Diodos Especiales

Dispositivos Semiconductores
www.fi.uba.ar/materias/6625
2do Cuatrimestre de 2012
DIODOS ESPECIALES
Introduccin
Este apunte es una introduccin general a diversos diodos con propiedades elctricas especiales. Para comprender
en detalle el funcionamiento de estos dispositivos se requieren conocimientos de mecnica cuntica y teora de
bandas, por lo que aqu slo se dar un tratamiento elemental, reservando su explicacin completa para otros cursos
de fsica de semiconductores. Los diodos que sern analiados son los siguientes!
" Zener
Schottky
Varicap
Tnel
Tipos de diodos
Existen distintos diodos en los cules su geometra, niveles de dopa#e o materiales semiconductores se dise$an de
modo de lograr un desempe$o adecuado para ciertas funciones especiales. Los diodos especiales ms %abituales,
#unto con sus smbolos tpicos, se ilustran en la &ig. '.
Diodo Zener Diodo Schottky Diodo Tnel Diodo Varicap
&ig. '
'
Existen tambin otros dispositivos de #untura P(, como los LEDs, los diodos lser, los fotodetectores, los diodos
PI, los diodos de a!alancha, los )*+, etc. que los %emos agrupado para su estudio dentro de otros apuntes
,-ispositivos .pto/electrnicos o -ispositivos de Potencia0. 1ambin existen otros diodos especiales que no se
incluyen en este apunte, como por e#emplo el diodo 2unn, porque su uso es muy poco frecuente.
En la &ig. 3 se muestran posibles clasificaciones %ec%as por &airc%ild para los diodos ms %abituales.
&ig. 3
3
"ur!a caracter#stica del diodo con!encional
La curva 4/5 del diodo P( rectificador elemental se ilustra en la &ig. 6.
&ig. 6
6
El modelo matemtico ms empleado es el de )%oc7ley que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones!

I =I
S

e
qV
D
nkT
1
-onde!
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
VD es la diferencia de tensin entre los extremos del diodo.
IS es la corriente de saturacin ,del orden de '8
9'3
:mper0
q es la carga del electrn cuyo valor es '.;'8
9'<
*oul
T es la temperatura absoluta de la #untura
k es la constante de =oltmann
n es el coeficiente de emisin, que depende del proceso de fabricacin del diodo, y toma valores del orden de ' ,para el
germanio0 y del orden de 3 ,silicio0.
"orriente o$inal %I&' *orriente en condiciones especificadas de rgimen de traba#o.
"orriente $(i$a %I$a(&) Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo en directa sin
fundirse por el efecto >oule. -epende sobre todo del dise$o geomtrico y la capacidad de disipar potencia.
Tensin u$*ral %+ !olta,e&' 1ensin VD aproximada para que circule IN a travs del diodo.
Tensin de ruptura in!ersa %Vr&) : partir de un determinado valor de tensin se produce la ruptura inversa del
diodo, lo que implica un fuerte incremento en la corriente inversa, como se analiar a continuacin.
"orriente saturacin in!ersa %Is&) *orriente aproximada que circula por el diodo cuando es polariado en inversa
con una tensin mayor a Vr.
?
Tipos de ruptura in!ersa
Efecto a!alancha
: medida que aumenta la tensin de polariacin inversa de un diodo P( crece la extensin de la ona desierta y la
magnitud del campo elctrico en la #untura. Para cierto valor de tensin inversa ,tensin de ruptura o de avalanc%a0
puede ocurrir que los portadores alcancen energas suficientemente altas para que al c%ocar con la red generen
nuevos portadores ,&ig. ?0. Este efecto multiplicador en la cantidad de portadores debe ser limitado mediante una
resistencia serie externa para evitar la destruccin del diodo.
&ig. ?
@
Efecto tnel %o -ener&
En cambio, si el dopa#e del diodo es mayor, la
ona desierta ser ms reducida, y no %abr
distancia suficiente para acelerar a los
portadores como para generar el efecto
avalanc%a. En este caso, si la tensin inversa es
suficientemente grande, se producir un
desprendimiento de portadores de la ona de
vaciamiento por un efecto cuntico llamado
Aefecto tBnelC.
En general, en los diodos estn presentes tanto
el efecto ener como el efecto de :valanc%a,
pero el efecto predominante ser aquel que se
produca a menor tensin inversa. En los diodos
de silicio es posible lograr el efecto ener para
valores de aproximadamente ' a @.; 5olts,
mientras que por sobre @.; 5olts predomina el
efecto de avalanc%a.

;
&ig. @
2eneralmente, cuando se %abla de un Adiodo -enerC se %ace referencia a diodos que se utilian polariados en la
tensin de ruptura in!ersa, independientemente de si sta ruptura se produce por efecto Dener o por efecto
avalanc%a, y que se emplean para obtener tensiones de referencia o reguladas, como veremos a continuacin.
E
E.e$plo de aplicacin de diodo Zener
En la &ig. @ se ilustra un e#emplo de la curva caracterstica de un diodo Dener.
&ig. ;
-ebido a que en polariacin inversa el diodo Dener presenta una regin de tensin casi constante para un rango
amplio de corrientes ,ver &ig. ;0 se los utilia para obtener una tensin regulada. El circuito elemental se muestra en
la &ig. E. Eligiendo la resistencia + y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en la carga ,+L0
permaneca prcticamente constante dentro de un rango de variacin de la tensin de entrada 5(+.
F
&ig. E
Para elegir la resistencia limitadora + adecuada %ay que calcular cul puede ser su valor mximo y mnimo de
acuerdo con la corriente 4L mnima y mxima, las corrientes de Dener mnimas y mximas, y las tensiones 5s mnimas
y mximas!

)i se utilia por e#emplo el diodo Dener de 3.? 5 ilustrado en la &ig. F, entonces dentro de cierto rango de 4 L se
asegurar una tensin de 3.? 5 sobre la carga.
&ig. F
<
Tolerancia de los diodos Zener y su !ariacin con la te$peratura
La tensin de Dener puede ser controlada en el proceso de fabricacin mediante el a#uste del dopa#e. En general la
tolerancia tpica de 5 es del @G o '8G, aunque se logran tolerancias de %asta 8.8@G.
*uando la ruptura se produce por efecto Dener la tensin 5 presenta un coeficiente de variacin negativo con la
temperatura. En cambio, cuando predomina el efecto de avalanc%a 5 tiene un coeficiente positivo de variacin con
la temperatura. Los diodos Dener de silicio de @.; 5 son muy populares, ya que ambos efectos se producen en
simultneo, compensando la variacin de temperatura.
Diodo Schottky
El diodo )c%ott7y es un diodo que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e
inversa ,menos de 'ns en dispositivos peque$os0 y que tiene muy ba#as tensiones umbral ,del orden de 8.350.

'8
El diodo )c%ott7y est constituido por una #untura metal/semiconductor, en lugar de una #untura P(. En la &ig. < se
muestra un diodo )c%ott7y de aluminio. -ebido a efectos cunticos, la #untura (/:l tiene las propiedades
rectificativas similares a la de una #untura P(, mientras que la #untura (
H
/:l se comporta como una #untura %mica
metal/metal. -e este modo, si el cuerpo semiconductor est dopado con impureas tipo (, solamente los portadores
tipo ( ,electrones mviles0 desempe$arn un papel significativo en la operacin del diodo (/:l con lo que la
operacin del dispositivo ser muc%o ms rpida.
La alta velocidad de conmutacin del diodo )c%ott7y permite rectificar se$ales de muy altas frecuencias y encuentra
una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para comunicaciones y computadoras.
''
Diodo Varicap
El -iodo de capacidad variable o 5aractor ,5aricap0 es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en la variacin
de extensin de la ona desierta de la unin P( en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. :l
aumentar dic%a tensin, aumenta la anc%ura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. -e este modo
se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde ' a @88
p&. La tensin inversa mnima tiene que ser de ' 5.
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en sintoniadores de 15 ,&ig. '80, modulacin de frecuencia
en transmisiones de &I y radio y en los osciladores controlados por volta#e ,5*.0.

'3
'6
Diodo Tnel
Los diodos tBnel estn fuertemente dopados de modo que la ona de vaciamiento tiene slo unos pocos nanmetros.
Por este motivo se manifiesta fuertemente el efecto tBnel ,&ig. '30, que es un fenmeno solamente explicable a
partir de la mecnica cuntica. Este diodo fue inventado en '<@F por el #apons Leo Esa7i, por lo cual recibi un
premio (obel en '<E6.
Los diodos 1Bnel son generalmente fabricados en 2ermanio, pero tambin en silicio y arseniuro de galio. )on diodos
muy rpidos que presentan una respuesta una ona con Aresistencia negativaC ,&ig. '30, que permite su utiliacin
como elemento activo en osciladores y amplificadores. En la prctica los diodos tBnel operan con unos pocos
miliampers y potencias muy ba#as.
&ig. '3
'?
/i*lio,raf#a
). I. )e / P%ysics of )emiconductor -evices
Iuller Jamins / -evice Electronics &or 4ntegrated *ircuits
KKK.Ki7ipedia.org
'@

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