ueur de diffusion effecti3e
+ L
des 'ositons des diffrentes r,ions caractristi-ues du
su!strat Ge (1#
1)

&
He. cm
%2
).
9a8leau 3 5 A4ustement des fractions d.annihilations S et W0 de la 'rofondeur et de la
lon,ueur de diffusion effecti3e
+ L
des 'ositons des diffrentes r,ions caractristi-ues du
su!strat Ge (*.1#
1)
He. cm
%2
)0 rf * et rf + sont les 3aleurs o!tenues 'our les couches.
-2
Rapport du stage de fin dtude
2007-2008

-*