Dispositivos Electronicos

Tema 0.
- Repaso de Teora de Circuitos

1 . - Magnit ude s e l c t ric as y c onc e pt os fundame nt ale s .
Tensin (v): Diferencia de potencial elctrico entre
dos puntos de un circuito. El punto desde donde se
comienza a medir se seala con un smbolo +. Se mide en
voltios (V).
Intensidad (i): Nmero de cargas elctricas que
circula por un elemento de circuito por unidad de tiempo.
La direccin positiva del flujo de cargas se indica con una
flecha. Se mide en amperios (A).
La tensin siempre se mide entre dos puntos y la
intensidad siempre fluye a travs de un elemento.
Dispositivo electrnico: Elemento con dos o ms terminales que establece una relacin
algebraica o diferencial entre la intensidad que circula por l y la tensin entre sus terminales.
Circuito elctrico: Conjunto de dispositivos interconectados entre s que establecen
unas determinadas relaciones entre las tensiones e intensidades elctricas que dependen tanto
de la naturaleza de los dispositivos como de la forma en que estn conectados.
1.1. Conceptos bsicos de circuitos
En un circuito se define:
Conexin: Punto donde se unen dos terminales de elementos.
Nudo: Punto donde se unen ms
de dos terminales de elementos. Entre
dos nudos debe haber al menos un
elemento.
Rama: Conjunto de elementos
entre dos nudos.
Malla: Camino cerrado formado
por una o ms ramas que comienza y
termina en un mismo nudo.
v
i
Nudos: N1, N0 (2)
Ramas: E1-E2-E3, E4, E5-E6 (3)
Mallas: E1-E2-E3-E4, E1-E2-E3-E5-E6, E4-E5-E6 (3)
(Smbolo
de Tierra)
( Puerto )
E1
E2 E4 E6
E3 E5
vp
ip
ip
N1
N0
E.T.S.I. Informtica Dispositivos Electrnicos. Tema 0
Departamento de Electrnica Pag 1
Tierra: Un nudo del circuito que se toma como referencia para medir todas las tensiones
del circuito. As, cuando se dice "la tensin en tal punto del circuito" se est refiriendo a la
diferencia de potencial entre dicho punto y el nudo de tierra.
Puerto: Par de terminales de un circuito tales que la intensidad que entra por uno de
ellos es igual a la que sale por el otro. En un circuito pueden existir puertos que tengan un
terminal comn; en este caso, la intensidad que circula por este terminal es igual a la suma de
las que circulan por los otros terminales de dichos puertos. Los puertos pueden ser de entrada
y/o salida.
1.2. Leyes de Kirchoff.
Gobiernan el funcionamiento de los
circuitos.
1 Ley (LKI): La Suma de las intensidades
que inciden en un nudo es nula o la suma de las
intensidades que entran en un nudo es igual a la
suma de las intensidades que salen de l.
2 Ley (LKV): La suma de las tensiones a
lo largo de una malla es nula o la tensin entre
dos puntos es la misma, independientemente del
camino que se utilice para calcularla.
1.3. Potencia Elctrica.
Todo elemento de circuito consume o aporta energa elctrica durante el funcionamiento
del circuito en que se inserta. La magnitud ms utilizada en la evaluacin del comportamiento
energtico de un elemento cualquiera es la energa consumida o aportada por unidad de
tiempo, es decir, la potencia. La potencia instantnea viene dada por la expresin:
P
i
= v i
Donde v es la tensin en los extremos del elemento e i la intensidad que circula por l.
La potencia media consumida en un intervalo de tiempo t viene dada por:
1
t
P = v () i () d
t
0
Si las magnitudes v e i son constantes a lo largo del tiempo se dice que la corriente
elctrica es continua, coincidiendo en este caso la potencia media y la potencia instantnea.
La potencia consumida o aportada por un circuito es igual a la suma de las potencias
consumidas o aportadas por sus elementos.
1 Ley: i2 + i3 - i1 = 0 i1 = i2 + i3
2 Ley: v1 + v2 - v3 = 0 v3 = v1 + v2
i1 i3
i2
v1
v2
v3
2 . - Ele me nt os bs ic os de c irc uit o.
Existen dos clasificaciones fundamentales:
Lineales: Las relaciones que establecen entre i y v estn dadas por ecuaciones
algebraicas o diferenciales lineales.
No lineales: Los que no cumplen lo anterior.
Pasivos: Almacenan o disipan energa elctrica ( P 0 )
Activos: Generan energa elctrica a partir de energa qumica (pilas), mecnica
(dinamos), o incluso elctrica (transistores). ( P < 0 ).
2.1. Elementos pasivos.
Se establece el convenio de tomar como
positiva la intensidad que entra por el terminal + de
la tensin.
Resistencia lineal u hmica.
Establece una relacin lineal entre i y v conocida como Ley de Ohm.
v = i * R
El valor de R es funcin de la temperatura
(aumenta al aumentar sta), aunque a efectos de
anlisis se considera constante. Su unidad de medida
es el ohmio ().
1 = 1 V / 1 A. [] = Kg m
2
A
-2
s
-3
Un conductor ideal es aquel cuya resistencia es 0. Por tanto, aplicando la ley de Ohm, la
tensin entre los extremos de un conductor ideal es siempre 0, es decir, no pueden existir
valores diferentes de tensin en un conductor ideal. Se considera que los terminales de
conexin de cualquier elemento se comportan como conductores ideales.
La magnitud inversa de la resistencia se denomina conductancia y se representa por la
letra g. La conductancia de un conductor ideal es infinita.
Condensador.
Establece una relacin diferencial lineal entre i y v dada por la siguiente expresin:
Smbolo de la resistencia
v
i
i = C * dv/ dt
La constante C se denomina capacidad y se
mide en Faradios (F). El valor de esta unidad es muy
alto, por lo que los condensadores reales suelen
medirse en F (10
-6
F), nF(10
-9
F) o pF (10
-12
F).
1 F = 1 C / 1 V. [F] = Kg
-1
m
-2
A s
4
Inductancia.
Establece una relacin diferencial entre i y v
dada por la siguiente expresin:
v = L * di/ dt
La constante L se denomina autoinduccin y se
mide en Henrios.
1 He nrio = 1 We be r / 1 A. [He nrio] = Kg m
2
s
-2
A
-2
2.2. Elementos activos.
Se establece el convenio de tomar como
positiva la intensidad que sale del terminal + de la
tensin
Fuentes independientes.
a) De tensin.
La tensin entre sus extremos es
independiente de la intensidad que circule por ella
y viene dada por la propia fuente.
b) De intensidad.
La intensidad que circula por ella es
independiente de la tensin entre sus extremos y
viene dada por la propia fuente.
i
v
v = cte.
i
v
i
Fuente independiente de tensin
Fuente independiente de intensidad
SIMBOLOS
Smbolo del condensador
Smbolo de la inductancia
Fuentes controladas.
a) De tensin controlada por tensin (FVCV).
La tensin entre sus extremos es independiente de la intensidad que circula por ella pero
es funcin de la tensin en otro elemento del circuito.
b) De tensin controlada por intensidad (FVCI).
La tensin entre sus extremos es independiente de la intensidad que circula por ella pero
es funcin de la intensidad a travs de otro elemento del circuito.
c) De intensidad controlada por tensin (FICV).
La intensidad que circula por ella es independiente de la tensin entre sus extremos pero
es funcin de la tensin en otro elemento del circuito.
d) De intensidad controlada por intensidad (FICI).
La intensidad que circula por ella es independiente de la tensin entre sus extremos pero
es funcin de la intensidad a travs de otro elemento del circuito.
2.3. Modelado de elementos de circuito no lineales.
Las caractersticas de los elementos de circuito mostrados hasta ahora son una
idealizacin de su comportamiento real. En la prctica, los elementos de circuito descritos no
presentan este comportamiento idealizado, sino que las relaciones que establecen entre las
magnitudes elctricas son mucho ms complejas, normalmente no lineales, y dependen de
otros factores, fundamentalmente de la temperatura.
v
vc
v = K vc
FVCV
v = rm ic
FVCI
ic
v
i = gm vc
FICV
i
vc
i = k ic
FICI
ic
i
Adems de esto, en un elemento de circuito real no se presenta un comportamiento
puramente resistivo ni capacitivo ni inductivo, sino que normalmente se da una mezcla de
todos estos comportamientos. As, por ejemplo, aunque en una resistencia real el
comportamiento que predomina claramente es el resistivo, tambin se dan, aunque en menor
grado, los comportamientos inductivo y capacitivo. Esto que significa que la ley de Ohm es
slo una aproximacin al comportamiento real de la resistencia, que puede dejar de ser vlida
en circunstancias concretas como por ejemplo cuando la frecuencia de la tensin aplicada en
sus extremos es muy elevada.
A pesar de esto, la gran ventaja que presentan estos modelos idealizados es que las
relaciones aritmticas que establecen son muy sencillas y por lo tanto fciles de utilizar para
resolver un problema, mientras que si se utilizasen expresiones ms de acuerdo con la
realidad, la mayor parte de los problemas seran irresolubles analticamente.
Una solucin intermedia a este problema
consiste en modelar los elementos reales mediante la
combinacin de elementos ideales. El modelo de un
determinado elemento puede variar segn las
condiciones en que se quiera analizar el circuito ( alta
frecuencia, baja potencia, etc.. ) o segn el grado de
aproximacin a la realidad que quiera obtenerse. Esto
permite la obtencin de resultados ms acordes con la
realidad manteniendo como base del anlisis los
elementos ideales. Un ejemplo de esto es el modelo
de alta frecuencia de una resistencia, que constara de
la resistencia ideal en serie con una inductancia ideal
y todo en paralelo con un condensador ideal.
Otro ejemplo claro de la necesidad de utilizar
modelos para los elementos reales lo constituyen las
fuentes de alimentacin, ya sean de tensin o de intensidad.
Las fuentes ideales, tal como han sido definidas son
imposibles de obtener en la realidad, ya que si existieran
podran construirse circuitos que violaran las leyes de
Kirchoff y, por tanto, las leyes de conservacin de la carga
y la energa, cosa que es imposible. Esto se mostrar en el
apartado "Circuitos imposibles" de los problemas resueltos
de este captulo. Esto no quiere decir que el modelo ideal
no sea til, sino que para representar el comportamiento de
una fuente real hay que realizar un modelo que incluya,
adems de la fuente ideal, otros elementos como
resistencias, condensadores o inductancias. El modelo ms
utilizado es el que supone que toda fuente real consta de
una fuente ideal y una resistencia denominada resistencia
interna.
Modelos de fuentes
independientes reales
Ri
Ri
Modelo para alta frecuencia de
una resistencia
El modelado es una tcnica esencial cuando se consideran dispositivos cuyo
comportamiento es claramente no lineal, como los basados en cristales semiconductores, que
son los ms importantes en la electrnica actual. La tcnica que se utiliza en este caso consiste
es dividir su funcionamiento en diferentes zonas y considerar que, en cada una de ellas, el
dispositivo puede ser modelado utilizando elementos ideales. Segn esto, al dispositivo se le
asocia un modelo diferente en cada zona de funcionamiento. Esto se ver ms adelante con el
diodo y los diferentes tipos de transistor.
3 . - Anlis is de c irc uit os . Anlis is de l punt o de ope rac in.
Consiste en dado un circuito del que se conoce el conexionado y sus elementos, calcular
todas sus tensiones e intensidades.
Para hacerlo existen varios mtodos. El ms genrico se basa en la utilizacin de las
leyes de Kirchoff y las ecuaciones de los elementos. Los pasos a seguir son los siguientes:
1.- Contabilizar el nmero de ramas (R) y el nmero de nudos (N).
2.- Las incgnitas son: En las ramas donde haya fuentes de intensidad, las tensiones de
dichas fuentes y en las ramas donde no haya ninguna fuente de intensidad, las intensidades
de dichas ramas.
3.- El nmero de ecuaciones necesarias para resolver el circuito es igual al nmero de
ramas (R) y se eligen de la forma siguiente:
4.- Se aplica la 1 Ley de Kirchoff a todos los nudos menos uno (N-1 ecuaciones)
5.- Se escogen R-(N-1) mallas de forma que estn englobadas todas las ramas y se
aplica la 2 Ley de Kirchoff.
6.- Se resuelve el sistema de ecuaciones resultante.
3.1. Mtodos alternativos de anlisis.
A veces no se requiere conocer todas las tensiones e intensidades de un circuito, sino
slo algunas de ellas. En este caso pueden aplicarse otros mtodos que simplifican el anlisis.
1.- Circuitos equivalentes.
Dados dos circuitos A y B, ambos con un puerto, se dice que son equivalentes con
respecto a dicho puerto si cuando se aplica la misma tensin en cada puerto, por ellos circula
la misma intensidad. Un ejemplo de esto lo constituye la asociacin de resistencias en paralelo
y en serie.
1.A.- Equivalente en Thvenin.
Visto desde un puerto, un circuito compuesto por
resistencias y fuentes (si son controladas no deben depender
de v ni de i del puerto) se comporta de forma anloga a una
nica fuente de tensin en serie con una nica resistencia,
cuyos valores vienen dados por:
- La tensin de la fuente V
T
es igual a la tensin que
existe en los extremos del puerto cuando no se conecta a l
ningn circuito externo.
- La R
T
es igual a la resistencia equivalente del circuito
desde los terminales del puerto obtenida mediante la
anulacin de todas las fuentes de tensin (sustituyndolas por
un conductor ideal) y de intensidad (eliminndolas
directamente) del circuito.
1.B.- Equivalente en Norton.
Visto desde un puerto, un circuito compuesto por
resistencias y fuentes (si son controladas no deben depender
de v ni de i del puerto) se comporta de forma anloga a una
nica fuente de intensidad en paralelo con una nica
resistencia, cuyos valores vienen dados por:
- La R
N
es igual a la R
T
.
- La intensidad de la fuente viene dada por:
I
N
= V
T
/ R
T
.
Equivalente de resistencias en paralelo Equivalente de resistencias en serie
1 1 1 1
= + +
R
eq
R
1
R
2
R
3
R
eq
R
1 R
2
R
3
R
eq
R
1
R
2
R
3
R
eq
= R
1
+ R
2
+ R
3
Equivalente en Thvenin
desde el puerto A-B
VT
RT
Circuito
A
B
A
B
Equivalente en Norton
desde el puerto A-B
IN RN
Circuito
A
B
A
B
2.- Principio de superposicin.
Un circuito compuesto de resistencias y fuentes independientes tiene un
comportamiento idntico a la suma de los comportamientos obtenidos por la accin de cada
fuente anulando el resto de ellas. ( Ejercicio resuelto B )
4 . - Anlis is de c irc uit os . Anlis is t rans it orios .
Cuando en un circuito se incluyen condensadores, inductancias o fuentes cuyo valor
depende del tiempo, los valores de tensiones e intensidades tambin dependen del tiempo.
Aqu slo se va a analizar un caso muy concreto de este problema, que es la carga y
descarga de condensadores.
Segn la Ley de Ohm y la expresin del condensador, se verifica:
v - v
c
d v
c
i = ; i = C
R d t
Igualando ambas expresiones se obtiene una ecuacin diferencial lineal:
d v
c
v
c
V
+ = 0
d t R C R C
La solucin de esta ecuacin es de la forma: v
c
= K e
-t
+ . Para calcular los
coeficientes y se deriva la expresin anterior y se sustituye en la ecuacin, obtenindose:
d v
c
K V
= K e
t
K e
t
+ e
t
+ = 0
d t R C R C R C
Esto debe cumplirse en todo instante t, por lo que se deduce:
K 1 V
K + = 0 = ; = 0 = V
R C R C R C R C
El valor de K se calcula de la condicin inicial: v
0
= v
c
( t = 0 ):
v
0
= K e
-0/RC
+ V = K + V K = v
0
- V
V
R
C v
c
i
c
v
c
= ( v
0
- V ) e
-t/RC
+ V
V - v
c
V - v
0
i
c
= i
c
= e
-t/RC
R R
* Casos particulares:
a) Carga del condensador.
Se considera que la tensin inicial es de 0 voltios, por lo que v
0
= 0 V y las expresiones
anteriores quedan:
v
c
= V ( 1 - e
-t/RC
)
V
i
c
= e
-t/RC
R
b) Descarga del condensador.
No existe fuente de tensin, lo que equivale a decir que vale 0 voltios ( V = 0 ) o que se
ha sustituido por un conductor ideal y la tensin inicial en el condensador es distinta de 0:
v
c
= v
0
e
-t/RC
v
0
i
c
= e
-t/RC
R
* Parmetros temporales de la carga y la descarga.
El producto de la resistencia por el condensador en un circuito de carga o descarga tiene
dimensin de tiempo, y se denomina constante de tiempo del circuito ( = RC ). En un proces
de carga o descarga se definen los siguientes parmetros:
Tiempo de subida ( t
r
).- En un condensador inicialmente descargado, es el tiempo
transcurrido desde que la tensin en sus extremos tiene un valor igual al 10 % del valor de la
tensin de la fuente hasta que alcanza el 90 % de dicho valor.
Tiempo de caida ( t
f
).- En un proceso de descarga de un condensador, se define como
el tiempo transcurrido desde que su tensin tiene un valor igual al 90 % de la tensin inicial
hasta que alcanza el 10 % de dicho valor.
Los retrasos que se dan en los circuitos digitales tienen su origen fundamentalmente en
fenmenos capacitivos equivalentes a la carga y descarga de condensadores, por lo que estos
parmetros son muy tiles para modelar dichos retrasos.
* Clculo de los tiempos de subida y cada.
a) En el proceso de carga:
v
c
= V ( - e
-t/
) .
En el 10 % del valor de V se cumple:
0,1 V = V ( - e
-t
1
/
) 0,1 = 1 - e
-t
1
/
e
-t
1
/
= 0,9
t
1
= ln 0,9 t
1
= - ln 0,9 0,1

En el 90 % del valor de V se cumple:
0,9 V = V ( - e
-t
2
/
) t
2
= - ln 0,1 2,3
t
r
= t
2
- t
1
= 2,3 - 0,1 t
r
= 2,2
Puede comprobarse que en t = 3 , la carga alcanza el 95 % del total y en t = 5 el 99 %.
b) En el proceso de descarga:
v
c
= v
0
e
-t/
90 % 0,9 v
0
= v
0
e
-t
1
/
e
-t
1
/
= 0,9 t
1
= - ln 0,9 0,1
10 % 0,1 v
0
= v
0
e
-t
2
/
t
2
= - ln 0,1 2,3
t
f
= t
2
- t
1
t
f
= 2,2 ; Se comprueba que t
f
= t
r
5 . - Eje rc ic ios re s ue lt os .
* Circuitos bsicos con resistencias.
1.- DIVISOR DE TENSION.
a) Se aplica la Ley de Ohm a R1 y R2 y la LKV.
v
o
= i R
2
; v
i
- v
o
= i R
1
b) Se despeja i en funcin de v
i
v
i
v
i
- i R
2
= i R
1
i =
R
1
+ R
2
R
2
R
1
i
v
i
v
o
c) Se calcula v
o
sustituyendo el valor de i:
R
2
v
o
= v
i
R
1
+ R
2
2.- DIVISOR DE INTENSIDAD
a) Ley de Ohm:
v v
i
1
= ; i
2
=
R
1
R
2
b) Despeje y sustitucin:
R
1
v = i
1
R
1
i
2
= i
1

R
2
c) LKI:
R
1
R
2
R
1
i = i
1
+ i
2
= i
1
( 1 + ) i
1
= i ; i
2
= i
R
2
R
1
+ R
2
R
1
+ R
2
* Circuitos imposibles
El hecho de contemplar modelos idealizados de los elementos de circuito, en concreto
de las fuentes de alimentacin, puede dar lugar a construcciones de circuitos imposibles, ya
que violan alguna de las leyes de Kirchoff. Las siguientes figuras muestran cuatro
construcciones de circuito imposibles.
Circuito 1:
R = 0 v
o
= 0 . Por LKV, V = v
o
V = 0
Cualquier valor de V distinto de 0 hace que no se
verifique la 2 Ley de Kirchoff, es, decir, hace que el circuito
sea imposible. Esto tambin puede verse de la forma
siguiente:
V
Si V 0 i = IMPOSIBLE.
0
Circuito 2:
Aplicando LKV, V
1
- V
2
= 0 para todo valor de
V
2
distinto de V
1
no se cumple esta ley, por lo que el
circuito es imposible.
R
2
R
1
i i
2
i
1
v
R = 0
i
v
o
V
V
2
V
1
Circuito 3:
Por LKI, i = I, pero por causa del circuito abierto, i = 0,
por lo que este circuito es imposible para todo valor de I
diferente de 0.
Otra forma de ver esto es que si I 0, entonces se dara
que v
o
= I R IMPOSIBLE.
Circuito 4:
Al no existir ningn nudo en la conexin
de I
1
con I
2
, por LKI, I
1
= I
2
para todo
valor de I
2
distinto de I
1
no se cumple esta ley,
por lo que el circuito es imposible.
* Anlisis de circuitos
A.- Mtodo general
A1.- Circuito con fuentes independientes.
0.- Homogeneidad dimensional.
Todos los valores de las resistencias y fuentes deben expresarse en unidades del Sistema
Internacional o derivadas de forma correcta para que puedan ser ignoradas al establecer las
ecuaciones. As, si la tensin se expresa en voltios y la intensidad en amperios, el valor de las
resistencias debe darse en ohmios, pero si las intensidades se expresan en miliamperios, la
resistencia habr que expresarla en kiloohmios para que los resultados sean correctos. Las
unidades que mejor se adaptan a la mayora de los circuitos son:
Tensin : voltios ( V )
Intensidad : miliamperios ( mA )
Resistencia : kiloohmios ( K )
R
i
v
o
I
I
2
I
1
V
A
R
1
R
3
R
2
V
B
N
0
N
1
I
1 0 K 1 6 K
1 2 K
3 V
2 V
1.- Nudos, ramas y mallas.
n ramas = 4 ( V
A
- R
1
, I, R
3
y R
2
- V
B
) son necesarias 4 ecuaciones
n nudos = 2 ( N
0
y N
1
) 1 ecuacin de nudos y 4 - 1 = 3 ecuaciones de mallas.
Hay que elegir las mallas de forma que incluyan a todas las ramas. Una posible
eleccion es:
M
1
( V
A
- I - R
1
)
M
2
( I - R
3
)
M
3
( R
3
- V
B
- R
2
)
2.- Incgnitas : i
1
, i
2
, i
3
, v
1
Tanto el sentido de las intensidades como la polaridad de las tensiones se eligen
arbitrariamente. Lo que vara de elegirlas de una forma u otra es el signo del resultado final.
3.- LKI al nudo N
1
:
i
1
+ 1 + i
2
- i
3
= 0 (1)
4.- LKV a las 3 mallas:
M
1
3 - v
1
- 10 i
1
= 0 (2)
M
2
v
1
+ 12 i
2
= 0 (3)
M
3
-12 i
2
- 2 - 16 i
3
= 0 (4)
5.- Solucin del sistema por cualquiera de los mtodos usuales.
i
1
- 0,280 mA
i
2
- 0,483 mA
i
3
0,237 mA
v
1
5,8 V
R
1
R
3
V
B
N
0
N
1
I V
A
v
1
i
1
R
2
i
2
i
3
A2.- Circuito con fuentes controladas.
1.- Nudos, ramas y mallas.
n ramas = 3 3 ecuaciones
n nudos = 2 1 ecuacin de nudos y 2 ecuaciones de mallas.
M
1
( V
A
- I - R
2
- R
1
)
M
2
( V
A
- V
B
- R
3
- R
1
)
2.- Incgnitas : i
B
, v
1
, i
1
En este caso, la intensidad por la rama VA - R1 es la que controla a la fuente I, por lo
que conviene tomarla como incgnita tal como est.
3.- LKI al nudo N
1
:
i
1
- i
B
- 50 i
B
= 0 (1)
4.- LKV a las dos mallas:
M
1
0,7 - v
1
- 50 i
B
+ 2 i
B
= 0 (2)
M
2
0,7 - 5 + 0,8 i
1
+ 2 i
B
= 0 (3)
R
1
R
3
V
B
N
0
N
1
I
V
A
R
2
2 K 0 , 8 K
5 V
1 K
0 . 7 V
i
B
5 0 i
B
R
1
R
3
N
0
N
1
I
V
A
R
2
V
B
i
B
i
1
v
1
5.- Solucin.
(1) i
1
= 51 i
B
; Sustituyendo en (3):
4,3
- 4,3 + 0,8 51 i
B
+ 2 i
B
= 0 i
B
= 0,1 mA ;
42,8
4,3
i
1
= 51 5,12 mA;
42,8
Sustituyendo en (2):
4,3
v
1
= 0,7 - 48 - 4,12 V
42,8
En resumen : v
1
= - 4,12 V ; i
1
= 5,12 mA ; i
B
= 0,1 mA
A3.- Circuito con fuentes controladas.
n nudos = 1
2 ecuaciones de mallas y ninguna de nudos.
n ramas = 2
No hay fuentes de intensidad incgnitas: i
B
, i
1
Ecuaciones:
M
1
( V
A
- V
B
- R
1
) 2 - 0,7 - 0,96 i
B
= 0 (1)
M
2
( V
D
- V
C
- R
2
) 5 i
B
- 37,5 + 7,25 i
1
= 0 (2)
Solucin:
1,3
(1) i
B
= 1,35 mA
0,96
- 5i
B
+ 37,5
(2) i
1
= 4,24 mA
7,25
R
1
N
0
R
2
0 , 9 6 K 7 , 2 5
0 . 7 V
i
B
5 i
B
V
A
V
B
V
C
V
D
3 7 , 5 V 2 V
B.- Mtodo de Superposicin.
Se considera el mismo circuito que en el ejercicio A1, pero ahora no se pide que se
resuelva completamente, sino slo que se calcule la tensin v
1
y la intensidad i
1
. Esto puede
hacerse mediante el mtodo de superposicin siguiendo los pasos que se describen a
continuacin:
1.- Se anulan las fuentes I y V
B
, quedando el siguiente circuito:
Se reduce el circuito de forma que no queden afectadas las magnitudes que se
quieren medir. En este caso se quiere medir v
1
por lo que las conexiones entre las que se
mide no pueden desaparecer con la reduccin. Esto significa que pueden reducirse las
resistencias R
2
y R
3
, pero no la R
1
, ya que desaparecera una de las conexiones donde se mide
v
1
. El circuito equivalente queda:
1 1 1
= + R
eq
= 6,86 K
R
eq
R
2
R
3
6,86
v
1
= 3 (divisor de tensin)
10 + 6,86
v
1
= 1,22 V (1)
3
i1 = 0,18 mA (2)
10 + 6,86
2.- Se anulan V
A
y V
B
, quedando:
6,86
i
1
= -1 (divisor de intensidad) i
1
= - 0,41 mA (3)
10 + 6,86
v
1
= - i
1
R
1
v
1
= 4,07 V (4)
i
1
1 0 K
6 , 8 6
K
v
1
1 mA
R
1
R
3
V
B
V
A
v
1
i
1
R
2
R
1
V
A
v
1
i
1
R
e q
R
1
R
3
I
v
1
i
1
R
2
3.- Se anulan V
A
e I, quedando:
1 1 1
= + R
eq
= 5,45 K
R
eq
R
1
R
3
5,45
v
1
= 2 v
1
= 0,51 V (5)
16 + 5,45
- v
1
i
1
= i
1
= - 0,05 mA (6)
R
1
4.- Se calcula el resultado final sumando los resultados parciales.
v
1
= (1) + (4) + (5) v
1
= 5,8 V
i
1
= (2) + (3) + (6) i
1
= - 0,28 mA
Puede comprobarse que estos resultados coinciden con los del ejercicio A.1.
C.- Mtodo de clculo de equivalentes.
En gran cantidad de circuitos, el clculo del equivalente en Thvenin o Norton
simplifica en gran medida el anlisis. Esto tambin suele utilizarse cuando se quiere calcular
una nica tensin o intensidad en el circuito.
C.1.- Clculo del equivalente en Thvenin.
Se debe calcular el valor de la tensin v
c
(t) en el circuito de la figura considerando que
en t = 0, v
c
(t = 0 ) = v
0
= 0 V.
1 6 K
R
e q
v
1
2 V
R
1
R
3
V
B
v
1
i
1
R
2
5 0 F
v
C
2 , 5 V
5 mA
1 0 K
1 K 0 , 2 5 K
1.- Conviene calcular el equivalente en Thvenin del siguiente circuito, que es el
circuito original en el que se ha eliminado el condensador, quedando un puerto de salida cuya
tensin es precisamente la que se quiere calcular, v
c
. De esta forma, el circuito puede
reducirse al que ya se ha visto anterormente, que contiene nicamente una fuente de tensin,
una resistencia y un condensador, pudindose aplicar directamente las expresiones halladas
para dicho circuito.
a) Clculo de la R
T
.
Se anulan todas las fuentes y se calcula la resistencia equivalente.
1 1 1
= + R
eq
= 0,2 K
R
T
1 0,25
b) Clculo de la V
T
.
Se calcular mediante el mtodo de Superposicin.
b1.- Se anula la fuente de tensin:
El circuito resultante es un divisor de intensidad, de lo que se deduce:
V
T
R
T
5 mA
1 0 K
1 K 0 , 2 5 K
2 , 5 V
V
T
1 0 K
1 K 0 , 2 5 K 0 , 2 5 K 1 K
R
T
5 mA
1 0 K
1 K 0 , 2 5 K V
T
i
1
i = 5 = 4 mA ; V
T
= 0,25 i V
T
= 1 V (1)
1 + 0,25
b2.- Se anula la fuente de intensidad:
Teniendo en cuenta que la resistencia de 10 K tiene un terminal desconectado, lo que
equivale a que no existe, el circuito es un divisor de tensin, por lo que el valor de V
T
puede
determinarse directamente a partir de su expresin.
0,25
V
T
= - 2,5 = - 0,5 V (2)
1 + 0,25
b3.- El resultado final es V
T
= (1) + (2) = 1 - 0,5 = 0,5 V
El circuito que resulta una vez se ha sustituido por el equivalente en Thvenin es:
RC = 0,2 K 50 F = 0,2 10
3
50 10
-6
F = 10 10
-3
s RC = 10 ms ;
v
0
= 0 V es un proceso de carga
v
c
(t) = 0,5 ( 1 - e
-t/10
) ( t expresado en ms )
C2.- Equivalente en Norton.
Se quiere calcular el valor de la tensin v
o
en el circuito de la figura.
2 , 5 V
0 , 2 5 K V
T
1 K
1 0 K
0 , 5 V
0 , 2 K
5 0 F
v
c
3 V
1 K
0 , 5 K
v
o
1 , 5 K
2 K v
R
2 v
R
1.- Se calcula el equivalente en Thvenin de una parte del circuito:
1
V
T
= 3 (divisor de tensin)
1 + 0,5
V
T
= 2 V
0,5 1 1
R
T
= = K
0,5 + 1 3
2.- A partir del equivalente en Thvenin se obtiene el equivalente en Norton y se
sustituye en el circuito.
1 V
T
R
N
= R
T
= K ; I
N
= = 6 mA
3 R
T
El circuito es un divisor de intensidad, por lo que se tiene:
1/3 6 + 2 v
R
I = 6 + 2 v
R
; i = I = ;
1/3 + 1,5 + 2 11,5
6 + 4 i 6
Por otra parte: v
R
= 2 i ( Ley de Ohm ) i = = = 0,8 mA ;
11,5 7,5
v
o
= i ( 1,5 + 2 ) v
o
= 2,8 V
3 V
1 K
0 , 5 K
v
o
1 K
0 , 5 K
R
T
2 K 1/3 K
v
o
1,5 K
v
R
2 v
R
6 mA 6 mA
2 v
R
v
R
1,5 K
v
o
1/3 K
2 K
I
i
5 . - Eje rc ic ios propue s t os .
1.- Encontrar la expresin general del condensador e inductancia equivalentes a la
asociacin de n elementos en serie y en paralelo.
1 1
Solucin: Condensador paralelo: C
eq
=
i=1

n
C
i
; Condensador serie: =
i=1

n
;
C
eq
C
i
1 1
Inductancia paralelo: =
i=1

n
; Inductancia serie: L
eq
=
i=1

n
L
i

L
eq
L
i
2.- Resolver los siguientes circuitos.
Datos: V
1
= 7 V; V
2
= 6 V; I
1
= 5 mA; R
1
= 1 K; R
2
= 2 K; R
3
= 3 K;
R
4
= 2 K; R
5
= 1 K.
Soluciones (en valor absoluto ): (a) i(V
1
) = 2,44 mA; i(V
2
) = 1,9 mA; i(R
2
) = 2,28 mA;
i(R
3
) = 0,15 mA; i(R
4
) = 2,05 mA. (b) i(V
1
) = 6,57 mA; i(R
1
) = 7 mA; i(R
2
) = 0,43 mA;
i(R
3
) = 0,43 mA; i(R
4
) = 4,57 mA; V(I
1
) = 9,14 V.
3.- Calcula el valor de R
X
en el circuito de la figura sabiendo que I = 0,65 mA. ( Los
datos restantes son los mismos del problema anterior.
Solucin: R
X
= 2,5 K
4. a) Considera tres fuentes reales de tensin, todas con la misma V = 5 V y diferentes
resistencias internas: R
i1
= 1 ; R
i2
= 500 ; R
i3
= 100 K. Calcula la tensin en los
extremos de la fuente cuando se conecta una resistencia R
L
de 500 . Analiza los resultados y
explica qu valores de Ri son los que ms se aproximan al comportamiento ideal.
R4 I1 V1
R1
R2
R3
V2
V1
R5
R4 R2
R3 R1
(a) (b)
R
1
R
2
R
3
V
2
R
X
I
b) El mismo ejercicio anterior pero considerando ahora una fuente real de intensidad de
5 mA, los mismos valores de resistencia interna y se trata de calcular la intensidad que aporta
la fuente a la resistencia R
L
de 500 .
Soluciones: a) v
1
= 4,99 V ; v
2
= 2,5 V ; v
3
= 0,0249 V ; i
1
= 0,00998 mA ;
i
2
= 2,5 mA ; i
3
= 4,975 mA
5.- Calcula la V
I
del circuito (a) y la I
v
del circuito (b).
Solucin: V
I
= 4,48 V; I
v
= 3,61 mA
6.- En el circuito de la figura, en t = 0 se cierra el interruptor S
1
y comienza la carga del
condensador ( v
c
(t=0) = 0 V). En t = 4 ms. se vuelve a abrir S
1
. Calcular el valor de v
c
(t).
Solucin: Para 0 t 4 ms. v
c
(t) = 3 ( 1 - e
-t/12
). Para t 4 ms. v
c
(t) = 0,85 e
-t/30
.
(t expresado en ms.)
5 V
0,7 V
10 V
3 V
10iB
0,7 V
10K
(a) (b)
15 mA
5iB
IV
iB
2,4K
2,4K
1,6K
6K 2,5K
2,5K
VI
5 V
6 K
1 0 mA
v
c
1 0 F
3 K
2 K
4 K
S1
Tema 1.-Conceptos bsicos de circuitos
digitales.
1 . - Se ale s e l c t ric as
Seal elctrica: Representacin de la variacin de una magnitud elctrica (tensin o
intensidad) frente al tiempo. La magnitud ms utilizada es la tensin. Este concepto es
interesante en tanto en cuanto es susceptible de representar una informacin.
Desde este punto de vista puede establecerse la siguiente clasificacin:
Seal analgica: Todos los valores de tensin comprendidos entre un mximo y un
mnimo son significativos a la hora de interpretar la informacin que representa la seal.
Seal digital binaria: Slo son significativos los valores de tensin comprendidos en
dos intervalos de tensin diferentes. A todos los valores dentro de cada uno de los intervalos
se les asocia un mismo valor lgico, normalmente uno y cero.
Segn lo anterior, en un mismo intervalo de tiempo, una seal analgica porta una
mayor cantidad de informacin que una seal digital, pero esta informacin es mucho menos
inmune a fenmenos externos como el ruido que la seal digital.
2 . - Familias lgic as .
Puerta lgica: Circuito electrnico con uno o varios puertos de entrada y uno o varios
puertos de salida que proporciona seales digitales en sus salidas cuando a sus entradas se
aplican seales digitales, de forma que cada salida representa una funcin booleana de las
seales de entrada.
Normalmente, los circuitos digitales toman la energa de una fuente independiente de
tensin continua, denominada fuente de alimentacin, de forma que el terminal de masa del
V
t
Seal analgica
V
t
Seal digital binaria
V(1)
V(0)

circuito coincide con el polo negativo de dicha fuente y es un terminal comn a todos los
puertos de entrada y salida.
Existen distintas posibilidades de implementar una misma funcin lgica, es decir,
diferentes circuitos pueden realizar la misma funcin pero normalmente tendrn
caractersticas elctricas diferentes.
Un conjunto de circuitos, cada uno de los cuales implementa una funcin booleana
diferente, pertenece a una misma FAMILIA LOGICA si tienen en comn las siguientes
caractersticas:
- Tipo de elemento activo (transistores) con que est realizado.
- Estructura de circuito caracterstica. Una parte del circuito, normalmente la de entrada
o la de salida tiene una topologa comn.
- Tecnologa utilizada en la fabricacin.
Una familia siempre debe incluir una puerta NAND o una puerta NOR.
3 . - Carac t e rizac in de familias lgic as .
Para poder comparar las prestaciones de los diferentes circuitos que realizan una misma
funcin lgica o lo que es lo mismo, para poder comparar las diferentes familias lgicas, hay
que establecer una serie de criterios que permitan realizar dicha comparacin. Los ms
importantes son:
- Caracterstica de transferencia.
- Caractersticas de entrada-salida.
- Inmunidad al rudo.
- Consumo de energa.
- Velocidad de operacin.
- Flexibilidad lgica.
- Capacidad de integracin.
a) Caracterstica de transferencia.
Dado un circuito con un puerto de entrada
y otro de salida, la caracterstica de transferencia
consiste en representar grficamente la tensin
de salida Vo en funcin de la tensin de entrada
Vi cuando sta toma todos los valores de su
rango de variacin. Dicho rango de variacin
coincide normalmente con el valor de tensin de
la fuente de alimentacin.
V
o
V
in
Vcc VIH VIL
VOL
VOH
Vcc
Vin Vo
Para comparar la caracterstica de transferencia de dos familias lgicas se elige como
representante de cada una al circuito que realice la inversin lgica. Una caracterstica tpica
de un inversor se representa en la figura de la pgina anterior. A partir de esta caracterstica se
deducen los rangos de tensin correspondientes a los valores de 0 y 1 lgicos de la forma
siguiente:
Se trazan las dos lneas tangentes a la curva cuya pendiente sea -1. Las tensiones de
entrada y salida correspondientes a esos puntos reciben la denominacin siguiente:
V
OL
: Mxima tensin de salida correspondiente a 0 lgico que proporciona la puerta.
V
OH
: Mnima tensin de salida correspondiente a 1 lgico que proporciona la puerta.
V
IL
: Mxima tensin correspondiente a 0 lgico que acepta la puerta en su entrada.
V
IH
: Mnima tensin correspondiente a 1 lgico que acepta la puerta en su entrada.
Por tanto, el rango de tensiones correspondiente a 1 lgio es viene dado por V
cc
- V
IH
,
siendo V
cc
la tensin de la fuente de alimentacin, y el rango de tensiones correspondiente al
0 lgico es V
IL
- 0 = V
IL
.
Se define el ancho de transicin (TW) como V
IH
- V
IL
y la excursin lgica (LS) como
V
OH
- V
OL
.
Para que una familia lgica tenga un funcionamiento lgico correcto, sus niveles no
deben degenerarse cuando se conectan varias puertas en cascada (la entrada de una conectada
a la salida de la anterior), para ello, debe cumplirse:
V
IH
< V
OH
V
IL
> V
OL
De esta forma la tensin de salida de una puerta siempre estar dentro de los rangos de 0
o 1 lgicos de la familia.
b) Caractersticas de entrada-salida.
El nmero de entradas que puede tener
una puerta lgica no es indefinido, est
limitado por un nmero mximo. A ese
nmero se le denomina FAN-IN de la puerta.
En algunos circuitos, a la salida de una
puerta deben conectarse varias entradas de
otras puertas. El nmero de entradas que
pueden conectarse a una misma salida est
limitado por un nmero mximo denominado
1
2
3
n
.
.
.
FAN-IN = n
1
2
m
.
.
.
FAN-OUT = m
FAN-OUT. El fan-out debe calcularse siempre conectando puertas pertenecientes a una
misma familia.
c) Inmunidad al ruido.
Una seal elctrica de ruido consiste en una perturbacin aleatoria, cuyo origen puede
ser diverso, que puede mezclarse con una seal elctrica portadora de informacin, pudiendo
provocar la prdida de parte de esa informacin.
Las seales digitales son mucho ms inmunes al ruido que las analgicas, no obstante,
tambin pueden verse afectadas por este
factor.
Para evaluar la inmunidad al ruido de
una familia lgica se definen los mrgenes de
ruido, de la forma siguiente:
1.- Margen de ruido de 1 lgico o alto.
NM
H
= V
OH
- V
IH
2.- Margen de ruido de 0 lgico o bajo.
NM
L
= V
IL
- V
OL
De lo que se vi en el apartado de caracterstica de transferencia se deduce que ambos
deben ser positivos. El valor ms pequeo de los dos es el que determina la inmunidad al
ruido de una familia lgica. Es evidente que cuanto ms alto sea dicho valor, mejor ser la
inmunidad al ruido de dicha familia.
d) Consumo de energa.
Se evala calculando la potencia elctrica consumida por una puerta en dos situaciones:
- Cuando no se producen cambios en las entradas (potencia esttica).
- Cuando las entradas cambian a una frecuencia determinada (potencia dinmica a esa
frecuencia).
Cuanto ms consume un circuito, mayor es el calor generado por el mismo, de forma
que si no es disipado convenientemente, la temperatura puede elevarse por encima del lmite
tolerado y provocar un funcionamiento incorrecto del circuito.
NMH
TW LS
NML
V V
SALIDA ENTRADA
VOL
VOH
VIL
VIH
Es fundamental tener en cuenta este factor a la hora de disear un sistema integrado en
un chip y tambin en el diseo de sistemas porttiles que requieran gran autonoma.
e) Velocidad de operacin.
En las seales digitales, las transiciones entre los valores de 0 y 1 lgicos no se
producen de forma instantnea, sino que transcurre un determinado intervalo de tiempo que
depende del circuito que genere dichas seales. De la misma forma, la variacin de la seal de
salida siempre se produce despus de que haya cambiado la seal de entrada. Estos tiempos
influyen de forma trascendental en la frecuencia mxima a que puede operar una determinada
puerta lgica. Se miden de la forma siguiente:
Tiempo de subida (t
r
): Tiempo transcurrido entre el paso de la seal de salida de una
puerta por el valor de tensin correspondiente al 10% de la diferencia entre los valores alto y
bajo de tensin de la seal y el paso de la misma seal por el 90% de dicha diferencia.
Tiempo de bajada (t
f
): Tiempo transcurrido entre el paso de la seal de salida de una
puerta por el valor de tensin correspondiente al 90% de la diferencia entre los valores alto y
bajo de tensin de la seal y el paso de la misma seal por el 10% de dicha diferencia.
Tiempo de propagacin alto-bajo (t
PHL
): Tiempo transcurrido entre el cambio de
estado de la seal de entrada y el de la de salida cuando sta pasa del estado alto al bajo,
medido al paso de las seales por el 50% de la diferencia entre sus valores alto y bajo de
tensin.
Tiempo de propagacin bajo-alto (t
PLH
): Tiempo transcurrido entre el cambio de
estado de la seal de entrada y el de la de salida cuando sta pasa del estado bajo al alto,
medido al paso de las seales por el 50% de la diferencia entre sus valores alto y bajo de
tensin.
Se define el tiempo medio de propagacin (t
PD
) como el valor medio entre el t
PHL
y el
t
PLH
.
100%.................................................................
90%................................................................
10%...................................................................
0%.................................................................
t
r
t
f
0%.................................................................
50%................................................................
100%.................................................................
t
PHL
t
PLH
SEAL DE
ENTRADA
SEAL DE
SALIDA
Estos tiempos determinan la frecuencia mxima a la que puede operar un sistema
digital realizado con una familia lgica dada. Cuanto ms pequeos sean mayor podr ser
dicha frecuencia de operacin.
En las puertas lgicas, el consumo y los tiempos de retardo estn relacionados, de forma
que si se modifican algunos parmetros para disminuir el consumo se suele producir un
aumento en los valores de dichos tiempos y viceversa. Por ello, un factor de calidad
importante a la hora de caracterizar una familia lgica es el producto consumo * t
PD
.
f) Flexibilidad lgica.
Existen dos conceptos diferentes de flexibilidad lgica en la bibliografa.
El primer concepto se refiere a que una familia lgica es ms flexible cuanto ms
puertas que implementen funciones booleanas diferentes contenga.
El segundo concepto est basado en
que existen familias lgicas que son capaces
de realizar algunas funciones booleanas sin
necesidad de utilizar puertas, simplemente
uniendo las salidas de otras puertas. Estas
funciones son denominadas funciones
cableadas y son, normalmente, la AND y la
OR (WIRED-AND y WIRED-OR). Segn
esto, una familia presenta flexibilidad lgica
si puede realizar funciones cableadas.
g) Capacidad de integracin.
Depende fundamentalmente de dos factores:
- El AREA ocupada por cada puerta, que depende a su vez del tipo y del nmero de
transistores utilizados para realizarla. Cuanto menor sea este rea mayor ser la capacidad de
integracin a gran escala.
- El CONSUMO de potencia. En un circuito integrado se realizan muchas puertas en un
espacio reducido. El consumo total del chip es igual al consumo de cada puerta por el nmero
de puertas. Si el consumo de cada puerta es elevado se generar mucho calor en el chip
debido al efecto Joule, de forma que si esta calor no es disipado convenientemente se
producir un aumento de temperatura que puede provocar un funcionamiento anmalo de los
circuitos. Esta es la cuasa por la que para que una familia pueda ser integrada a gran escala
debe tener un consumo de potencia reducido.
Segn el nmero de puertas que puedan integrarse, pueden distinguirse los siguientes
niveles o escalas de integracin:
WIRED-AND
WIRED-OR
- SSI (Pequa escala): menor de 10 puertas
- MSI (Media escala): entre 10 y 100 puertas.
- LSI (Alta escala): entre 100 y 10.000 puertas.
- VLSI (Muy alta escala): a partir de 10.000 puertas.
La familia lgic a ide al.
Las caractersticas que debera tener una familia lgica ideal son las siguientes:
V
OH
= V
cc
; V
OL
= 0
V
IH
= V
IL
= V
cc
/ 2
LS = V
cc
; TW = 0
FAN-IN ; FAN-OUT
NM
H
= NM
L
= V
cc
/ 2
Consumo de potencia esttica = 0
Consumo de potencia dinmica 0
t
r
0 ; t
f
0 ; t
PHL
0 ; t
PLH
0
Cue s t ione s
1.- Explica razonadamente por qu una seal digital presenta mayor inmunidad al ruido
que un seal analgica.
2.- Por qu un CD de audio digital debe girar a mayor velocidad que un disco
analgico de vinilo (LP) para oir el mismo pasaje musical ?
3.- Por qu toda familia lgica debe incluir al menos una puerta NAND o una puerta
NOR ?
4.- Qu error puede ocurrir en una familia lgica cuyo V
IH
> V
OH
?
5.- Se desea implementar la siguiente funcin booleana:
Vcc
V
in Vcc
V
o
Caracterstica de transferencia ideal
f (a,b,c,d) = a b c + a b c + a d + c d (+ indica funcin OR)
Se dispone de una familia lgica con FAN-IN = 2 y de otra con FAN-IN = 4. Disea el
circuito ptimo para ambas familias e indica las principales diferencias entre ambos diseos.
6.- Se desea implemetar las siguientes funciones lgicas:
f
1
(a,b,c) = a b + a c ; f
2
(a,b,c,d) = a b + c d ; f
3
(a,b,d) = a b + b d
Se dispone de una familia lgica con FAN-OUT = 1 y de otra con FAN-OUT = 5.
Disea el circuito ptimo para ambas familias e indica las principales diferencias entre ambos
diseos.
7.- Las caractersticas de 2 familias lgicas son:
a) FA : V
OH
= 4,7 V ; V
OL
= 0,4 V ; V
IH
= 1,7 V ; V
IL
= 0,9 V
Potencia esttica = 2 mW ; Potencia dinmica = 0,01 mW/MHz ; t
PD
= 8 ns.
a) FB : V
OH
= 4,2 V ; V
OL
= 0,3 V ; V
IH
= 2,7 V ; V
IL
= 1,8 V
Potencia esttica = 0 mW ; Potencia dinmica = 0,05 mW/MHz ; t
PD
= 1 ns.
Cul ser la ms apropiada para disear un sistema digital que controle procesos
industriales ?
Y para un sistema digital de adquisicin de datos porttil que funcione a 20 MHz ? y
a 100 MHz ?
Y para un sistema de procesamiento paralelo de muy alta potencia de clculo ?
8.- De las dos caractersticas de transferencia que se muestran en la figura, indica cul
presenta mayor inmunidad al ruido y por qu.
Vo
3,5V
0,5V
2V 2,5V
Carac t e rs t ic a
A
Vi
Vo
5V
0,5V
1V 1,5V
Carac t e rs t ic a
B
Vi
9.- Las dos grficas adjuntas representan las seales de entrada y salida de inversores de
2 familias lgicas diferentes. Calcula grficamente los tiempos de subida, bajada y
propagacin de cada uno de los inversores. Si el consumo total del inversor A es de 3 mW y
el del inversor B 12 mW, indica qu familia ser ptima en cuanto al producto consumo * t
PD
Tema 2.- Semiconductores. El diodo de
unin.
1 . - Es t ruc t ura c ris t alina y c onduc t ividad.
Un cristal est formado por un conjunto de tomos muy prximos entre s dispuestos
espacialmente de forma ordeanada de acuerdo con un determinado patrn geomtrico.
La gran proximidad entre los tomos del cristal hace que los electrones de su ltima
capa sufran la interaccin de los tomos vecinos. El nivel energtico de cada uno de estos
electrones puede estar situado en la "banda de valencia" o en la "banda de conduccin" del
cristal. Un electrn que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia est ligado a un tomo
del cristal y no puede moverse libremente por l mientras que si el nivel ocupado pertenece a
la banda de conduccin, el electrn puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo
formar parte de una corriente elctrica.
Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una "banda prohibida", cuyos
niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn del cristal. Segn la magnitud de esta
banda, los cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y semiconductores.
Aislantes.
La magnitud de la banda prohibida es muy grande ( 6 eV ), de forma que todos los
electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo
que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal es nula.
Un ejemplo es el diamante.
Conductores.
No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto
hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es
muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto
de las vibraciones de los tomos de la red cristalina.
Un ejemplo son todos los metales.
Semiconductores.
La magnitud de la banda prohibida es pequea ( 1 eV ), de forma que a bajas
temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van
alcanzando niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la
conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que
habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida.
El germanio y el silicio son semiconductores.
2 . - Se mic onduc t ore s int rns e c os y e xt rns e c os .
En un semiconductor como el silicio
(Si), que tiene 4 electrones en su ltima
capa, los tomos estn unidos por enlace
covalente formando una red cristalina
tetradrica. A temperaturas cercanas al cero
absoluto (-273
o
C) todos los electrones
ocupan sus enlaces y el cristal se comporta
como un perfecto aislante, pero a
temperatura ambiente (25
o
C) y ms
elevadas, algunos electrones (e
_
) adquieren
energa y se "escapan" de su enlace. El
enlace desocupado se denomina "hueco"
(h
+
) y tambin contribuye a la
conductividad del cristal comportndose
como un portador de carga positiva.
Si se aplica un campo elctrico externo al cristal, los electrones libres se mueven en
direccin opuesta al campo, formando una corriente elctrica y los electrones de valencia van
saltando hacia los huecos, de forma que es como si stos se moviesen en la misma direccin
del campo, formando una corriente de cargas positivas que se suma a la anterior. En
EG 6 eV
EG 1 eV
Banda de
Conduccin
Banda de
Valencia
Banda de
Conduccin
Banda de
Valencia
Banda
Prohibida
electrones
libres
huecos
(a) (b) (c)
Estructura de bandas de energa de: (a) un aislante, (b) un semiconductor, (c) un conductor
Si Si
Si Si Si
Si Si
e
_
Generacin de un par electrn-hueco
por efecto de la temperatura
energa
Si
h
+
definitiva, los semiconductores poseen dos
portadores de carga "libres", los electrones
(negativa) y los huecos (positiva).
Semiconductores intrnsecos.
Son los cristales semiconductores
puros. En ellos, el nmero de huecos es
igual al nmero de electrones y es funcin
de la temperatura del cristal.
La conductividad a temperatura
ambiente no suele ser muy alta.
Semiconductores extrnsecos.
Son cristales semiconductores a los que se han aadido impurezas, es decir, otro tipo de
tomos que ocupan nudos en la red critalina. La concentracin de estas impurezas en el cristal
es muy pequea ( como mucho es de un tomo de impureza por cada 10
12
tomos de
semiconductor ) pero su efecto en el aumento de la conductividad es muy grande.
Se consideran dos tipos de impurezas:
Donadoras: Tienen 5 electrones en su ltima capa ( P, As y Sb ).
Aceptoras: Tienen 3 electrones en su ltima capa ( B, Ga e In ).
Segn esto, hay dos tipos de semiconductores extrnsecos, los dopados con impurezas
donadoras o tipo N y los dopados con impurezas aceptoras o tipo P.
Semiconductores tipo N.
El electrn que sobra en la ltima capa necesita muy poca energa para abandonar el
tomo al que pertenece y convertirse en un electrn libre, de forma que a temperatura
ambiente, todos los electrones de los tomos de impurezas estn libres, aumentando
enormemente la conductividad del cristal.
El nmero de electrones libres es mucho mayor que el nmero de huecos, por lo que la
corriente elctrica en estos cristales es debida mayoritariamente a los electrones.
Semiconductores tipo P.
Las impurezas slo tienen 3 electrones en su ltima capa, de forma que dejan un enlace
sin llenar. Cualquien electrn de un tomo de silicio vecino necesita muy poca energa para
Movimiento de huecos bajo un campo elctrico
E
(Movimiento aparente del hueco)
dejar su enlace y ocupar el que tiene libre la impureza, originando un hueco. A temperatura
ambiente, todos los enlaces de las impurezas estn llenos, existiendo un gran nmero de
huecos que hace que la conductividad del cristal aumente en gran magnitud.
El nmero de huecos es mucho mayor que el nmero de electrones libres, por lo que la
corriente elctrica en estos cristales es debida mayoritariamente a los huecos.
3 . - Corrie nt e e l c t ric a e n un s e mic onduc t or.
En un semiconductor, la corriente elctrica puede ser de dos tipos, de arrastre y de
difusin.
Corriente de arrastre.
Es la que se da en los conductores y est originada por la presencia de un campo
elctrico externo que hace que tanto los electrones como los huecos se muevan
ordenadamente con velocidad proporcional a la intensidad del campo ( Ley de Ohm ).
Corriente de difusin.
Es tpica de los semiconductores y se produce cuando los portadores ( electrones o
huecos ) no estn distribuidos de forma homognea en el cristal, ocasionando un
desplazamiento de cargas que tiende a equilibrar dicha distribucin, es decir, tanto los huecos
como electrones tienden a desplazarse desde donde son ms numerosos hacia donde son
menos numerosos.
4 . - La unin P-N.
El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental. Consiste en el
dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N)
y en la otra con impurezas aceptoras (tipo P). De esta forma, en la parte P existe mucha mayor
concentracin de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es
diferente segn sea el sentido en que se
aplique un campo elctrico externo. Existen
dos posibilidades de aplicacin de este
campo: polarizacin inversa y
polarizacin directa.
Polarizacin inversa.
Consiste en aplicar a la parte N del
diodo una tensin ms positiva que a la
parte P. De esta forma, el campo elctrico
ID
+
VD
h
+
e
_
Zona P Zona N
Estructura fsica de un diodo y
smbolo de circuito
P N
estar dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tendern a circular en ese sentido
mientras que los electrones tendern a circular en sentido contrario. Esto significa que
circularan huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son
mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusin que
tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios
(parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prcticamente nula. Algo
totalmente anlogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido
contrario a la de difusin, contrarrestndose ambas y produciendo una corriente total
prcticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos ms la de electrones y se denomina
corriente inversa de saturacin ( I
s
). En la prctica, el valor de esta corriente es muy pequeo
(del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar
sta.
Polarizacin directa.
Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms positiva que a la parte N. De
esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que
circularan huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son
minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusin. De
esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para la
corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma
un valor elevado a partir de un determinado valor de tensin (tensin umbral, V
) que
depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el
Germanio de 0,2 V).
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario ms elemental, ya que permite
el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.
5 . - Curva c arac t e rs t ic a y mode los de c irc uit o de l diodo.
La curva caracterstica de un
dispositivo de dos terminales es la
representacin grfica de la intensidad que
circula por l frente a la tensin que existe
entre sus extremos.
Si esta expresin es una lnea recta, el
dispositivo es lineal y en caso contrario no
lineal.
El diodo es un dispositivo no lineal,
siendo su curva caracterstica la
representada en la figura. En polarizacin
inversa, la intensidad que circula por el
ID
VD
iD = Is (e
VD/VT
- 1)
(VT = kT/q ; k = cte. de Boltzmann; T =
temperatura en
o
K; q = carga del electrn)
Curva caracterstica del diodo
diodo es prcticamente nula y en polarizacin directa la intensidad es una funcin exponencial
de la tensin.
Este modelo no es adecuado para el anlisis manual de circuitos ya que al ser no lineal,
la resolucin de las ecuaciones se hace muy compleja, por lo que en la prctica se utilizan
modelos aproximados.
Modelo ideal.
El diodo se comporta como un
circuito abierto en polarizacin inversa y
como un cortocircuito en polarizacin
directa.
Modelo con tensin umbral.
como una fuente de tensin igual a la
umbral en polarizacin directa.
Modelo linealizado general.
como una fuente de tensin igual a la
umbral en serie con una resistencia Rd en
polarizacin directa.
6 . - El diodo Ze ne r.
El diodo Zener es un tipo especial de
diodo que se caracteriza porque conduce en
zona inversa a partir de una tensin
negativa V
Z
. Esto significa que el diodo
Zener tiene tres zonas de funcionamiento.
La zona de polarizacin directa tiene las
mismas caractersticas que la del diodo
bsico, mientras que en polarizacin
inversa se diferencian dos zonas, una en la
que el diodo no conduce intensidad y otra
en la que circula intensidad ( en sentido
Polarizacin inversa (V
D
< 0) : i
D
-I
s
Polarizacin directa (V
D
>> V
T
) : i
D
I
s
e
VD/VT
Modelo ideal:
vD 0 iD = 0
iD 0 vD = 0
Modelo con V:
vD V iD = 0
iD 0 vD = V
Modelo linealizado:
vD V iD = 0
vD V
iD = (VD - V) / RD
vD
iD
vD
iD
V
V vD
iD
1/RD
iD
vD
Curva caracterstica del diodo Zener
VZ
contrario a como circula en conduccin directa ) y la tensin tiene un valor menor o igual a
V
Z
.
El modelo del diodo Zener se forma a partir de cualquiera de los modelos del diodo
bsico aadiendo una nueva zona de operacin, la de conduccin inversa. La expresin en
polarizacin directa permanece sin cambios, pero en la zona inversa hay que introducir una
modificacin en la condicin, que queda: V
Z
V
D
0 para el modelo ideal y V
Z
V
D
V
para los otros modelos. La expresin general para la zona de conduccin inversa es:
I
D
= (V
D
- V
) / R
Z
V
D
V
Z
, siendo R
Z
el inverso de la pendiente de la caracterstica en
dicha zona.
El modelo ms utilizado del diodo Zener es el que supone que las resistencias RD y RZ
tienen un valor nulo, quedando:
i
D
0 v
D
= V
V
Z
v
D
V
i
D
= 0
i
D
0 v
D
= V
Z
7 . - Ot ros t ipos de diodos .
a) Diodos emisores de luz ( LED ).
Estn fabricados con un compuesto semiconductor, el Arseniuro de Galio ( AsGa ) y se
caracterizan porque emiten fotones de luz visible o infrarroja cuando conducen en
polarizacin directa. En polarizacin inversa se comportan como un diodo bsico, aunque se
diferencian en que la tensin umbral V
es aproximadamente igual a 1,6 voltios. La intensidad

de la radiacin luminosa es proporcional a la intensidad de corriente que circula por el diodo.
En ciertas condiciones, la luz emitida puede ser monocromtica y coherente ( LASER ),
conocindose en este caso como LASER de estado slido.
b) Fotodiodos.
Cuando se ilumina una unin P-N polarizada inversamente se produce un aumento de la
corriente inversa que es proporcional a la intensidad de luz aplicada. Este fenmeno se da
porque los fotones de luz generan nuevos pares electrn-hueco en las dos zonas, de forma
que los portadores minoritarios ( h
+
en la N y e
-
en la P ) pueden atravesar la unin por la
accin del potencial inverso, contribuyendo a un aumento apreciable de la corriente inversa.
Este hecho es el que se aprovecha en la fabricacin de fotodiodos, cuya estructura est
formada por un diodo en cuyo encapsulado se ha practicado una abertura sobre la zona de la
unin por la se permite que la luz incida sobre ella. La banda de luz ms utilizada para activar
al fotodiodo es la del infrarrojo.
Smbolo del diodo Zener
c) Diodos Schottky.
Estos diodos estn formados por la unin de un metal, normalmente aluminio, y un
cristal semiconductor de tipo N cuyo dopado ( bastante dbil ) hace que el comportamiento de
la unin sea de tipo rectificador, es decir, similar al de una unin P-N en la que el aluminio
tiene un comportamiento anlogo al de la zona P. Cuando el dopado del cristal es fuerte, se
dice que la unin es de tipo hmico ya que su comportamiento se asemeja al de un elemento
resistivo. Este ltimo tipo de unin es la que se utiliza para conectar los terminales metlicos
de los dispositivos semiconductores .
Las principales diferencias con los diodos P-N son las siguientes:
La corriente directa es producida por el paso de electrones del silicio tipo N al metal,
donde stos son mayoritarios, por lo que no se produce difusin de portadores
minoritarios, ya que el metal slo tiene un tipo de portadores ( los electrones ).
En polarizacin inversa, los electrones no pueden pasar del aluminio al silicio N
debido a la existencia de una barrera de potencial de contacto que lo impide.
Los tiempos de conmutacin de la zona de conduccin a la de no conduccin son
ms pequeos.
La tensin umbral est comprendida entre 0,3 V y 0,4 V.
8 . - Eje rc ic ios Re s ue lt os .
A.- Ejercicios de clculo del punto de trabajo.
El mtodo a seguir es el siguiente:
1.- Teniendo en cuenta que cada diodo bsico puede estar en dos estados diferentes y
cada diodo Zener en tres, se calcula el nmero total de estados en que puede estar el circuito,
que es: n estados = 2
(n diodos bsicos)
3
(n diodos Zener)
2.- Se va resolviendo cada configuracin hasta encontrar la correcta, que es nica y es
la que cumple las leyes de Kirchoff y las condiciones del diodo.
Smbolo del diodo LED Smbolo del fotodiodo Smbolo del diodo Schottky
A1.- Calcular v
D
e i
D
en el circuito de la figura considerando el modelo ideal del diodo.
a) Se calcula el equivalente en Thvenin en ambos lados del circuito
El circuito equivalente queda como sigue:
b) Se supone que el diodo est en conduccin ( D ON ), es decir, se debe verificar:
v
D
= 0 ; i
D
0
6 K
2 K
0,8 K
1,6 K
vD
iD
+
1 mA
3 V
6 K
2 K
0,8 K
1,6 K
1 mA
3 V
2
V
T1
= 3 = 0,75 V
2 + 6
2 6
R
T1
= + 0,8 = 2,3 K
2 + 6
V
T2
= 1,6 V
R
T2
= 1,6 K
2,3 K
1,6 K
vD
iD
+
1,6 V
0,75 V
El circuito queda como sigue:
i
D
= - 0,218 mA < 0 ; pero la condicin era que i
D
0, luego, al no cumplirse, este
estado no puede darse, es INCORRECTO.
c) Se supone que el diodo no conduce ( D OFF ), es decir, se debe verificar:
i
D
= 0 : v
D
0 V
El circuito equivalente es:
i
D
= 0 v
D
= 0,75 - 1,6 = - 0,85 V < 0 Se verifica la condicin, luego esta
configuracin es la real. El Resultado es:
i
D
= 0 ; v
D
= - 0,85 V
A2.- Calcular Vo en el circuito de la figura considerando el modelo con V
= 0,7 V para
los dos diodos.
2,3 K
1,6 K
iD
1,6 V
0,75 V
2,3 K
1,6 K
vD
+
1,6 V
0,75 V
1 K
2 K
3 K
0,9 K
Vo
2 mA
D2
D1
+
5 V
a) Se simplifica el circuito mediante el Teorema de Thvenin:
El circuito queda:
b) Se supone: D1 OFF i
D1
= 0 ; v
D1
0,7 V (1)
D2 OFF i
D2
= 0 ; v
D2
0,7 V (2)
El circuito equivalente queda:
v
D2
= 0 ; v
D1
= 3 No se cumple la condicin (1) estado INCORRECTO
1 K
3 K
2 mA
5 V
V
T
= - 2 1 + 5 - 2 3 = - 3 V
R
T
= 1 + 3 = 4 K
4 K
2 K
0,9 K
Vo
D2
D1
+
-3 V
4 K
2 K
0,9 K
Vo
vD2
+
-3 V
vD1
+
+
c) Se supone: D1 OFF i
D1
= 0 ; v
D1
0,7 V (1)
D2 ON v
D2
= 0,7 V ; i
D2
0 (2)
0,7
i
D2
= - = - 0,24 mA < 0 no se cumple la condicin (2)
2,9
estado INCORRECTO
d) Se supone: D1 ON v
D1
= 0,7 V ; i
D1
0 (1)
D2 ON v
D2
= 0,7 V ; i
D2
0 (2)
i = i
D1
+ i
D2
3 + 2 i
D2
2 i
D2
+ 0,7 + 3 - 4 i
D1
- 0,7 = 0 i
D1
=
4
2 i
D2
+ 0,7 + 0,9 i = 0 2,9 i
D2
+ 0,7 + 0,9 i
D1
= 0
- 5,5
11,6 i
D2
+ 2,8 + 2,7 + 1,8 i
D2
= 0 i
D2
=
13,4
i
D2
= - 0,41 mA < 0 no se cumple la condicin (2) estado INCORRECTO.
4 K
2 K
0,9 K
Vo
iD2
+
-3 V
vD1 +
0,7 V
4 K
2 K
0,9 K
Vo
iD2
+
-3 V
iD1
0,7 V
0,7 V
i
e) Se supone: D1 v
D1
= 0,7 V ; i
D1
0 (1)
D2 OFF i
D2
= 0 ; v
D2
0,7 V (2)
3 - 0,7
-3 + 0,9 i
D1
+ 0,7 + 4 i
D1
= 0 i
D1
= = 0,47 mA > 0
4,9
Se cumple la condicin (1)
v
D2
= V
O
= - 0,9 i
D1
= - 0,42 V < 0,7 V Tambin se cumple (2)
estado CORRECTO V
O
= - 0,42 V
Se han supuesto todas las posibles combinaciones para comprobar que slo una es
correcta, pero para resolver este tipo de ejercicios, en general no es necesario resolver todas
ellas; basta con hallar la que es correcta para saber que todas las restantes son incorrectas. En
este ejercicio, dado que en el caso b) se vi que D1 no poda estar en OFF, lo ms directo
hubiese sido probar la siguiente combinacin con D1 ON y D2 OFF, que es precisamente el
estado correcto.
B.- Ejercicios de caracterstica de transferencia.
El mtodo a seguir es el siguiente:
1.- Se calcula el nmero total de estados en que puede estar el circuito.
2.- Se resuelve cada configuracin del circuito y se calcula el rango de validez de esa
solucin en base a las condiciones de funcionamiento de los diodos.
3.- Dos condiciones necesarias para que el resultado sea correcto son:
a.- Que est cubierto todo el rango de variacin de Vi ( que es de - a + si no se da
explcitamente en el problema otro rango distinto ).
4 K
2 K
0,9 K
Vo
vD2
+
-3 V
+
0,7 V
iD1
b.- Que no existan discontinuidades en la funcin de transferencia Vo = (Vi)
B1.- Calcular la tensin Vo en funcin de Vi en el circuito de la figura en los dos casos
siguientes:
a) Modelo ideal
b) Modelo lineal con V
y R
D
a) Modelo ideal.
1.- Se supone: D ON v
D
= 0 : i
D
0
El circuito equivalente es el siguiente:
V
i
i
D
= 0 V
i
0
R
L

V
O
= V
i
V
i
0 V
O
= V
i
(1)
2.- Se supone: D OFF i
D
= 0 : v
D
0
v
D
= V
i
- 0 0 V
i
0

i
D
= 0 i
D
R
L
= V
O
= 0
V
i
0 V
O
= 0 (2)
3.- Se comprueba que est cubierto todo el rango de variacin de V
i
( en (1) de - a 0 y
en (2) de 0 a + ). Para ver si existen discontinuidades:
V
O
= V
i
= 0 ( en (1) )
En Vi = 0:

V
O
= 0

( en (2) )
Coinciden los valores de V
O
para V
i
= 0 en (1) y (2) no hay discontinuidades
se cumplen las dos condiciones necesarias para que la solucin sea correcta.
+
Vi Vo RL
+
Vi Vo RL
iD
+
Vi Vo RL
vD +
b) Modelo lineal.
v
D
- V
1.- Se supone: D ON i
D
= : v
D
V
R
D
i
D
R
D
+ V
= v
D
V
i
D
R
D
0 i
D
0
V
i
- V
i
D
= 0 V
i
V
R
D
+ R
L
V
i
- V
V
O
= i
D
R
L
= R
L
R
D
+ R
L
R
L
V
i
V
V
O
= ( V
i
- V
) (1)
R
D
+ R
L
2.- Se supone: D OFF i
D
= 0 : v
D
V
v
D
= V
i
- 0 V
V
i
V

i
D
= 0 i
D
R
L
= V
O
= 0
V
i
V
V
O
= 0 (2)
Se comprueba que:
a.- Se cubre todo el rango de variacin de V
i
.
b.- En V
i
= V
:
R
L
V
O
= ( V
- V
) = 0 en (1) ; V
O
= 0 en (2)
R
D
+ R
L
B2.- Calcular la caracterstica de transferencia del siguiente circuito considerando los
diodos como ideales.
+
Vi Vo RL
vD +
V RD
+
Vi Vo RL
vD +
D2
25 V
100 K 200 K
100 V
D1
Vi
Vo
a) Se supone: D1 OFF i
D1
= 0 ; v
D1
0 (1)
D2 OFF i
D2
= 0 ; v
D2
0 (2)
v
D2
= 100 - 25 = 75 V > 0 no se puede cumplir (2) Caso IMPOSIBLE.
b) Se supone: D1 v
D1
= 0 ; i
D1
0 (1)
D2 OFF i
D2
= 0 ; v
D2
0 (2)
V
i
- 25
i
D1
= 0 V
i
25 V (A)
100
V
O
= 100 V ; v
D2
= V
O
- V
i
0 V
i
100 V (B)
Para que sean ciertas (A) y (B) simultneamente, debe verificarse la condicin ms
restrictiva, que es la (B), por tanto:
V
i
100 V V
O
= 100 V (S1)
c) Se supone: D1 OFF i
D1
= 0 ; v
D1
0 (1)
D2 ON v
D2
= 0 ; i
D2
0 (2)
25 V
100 K 200 K
100 V
Vi
Vo
vD1 + + vD2
25 V
100 K 200 K
100 V
Vi
Vo
iD1
+ vD2
i
D2
= 0,25 mA > 0
V
O
= 100 i
D2
+ 25 = 50 V ; v
D1
= V
i
- V
O
= V
i
- 50 0 V
i
50 V
V
i
50 V V
O
= 50 V (S2)
D1
= 0 ; i
D1
0 (1)
D2 ON v
D2
= 0 ; i
D2
0 (2)
i = i
D1
+ i
D2
V
i
- 25 = 100 i
100 - V
i
100 - V
i
= 200 i
D2
i
D2
= 0 V
i
100 V
200
V
O
= V
i
3 V
i
- 150
i
D1
= 0 V
i
50 V
200
50 V V
i
100 V V
O
= V
i
(S3)
La representacin grfica se muestra en la pgina siguiente:
25 V
100 K 200 K
100 V
Vi
Vo
vD1 +
iD2
25 V
100 K 200 K
100 V
Vi
Vo
iD1 iD2
i
B3.- Calcular la caracterstica de transferencia del siguiente circuito considerando que
los diodos son ideales y que la tensin inversa del Zener es de V
Z
= - 3 V
a) Se supone: D1 OFF i
D1
= 0 ; -3 V v
D1
0 V (1)
D2 OFF i
D2
= 0 ; v
D2
0 V (2)
v
D1
= V
i
; v
D2
= 1 > 0 No cumple la condicin (2) Caso IMPOSIBLE
100
100
50
50
Vo
Vi
(S2)
(S3)
(S1)
D2
10 K 10 K
1 V
D1
Vi
Vo
10 K 10 K
1 V
Vi
Vo
vD1 + + vD2
b) Se supone: D1 OFF i
D1
= 0 ; - 3 v
D1
0 V (1)
D2 ON v
D2
= 0 V ; i
D2
0 (2)
1
i
D2
= > 0
20
v
D1
= V
i
- V
O
; V
O
= 10 / 20 = 0,5 V v
D1
= V
i
- 0,5
(1) -3 V
i
- 0,5 V
i
-2,5 V
(1) V
i
- 0,5 0 V
i
0,5 V ;
- 2,5 V V
i
0,5 V V
O
= 0,5 V (S1)
c) Se supone: D1 v
D1
= 0 V ; i
D1
0 (1)
D2 OFF i
D2
= 0 ; v
D2
0 V (2)
V
O
= 1 V
i
D1
= V
i
0 V
i
0
v
D2
= V
O
- V
i
= 1 - V
i
0 V
i
1 ; Siempre que se cumpla esta condicin
tambin se cumple la anterior, pero lo
contrario no es cierto, por lo que queda:
10 K 10 K
1 V
Vi
Vo
vD1 +
iD2
10 K 10 K
1 V
Vi
Vo
iD1
+ vD2
V
i
1 V V
O
= 1 V (S2)
D1
= 0 V ; i
D1
0 (1)
D2 ON v
D2
= 0 V ; i
D2
0 (2)
V
O
= V
i
1 - V
i
i
D2
= 0 V
i
1 V
10
V
i
2 V
i
- 1
i
D1
+ i
D2
= i
D1
= 0 2 V
i
1 V
i
0,5 V
10 10
0,5 V V
i
1 V V
O
= V
i
(S3)
e) Se supone: D1 INV v
D1
= - 3 V ; i
D1
0 (1)
D2 OFF i
D2
= 0 ; v
D2
0 V (2)
v
D2
= 1 - ( 3 + V
i
) = - V
i
- 2 0 V
i
- 2 Estas condiciones son incom-
patibles
3 + V
i
i
D1
= 0 V
i
- 3 Caso IMPOSIBLE
10
10 K 10 K
1 V
Vi
Vo
iD1 iD2
i
10 K 10 K
1 V
Vi
Vo
iD1
+ vD2
- 3 V
f) Se supone: D1 INV v
D1
= - 3 V ; i
D1
0 (1)
D2 ON v
D2
= 0 V ; i
D2
0 (2)
1 - V
O
- V
i
- 2
i
D2
= ; V
O
= 3 + V
i
i
D2
= 0 Vi - 2 V
10 10
3 + V
i
V
i
+ 2 2 V
i
+ 5
i
D1
+ i
D2
= = i
D1
i
D1
= 0 V
i
-2,5 V
10 10 10
Esta ltima condicin engloba a la anterior, por lo tanto:
V
i
- 2,5 V V
O
= 3 + V
i
(S4)
10 K 10 K
1 V
Vi
Vo
iD1
iD2
i
- 3 V
-2,5 0,5 1
0,5
1
- 3
VO
Vi
(S1)
(S4)
(S3)
(S2)
1.- Calcular las tensiones e intensidades de los diodos en los siguientes circuitos,
considerando el modelo con tensin umbral V
= 0,7 V para:
a) Vi = - 2 V
b) Vi = 3 V
Soluciones: (1) a) V(D1) = -3 V, i(D1) = 0, V(D2) = -3 V, i(D2) = 0; b) V(D1) = 0,7 V,
i(D1) = 0,65 mA, V(D2) = -1,7 V, i(D2) = 0. (2) a) V(D1) = -4,15 V, i(D1) = 0, V(D2) = 0,7
V, i(D2) = 0,15 mA; b) V(D1) = 0,7 V, i(D1) = 0,3 mA, V(D2) = 0,7 V, i(D2) = 0.
2.- Calcular la caracterstica de transferencia en los siguientes circuitos, considerando el
modelo ideal.
Vi
D1 D2
2 K
1 V
4 K
4 V
(1 )
Vi
1 K
D2
1 K
3 V
D1
2 V
(2 )
Vi
6 K
2 K
3 K
D1
D2
1 mA
Vo
(1 )
Vi
12 K 6 K
D1 D2
3 V
9 V
Vo
(2 )
Soluciones: (1) Vi - 6 Vo = 0, Vi - 6 Vo = 2 + Vi/3;
(2) Vi 3 Vo = 0, 3 Vi 5 Vo = Vi - 3, Vi 5 Vo = 2;
(3) Vi 0 Vo = Vi/2, 0 Vi 7,5 Vo = 2 Vi/3, Vi 7,5 Vo = 2 + 2 Vi/5.
(4) Vi 9 Vo = 0,8 Vi + 6,8 ; 9 Vi 12 Vo = 14 ; Vi 12 Vo = 0,8 Vi +
4,4. (Todas las tensiones en voltios).
3.- Calcula la tensin Vo en los circuitos de la figura, considerando el modelo con
tensin umbral V
= 0,7 V, cuando las tensiones Vi1 y Vi2 toman todas las posibles
combinaciones de valores 0 V y 5 V. Qu funcin lgica realizan los circuitos ?
Vi
5 K
5 K
10 K
10 K
5 V
D1
D2
Vo
(3 )
Vi
2 K
3 K
0,5 K
5 iD1
4 mA
Vo
D1 D2
(4 )
(VZ = -3 V)
Vi1
D1
D2
Vi2
VO
1 K
(2 )
D1
D2
VO
1 K
5 V
Vi2
Vi1
(1 )
Tema 3.- El Transistor Bipolar (B.J.T.)
1 . - Es t ruc t ura fs ic a.
La estructura fsica de un transistor
bipolar est constituida por una barra de
semiconductor en la que se han dopado con
impurezas tres zonas diferentes, dos en los
extremos y una zona central, tal como se
muestra en la figura 1. Cada zona tiene un
terminal que permite que sea conectada con
el exterior. Existen dos posibilidades de
realizar dicho dopado, una consiste en hacer
las dos zonas extremas tipo N y la central
tipo P, obteniendo un transistor NPN y la
otra consiste en hacer las dos zonas
extremas tipo P y la zona central tipo N,
obteniendo un transistor PNP. El
funcionamiento de ambos transistores es
totalmente equivalente. Aqu veremos
nicamente el NPN por ser el ms utilizado
en la prctica.
En resumidas cuentas, el transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales,
denominados BASE (el terminal central) y COLECTOR y EMISOR (los terminales
extremos).
Para que el funcionamiento del
transistor sea correcto, debe presentar las
siguientes caractersticas:
- El espesor de la zona de base (la
separacin entre emisor y colector) debe ser
muy pequeo (del orden de pocos m) en
comparacin con las zonas de emisor y
colector.
- El dopado de la regin de emisor
debe ser mucho mayor que el de la base y
que el del colector.
- El rea de contacto del colector con la base debe ser mayor que la del emisor con la
base. Un esquema ms real de un transitor NPN se muestra en la figura 2.
N P N
Emisor Base Colector
Fig 1. Estructura de un BJT NPN
N
N
Teminal
de COLECTOR
Teminal
de EMISOR
Teminal
de BASE Dixido
de Silicio
0,3 mm
5 m
Figura 2. Estructura real de un BJT tipo planar
P
2 . - El t rans is t or bipolar c omo e le me nt o de c irc uit o.
El smbolo de circuito de los transistores NPN y PNP se muestra en la figura 3.
Al ser un elemento de 3 terminales, el
estado del BJT viene dado por seis
variables, que son: i
B
, i
C
, i
E
, V
BE
, V
CE
y
V
CB
. Teniendo en cuenta que deben
cumplirse las leyes de Kirchoff: i
B
+ i
C
+ i
E
= 0 y V
CE
= V
CB
+ V
BE
, de las seis
variables slo cuatro son independientes,
por tanto, para especificar el estado de un
BJT es suficiente con dar el valor de dos de
sus intensidades y dos de sus tensiones.
Zonas de operacin del transistor.
El BJT est constituido por dos uniones PN, y cada una de ellas puede estar polarizada
de dos formas, como se vi en el diodo, por tanto, el BJT puede funcionar en 4 zonas de
operacin diferentes, que son:
1.- Zona activa.
- Unin B-E directamente polarizada.
- Unin B-C inversamente polarizada.
En esta zona, BJT se comporta como un Amplificador, siendo la ms utilizada en
circuitos analgicos. Sus caractersticas son:
V
BE
V
, V
BC
V
, i
B
0, i
C
= i
B
, donde >> 1
2.- Zona de saturacin.
- Unin B-E directamente polarizada.
- Unin B-C directamente polarizada.
Es utilizada en circuitos digitales. Sus caractersticas son:
V
BE
V
, V
BC
V
, i
B
0
B
E
C
NPN PNP
C
E
B
Figura 3. Smbolo de circuito del BJT
iB
iC
iE
iB
iE
iC
3.- Zona de corte.
- Unin B-E inversamente polarizada.
- Unin B-C inversamente polarizada.
Es utilizada en circuitos digitales. Sus caractersticas son.
V
BE
V
, V
BC
V
, i
B
= i
C
= 0
4.- Zona activa inversa.
- Unin B-E inversamente polarizada.
- Unin B-C directamente polarizada.
Se utiliza en muy pocos circuitos. Sus caractersticas son:
V
BE
V
, V
BC
V
, i
B
0, i
E
=
R
i
B
,
R
< 1
Configuraciones del transistor bipolar.
Al tener tres terminales, el transistor bipolar se configura como un circuito con dos
puertos que tienen un terminal comn. Segn cual sea dicho terminal comn, el BJT puede
disponerse en tres configuraciones diferentes:
- Base comn.
- Colector comn.
- Emisor comn.
La configuracin ms frecuente es la de emisor comn.
Base comn Colector comn Emisor comn
Figura 4. Configuraciones del BJT
Modelo linealizado del transistor bipolar NPN en emisor comn.
1 Zona Activa.
Condiciones: i
B
0, i
C
0, V
CE
V
CE(SAT)
Modelo: V
BE
= V
BE(ON)
, i
C
= i
B
2 Zona de Saturacin:
Condiciones: i
B
0, i
C
i
B
Modelo: V
BE
= V
BE(ON)
, V
CE
= V
CE(SAT)
3 Zona de corte:
Condiciones: V
BE
V
BE(ON)
Modelo: i
B
= 0, i
C
= 0
3 . - Familias lgic as bipolare s .
Por orden cronlgico de aparicin, las familias lgicas ms importantes basadas en el
BJT son la RTL, DTL y TTL.
A.- Familia RTL (Resistor Transistor Logic)
Es la familia ms antigua y la que tiene un
circuito ms simple.
Puerta bsica: NOR.
Circuito tpico: Transistor en emisor comn
con resistencia en el colector.
Ventaja principal: Circuito muy simple.
Permite realizar la funcin AND cableada.
Inconvenientes: Consume intensidad en su
entrada. El FAN-IN es pequeo. Los mrgenes de
ruido son bajos, presenta poca inmunidad al ruido.
El tiempo de subida es alto.
B
E
C
iB
iB
VBE(ON)
VCE
+
B
E
C
iB
VBE(ON)
VCE(SAT)
iC
B
E
C
VBE
+
VCC
IN1
OUT
Puerta NOR RTL
IN2
B.- Familia DTL (Diode Transistor Logic)
Presenta una serie de mejoras frente a la
RTL, a costa de que el circuito es algo ms
complejo.
Puerta bsica: NAND
Circuito tpico: Circuito de entrada con
diodo.
Ventajas: Mejora el FAN-IN y los
mrgenes de ruido de la RTL.
Inconvenientes: Es an algo ms lenta
que la RTL.
C.- Familia TTL (Transistor Transistor Logic).
Puerta bsica: NAND
Circuito tpico: Salida
TOTEM-POOLE. Entrada transistor
multiemisor.
Ventajas: Mejora ampliamente
la velocidad de la DTL, debido
fundamentalmente a la adicin del
transistor de carga en el circuito de
salida
Inconvenientes: Circuito ms
complejo. No permite realizar
funciones cableadas.
A.- Ejercicios del clculo del punto de trabajo.
El punto de trabajo de un transistor viene dado por 4 variables. Cuando el transistor est
en emisor comn, estas variables son i
B
, i
C
, V
BE
y V
CE
.
El mtodo a seguir es similar al que se utiliz con los diodos, aunque ahora hay que
tener en cuenta que el transistor puede estar en tres estados diferentes (por el momento
VCC
IN1
IN2
OUT
Puerta NAND DTL
VCC
IN1
IN2
OUT
Puerta NAND TTL
exclumos que pueda estar en zona activa inversa), por lo que en un circuito con diodos y
transistores tendremos: n estados = 2
(n diodos)
3
(n BJT)
. Normalmente sale un nmero de
estados muy alto, por lo que antes de empezar a probar estados hay que observar el circuito
para determinar cul puede ser el estado ms probable en que se encuentre.
A1.- Calcular el punto de trabajo de los siguientes circuitos.
a) Primeramente se calcula el equivalente en Thvenin del circuito de entrada:
El circuito queda de la forma
siguiente:
10 V 10 V
400 K
400 K
5 K
400 K
400 K
2 K
5 K
a) b)
= 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
Q Q
400
V
T
= 10 = 5 V
800
R
T
= 200
10 V
400 K
400 K
VT
+

10 V
200 K
5 K
5 V
Q
1) Se supone que Q est en zona de CORTE: V
BE
0,7 V
2) Se supone que Q est en zona ACTIVA: i
B
0 ; V
CE
0,2 V
3) Se supone que Q est en zona de SATURACION: i
B
0 ; i
C
i
B
El punto de trabajo del transistor es:
V
BE
= 0,7 V ; V
CE
= 0,2 V ; i
B
= 0,0215 mA ; i
C
= 1,96 mA
200 K
5 K
5 V
i
B
= i
C
= 0
V
BE
= 5 V > 0,7 V Q NO ESTA EN CORTE
10 V
VBE
+
200 K
5 K
5 - 0,7
i
B
= = 0,0215 mA > 0
200
i
C
= 100 i
B
= 2,15 mA ; V
CE
= - 5 i
C
+ 10
V
CE
= - 0,75 V < 0,2 V Q NO ESTA EN ACTIVA
10 V
+
VCE
100 iB
5 V
0,7 V
iB
200 K
5 K
5 - 0,7
i
B
= = 0,0215 mA > 0 ; i
B
= 2,15 mA
200
10 - 0,2
i
C
= = 1,96 mA < i
B

5
Q ESTA EN SATURACION
10 V
iC
5 V
0,2 V
0,7 V
iB
b) El circuito de entrada es similar al anterior:
BE
0,7 V
B
0 ; i
C
i
B
B
0 ; V
CE
0,2 V
El punto de trabajo del transistor es:
V
BE
= 0,7 V ; V
CE
= 2,49 V ; i
B
= 0,011 mA ; i
C
= 1,1 mA
200 K
5 K
5 V
i
B
= i
C
= 0
V
BE
= 5 V > 0,7 V Q NO ESTA EN CORTE
10 V
VBE
+
2 K
200 K
5 K
5 - 0,7 = 202 i
B
+ 2 i
C
;
10 - 0,2 = 7 i
C
+ 2 i
B
;
i
B
= 4,9 - 3,5 i
C
4,3 = 989,8 -707 i
C
+ 2 i
C

989,5
i
C
= = 1,398 mA ;
705
i
B
= 4,9 - 4,892 = 0,008 mA ; i
B
= 0,8 mA < i
C

Q NO ESTA EN SATURACION
10 V
iC
5 V
0,2 V
0,7 V
iB 2 K
200 K
4,3
5 - 0,7 = 200 i
B
+ 202 i
B
i
B
= 0,011 mA > 0
402
V
CE
= - 500 i
B
+ 10 - 202 i
B
V
CE
= 2,49 V > 0,2 V
Q ESTA EN ACTIVA
10 V
+
VCE
100 iB
5 V
0,7 V
iB
5 K
2 K
A2.- En el siguiente circuito, calcula V
0
para las distintas combinaciones de V
I1
y V
I2
,
que pueden tomar los valores de 0 V y 5 V. Qu funcin lgica realiza ?. Calcula la potencia
consumida por el circuito cuando las dos entradas estn a 5 V.
1) V
i1
= 0 V ; V
i2
= 0 V
El estado ms probable de los diodos es D1 ON y D2 ON, por lo que la tensin en la
resistencia de base ser de 0,7 V, insuficiente para que Q conduzca, por lo que su estado ms
probable ser de CORTE. Segn esto, el circuito equivalente quedar:
5 - 0,7
D1 y D2 estn en paralelo, por lo que i
D1
= i
D2
; i = i
D1
+ i
D2
= i= 0,86 mA
5
i
D1
= i
D2
= 0,43 mA > 0 D1 y D2 estn en ON.
i
B
= 0 V
BE
= 0,7 V est dentro de la condicin de CORTE.
i
C
= 0 V
O
= - 5 i
C
+ 5 V
O
= 5 V

5 V
5 K 5 K
15 K
D1
D2
VI1
VI2
V0
+
= 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
Q

5 V
5 K 5 K
15 K
0,7 V
0,7V
+
+ V0
VBE
iD1
iD2
i
D1 ON i
D1
0
D2 ON i
D2
0
Q CORTE V
BE
0,7 V
2) V
i1
= 0 V ; V
i2
= 5 V
Al igual que antes,el estado ms probable del diodo D1 es ON, mientras que el de D2 es
OFF. Al estar conduciendo un diodo, el transistor debe seguir en corte:
5 - 0,7
i = i
D1
= = 0,86 mA > 0 ; V
D2
= 0,7 - 5 = - 4,3 V < 0,7 V ; V
BE
= 0,7 V
5
Se comprueban las suposiciones iniciales Q est en CORTE;
i
C
= 0 V
O
= - 5 i
C
+ 5 V
O
= 5 V
El circuito es simtrico, por lo que el resultado anterior tambin es vlido para V
i1
=
5 V y V
i2
= 0 V.
3) V
i1
= 5 V ; V
i2
= 5 V
En este caso, lo ms probable es que los diodos estn en OFF y que Q conduzca. Si
suponemos que lo hace en SATURACIN:

5 V
5 K 5 K
15 K
0,7 V
5 V
+
V0
VBE
iD1
VD2
i
D1 ON i
D1
0
D2 OFF V
D2
0,7 V
Q CORTE V
BE
0,7 V
+
+

5 V
5 K 5 K
15 K
5 V
+
V0
iB
VD2
i
D1 OFF V
D1
0,7 V
D2 OFF V
D2
0,7 V
Q SAT i
B
0 ; i
C
i
B
+
+
VD1
5 V
iC
0,7 V
0,2 V
5 - 0,7
i = i
B
= = 0,215 mA > 0 iB = 21,5 mA
5 + 15
5 - 0,2
i
C
= = 0,96 mA < iB = 21,5 mA Q est en SATURACIN.
5
V
D1
= V
D2
= 15 i
B
+ 0,7 - 5 = - 1,075 V < 0,7 V D1 y D2 estn en OFF,
Por tanto: V
O
= 0,2 V
El resultado final es:
La potencia (P) viene dada por el producto de la tensin de la fuente de alimentacin
por la intensidad total que proporciona. Para las entradas V
i1
= V
i2
= 5 V:
P = 5 ( i + iC ) P = 5,875 mW
El mtodo a seguir es similar al seguido con los diodos, con la diferencia de que el
margen de variacin de la tensin de entrada se restringe al valor de la fuente de alimentacin.
B1.- Calcula y representa la caracterstica de transferencia de los siguientes circuitos,
indicando los valores V
IH
, V
IL
, V
OH
, V
OL
, NM
H
, NM
L
, TW y LS.
V
i1
V
i2
V
O
0 0 5
0 5 5
5 0 5
5 5 0,2
Funcin NAND

5 V
20 K
5 K
Vi
Vo
+
= 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
a)
5 V
2 K
2 K
2 K
5 K
Vi
Vo
Q1
Q2
D2
D1
= 50
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
V = 0,7 V
b)
+
a) Se estudia el estado del transistor.
BE
0,7 V
B
0 ; i
C
i
B
V
O
= 0,2 V
V
i
0,892 V V
O
= 0,2 V
B
0 ; V
CE
0,2 V
0,7 V V
i
0,892 V V
O
= - 25 V
i
+ 22,5
20 K
5 K
Vi
i
B
= 0 V
BE
= V
i
; V
BE
0,7 V V
i
0,7 V
i
C
= 0 V
O
= 5 V
V
i
0,7 V V
O
= 5 V
5 V
+
+
VBE
VO
20 K
5 K
V
i
- 0,7
i
B
= 0 ; V
i
0,7 V
20
5 - 0,2 V
i
- 0,7
i
C
= 100 4,8 25 V
i
- 17,5
5 20
4,8 + 17,5
Vi V
i
0,892 V ; Esta condicin
25
es ms restrictiva que la anterior
iC
0,2 V
0,7 V
iB
Vi
VO
5 V
+
20 K
5 K
V
i
- 0,7
i
B
= 0 ; V
i
0,7 V
20
V
O
= 5 - 500 i
B
= 5 - 25 V
i
+ 17,5 = V
CE
V
CE
= - 25 V
i
+ 22,5 0,2
22,3
V
i
V
i
0,892 V
25
5 V
+
VO
100 iB
0,7 V
iB
Vi
( Las tensiones V
OH
, V
OL
,
V
IH
y V
IL
se han tomado en los
puntos donde no existe la derivada
de la funcin. )
b) El circuito es ms complejo, por lo que se va a hacer una evaluacin preeliminar de
los posibles estados de los transistores:
Por su disposicin, siempre que conduce Q1 lo hace en ACTIVA ( ver ejercicio
propuesto 1 ) y adems conduce D2, pudiendo estar Q2 conduciendo o sin conducir, pero si
ambos estn en corte, a Q2 no le llega corriente, por lo que tambin estar en corte. Por tanto,
los estados posibles a priori de Q1, Q2 y D2 son:
1) Q1 CORTE, Q2 CORTE, D2 OFF
2) Q1 ACTIVA, Q2 CORTE, D2 ON
3) Q1 ACTIVA, Q2 ACTIVA, D2 ON
4) Q1 ACTIVA, Q2 SATURACIN, D2 ON
1) Este estado slo puede darse con D1 ON, por tanto:
V
0
V
i
VIL = 0,7 V
VIH = 0,892 V
VOL = 0,2 V
VOH = 5 V
NMH = 4,108 V
NML = 0,5 V
TW = 0,192 V
LS = 4,8 V
2 K
2 K
2 K
5 K
Vi 0,7 V
VO
+
+
VD2
+ +
VBE2 VBE1
iD1
5 V
i
D1
0
V
D2
0,7
V
BE1
0,7
V
BE2
0,7
5 - 0,7 - V
i
i
D1
= 0 V
i
4,3 V
4
V
BE2
= 0 < 0,7 V
V
BE1
+ V
D2
= 0,7 + V
i
V
BE1
0,7 V
0,7 + V
i
1,4 V V
i
0,7 V
V
D2
0,7 V
i
C2
= 0 V
O
= V
CE2
= 5 V
V
i
0,7 V V
O
= 5 V
2) Se sigue suponiendo D1 en ON:
V
BE2
= - 0,7 - 0,7 + 0,7 + V
i
0,7 V
i
1,4 V
Vi - 0,7
5 - 0,7 - V
i
= 2 i + 2 (i
D1
+ i
B1
) = 4 i
D1
+ 104 i
B1
= 4 i
D1
+ 104
255
4,58 - 1,4 V
i
i
D1
= 0 V
i
3,27 V; La condicin anterior es ms restrictiva, por tanto:
4
0,7 V V
i
1,4 V V
O
= 5 V
3) Se sigue suponiendo D1 en ON:
2 K
2 K
2 K
5 K
Vi
VO
+
+
VBE2
iD1
5 V
i
D1
0
i
D2
0
i
B1
0
V
BE2
0,7 V
i = 51 i
B1
+ i
D1
0,7 + V
i
= 1,4 + 255 i
B1
;
V
i
- 0,7
i
B1
= 0 V
i
0,7 V
255 0,7 V
0,7 V 0,7 V
iD2 iB1
50 iB1
i
2 K
2 K
2 K
5 K
Vi
VO
+
iD1
5 V
i
D1
0
i
D2
0
i
B1
0
i
B2
0
V
O
0,2 V
0,7 V
0,7 V 0,7 V
iD2 iB1
i
0,7 V
50 iB1
50 iB2
iB2
Est claro que la configuracin anterior slo es posible si se verifica:
V
i
= - 0,7 + 0,7 + 0,7 V
i
= 1,4 V; V
O
0,2 V
V
i
= 1,4 V 0,2 V V
O
5 V
4) Esta ltima combinacin slo puede darse cuando D1 est en OFF:
V
D1
= 2,1 - V
i
0,7 V V
i
1,4 V
5 - 2,1 = 102 i
B1
+ 2 i
B1
= 104 i
B1
i
B1
0,028 mA > 0 (1)
i
D2
= 51 i
B1
= 1,422 mA > 0 (2)
0,7
i = = 0,14 mA ; i
B2
= i
D2
- i = 1,282 mA > 0 (3)
5
5 - 0,2
i
B2
= 64,1 mA ; i
C2
= = 2,4 mA < i
B2
(4)
2
De (1), (2), (3) y (4) se
comprueba que este estado es
vlido para todo valor de V
i
mayor
o igual a 1,4 voltios, luego:
V
i
1,4 V V
O
= 0,2 V
2 K
2 K
2 K
5 K
Vi
VO
+
+
VD1
iD1
5 V
V
D1
0,7 V
i
D2
0
i
B1
0
i
B2
0
i
C2
i
B2
V
O
= 0,2 V
0,7 V 0,7 V 0,7 V
iD2 iB1
50 iB1
i
0,2 V
iC2
V
0
V
i VIH = VIL 1,4 V
VOL = 0,2 V
VOH = 5 V
NMH = 3,6 V
NML = 1,2 V
TW = 0 V
LS = 4,8 V
C.- Ejercicios de clculo del FAN-OUT.
El cculo del FAN-OUT difiere de un circuito a otro, por lo que no existe una regla
general para realizarlo, hay que analizar el circuito y ver en qu condiciones deja de funcionar
como una puerta lgica.
C1.- Calcula el FAN-OUT de las puertas del ejercicio B1.
a) El FAN-OUT de esta puerta viene dado por el hecho de que la entada consume
intensidad cuando est a 1 lgico. Esta intensidad debe ser suministrada por la salida de la
puerta a la cual se conecta, por lo que la tensin en dicha salida disminuye. Esto puede verse
en el siguiente circuito:
20
V
O1
= ( 5 - 0,7 ) + 0,7 V
O1
= 4,14 V
20 + 5
La tensin de salida V
O1
de la puerta 1 ya no es de 5 voltios, ha descendido a 4,14
voltios al conectarle una puerta. Si se conectan ms de una puerta, esta tensin bajar an
ms. Cuando baja del lmite fijado por V
IH
= 0,892 V, las puertas conectadas a la salida V
O1
no interpretarn la entrada como 1 lgico, ya que sus transistores saldrn de zona de
saturacin y entrarn en activa, producindose un funcionamiento incorrecto. El nmero de
puertas conectadas antes de que ocurra esto es el FAN-OUT. Por tanto, para calcularlo hay
que analizar el siguiente circuito:

5 V 5 V
5 K
0,7 V
0,2 V
5 K
20 K
20 K
VO1
iB
+
0 1 0

5 V
5 V
5 K
0,7 V
0,7 V
5 K
20 K
Req
VO1
+ n
20 K
0,7 V
20 K
0,7 V
+
VO1
20
Donde R
eq
= ; luego:
n
R
eq
86
V
O1
= ( 5 - 0,7 ) + 0,7 = + 0,7 > 0,892 86 > 3,84 + 0,96 n
5 + R
eq
5 n + 20
n < 85,58 FAN-OUT = 85
b) Este circuito no consume intensidad por su entrada cuando est a 1 lgico, pero por
dicha entrada sale intensidad ( i
D1
) cuando est a 0 lgico. Esta intensidad es absorbida por
el colector del transistor Q2 de la puerta a cuya salida est conectada. Cuando se conectan
muchas puertas, esta intensidad que pasa por el colector puede hacerse tan grande que deje de
cumplirse que i
C2
i
B2
, con lo que Q2 saldr de zona de saturacin y entrar en zona
activa, lo que hace que la tensin V
O1
supere el nivel de V
IL
de las puertas conectadas y el
funcionamiento sea incorrecto.
5 - 0,2 5 - 0,7 - 0,2
i
C2
= i + i
D
; i = = 2,4 mA ; i
D
= = 1,025 mA i
C2
= 3,425 mA
2 4
Si hay n puertas conectadas:
i
C2
= 2,4 + 1,025 n
Tal como se vi en el ejercicio anterior, cuando Q2 est en saturacin, i
B2
= 1,282 mA
i
B2
= 64,1 mA Q2 saldr de zona de saturacin cuando:
i
B2
= i
C2
64,1 = 2,4 + 1,025 n n = 60,19
FAN-OUT = 60

5 V
5 V
2 K
0,2 V
2 K
2 K
iD
1 0 1
iC2
i
1.- Calcula el punto de trabajo y la
potencia consumida por el siguiente circuito.
(Solucin: i
B
= 0,016 mA; i
C
= 1,187 mA;
V
BE
= 0,7 V; V
CE
= 4,10 V; P = 12,03 mW)
2.- En el circuito de la figura, calcula el valor de la resistencia R
D
para que se verifique
que i
D
= i
E
. Calcula el punto de trabajo del transistor y la potencia consumida por el circuito
de la figura. (Solucin: R
D
= 0,67 K, i
B
= 0,026 mA, i
C
= 5,26 mA, V
BE
= 0,7 V, V
CE
=
2,63 V, P = 154 mW)
3.- Obtn la caracterstica de transferencia de los siguientes circuitos. (Soluciones: (1)
V
i
0,7 V V
O
= 0 V; 0,7 V V
i
5,81 V V
O
= 0,92 V
i
- 0,64; V
i
5,81 V V
O
= 4,7 V ; (2) V
i
- 6,45 V V
O
= 0,67 V
i
; - 6,45 V V
i
- 4,3 V V
O
= - 4,3 V ;
V
i
- 4,3 V V
O
= - 4,3 V ; (3) V
i
- 4,3 V V
O
= 10 V ; - 4,3 V V
i
1,4 V
V
O
= 10 V ; 1,4 V V
i
3,36 V V
O
= 17 - 5 V
i
; V
i
3,36 V V
O
= 0,2 V

10 V
4,9 K
215 K
= 75
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V

1 K
0,8 K
0,6 K 0,5 K
RD
iD
iE
VBE(ON) = 0,7 V
= 200
V = 0,7 V
10 V

9 K
1 K
5 V
VO
Vi
+
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
= 100
V = 0,4 V
(1)
4.- En los siguiente circuitos, calcula V
0
para las distintas combinaciones de V
I1
y V
I2
,
que pueden tomar los valores de 0 V y 5 V. Qu funcin lgica realiza ?. (Solucin: a) y b)
NOR).
5.- Calcula el consumo para entrada alta ( 4 V ) y baja ( 0,1 V ) y el FAN-OUT de la
puerta de la figura. ( Solucin: P ( 4 ) = 8,78 mW ; P ( 0,1 ) = 6,96 mW ; FAN-OUT = 6 ) .

5 V
5 K
15 K
5 K
VI1
VI2
D1
D2
V0
+
= 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
a)
5 V
VI1
VI2
V0
5 K
20 K 20 K
+
= 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
b)
5 V
1 K
2 K VO Vi
+
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
= 100
(2)

10 V
2 K
2,5 mA
1 K
10 K
VO Vi
+
(3)
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
= 50
V = 0,7 V

+ 4 V
2 K
-2 V
4 K
5 K
VO
Vi
+
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,1 V
= 30
V = 0,7 V
Tema 4.- El transistor M.O.S.F.E.T.
1 . - Int roduc c in
El transistor de efecto de campo con estructura metal-xido-semiconductor
(M.O.S.F.E.T.) es el dispositivo electrnico digital ms importante en la actualidad, ya que la
gran mayora de los circuitos digitales estn basados en l. Esto es debido principalmente a
dos caractersticas fundamentales: su reducido consumo y a la capacidad de hacerlos muy
pequeos, lo que repercute en una gran capacidad de integracin. Otra caracterstica
importante es que estos circuitos digitales estn realizados nicamente con transistores
MOSFET, no incluyen diodos, resistencias ni otro tipo de elementos.
2 . - La e s t ruc t ura M. O. S.
La base del transistor MOSFET es la
estructura metal-xido- semiconductor. Esta
es una estructura formada por una capa
metlica (aluminio), una capa intermedia
muy delgada de xido de silicio (SiO
2
), que
es un material muy buen aislante y un cristal
de silicio dbilmente dopado con impurezas
aceptoras o donadoras denominado sustrato.
Consideremos una estructura de este tipo con el cristal de silicio tipo P, es decir, con un
nmero de huecos mayor que el nmero de electrones. Si se aplica una tensin positiva al
metal con respecto al sustrato, aparecer un campo elctrico entre ambas capas. La capa
aislante de SiO
2
impide que circule una corriente elctrica por la estructura, pero la accin del
campo hace que los huecos del sustrato tiendan a alejarse de la superficie de contacto con el
xido y que los electrones tiendan a
acercarse a ella. A medida que se aumenta
el campo elctrico ser mayor el nmero
de electrones que se acercan a la superficie
y mayor el nmero de huecos que se alejan
de ella, llegando un momento en que, en
esa zona, el nmero de electrones se hace
mayor que el nmero de huecos, es decir,
se ha transformado en tipo N. En este caso
se dice que se ha originado un canal
inducido y la tensin necesaria para que
haya aparecido este canal se denomina
tensin umbral (V
T
). La profundidad del
canal aumenta conforme aumenta la
tensin por encima de V
T
, que es positiva.
Metal (AL)
SiO2
Cristal de silicio
dbilmente dopado
Estructura Metal-xido-semiconductor (MOS)
Cristal de silicio tipo P
Formacin del canal inducido
e-
Canal
inducido
tipo N
h+
E
En resumen, la estructura MOS permite crear un canal inducido de tipo N en un
semiconductor tipo P o un canal tipo P en un semiconductor tipo N, aplicando en este caso
una tensin negativa entre el metal y el semiconductor.
3 . - MOSFET de Ac umulac in o Enrique c imie nt o.
La estrucutra bsica de un MOSFET
deriva de la anterior, implantando en el
sustrato dos "islas" o zonas de fuerte dopado
(indicadas en la figura con un superndice +)
con impurezas de tipo contrario a las del
sustrato. La capa de xido y la de metal se
disponen justo encima de la zona intermedia
entre ambas islas. Se conectan terminales
metlicos a las dos islas, a la zona del metal
y al sustrato, lo que significa que el
MOSFET es un dispositivo de 4 terminales,
aunque el terminal del sustrato no se utiliza,
permaneciendo siempre conectado a una
tensin fija. Las caractersticas estructurales
del transistor son las siguientes:
- No existe ninguna diferencia entre las dos islas, es decir el transistor es simtrico. A
los terminales conectados a ellas se les denomina fuente (S) y drenador (D), pero en la
realidad los dos son completamente equivalentes.
- Al terminal conectado a la zona de metal se denomina puerta (G). El metal puede ser
sustituido por otro material conductor, como por ejemplo silicio policristalino.
- La zona del sustrato debe estar ms dbilmente dopada que las islas.
Segn sea el dopado del sustrato y las islas existen dos tipos de MOSFET de
Acumulacin, de CANAL N con islas tipo N y sustrato tipo P y de CANAL P, con islas tipo P
y sustrato tipo N. Ambos son utilizados en la implementacin de circuitos digitales.
Slo se va a estudiar el funcionamiento
a nivel microscpico del transistor de canal
N porque el de canal P es totalmente
equivalente. En el de canal N, el terminal de
sustrato siempre se conecta a la tensin ms
negativa que se tenga en el circuito, que en el
caso de circuitos digitales normalmente es
tierra. El sustrato de los transistores de canal
P se conecta a la tensin ms positiva del
circuito, que es normalmente la tensin de
alimentacin.
MOSFET de Acumulacin de canal N
PUERTA
(G)
FUENTE
(S)
DRENADOR
(D)
SUSTRATO
(B)
N
+
N
+
P
VGS
VDS
Partimos de un transistor de canal N y dos fuentes, una V
GS
y otra V
DS
tal como se
muestra en la figura de la pgina anterior. Consideremos los siguientes casos:
a) V
GS
V
T
No aparece canal inducido, por lo que,
cualquiera que sea la tensin V
DS
, no
circular intensidad entre las dos islas. Es el
caso representado en la pgina anterior.
b) V
GS
V
T
, V
DS
=0
Aparece un canal inducido entre las
dos islas, pero, al ser V
DS
= 0, entre ellas no
circula intensidad y la profundidad es la
misma en todo el canal.
c) V
GS
V
T
, V
DS
0, V
GD
V
T
Circula una intensidad por el canal
debido a la tensin V
DS
. Debido a esta
tensin, la profundidad del canal ya no es
constante, sino que se estrecha en la zona
cercana al drenador, debido a que la tensin
V
GD
es menor que V
GS
( V
GD
= V
GS
- V
DS
). Conforme aumenta la tensin, aumenta
tambin la intensidad que circula por el canal
de forma aproximadamente lineal.
d) V
GS
V
T
, V
DS
0 V
GD
V
T
El canal se estrangula en la zona del
drenador, por lo que, a partir de este punto,
aunque se siga aumentando la tensin V
DS
,
la intensidad ya no aumenta, permaneciendo
con el mismo valor que con V
GD
= V
T
.
En la grfica de la figura se representa
la curva de variacin de I
D
frente a V
DS
para
una tensin V
GS
V
T
. El punto en el que la
intensidad I
D
se hace constante corresponde
al estrangulamiento del canal, es decir a V
GD
= V
GS
- V
DS
= V
T
. Del funcionamiento
anteriormente descrito pueden sacarse las
siguientes consecuencias importantes:
Posibilidades de polarizacin del MOSFET
VGS
(b)
VGS
VDS
(c )
VGS
VDS
(d)
VGS - VT
VDS
ID
- El terminal de puerta est aislado del canal por la capa de SiO
2
, por lo que la
intensidad de puerta siempre es nula en un MOSFET. La nica intensidad es la que circula
entre drenador y fuente.
- En el caso estudiado de MOSFET de canal N, la corriente circula entre dos islas tipo N
y un canal tambin tipo N, por lo que prcticamente todos los portadores de carga que forman
la corriente elctrica son electrones. En el caso de un MOSFET de canal P ocurre lo contrario,
los portadores de carga son mayoritariamente huecos. Por este motivo se dice que el
MOSFET es un dispositivo unipolar, la corriente a travs de l est formada por un nico tipo
de portadores.
- Como se ha dicho, los terminales de drenador y fuente son totalmente equivalentes. En
la prctica, cuando se conecta una fuente de tensin continua entre ambos, se denomina
drenador del MOSFET de canal N al terminal al que se aplica el borne positivo y fuente al
terminal al que se aplica el borne negativo de la fuente de tensin.
- Pueden distinguirse tres zonas de funcionamiento, denominadas CORTE, OHMICA y
SATURACION.
a) Zona de Corte.
En esta zona no hay canal inducido.
Condiciones: V
GS
V
T

Funcionamiento: I
D
= 0 para cualquier valor de V
DS
b) Zona Ohmica.
En esta zona existe canal inducido y no est estrangulado.
Condiciones: V
GS
V
T
; V
GD
V
T
, es decir, V
DS
V
GS
- V
T
.
Funcionamiento: La relacin entre I
D
y V
DS
es aproximadamente
lineal. En el modelo que vamos a utilizar se cumple:
Donde K
N
es una constante que depende fundamentalmente de la
geometra del transistor.
Aunque esta relacin corresponde a la curva caracterstica de una resistencia no lineal,
para pequeos valores de V
DS
, la expresin puede aproximarse a I
D
K
N
( V
GS
- V
T
) V
DS
,
V
DS
I
D
= K
N
(V
GS
- V
T
- ) V
DS
2
VGS
+
VDS
+ ID
D
G
S
VGS
+
D
G
S
que es equivalente a la Ley de Ohm tomando R = ( K
N
( V
GS
- V
T
))
-1
, de ah que se
denomine a esta zona con el nombre de Ohmica.
c) Zona de Saturacin.
En esta zona, el canal inducido est estrangulado.
Condiciones: V
GS
V
T
; V
GD
V
T
, es decir, V
DS
V
GS
- V
T
.
Funcionamiento: El transistor se comporta como una fuente de
intensidad controlada por la tensin V
GS
no lineal. La expresin de la
I
D
en funcin de V
GS
es:
El estudio del MOSFET de Acumulacin de canal P es totalmente
anlogo al realizado anteriormente, con las siguientes diferencias:
- Se consideran las tensiones inversas a las anteriores, es decir, V
SG
, V
SD
y V
DG
, por lo
que la tensin umbral V
T
se define como la tensin necesaria entre fuente y puerta (V
SG
) para
que aparezca un canal inducido y, por tanto, tambin es positiva.
- El terminal de fuente es ahora el que se conecta a la tensin ms positiva, por lo que la
intensidad entra en el transistor por dicho terminal y por tanto se denomina I
S
.
- Las expresiones anteriores son totalmente vlidas, sustituyendo V
GS
, V
DS
e I
D
por
V
SG
, V
SD
e I
S
respectivamente y la constante K
N
por otra K
P
que es equivalente a la anterior.
Estas expresiones se encuentran en la hoja-resumen del final del captulo.
4 . - MOSFET de De ple xin o Empobre c imie nt o.
La diferencia con el MOSFET de
Acumulacin es que se fabrica con un canal
implantado entre las islas. En la figura se
muestra un MOSFET de Deplexin de canal
N. Esto tiene como consecuencia principal
que por el transistor circula intensidad
aunque la tensin V
GS
sea cero, ya que no es
necesario inducir el canal puesto que ya
existe.
No obstante, si se aplica una tensin
V
GS
negativa, los electrones que forman el
canal inducido tendern a alejarse de dicha
zona por efecto del campo elctrico que
MOSFET de Deplexin de canal N
PUERTA
(G)
FUENTE
(S)
DRENADOR
(D)
SUSTRATO
(B)
N
+
N
+
P
K
N
I
D
= (V
GS
- V
T
)
2
2
VGS
+
VDS
+ ID
D
G
S
ahora se dirige del sustrato a la puerta. Por la misma razn, los huecos tendern a aproximarse
a la zona del canal. Para un valor de tensin V
GS
= V
P
( V
P
< 0 ) denominado "pinch-off", los
huecos neutralizarn a los electrones del canal y ste desaparecer, en este caso ya no podr
circular intensidad entre el drenador y la fuente y el transistor habr entrado en corte.
Por tanto, el funcionamiento del transistor de Deplexin es totalmente anlogo al de
acumulacin, con la nica diferencia que la tensin umbral V
T
, que es positiva en el de
acumulacin, se sustituye en las ecuaciones por la tensin de pinch-off V
P
, que es negativa.
Las expresiones para los transistores de deplexin y los smbolos de circuito de todos
los tipos de MOSFET se encuentran en la hoja-resumen del final del captulo.
5 . - Familia lgic a NMOS.
El inversor NMOS est formado por dos transistores, uno
de acumulacin ( M1 ) cuyo terminal de puerta es la entrada del
circuito, denominado transistor base y uno de deplexin (M2),
denominado transistor de carga, cuya fuente est conectada al
drenador del transistor base. De esa conexin se toma la salida de
la puerta.
La puerta y la fuente de M2 estn conectadas entre s, por lo
que siempre se cumple que V
GS2
= 0. Al ser M2 de deplexin, su
tensin de pinch-off es siempre negativa, por lo que siempre se
cumple que V
P
< V
GS2
, es decir M2 nunca va a funcionar en
zona de corte, siempre estar en zona hmica o de saturacin.
Otra caracterstica de esta puerta es que la intensidad que circula por M1 ( I
D1
)es
siempre igual a la que circula por M2 ( I
D2
), ya que la intensidad de puerta es siempre cero en
cualquier MOSFET. ( I
D1
= I
D2
= I
D
).
a) Para aplicar un 0 lgico a la entrada de la puerta, el valor de la tensin de entrada Vi
debe ser inferior a la tensin umbral de M1 (V
T
). En este caso, el transistor estar en zona de
corte y, consecuentemente, I
D1
= 0. Esto hace que I
D2
= 0, pero M2 no puede estar en corte
por ser V
GS2
= 0, ni en saturacin, ya que al ser V
GS2
- V
P
> 0, si M2 estuviera en saturacin
deba ser I
D2
> 0. Por tanto, M2 debe estar en zona hmica, es decir:
Hay dos posibilidades para que esto se verfique:
V
DS2
V
GS2
- V
P
V
DS2
- V
P
- 2 V
P
- V
P
2 V
P
V
P
, pero V
P
es
siempre negativa por lo que la anterior relacin es siempre falsa y no puede darse este caso.
V
DS2
I
D2
= K
N2
(V
GS2
- V
P
- ) V
DS2
= 0
2
V
DS2
I
D2
= K
N2
(- V
P
- ) V
DS2
= 0
2
V
DS2
1) - V
P
- = 0 V
DS2
= - 2 V
P
; pero por estar en zona hmica, debe cumplirse:
2
V
i
V
O
a) Inversor NMOS
M1
M2
V
DD
2) El nico caso posible es que V
DS2
= 0
A partir del valor de V
DS2
se puede calcular directamente la tensin de salida V
O
:
V
O
= V
DD
- V
DS2
= V
DD
, por tanto: Vi V
T1
V
O
= V
DD
(1 lgico)
Es importante hacer notar que al ser I
D1
= I
D2
= 0, el consumo de potencia en este
estado es cero.
b) Consideremos que V
DD
> V
T1
. Si se hace Vi = V
DD
(1 lgico), M1 entrar en
conduccin. Supongamos que trabaja en zona mica, es decir, que V
O
Vi - V
T
(ya que
V
GS1
= Vi y V
DS1
= V
O
) y que M2 est en saturacin, es decir, que V
DS2
= V
DD
- V
O

V
GS2
- V
P
= - V
P
V
O
V
DD
+ V
P
, entonces:
Del resultado de los apartados a) y b) se comprueba que el funcionamiento del circuito
bsico NMOS es el de un inversor.
Funciones lgicas con NMOS
Una de las principales ventajas que
ofrece la familia NMOS es la capacidad que
tiene de realizar cualquier funcin lgica
combinacional con un nmero muy pequeo
de transistores, es decir, presenta una gran
flexibilidad lgica y una gran capacidad de
integracin. En las figuras a) y b) estn
representadas respectivamente una funcin
NOR y una funcin NAND de dos entradas.
En el caso a), es evidente que basta con que
uno de los transistores MA o MB tengan su
V
O
I
D1
= K
N1
(V
DD
- V
T
- ) V
O
=
2
K
N2
I
D2
= (- V
P
)
2

2
K
N2
V
O
= V
DD
- V
T
- (V
DD
- V
T
)
2
- V
P

2
;
K
N1

K
N2
Si K
N1
>> K
N2
(V
DD
- V
T
)
2
>> V
P

2

K
N1

K
N2
(V
DD
- V
T
)
2
- V
P

2
V
DD
- V
T
K
N1

V
O
V
DD
- V
T
- (V
DD
- V
T
) V
O
0 (0 lgico)
En este caso el consumo de potencia no es cero, sino que viene dado por:
K
N2
P = V
DD
I
D2
= V
DD
(- V
P
)
2

2
V
A
V
B
V
O
a) NOR NMOS
MA MB
MC
V
DD
puerta a VDD para que conduzca en hmica,
conduciendo MC en saturacin y estando la
salida a 0. En el caso b), basta con que la
puerta de uno de los transistores est a 0
lgico para que el transistor se corte,
forzando I
D
= 0, con lo que MC conducir en
hmica y la salida estar a 1 lgico.
Combinando transistores en las dos
estructuras bsicas mostradas en las figuras
anteriores pueden obtenerse funciones
lgicas ms complejas, como se observa en
las figuras c) y d).
5 . - Familia lgic a CMOS.
El inversor CMOS tambin est formado por dos
transistores, pero se diferencia con el NMOS en que el transistor
de carga es de acumulacin de canal P y que la entrada del
circuito la constituyen las puertas de los dos transistores. Al igual
que en el inversor NMOS, la intensidad que circula por ambos
transistores es la misma: I
S
= I
D
. El funcionamiento del circuito
para entrada a nivel bajo y a nivel alto es el siguiente:
a) Si se hace Vi = 0 V, M
N
estar en corte, ya que V
TN
> 0
por lo que I
D
= 0 I
S
= 0. Por otra parte, para M
P
, V
SG
= V
DD
que debe ser mayor que V
TP
, por lo que M
P
conducir, pero al ser
I
S
= 0, debe hacerlo en zona ohmica; es decir:
V
A
V
B
V
O
b) NAND NMOS
MA
MB
MC
V
DD
V
A
V
B
V
O
c) VO = ( VA + VB ) VC + VD
V
DD
V
D
V
C
V
A
V
B
V
O
d) VO = VD ( VC + VA VB )
V
DD
V
D
V
C
V
i
V
O
a) Inversor CMOS
M
N
M
P
V
DD
V
SD
I
S
= K
P
(V
SG
- V
TP
- ) V
SD
= 0
2
V
SD
I
S
= K
P
(V
DD
- V
TP
- ) V
SD
= 0
2
Hay dos posibilidades para que esto se verifique:
V
SD
V
SG
- V
TP
V
SD
V
DD
- V
TP
2 ( V
DD
- V
TP
) V
DD
- V
TP
; V
DD
> V
TP
2 1 IMPOSIBLE.
2) El nico caso posible es que V
SD
= 0
A partir del valor de V
SD
se puede calcular directamente la tensin de salida V
O
:
V
O
= V
DD
- V
SD
= V
DD
, por tanto: Para Vi = 0 V
O
= V
DD
(1 lgico).
Es importante hacer notar que al ser I
D
= I
S
= 0, el consumo de potencia en este estado
es cero.
b) Consideremos que V
DD
> V
TN
. Si se hace Vi = V
DD
(1 lgico), tendremos que V
SG
= V
DD
- Vi = V
DD
- V
DD
= 0 < V
TP
M
P
estar en corte I
S
= 0 I
D
= 0, pero por ser
V
DD
> V
TN
, M
N
deber conducir en zona hmica y, adems, tal como se vi en el anlisis del
inversor NMOS, debe cumplirse que V
DS
= 0, es decir, V
O
= 0. Por tanto, para Vi = V
DD

V
O
= 0.
En este caso, vuelve a cumplirse que I
D
= I
S
= 0, por lo que el consumo de potencia en
este estado tambin es 0.
Del resultado de los apartados a) y b) se comprueba que el funcionamiento del circuito
bsico CMOS es el de un inversor y el hecho de que en ambos casos el consumo de potencia
sea cero, significa que el consumo de potencia esttica del inversor CMOS es nulo, slo
consume energa durante las transiciones entre estados. Por este hecho, la familia CMOS es la
que posee menor consumo de energa.
Modelo simplificado de la estructura CMOS.
Para la solucin cualitativa de ejercicios basados en la familia CMOS es muy til el
modelo simplificado siguiente:
- Cuando a la puerta del transistor de canal N se le aplica una tensin igual a V
DD
, ste
conduce en zona hmica y se comporta como un cortocircuito entre la fuente y el drenador, y
cuando se le aplica 0 voltios est en corte y se comporta como un circuito abierto entre ambos
terminales.
- Cuando a la puerta del transistor de canal P se le aplica una tensin igual a 0 voltios,
ste conduce en zona hmica y se comporta como un cortocircuito entre la fuente y el
V
SD
1) V
DD
- V
TP
- = 0 V
SD
= 2 ( V
DD
- V
TP
); pero, por estar en zona ohmica:
2
drenador, y cuando se le aplica V
DD
est en corte y se comporta como un circuito abierto
entre ambos terminales.
Aplicando este modelo al inversor CMOS, se obtiene fcilmente la funcin que realiza:
Funciones lgicas con CMOS.
La realizacin de funciones lgicas con circuitos CMOS es similar pero algo ms
compleja que con NMOS. Una puerta CMOS est dividida en dos partes, la parte P y la parte
N, compuestas por transistores de canal P y de canal N respectivamente. El funcionamiento
debe ser anlogo al del inversor, siempre debe estar una parte conduciendo en zona hmica y
la otra en zona de corte.
Debido a esto, la construccin de la funcin con los transistores de canal N se hace de la
misma forma que en la familia NMOS, pero la parte P debe ser construida con el mismo
nmero de transistores que la parte N dispuestos en la configuracin contraria. ( Los
transitores que en la parte N estn en paralelo se ponen en serie y viceversa ). Como ejemplo
tenemos las siguientes funciones:
V
O
M
N
M
P
V
DD
V
DD
V
O
M
N
M
P
V
DD
V
O
= V
DD
V
DD
a) Vi = 0
V
O
= 0
V
DD
b) Vi = VDD
V
A
V
B
V
O
a) NOR CMOS
MA
N
MB
N
MA
P
V
DD
MB
P
V
A
V
B
V
O
b) NAND CMOS
MA
N
MB
N
MA
P
V
DD
MB
P
A.- Ejercicios de clculo del punto de trabajo.
El punto de trabajo de un MOSFET de canal N viene dado nicamente por tres
variables: V
GS
, V
DS
e I
D
, ya que siempre se cumple que I
G
0. Si es de canal P, las variables
a calcular son V
SG
, V
SD
e I
S
.
A1.- Para el MOSFET de acumulacin de canal N
de la figura, K = 0,2 mA / V
2
y V
T
= 3 V. Calcular el
punto de trabajo.
Primeramente se calcula V
GS
para ver si el
transistor conduce o est en corte.
En este caso es evidente que V
GS
= 5 V. La
resistencia R no realiza ninguna funcin en este circuito,
ya que, independientemente de cual sea su valor, la
tensin V
GS
no va a variar.
V
GS
= 5 V > 3 V = V
T
El transistor no est en corte.
a) Se supone que est en zona de SATURACION.
El comportamiento viene dado por:
K
N
i
D
= ( V
GS
- V
T
)
2
2
La condicin que debe cumplirse es: V
DS
V
GS
- V
T
;
i
D
= 0,4 mA 10 = 22 0,4 + V
DS
V
DS
= 1,2 V
V
GS
- V
T
= 2 V > V
DS
NO ESTA EN SATURACION.
b) Se supone que est en zona OHMICA.
El comportamiento viene dado por:
V
DS
i
D
= K
N
( V
GS
- V
T
- ) V
DS
2
La condicin que debe cumplirse es: V
DS
V
GS
- V
T
;
22 K
10 V
5 V
R
i
D
= - 0,1 V
DS

2
+ 0,4 V
DS
; por otra parte:
10 = 22 i
D
+ V
DS
2,2 V
DS

2
- 9,8 V
DS
+ 10 = 0 ; hay 2 soluciones
matemticamente posibles:
V
DS1
= 2,87 V ; V
DS2
= 1,58 V ; pero la nica que cumple la condicin es V
DS2
, por
lo tanto:
i
D
= 0,38 mA ; V
GS
= 5 V ; V
DS
= 1,58 V
A2.- En el circuito de la figura, I
S
= 0,5 mA y V
T
= 2 V. Indicar en qu zona se
encuentra el transistor y cul es el valor de K
P
.
Al ser i
G
0, la intensisdad que circula por las dos
resistencias de valor R es la misma, por tanto, la tensin en la
puerta del transistor, V
G
, vendr dada por la expresin:
R
V
G
= 10 = 5 V
R + R
Por otra parte:
10 = 10 i
S
+ V
SD
= 5 + V
SD
V
SD
= 5 V
10 = 1 i
S
+ V
SG
+ V
G
= 5,5 + V
SG
V
SG
= 4,5 V V
SG
- V
T
= 2,5 V < V
SD

2 i
S
ESTA EN ZONA DE SATURACION K
P
=
(V
SG
- V
T
)
2
K
P
= 0,16 mA / V
2
A3.- Calcular el valor de R
D
en el circuito de la figura para que la intensidad i
D
tenga
un valor igual a la mitad de la que tendra si el transistor estuviese en saturacin con el
mismo valor de V
GS
. ( K
N
= 0,2 mA / V
2
; V
T
= 3 V ).
De la misma forma que en el problema anterior:
V
GS
= 5 V
Si el transistor estuviese en zona de Saturacin, se
verificara que:
K
N
i
D(SAT)
= (V
GS
- V
T
)
2
= 0,4 mA
2
10 V
R
R
RD
10 V
R
R
iS
VG
1 K
9 K
La intensidad que circula en realidad es la mitad que la anterior, por lo que el transistor
debe funcionar en zona OHMICA:
i
D(SAT)
V
DS
i
D
= = 0,2 mA = K
N
( V
GS
- V
T
- ) V
DS
2 2
0,5 V
DS

2
- 2 V
DS
+ 1 = 0 V
DS1
= 3,41 V (1); V
DS2
= 0,58 V (2);
Por estar en hmica, la solucin correcta es la (2), es decir, V
DS
= 0,58 V ;
10 - V
DS
R
D
= R
D
= 47,1 K.
i
D
A4.- Para el MOSFET de deplexin de canal N de
la figura, K = 0,5 mA / V
2
y V
T
= -2 V. Calcular el
punto de trabajo.
Las ecuaciones LKV del circuito son:
5 = 10 i
D
+ V
DS
+ 2 i
D
V
DS
= 5 - 12 i
D
V
GS
+ 2 i
D
= 0 V
GS
= - 2 i
D
Para obtener la tercera ecuacin necesaria hay que
suponer el estado en que se encuentra el transistor:
a) Se supone que est en SATURACION: V
GS
- 2 V (1) ; V
DS
V
GS
+ 2 (2)
0,5
i
D
= ( V
GS
+ 2 )
2
= ( 1 - i
D
)
2
i
D

2
- 3 i
D
+ 1 = 0
2
i
D1
= 2,618 mA ; i
D2
= 0,382 mA
V
GS1
= - 2 i
D1
= - 5,236 V ; V
GS2
= - 2 i
D2
= - 0,764 V
(1) V
GS
= - 0,764 V ; i
D
= 0,382 V ; V
DS
= 5 - 12 i
D
= 0,416 V;
V
GS
- V
P
= 1,236 V > V
DS
No se cumple (2) NO ESTA EN SATURACION
a) Se supone que est en OHMICA: V
GS
- 2 V (1) ; V
DS
V
GS
+ 2 (2)
5 - 12 i
D
i
D
= 0,5 ( V
GS
+ 2 - ) ( 5 - 12 i
D
) 24 i
D

2
- 12
iD
+ 1,25 = 0
2
i
D1
= 0,352 mA ; i
D2
= 0,148 mA V
GS1
= - 0,704 V ; V
GS2
= - 0,296 V
V
DS1
= 0,776 V ; V
DS2
= 3,224 V > 1,704 No cumple (2);
10 K
5 V
2 K
V
DS1
= 0,776 V < 1,296 V = V
GS1
- V
P
Verifica (2), luego la solucin es:
i
D1
= 0,352 mA ; V
GS1
= - 0,704 V ; V
DS1
= 0,776 V ;
A5.- En el circuito de la figura, calcula el valor de
K
P
sabiendo que el valor de i
S
es de 50 mA. ( K
N
= 12,5
mA / V
2
; V
TN
= 1,5 V; V
TP
= 2 V )
Transistor MN:
V
GS
= V
DS
; V
TN
> 0 V
DS
> V
GS
- V
TN

MN est en SATURACION, ya que i
S
= i
D
> 0
K
N
12,5
i
D
= ( V
GS
- V
TN
)
2
50 = ( V
GS
- 1,5 )
2
; V
GS
1,5 V
2 2
V
GS
= 4,33 V V
DS
= 4,33 V
Transistor MP:
V
SG
= 5 V > 2 V = V
TP
MP no est en corte.
V
SD
= 5 - 4,33 = 0,67 V < 3 V = V
SG
- V
TP
MP est en zona OHMICA.
i
S
K
P
= K
P
= 28 mA/V
2
( V
SG
- V
TP
- V
SD
/2 ) V
SD
A6.- En el circuito de la figura, determina el estado de los transistores M1 y M2 y la
tensin de salida V
O
para: a) Vi = 0 ; b) Vi = V
DD
. ( K (M1) = K
1
, K (M2) = K
2
, V
T1
= V
T2
= V
T
, V
DD
> V
T
)
Transistor M2:
V
GS2
= V
DS2
V
DS2
> V
GS2
- V
T

Siempre que conduce M2 lo hace en
SATURACION.
a) V
i
= 0 V
V
i
< V
T
M1 est en CORTE i
D1
= 0 ; i
D2
= i
D1
i
D2
= 0 ;
Suponiendo que M2 est en SATURACION, con i
D2
= 0; entonces:
MP
5 V
iS
MN
M2
VDD
M1
Vi
VO
K
2
i
D2
= ( V
GS2
- V
T
)
2
= 0 V
GS2
= V
T

2
M2 est en el lmite de las zonas de SATURACION y CORTE, porque se verifican
las condiciones de las dos zonas.
V
GS2
= V
T
V
DS2
= V
T
= V
DD
- V
O
V
O
= V
DD
- V
T
b) V
i
= V
DD
V
i
> V
T
M1 conduce M2 tambin conduce y lo hace en SATURACION
K
2
i
D2
= ( V
DD
- V
O
- V
T
)
2

2
Suponiendo que M1 tambin est en SATURACION, debe cumplirse que:
V
DS1
= V
O
> V
i
- V
T
V
O
> V
DD
- V
T
K
1
K
2
i
D1
= i
D2
( V
DD
- V
T
)
2
= ( V
DD
- V
O
- V
T
)
2
2 2
M1 debe estar en zona OHMICA
V
O
K
2
i
D1
= ( V
DD
- V
T
- ) V
O
= i
D2
= ( V
DD
- V
O
- V
T
)
2

2 2
K
2
V
O

2
- 2 V
O
( V
DD
- V
T
) + ( V
DD
- V
T
)
2
= 0
K
1
+ K
2
Este resultado no satisface la condicin de que M1 est en OHMICA, luego la
solucin correcta no es el signo + de la raiz cuadrada.
K
1
K
1
V
O
= ( V
DD
- V
T
) ( 1 - ) ; pero: 1 - < 1
K
2
K
2
K
1
( V
DD
- V
T
) ( 1 - ) < V
DD
- V
T
M1 no est en SATURACION
K
2
K
1
K
1
V
O
= ( V
DD
- V
T
) ( 1 ) ; pero: 1 + > 1
K
1
+ K
2
K1 + K
2
K
1
( V
DD
- V
T
) ( 1 + ) > V
DD
- V
T
V
O
> V
DD
- V
T

K
1
+ K
2
El clculo de la caracterstica de transferencia de circuitos con transistores MOSFET es
ms complejo que el de los circuitos presentados en temas anteriores, debido a que los
modelos de estos transistores son no lineales. Esto tiene como consecuencia que algunos
tramos de la caracterstica sean curvos en vez de rectilneos y que, en muchos casos, sea
preciso escoger la solucin autntica entre varias soluciones matemticamente correctas.
B1.- Representar la caracterstica de transferencia del siguiente inversor NMOS y
obtener los mrgenes de ruido NM
H
y NM
L
K
1
= 2 mA/V
2
; K
2
= 1 mA/V
2
; V
T1
= 1 V ; V
P2
= - 1 V
* Estados del transistor M1:
V
GS1
= V
i
; V
DS1
= V
O
i
D1
= i
D2

a) CORTE: V
i
1
i
D1
= 0
b) SATURACION: V
i
1 ; V
O
V
i
- 1 V
i
V
O
+ 1
i
D1
= ( V
i
- 1 )
2
c) OHMICA: V
i
1 ; V
O
V
i
- 1 V
i
V
O
+ 1
V
O
i
D1
= 2 ( V
i
- 1 - ) V
O
2
K
1
K
1
K
1
< 1 < 1 1 > 0 ;
K
1
+ K
2
K
1
+ K
2
K
1
+ K
2
K
1
K
1
K
1
> 0 < 0 1 < 1 ;
K
1
+ K
2
K
1
+ K
2
K
1
+ K
2
K
1
K
1
1 > 1 > 0 V
DD
- V
T
> ( V
DD
- V
T
) ( 1 ) > 0
K
1
+ K
2
K
1
+ K
2
V
DD
- V
T
> V
O
> 0 M1 est en OHMICA, verificndose que:
K
1
V
O
= ( V
DD
- V
T
) ( 1 - )
K
1
+ K
2
V
i
V
O
M1
M2
5 V
V
DS2
= 5 - V
O
; V
GS2
= 0 > V
P2
M2 nunca puede estar en corte
i
D2
= i
D1
a) SATURACION: 5 - V
O
1 V
O
4
i
D2
= 0,5 mA
b) OHMICA: 5 - V
O
1 V
O
4
i
D2
= 0,5 ( V
O
- 3 ) ( 5 - V
O
)
Se va a realizar un diagrama de estados o representacin grfica de las zonas de
funcionamiento de los transistores sobre el plano V
O
- V
i
Este diagrama da una idea de las zonas
del plano en las que debe estar cada tramo de
la caracterstica de transferencia.
1) M1 CORTE ; M2 SATURACION
V
i
1 V ; V
O
4 V
i
D1
= 0 ; i
D2
= 0,5 mA i
D1
i
D2
Este caso es IMPOSIBLE
2) M1 CORTE ; M2 OHMICA
V
i
1 V (1) ; V
O
4 V (2)
i
D1
= 0 = i
D2
= 0,5 ( V
O
- 3 ) ( 5 - V
O
) ;
Hay dos soluciones posibles: V
O
= 3 V y V
O
= 5 V. La primera no cumple la condicin
(2), por tanto la correcta es la segunda:
V
i
1 V V
= 5 V
3) M1 SATURACION ; M2 SATURACION
V
i
1 V (1) ; V
i
- 1 V
O
4 V (2)
M2 ohmica
M1 sat
M2 sat
M1 ohmica
M1
corte
4
V
O
1
V
i
i
D1
= ( V
i
- 1 )
2
= i
D2
= 0,5 ; Puesto que V
i
1 V , V
i
= 1 + 1 / 2 V
i
= 1,707 V
De (2) se deduce: 0,707 V V
O
4 V, por tanto:
V
i
= 1,707 V 0,707 V V
O
4 V
4) M1 SATURACION ; M2 OHMICA
1 V V
i
V
O
+ 1 (1) ; V
O
4 V (2)
i
D1
= ( V
i
- 1 )
2
= i
D2
= 0,5 ( V
O
- 3 ) ( 5 - V
O
) V
O

2
- 8 V
O
+ 15 + 2 ( V
i
- 1 )
2
= 0
5) M1 OHMICA ; M2 SATURACION
V
i
1 V (1) ; V
i
V
O
+ 1 (2) ; V
O
4 V (3)
V
O
i
D1
= 2 ( V
i
- 1 - ) V
O
= i
D2
= 0,5 2 V
O

2
- 4 ( V
i
- 1 ) V
O
+ 1 = 0
2
V
O
= 4 1 - 2 ( V
i
- 1 )
2
; (2) V
O
4 V
O
= 4 + 1 - 2 ( V
i
- 1 )
2
;
Para que la raiz sea real, debe cumplirse:
1 - 2 ( V
i
- 1 )
2
0 V
i
1,707 V
De (1) y (2) : V
i
V
O
+ 1 ; V
O
4 V V
O
+ 1 5 V > 1,707 V
La condicin ms restrictiva es V
i
1,707 V
1 V V
i
1,707 V V
O
= 4 + 1 - 2 ( V
i
- 1 )
2

V
O
= Vi - 1 - 0,5 + ( V
i
- 1 )
2
;
(2) V
O
Vi - 1 V
O
= Vi - 1 - - 0,5 + ( V
i
- 1 )
2
;
- 0,5 + ( V
i
- 1 )
2
0 V
i
1,707 V
El mximo valor de V
O
se obtiene para V
i
= 1,707 V, y vale V
Omax
= 0,707 V, por lo
que siempre se cumple que V
O
0,707 V, condicin ms restrictiva que la (3), por tanto:
V
i
1,707 V V
O
= Vi - 1 - - 0,5 + ( V
i
- 1 )
2
;
Este ltimo tramo contiene al caso en que la tensin de entrada sea de 5 voltios,
tenindose:
V
O
( V
i
= 5 V ) = 0,063 V ; un valor muy prximo a 0 V
Tras el anlisis de estos 5 casos se tiene cubierto todo el rango de variacin de Vi, por lo
que no hara falta evaluar el caso que resta ya que debe ser imposible que se de, no obstante,
se va a comprobar esto.
6) M1 OHMICA ; M2 OHMICA
V
i
1 V (1) ; 4 V
O
V
i
- 1 V
i
5 V (2)
V
O
i
D1
= 2 ( V
i
- 1 - ) V
O
= i
D2
= 0,5 ( V
O
- 3 ) ( 5 - V
O
)
2
V
O

2
- 4 ( V
i
- 3 ) V
O
- 15 = 0
V
O
= 2 Vi - 6 15 + 4 ( V
i
- 3 )
2
;
(2) V
O
Vi - 1 V
i
5 15 + 4 ( V
i
- 3 )
2
;
15 + 4 ( V
i
- 3 )
2

(2) V
O
4 V V
i
5 ;
2
Estas dos expresiones slo pueden ser vlidas si: V
O
= 2 Vi - 6 - 15 + 4 ( V
i
- 3 )
2
(2) V
O
4 V 2 ( V
i
- 5 ) 15 + 4 ( V
i
- 3 )
2
; V
i
5 V
i
- 5 0
4 ( V
i
- 5 )
2
15 + 4 ( V
i
- 3 )
2
4 ( V
i
- 5 )
2
4 ( V
i
- 5 )
2
+ 16 ( V
i
- 5 ) + 31
16 ( V
i
- 5 ) + 31 0 V
i
3,06 V; pero esta condicin es incompatible con la
(2), por lo que esta combinacin es IMPOSIBLE.
M2 ohmica
M1 sat
M2 sat
M1 ohmica
M1
corte
4
V
O
1
V
i
1,707
0,707
* Clculo de los mrgenes de ruido.
Hay que calcular primeramente V
IH
, V
IL
, V
OH
y V
OL
. De la curva de transferencia se
deduce claramente que las zonas donde se encuentran estos puntos son M1 SATURACION,
M2 OHMICA y M1 OHMICA, M2 SATURACION.
1) M1 SATURACION, M2 OHMICA:
En esta zona se calculan V
IL
y V
OH
.
2) M1 OHMICA, M2 SATURACION:
IH
y V
OL
.
V
O
= 4 + 1 - 2 ( V
i
- 1 )
2
;
d V
O
= - 1 2 ( V
IL
- 1 ) = 1 - 2 ( V
IL
- 1 )
2
; V
i
1 V
IL
= 1,408 V
d V
i
V
i
= V
IL
V
OH
= V
O
( V
IL
) V
OH
= 4,816 V
V
O
= V
i
- 1 - - 0,5 + ( V
i
- 1 )
2
;
d V
O
= - 1 V
IH
- 1 = 2 - 0,5 + ( V
IH
- 1 )
2
; V
i
1 V
IH
= 1,816 V
d V
i
V
i
= V
IH
V
OL
= V
O
( V
IH
) V
OL
= 0,408 V
NM
L
= 1 V ; NM
H
= 3 V
V
O
V
i 1,816
0,408
4,816
1,408
B2.- Representar la caracterstica de transferencia del siguiente inversor CMOS y
obtener los mrgenes de ruido NM
H
y NM
L
K
1
= K
2
= 2 mA/V
2
; V
T1
= V
T2
= 1 V
V
GS1
= V
i
; V
DS1
= V
O
i
D1
= i
S2

a) CORTE: V
i
1
i
D1
= 0
b) SATURACION: V
i
1 ; V
O
V
i
- 1 V
i
V
O
+ 1
i
D1
= ( V
i
- 1 )
2
c) OHMICA: V
i
1 ; V
O
V
i
- 1 V
i
V
O
+ 1
V
O
i
D1
= 2 ( V
i
- 1 - ) V
O
2
V
SG2
= 5 - V
i
; V
SD2
= 5 - V
O
i
S2
= i
D1
a) CORTE: 5 - V
i
1 V
i
4
i
S2
= 0
b) SATURACION: V
i
4 ; 5 - V
O
5 - V
i
- 1 V
i
V
O
- 1
i
S2
= ( 4 - V
i
)
2
c) OHMICA: V
i
4 ; V
i
V
O
- 1
i
S2
= ( V
O
+ 3 - 2 V
i
) ( 5 - V
O
)
Del diagrama de estados se deduce que son imposibles las combinaciones M1 CORTE,
M2 CORTE y M1 OHMICA, M2 OHMICA.
V
i
V
O
M1
M2
5 V
1) M1 CORTE ; M2 SATURACION
V
i
1 V (1) ; V
i
V
O
- 1 (2)
i
D1
= 0 = i
S2
= ( 4 - V
i
)
2
V
i
= 4 V
No verifica la condicin (1)
2) M1 CORTE ; M2 OHMICA
V
i
1 V (1) ; V
i
V
O
- 1 (2)
i
D1
= 0 = i
S2
= ( V
O
+ 3 - 2 V
i
) ( 5 - V
O
)
O1
= 2 V
i
- 3 y V
O2
= 5 V.
Aplicando la condicin (2) a V
O1
queda: V
i
2 V
i
- 4 V
i
4 V, resultado
incompatible con la condicin (1), por lo que esta solucin no es correcta.
O2
resulta V
i
4 V, condicin que es compatible con (1)
pero menos restrictiva, por lo que el resultado final es:
V
i
1 V V
= 5 V
3) M1 SATURACION ; M2 CORTE
V
i
4 V (1) ; V
i
V
O
+ 1 (2)
i
D1
= ( V
i
- 1 )
2
= i
S2
= 0 V
i
= 1 V No cumple la condicin (1)
4) M1 SATURACION ; M2 SATURACION
1 V V
i
4 V (1) ; V
O
- 1 V
i
V
O
+ 1 (2)
i
D1
= ( V
i
- 1 )
2
= i
S2
= ( 4 - V
i
)
2
; De la condicin (1) se deduce que se toman los
signos positivos de las raices, quedando:
V
i
- 1 = 4 - V
i
V
i
= 2,5 V
M2 ohmica
M1 sat
M2 sat
M1 ohmica
M1
corte
V
O
1
V
i
4
1
M2
corte
De (2) se deduce: 1,5 V V
O
3,5 V, por tanto:
V
i
= 2,5 V 1,5 V V
O
3,5 V
5) M1 SATURACION ; M2 OHMICA
1 V V
i
4 V (1) ; V
i
V
O
- 1 (2)
i
D1
= ( V
i
- 1 )
2
= i
S2
= ( V
O
+ 3 - 2 V
i
) ( 5 - V
O
)
V
O

2
- 2 ( 1 + V
i
) V
O
+ V
i

2
+ 8 V
i
- 14 = 0
6) M1 OHMICA ; M2 CORTE
V
i
4 V (1) ; V
i
V
O
+ 1 (2)
V
O
i
D1
= 2 ( V
i
- 1 - ) V
O
= i
S2
= 0
2
O1
= 2 V
i
- 2 y V
O2
= 0 .
O1
queda: V
i
2 V
i
- 1 V
i
1 V, resultado
incompatible con la condicin (1), por lo que esta solucin no es correcta.
O2
resulta V
i
1 V, condicin que es compatible con (1)
pero menos restrictiva, por lo que el resultado final es:
V
i
4 V V
= 0 V
7) M1 OHMICA ; M2 SATURACION
1 V V
i
4 V (1) ; V
i
V
O
+ 1 (2)
V
O
= V
i
+ 1 15 - 6 V
i
; (2) V
O
V
i
+ 1 V
O
= V
i
+ 1 + 15 - 6 V
i
;
15 - 6 V
i
0 V
i
2,5 V
De (2) : V
i
V
O
- 1 V
i
2,5 V Se obtiene la misma condicin anterior:
1 V V
i
2,5 V V
O
= Vi +1 + 15 - 6 V
i
V
O
i
D1
= 2 ( V
i
- 1 - ) V
O
= i
S2
= ( 4 - V
i
)
2
V
O

2
- 2 ( V
i
- 1 ) V
O
+ ( 4 - V
i
)
2
= 0
2
* Clculo de los mrgenes de ruido.
Hay que calcular primeramente V
IH
, V
IL
, V
OH
y V
OL
. De la curva de transferencia se
deduce claramente que las zonas donde se encuentran estos puntos son M1 SATURACION,
M2 OHMICA y M1 OHMICA, M2 SATURACION.
1) M1 SATURACION, M2 OHMICA:
IL
y V
OH
.
V
O
1
V
i
4
1
5
1,5
3,5
2,5
V
O
= Vi - 1 6 V
i
- 15 ;
(2) V
O
Vi - 1 V
O
= Vi - 1 - 6 V
i
- 15 ;
6 V
i
- 15 0 V
i
2,5 V
De (2) : V
i
V
O
+ 1 V
i
2,5 V Se obtiene la misma condicin anterior:
2,5 V V
i
4 V V
O
= Vi - 1 - 6 V
i
- 15
2) M1 OHMICA, M2 SATURACION.
IH
y V
OL
.
V
O
= V
i
+ 1 + 15 - 6 V
i
;
d V
O
= - 1 V
IL
= 2,125 V
d V
i
V
i
= V
IL
V
OH
= V
O
( V
IL
) V
OH
= 4,625 V
V
O
V
i
5
0,375
4,625
2,875 2,125
V
O
= Vi - 1 - 6 V
i
- 15 ;
d V
O
= - 1 V
IH
= 2,875 V
d V
i
V
i
= V
IH
V
OL
= V
O
( V
IH
) V
OL
= 0,375 V
NM
L
= 1,75 V ; NM
H
= 1,75 V
C.- Ejercicios de anlisis de la funcin lgica que realiza un circuito.
En el caso en que el circuito corresponda con la forma estndar de realizar una puerta
NMOS o CMOS, la funcin lgica se deduce directamente de la observacin de la disposicin
de los transistores de canal N. Los que estn en paralelo realizan funciones OR y los que estn
en serie funciones AND. La funcin final est negada.
C.1.- Indicar la funcin lgica que realizan los siguientes circuitos:
V
O
V
DD
V
D
V
C
b)
V
A
V
B
a) Es una puerta NMOS. Los transistores conectados a V
D
y V
B
estn en serie, luego se
debe tomar V
D
V
B
y los conectados a V
C
y V
A
en paralelo V
C
+ V
A
. Ambos bloques
estn en serie, por lo que la funcin total ser:
V
O
= V
D
V
B
( V
C
+ V
A
)
b) Es una puerta CMOS. En la zona N, V
D
y V
B
estn en paralelo (V
D
+ V
B
) y ambos
en serie con V
C
y V
A
. En la zona P, la conexin es la inversa, V
D
y V
B
en serie y el conjunto
en paralelo con V
C
y V
A
, por lo que la funcin ser:
V
O
= ( V
D
+ V
B
) V
C
V
A
V
A
a)
V
C
V
D
V
DD
V
O
V
B
En el caso en que el circuito no sea una realizacin estndar, hay que analizar todas las
combinaciones entre las entradas y, aplicando el modelo simplificado ON - OFF de los
transistores MOSFET, deducir la funcin lgica.
C2.- Deducir la funcin lgica que realiza el siguiente circuito.
Est claro que no es un circuito CMOS estndar, ya que no se verifica la regla de que
los transistores estn dispuestos de forma contraria en las zonas P y N, por lo que hay que
analizar todos los casos posibles:
a) Z = V
DD
; V
i
= 0. El circuito equivalente es:
M
P
V
DD
V
O
V
DD
Z
V
i
M
N
M
P
V
DD
V
O
= V
DD
V
DD
Z
V
i
M
N

b) Z = V
DD
; V
i
= V
DD
. El circuito equivalente es:
c) Z = 0 ; V
i
= V
DD
. El circuito equivalente es:
Este caso es interesante, ya que la salida VO no est conectada ni a V
DD
ni a tierra, sino
que est desconectada de todos los elementos de la puerta, lo que significa que la tensin a la
que se encuentra no depende de la propia puerta, sino que la impone el circuito al que se
conecte dicha salida. Este estado en el que la salida del circuito se "desconecta" de l se
denomina estado de alta impedancia (HIZ) dicindose que la puerta es "triestado". Este tipo
de puertas son esenciales en la realizacin de arquitecturas de bus compartido.
M
P
V
DD
V
O
= 0
V
DD
Z
V
i
M
N
M
P
V
DD
V
O
V
DD
Z
V
i
M
N

d) Z = 0 ; V
i
= 0. El circuito equivalente es:
En este caso ocurre lo mismo que en el anterior, la salida est
en estado de alta impedancia. La tabla de verdad del circuito es la
que se muestra al margen. Cuando Z = 1, el circuito realiza la
inversin de V
i
( V
O
= V
i
) y cuando Z = 0, la salida permanece en
estado de alta impedancia, por lo que la puerta es un INVERSOR
TRIESTADO, con entrada V
i
, salida V
O
y entrada de control Z.
D. - Eje rc ic ios de s nt e s is de una func in lgic a e s t ndar NMOS o CMOS.
La sntesis es ms compleja que el anlisis, ya que una misma funcin puede ser
realizada con circuitos diferentes con distinto nmero de transistores y de niveles de
computacin. Teniendo en cuenta que las puertas estndar obtienen siempre una salida
negada, conviene aplicar las leyes de De Morgan hasta encontrar una estructura con un
nmero de transistores mnimo.
D1.- Realizar con la familia CMOS las siguientes funciones:
a) A C + B
b) ( A + B ) ( A + C )
a) La realizacin directa del circuito no puede realizarse en un nico nivel de
computacin, ya que la funcin no es igual a la negacin de un conjunto de variables no
negadas relacionadas por operaciones AND u OR. Por tanto, para realizar la funcin tal como
se presenta son necesarios 10 transistores en tres niveles de computacin:
M
P
V
DD
V
O
= HIZ
V
DD
Z
V
i
M
N
Z V
i
V
O
0 0 HIZ
0 1 HIZ
1 0 1
1 1 0
Esta realizacin puede mejorarse si se modifica la expresin de la funcin aplicando las
leyes de De Morgan:
A C + B = A C B
El circuito que realiza esta nueva versin de la funcin consta de 8 transistores
dispuestos en dos niveles de computacin.
b) En este caso, la transformacin ms evidente que hay que realizar es:
( A + B) ( A + C) = A + B C
Puesto que ninguna variable aparece negada, lo ptimo en este caso es obtener la
funcin negada mediante una nica puerta y negar la salida de esta. Con esto se obtiene un
circuito con 8 transistores y dos niveles.
La realizacin en CMOS sera como sigue:

A C + B
B
A C
A C + B
C
A
B

B
A
C
A C
C A B
A C B
La realizacin en NMOS sera:
Esta ltima realizacin tiene menos transistores que la CMOS, ya que slo se necesita
un transistor de carga. Esto hace que, en general, la familia NMOS tiene mayor capacidad de
integracin mientras que la CMOS presenta un consumo inferior.
7 . - Eje rc ic ios Propue s t os
1.- En el circuito de la figura, el valor de la
intensidad i es de 4 mA cuando el interruptor S1 est
abierto y de 3 mA cuando est cerrado. Calcula V
T
y
K
N
.
( Solucin: V
T
= 1,55 V ; K
N
= 0,404 mA / V
2
)

B
A
C
A + B C
C
A
B
A + B C

B
A
A + B C
C
A + B C
10 V
i
1 K
1 K
S1
2.- Indicar para qu rango de valores de Vi estarn todos los transistores en saturacin.
Datos: K (M1) = K (M2) = K (M3) = K
0
;
V
T
(M1) = V
T
(M2) = V
T
(M3) = V
T
;
V
BIAS
- V
SS
> V
T.
( Solucin: Vi V
DD
+ V
SS
+ V
T
- V
BIAS
;
Vi 2 V
BIAS
- V
SS
- V
T
)
3.- En el circuito de la figura, encontrar la
zona de trabajo de los transistores y los valores
de i
1
, i
2
y V
O
.
Datos: K (M1, M2, M3) = 2 mA / V
2
V
T
(M1, M2, M3 ) = 2 V.
( Solucin: M1, M2 y M3 en SATURACION,
i
1
= 1 mA, i
2
= 1 mA, V
O
= 3 V )
4.- En el circuito de la figura, calcular el
valor de la tensin V
O
y el estado de los
transistores en los siguientes casos:
a) VA = - 5 V
b) VA = + 5 V
Datos: V
TN
= V
TP
= 2 V ; K
N
= K
P
= 0,1
mA/V
2
( Solucin: a) V
O
= - 4,877 V ; MN en
ohmica, MP en corte ; b) V
O
= 4,877 V ;
MN en corte, MP en ohmica )
M3
VBIAS
M2
VSS
Vi
M1
VDD
VO
i2
M2
M3
M1
i1
6 V
1 K
MP
5 V
VO
MN
50 K
5 V
VA
5.- En el circuito de la figura, obtener la
funcin lgica que realiza, la caracterstica de
transferencia y la potencia consumida para las
entradas: a) Vi = 0 V ; b) Vi = 5 V
Datos: K
N
= 0,05 mA/V
2
; V
P
= -1 V ; = 10
V
BE(ON)
= 0,7 V ; V
CE(SAT)
= 0,2 V
6.- Realiza una tabla con los
estados de los transistores M1,
M2, M3 y M4 y el valor de V
O
para todas las combinaciones de
las entradas V
i
y Z. Qu funcin
lgica realiza el circuito ?.
( Solucin: inversor triestado)
7.- Analizar y obtener razonadamente la funcin lgica que realiza el circuito de la
figura, indicando para cada combinacin de entrada el estado de los transistores MP1, MN1,
MP2 y MN2.
( Solucin: funcin EXOR ).
VO
Q
MD
Vi
5 V
100 K
M1
V
O
M3
M4
Z
Z
V
DD
V
DD
M2
V
i
MP1
MN1
MP2
MN2
V
A
V
B
V
O
V
DD
V
B
(Solucin: V
i
0,7 V V
O
= 5 V; 0,7 V
V
i
0,95 V V
O
= 4 + 3,8 - 4 V
i
; V
i
= 0,95 V
0,2 V V
O
4 V ; V
i
0,95 V V
O
= 0,2 V
a) P = 0 mW; b) P = 0,125 mW.
8.- Analizar y obtener
razonadamente la funcin lgica que
realiza el circuito de la figura, indicando
para cada combinacin de entrada el
estado de los transistores MA, MB, y
MD.
( Solucin: funcin EXNOR ).
9.- Implementar con la familia CMOS las siguientes funciones:
a) A*B*C*D*E
b) ( A*B+C*D) E
c) A + B*C + D
d) A*B + C*D*E
e) A*B*C +A*C
V
A
V
B
V
O
V
DD
V
A
V
B
V
O
V
DD
MA
MB
MD

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