PRACTICA No.

1


DISEO, SIMULACION, IMPLEMENTACION Y VALIDACION DE UN
AMPLIFICADOR BJT EN SUS TRES CONFIGURACIONES



MAYRA ROCIO CUELLAR FERNANDEZ COD. 20121108582
VANESSA GIRALDO CALDERN COD. 20121110998
MARIA PAULA TORRES MURCIA COD.20121109314




TRABAJO PRESENTADO EN LA ASIGNATURA
ELCTRONICA ANALOGA 2
CDIGO: BEINEL30-120446, GRUPO 01-03
PROFESOR: JAVIER HUMBERTO RUBIO PLAZAS





UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
FACULTAD DE INGENIERIA
PROGRAMA DE ELECTRONICA
NEIVA, 21 DE MAYO
2014

1. OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL
Llevar los fundamentos tericos de transistores a la prctica, para
consolidar una verdadera adquisicin del conocimiento mediante el anlisis
de los circuitos aplicados a los transistores FET (transistores de efecto de
campo).

OBJETIVOS ESPECIFICOS
Comprender a cabalidad el concepto de impedancia de entrada y de salida,
corroborar los efectos de estos parmetros al conectarle fuentes y cargas
externas al amplificador.
Aplicar mtodos de anlisis y diseo de circuitos para construir
amplificadores JFET con polarizacin fija, autopolarizacin, divisor de
voltaje y MOSFET de tipo incremental con retroalimentacin y divisor de
voltaje.
Planear y aplicar mtodos de medicin de las caractersticas de un
amplificador electrnico y sus principales parmetros: impedancia de
entrada, impedancia de salida y ganancia de voltaje.
Hacer las respectivas mediciones de los voltajes en Drane, Source y Gate.
Observar y comprobar la gran funcin que desempea los capacitores de
acoplamiento respecto a la amplificacin de seales en los transistores FET
y MOSFET.
Comparar los datos hallados de forma terica, los resultados medidos en la
prctica y los valores obtenidos por simulacin.
Extraer conclusiones pertinentes a las mediciones hechas a los circuitos de
acuerdo a lo aprendido en clases tericas anteriormente.
Establecer las condiciones de anlisis de los circuitos con transistores de
efecto de campo (JFET y MOSFET).
Formar una capacidad de anlisis critica, para interpretar de una manera
ptima los resultados obtenidos, de una forma lgica como analtica.


2. JUSTIFICACIN
Este laboratorio fue propuesto para lograr que los estudiantes de ing. Electrnica
reconocieran las caractersticas de los transistores de efecto de campo (FET)
compuestos por JFET y MOSFET, y su funcionamiento, adems de su importancia
en un circuito elctrico. Aparte de esto se propone un estudio de las variables que
influyen en este tipo de circuitos como son el voltaje, la corriente en cada uno de
sus terminales(Drane, Source, Gate), y evidenciar su comportamiento en un
circuito que trabaja con tensin DC y AC, es por eso que este informe se hizo con

el fin de aprender a operar transistores que trabaje como un amplificador de
voltaje que se pueda utilizar en aparatos electrnicos como por ejemplo:
amplificador, conmutador analgico, multiplexado, troceadores, amplificador de
aislamiento, amplificador de bajo ruido, resistencia controlada por voltaje, control
de ganancia automtico, amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o
radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada, circuitos digitales y
sobre todo en la construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo
consumo y al reducido espacio que ocupan.

3. ELEMENTOS, MATERIALES Y EQUIPOS
Los elementos, materiales y equipos que utilizamos fueron:
Un multmetro digital (DMM)
Una fuente de poder
Un generador de audio
Un osciloscopio anlogo
Resistores del orden de los y K a 0.5 W y 5%
Un transistor JFET 2N3459
Un transistor MOSFET BSV81
Condensadores del orden de los F
Una protoboard y caimanes


4. PROCEDIMIENTO
4.1 Clculos
4.1.1 Emisor comn:

( )

( )

()

()



( )
( ) ()( )


Analisis Ac=
(

)= (296)(

//r = (3k) // (37.50K) = 2.77K
Rsal= Rc//ro = Rc= 10k
( // ro) = -7.89ms(10k) = -78.9 v
()()

4.2 Simulacin
4.2.1 Emisor comn:

Rc
10k
R1
33k
R2
3300
RE
1k
C1
22uF
Vs
5mVpk
1kHz
0 C2
22uF
C3
22uF
RL
1k Te
BC547BG*
VCC
20V
R3
50


4.2.2 Base comn:

R1
100k
R2
20k
R3
1k
R4
50
R5
5k
R6
1k
C1
0.2F
C2
21F
V2
10mVrms
5kHz
0
Tb
BC547BG*
C3
0.2F
VCC
12V



4.2.3 Colector comn:

4.3 Mediciones
4.3.1 Polarizacin:
Implementamos cada uno de los circuitos mostrados anteriormente y procedemos
a hacer las respectivas mediciones de los voltajes de base, colector y emisor;
luego de esto por medio de clculos matemticos hallamos los valores
correspondientes a ganancias e impedancias; consignamos estos datos en las
tablas que aparecen a continuacin y hacemos las comparaciones entre los
valores medidos calculados y simulados.


R1
33k
R2
33k
RL
1
RE
10k
C1
1F
C2
1F
V2
25mVpk
1kHz
0
Io
AC 1e-009GOhm
0.102m
A
+ -
Ie
AC 1e-009GOhm
1.182u
A
+ - Tc
BC547BG*
VCC
15V
R3
50

Tabla 1. Emisor comn
Calculados Medidos Simulados

I
C

I
B

I
E

V
B

V
E

V
C

V
CE

V
BE

Z
I

Z
O

V
O
240 V
Av 24 v/v
Ai


Tabla 2. Base comn
Calculados Medidos Simulados
301.66
I
C
1.27400 mA
I
B
4.22317 A
I
E
1.27822 mA
V
B
1.929 V
V
E
1.281 V
V
C
5.617 V
V
CE
4.334 V
V
BE
0.648 V
Z
I
-
Z
O
-
V
O
260 V
Av 24.761 v/v
Ai -


Tabla 3. Colector comn
Calculados Medidos Simulados
301.296
I
C
0.682 mA

I
B
2.266 A
I
E
0.685 mA
V
B
7.462 V
V
E
6.844 V
V
C
15 V
V
CE
8.156 V
V
BE
0.6183 V
Z
I
-
Z
O
-
I
O
0.102 mA
Av -
Ai 86.294 V



5. ANLISIS DE RESULTADOS
Al realizar las comparaciones pedidas por el docente entre los voltajes de
polarizacin, la resistencia r
e
, las ganancias de voltaje y las resistencias de
entrada y salida del circuito respecto a datos calculados y medidos podemos
observar que la diferencia que existe entre cada uno de ellos es mnima lo que
quiere decir que el porcentaje de variacin no supera el 30%. Al realizar esta
prctica observamos que la ganancia de voltaje vara de acuerdo desde y hasta
donde se mire, tambin se analiz que la seal de entrada y salida no se
encuentran en fase y que la salida est desfasada 180 con respecto a la seal de
entrada, esto se puede evidenciar en la figura 3.


6. CONCLUSIONES
Los transistores son elementos que han facilitado, en gran medida, el
diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y
facilidad de control.
Por medio de esta prctica realizada, nos dimos cuenta que los transistores
de efecto de campo (FET) son dispositivos muy tiles en los procesos de
amplificacin.
Un circuito amplificador es aquel que es capaz de ofrecer en su salida la
seal presente en su entrada, pero aumentada.
Los transistores tipo FET son controlados por voltaje, involucra una
fabricacin de sustrato, dixido de silicio como aislante y metal para los
terminales, consumen poca potencia, se usan en la parte de electrnica
digital y puede fabricarse en tamaos minsculos.
Como la corriente es mnima la potencia y el calentamiento tiende a cero.

Tienen la cualidad de tener una zona en la que se comportan como
resistencia.
Se logr llevar a cabalidad los objetivos propuestos al inicio de la prctica.
Durante el experimento pudimos comprobar la teora que fue asimilada en
el saln de clases


BLIBLIOGRAFIA
CAPITULO 4 cuarta edicin CICUITOS MICROELECTRICOS ADEL
SEDRA Y KENEENETH C SMITH